JPS5925279A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPS5925279A JPS5925279A JP57135530A JP13553082A JPS5925279A JP S5925279 A JPS5925279 A JP S5925279A JP 57135530 A JP57135530 A JP 57135530A JP 13553082 A JP13553082 A JP 13553082A JP S5925279 A JPS5925279 A JP S5925279A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に１枚のガラス基板に複数の太陽電池を形
成する太陽′重性のｆＭ輩力方法関するも０〕である。
成する太陽′重性のｆＭ輩力方法関するも０〕である。
この種の製造方法で従来の一方法によって得られた太陽
電池の構造を第１図に示す。この製造洩゛ｌ序としては
、先ず透光性ガラス基板１１十に透明４％膜（例えハｆ
ｉ’０． Ｕｎ（Ｊ２ ） １３を公知１λ膜形成
手段（例えばスパッタリング）番こよってパターン形成
し、当該透明導電膜１３θ〕」−から全体番こ亘ってア
モルファスシリコン番こよる非晶質半導体層１５を層形
成し、更に当該非晶質半導体層１５を挾んで透明導電膜
１３と対向する位置関係て表電極１７を重畳形成してい
る。
電池の構造を第１図に示す。この製造洩゛ｌ序としては
、先ず透光性ガラス基板１１十に透明４％膜（例えハｆ
ｉ’０． Ｕｎ（Ｊ２ ） １３を公知１λ膜形成
手段（例えばスパッタリング）番こよってパターン形成
し、当該透明導電膜１３θ〕」−から全体番こ亘ってア
モルファスシリコン番こよる非晶質半導体層１５を層形
成し、更に当該非晶質半導体層１５を挾んで透明導電膜
１３と対向する位置関係て表電極１７を重畳形成してい
る。
かような製造方法にあっては、透明導布、膜１３をパタ
ーン形成し、隣接する透明導電膜１３の相互間番こは間
隙１９か生じている。非晶負半導体層１５の形成特番こ
は、この間隙１９１こも非＾１１質半導体か埋まってガ
ラス基板１１の表面上（こも生成されている。ガラス基
板１１の拐料の主成分はソーダー分であり、このソーダ
ー分により、間ｊ！Ａ１９（こ存在する非晶質半導体部
が影響を受け、その結果非晶質半導体層１５の膜質か劣
化してしまうという欠点があった。
ーン形成し、隣接する透明導電膜１３の相互間番こは間
隙１９か生じている。非晶負半導体層１５の形成特番こ
は、この間隙１９１こも非＾１１質半導体か埋まってガ
ラス基板１１の表面上（こも生成されている。ガラス基
板１１の拐料の主成分はソーダー分であり、このソーダ
ー分により、間ｊ！Ａ１９（こ存在する非晶質半導体部
が影響を受け、その結果非晶質半導体層１５の膜質か劣
化してしまうという欠点があった。
第２図は盾部電力用の太陽電池の構造を示す。
この製造順序としては、先ず透光性ガラス基板２１に透
明導電膜２３をパターン形成し、隣接する透明導電膜２
３の相互間ｔＣは間隙２９が形成されている。次いで、
この間隙２９上を覆うメタルマスク（図示ぜず）を配置
して、透明導電膜２３上のみ番こ非晶質半導体層２５を
形成する。更番こ、金属電極２７を重畳形成するのであ
るか、例えは太陽電池（セル）の直列接続を実現するた
め（こ、この金属電極２７を隣接する透明導電膜２３１
こ電気的Ｇこ接続されるよう番こ形成している。
明導電膜２３をパターン形成し、隣接する透明導電膜２
３の相互間ｔＣは間隙２９が形成されている。次いで、
この間隙２９上を覆うメタルマスク（図示ぜず）を配置
して、透明導電膜２３上のみ番こ非晶質半導体層２５を
形成する。更番こ、金属電極２７を重畳形成するのであ
るか、例えは太陽電池（セル）の直列接続を実現するた
め（こ、この金属電極２７を隣接する透明導電膜２３１
こ電気的Ｇこ接続されるよう番こ形成している。
しかしながら、このような太陽電池の製造法番こあって
は、非晶負半導体層の成膜時１ご用いるメタルマスクに
よるｆｉ蔽が完全てはなく所謂まわり込みが避けられな
い。このまわり込みにまって間隙２９番こおいても大き
