JPS61198686A - 半導体装置の製法 - Google Patents
半導体装置の製法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 abstract description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JETSKDPKURDVNI-UHFFFAOYSA-N [C].[Ca] Chemical compound [C].[Ca] JETSKDPKURDVNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- KRTSDMXIXPKRQR-AATRIKPKSA-N monocrotophos Chemical compound CNC(=O)\C=C(/C)OP(=O)(OC)OC KRTSDMXIXPKRQR-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 silicone oil Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
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- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は半導体装置の製法に関する。
［従来の技術］
従来、半導体装置を製造する際に必要とされるパターン
化は、マスク蒸着法やエツチング法などにより行なわれ
ている。
化は、マスク蒸着法やエツチング法などにより行なわれ
ている。
［発明が解決しようとする問題点］
半導体装置を製造する際に必要とされるパターン化をマ
スク蒸着法によりおこなうばあいには、パターン精度が
わるく、微細加工が困難であり、エツチング法により行
なうばあいにはパターン精度がよく、微細加工も容易で
あり、これらの点ではマスク蒸着法のような問題はない
が、使用したエツチング液やレジストなどが残留するこ
とがあり、このようなばあいには、製造された半導体装
置の信頼性が著しく低下するという問題が生ずる。
スク蒸着法によりおこなうばあいには、パターン精度が
わるく、微細加工が困難であり、エツチング法により行
なうばあいにはパターン精度がよく、微細加工も容易で
あり、これらの点ではマスク蒸着法のような問題はない
が、使用したエツチング液やレジストなどが残留するこ
とがあり、このようなばあいには、製造された半導体装
置の信頼性が著しく低下するという問題が生ずる。
本発明は半導体装置を製造する際のパターン化を精度よ
く、容易にすることができ、しかもエツチング液やレジ
ストが残留したりすることによる製造された半導体装置
の信頼性の低下をなくすためになされたものである。
く、容易にすることができ、しかもエツチング液やレジ
ストが残留したりすることによる製造された半導体装置
の信頼性の低下をなくすためになされたものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、絶縁基板上に形成された第１の電極の一部を
除去したのち、第１の電極上に形成された非晶質を含む
半導体上に形成される第２の電極が不要な部分に相当す
る非晶質を含む半導体上の部分に、あらかじめ溶剤可溶
性物を塗布し、ついで第２の電極を形成することを特徴
とする半導体装置の製法に関する。
除去したのち、第１の電極上に形成された非晶質を含む
半導体上に形成される第２の電極が不要な部分に相当す
る非晶質を含む半導体上の部分に、あらかじめ溶剤可溶
性物を塗布し、ついで第２の電極を形成することを特徴
とする半導体装置の製法に関する。
［実施例］
本発明に用いる絶縁基板としては、たとえばガラス、セ
ラミックス、エポキシ系樹脂やフッ素系樹脂などの有機
高分子材料、絶縁された金属板などからなる厚さ０．０
５〜１０ｍｍ程度の、一般に半導体装置の製造に用いら
れている絶縁基板があげられ、このような絶縁基板であ
るかぎり使用しうる。
ラミックス、エポキシ系樹脂やフッ素系樹脂などの有機
高分子材料、絶縁された金属板などからなる厚さ０．０
５〜１０ｍｍ程度の、一般に半導体装置の製造に用いら
れている絶縁基板があげられ、このような絶縁基板であ
るかぎり使用しうる。
前記絶縁基板上には、たとえばＳＵＳ 、鉄、Ｎ１陵、
気、しんちゅう、Ｚ＋＋、Ａ（］、合金などの金属電極
や、ＩＴＯ、Ｉｎｚ Ｏａ、５ｎＯｔ、 ＩＴＯ／Ｓｎ
Ｏ２、ＣｄｘＳｎ Ｏ，（ｘは０．５〜２、ｙは２〜４
である）、Ｉｒ２０１． （ｚは ０．３３〜０．５で
ある）、Ｉｎ、 ０（１，、（ｍはＯ〜０．５テ（Ｉ
５ ル） ナト（７） 透明電極、あるいはＣｒ−５ｉ
、 Ｎｏ−３ｉなどのシリサイド系電極などが、厚さ１
００〜１００００人程度になるように第１の電極として
形成される。
気、しんちゅう、Ｚ＋＋、Ａ（］、合金などの金属電極
や、ＩＴＯ、Ｉｎｚ Ｏａ、５ｎＯｔ、 ＩＴＯ／Ｓｎ
Ｏ２、ＣｄｘＳｎ Ｏ，（ｘは０．５〜２、ｙは２〜４
である）、Ｉｒ２０１． （ｚは ０．３３〜０．５で
ある）、Ｉｎ、 ０（１，、（ｍはＯ〜０．５テ（Ｉ
５ ル） ナト（７） 透明電極、あるいはＣｒ−５ｉ
、 Ｎｏ−３ｉなどのシリサイド系電極などが、厚さ１
００〜１００００人程度になるように第１の電極として
形成される。
本発明においては、絶縁基板上に形成された第１の電極
の一部を所望のパターンになるように、たとえばエツチ
ング法などの方法により除去したのち、第１の電極上に
形成された非晶質を含む半導体上に形成される第２の電
極が不要な部分に相当する非晶質を含む半導体上の部分
に、あらかじめ溶剤可溶性物が、好ましくは溶液状態で
塗布される。
の一部を所望のパターンになるように、たとえばエツチ
ング法などの方法により除去したのち、第１の電極上に
形成された非晶質を含む半導体上に形成される第２の電
極が不要な部分に相当する非晶質を含む半導体上の部分
に、あらかじめ溶剤可溶性物が、好ましくは溶液状態で
塗布される。
前記非晶質を含む半導体の具体例としては、Ｓ＝、 Ｇ
ｅ５Ｃの少なくとも１種を含むものや、Ｓｉ。
ｅ５Ｃの少なくとも１種を含むものや、Ｓｉ。
ａｅ、 ｃの少なくとも１種を含むものにざらにチッ素
原子や酸素原子が構成成分として加えられたものなどが
あげられ、形成された半導体のダングリングボンドが水
素原子やフッ素原子でターミネートされていてもよい。
原子や酸素原子が構成成分として加えられたものなどが
あげられ、形成された半導体のダングリングボンドが水
素原子やフッ素原子でターミネートされていてもよい。
またその厚さは５０人