く非晶質半導体物質か入り込んでしまい、次工程の金属
型ａｉ２７の成形か困１ｔｌＩとなってしまう欠点があ
る。これを避りるため１こ、メタルマスクを厚くして成
膜すると、当該マスク番こ近いところでは非晶質半導体
層２５の膜厚か湖くなり不都合である。また、透明導孔
膜２３相互の間隙２９を大きくとってパターン形成スれ
（Ｊ、相対的≦こ一定面積のガラス基板２１１こ形成さ
れる太陽電池（セル）の数が減り、受光部としての１１
１１積か減少してしまうといった欠点かあった。
は、非晶負半導体層の成膜時１ご用いるメタルマスクに
よるｆｉ蔽が完全てはなく所謂まわり込みが避けられな
い。このまわり込みにまって間隙２９番こおいても大き
く非晶質半導体物質か入り込んでしまい、次工程の金属
型ａｉ２７の成形か困１ｔｌＩとなってしまう欠点があ
る。これを避りるため１こ、メタルマスクを厚くして成
膜すると、当該マスク番こ近いところでは非晶質半導体
層２５の膜厚か湖くなり不都合である。また、透明導孔
膜２３相互の間隙２９を大きくとってパターン形成スれ
（Ｊ、相対的≦こ一定面積のガラス基板２１１こ形成さ
れる太陽電池（セル）の数が減り、受光部としての１１
１１積か減少してしまうといった欠点かあった。
本発明の目的は、上述した欠点をずべて触゛消し、ソー
ダーガラス上に非晶質半導体層を形成さ一＠Ｚ、ことな
く、膜質の劣化のない且つ受光面積の大きい太陽電池を
提供することにある。
ダーガラス上に非晶質半導体層を形成さ一＠Ｚ、ことな
く、膜質の劣化のない且つ受光面積の大きい太陽電池を
提供することにある。
以下図面に基づいて本発明の詳細な説明づる。
第３図は本発明の一実施例によって太１％１℃池を製造
する各工程における断面構造を示す。先ず、透光性ガラ
ス基板３１上【こ、透明導電膜形成のためのパターンを
有するマスキング材（パターン）３３を配設し、例えは
スパッタリンクによってｌ’ｉ’ ｕ ｔこよる透明導
電膜３５をガラス基板３１の全面番こ亘って層形成する
（第３図（ａ）参照）。しかる後、このマスキンク旧：
３３を除去しないで、透明ｊ４ｆｆｉＷＪ３５の上（こ
全面に亘って更（こアモルファスシリコンによるジ１晶
１１ｉ半導体１ｆ’ｉ＋ ３７を例えば低圧プラズマＣ
ｖＬ）法によって成膜する（第２図（ｂｌ参。
する各工程における断面構造を示す。先ず、透光性ガラ
ス基板３１上【こ、透明導電膜形成のためのパターンを
有するマスキング材（パターン）３３を配設し、例えは
スパッタリンクによってｌ’ｉ’ ｕ ｔこよる透明導
電膜３５をガラス基板３１の全面番こ亘って層形成する
（第３図（ａ）参照）。しかる後、このマスキンク旧：
３３を除去しないで、透明ｊ４ｆｆｉＷＪ３５の上（こ
全面に亘って更（こアモルファスシリコンによるジ１晶
１１ｉ半導体１ｆ’ｉ＋ ３７を例えば低圧プラズマＣ
ｖＬ）法によって成膜する（第２図（ｂｌ参。
照）。次いで、マスキング材３３を除去する。その際に
、透明導電膜３５およＯ−非晶質半導体層３７も、当該
マスキング材３３のパターン１こ従って部分的１こ剥離
される。従って、この剥離手段により、相隣り合う太陽
１ｕ池（セル）を形成するよう（こ間隙３９が適当≦こ
生じる（第３図（Ｃ）参照）。次いて、非晶質半導体層
３７の上から裏電極４０を蒸着法等（こより成形する（
第３図（ｄ）参照）。
、透明導電膜３５およＯ−非晶質半導体層３７も、当該
マスキング材３３のパターン１こ従って部分的１こ剥離
される。従って、この剥離手段により、相隣り合う太陽
１ｕ池（セル）を形成するよう（こ間隙３９が適当≦こ
生じる（第３図（Ｃ）参照）。次いて、非晶質半導体層
３７の上から裏電極４０を蒸着法等（こより成形する（
第３図（ｄ）参照）。
このようにして製造された太陽１戦池蚤こあっては、非
晶質半導体層３７とガラス基＆３１との接触はないから
、当該半導体層３７の膜質がソーダー分（こよって劣化
することはｆＪい。
晶質半導体層３７とガラス基＆３１との接触はないから
、当該半導体層３７の膜質がソーダー分（こよって劣化
することはｆＪい。
第４図にＡ・発明の別実施例を示し、こＱ〕実施例は盾
部電力用の太陽電池の場合である。この場合、先ず透光
性ガラス基板４１上に例えは電子ヒーム蒸着によって金
属製果１を極（グリッド電極）４３を成形し、その一端
部４４を覆うようにマスキング材（パターン）４５を塗
布し、その上から全面１こ亘って透明導電膜（［′ｌ′
０）４７を層形成する（第４図（ａ）参照）。この透明
導電膜４７の」二番こ、史番こ非晶質半導体層４９を重
畳形成する（第４図（’ｌ参［）。このようにマスキン
グ材４５の上に重ねて透明導電膜４７および非晶質半導
体層４９を形成した後、このマスキング材４５を除去す
る。
部電力用の太陽電池の場合である。この場合、先ず透光
性ガラス基板４１上に例えは電子ヒーム蒸着によって金
属製果１を極（グリッド電極）４３を成形し、その一端
部４４を覆うようにマスキング材（パターン）４５を塗
布し、その上から全面１こ亘って透明導電膜（［′ｌ′
０）４７を層形成する（第４図（ａ）参照）。この透明
導電膜４７の」二番こ、史番こ非晶質半導体層４９を重
畳形成する（第４図（’ｌ参［）。このようにマスキン
グ材４５の上に重ねて透明導電膜４７および非晶質半導
体層４９を形成した後、このマスキング材４５を除去す
る。
この際、マスキング４４４５上１０重なっている透明導
電膜４７および非晶質半導体層４９か部分的１こ剥離さ
れて、相隣接する太陽電池（セル）の相互に適切な間隙
５１が生じると共に、集電極４３の一端部４４が露出す
る（第４図（ｅ）参照）。次いで、１つのセルを形成す
る非晶質半導体層４７およびその隣りのセルを形成する
集電極４３１こ亘って、金属を例えは電子ビーム法番こ
よって蒸着させて、裏電極５３を形成してセル同士の直
列接続を実現する（第４図（ｄ）参照）。
電膜４７および非晶質半導体層４９か部分的１こ剥離さ
れて、相隣接する太陽電池（セル）の相互に適切な間隙
５１が生じると共に、集電極４３の一端部４４が露出す
る（第４図（ｅ）参照）。次いで、１つのセルを形成す
る非晶質半導体層４７およびその隣りのセルを形成する
集電極４３１こ亘って、金属を例えは電子ビーム法番こ
よって蒸着させて、裏電極５３を形成してセル同士の直
列接続を実現する（第４図（ｄ）参照）。
このようにして製造した太陽電池では、非晶質半導体層
４９の成膜時Ｓこ従来のようなメタルマスク部利を使用
しないので製造工程が簡略化される。
４９の成膜時Ｓこ従来のようなメタルマスク部利を使用
しないので製造工程が簡略化される。
また、セル相互間の間隙５１は、成膜時のまわり込みを
考慮する必要がないので狭くすることかでき、結果的に
受光面積を相対的に大きくとること・かできる。
考慮する必要がないので狭くすることかでき、結果的に
受光面積を相対的に大きくとること・かできる。
以上詳述した如く本発明番こよれば、マスキング材を置
いたままそれに重ねて透明導電膜および非晶質半導体層
を重畳形成した後に、このマスキング材を除去すること
１こより透明導電膜および非晶質半導体を局部的≦こ剥
き取って各セルを形成することにより、受光部か大きく
、ガラス基板のソーター分番こよる非晶質半導体層の膜
質の劣化のない太陽電池を工程簡単番こして製作するこ
とのできる太陽電池の製造方法か実践（できる。
いたままそれに重ねて透明導電膜および非晶質半導体層
を重畳形成した後に、このマスキング材を除去すること
１こより透明導電膜および非晶質半導体を局部的≦こ剥
き取って各セルを形成することにより、受光部か大きく
、ガラス基板のソーター分番こよる非晶質半導体層の膜
質の劣化のない太陽電池を工程簡単番こして製作するこ
とのできる太陽電池の製造方法か実践（できる。
第１図および第２図は従来の製造方法によって製造され
た太陽電池の格造を示す断面図、第３図および第４図は
本発明の太陽電池の製造方法の実施例１こおける各工程
を説明するだめの断面格造は１である。 １１．２１．３１． １１１・・・透光性ガラス基板、
１３．２３．３５．４７・・・透明導電膜、１５＋２５
．３７．４９・・・非晶質半導体層、１７．２７．４０
．５３・・・電極、１９．２９．５１・・・間隙、３３
゜４５・・・マスキング材、４３・・・集電極。 特許出願人 京都セラミック株式金相 第３図 光 九
た太陽電池の格造を示す断面図、第３図および第４図は
本発明の太陽電池の製造方法の実施例１こおける各工程
を説明するだめの断面格造は１である。 １１．２１．３１． １１１・・・透光性ガラス基板、
１３．２３．３５．４７・・・透明導電膜、１５＋２５
．３７．４９・・・非晶質半導体層、１７．２７．４０
．５３・・・電極、１９．２９．５１・・・間隙、３３
゜４５・・・マスキング材、４３・・・集電極。 特許出願人 京都セラミック株式金相 第３図 光 九
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、同一のカラス基板上に複数のマスキングパターンを
設け、そのＪ−＋こ一方の電極となる透明導電膜および
非晶質小力、体１ｉｊを順次重畳形成した後５、前記マ
スキングパターンの除去によって前記導電膜および非晶
負半ｉ！％ １．１；層を部分的に除去し、残留非晶質
半導体ＪＫＩ ｌこ更に別な電極を重畳形成して、１枚
のガラス基＆ｌこ複数の太陽電池を形成する太陽？ｈ池
の製造方法。 ２、同一のカラス基板」二番こ所定の間隔て複数の集電
極を形成し、線束１（１極の朗望端部側て所定幅のマス
キンクパターンを重ねて設け、さらにその上から全体的
Ｇこ一方の電極となる透明導電膜および非晶質半導体層
をｌｌｆｆｔ次重畳形成した後、ｎｉＪ記マスキンクパ
ターンの除去（こよって前記透明導電膜および非晶質半
導体層を部分的に除去し、残留非晶質半導体層着こ史（
こ別な電極を重畳形成して、１枚のガラス基板に複数の
太陽型、池を形成する太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135530A JPS5925279A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135530A JPS5925279A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925279A true JPS5925279A (ja) | 1984-02-09 |
Family
ID=15153920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57135530A Pending JPS5925279A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925279A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198686A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製法 |
| US4948740A (en) * | 1988-03-24 | 1990-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the integrated series-interconnection of thick-film solar cells and method for the manufacture of tandem solar cells |
-
1982
- 1982-08-02 JP JP57135530A patent/JPS5925279A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198686A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製法 |
| JPH0574952B2 (ja) * | 1985-02-27 | 1993-10-19 | Kanegafuchi Chemical Ind | |
| US4948740A (en) * | 1988-03-24 | 1990-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the integrated series-interconnection of thick-film solar cells and method for the manufacture of tandem solar cells |
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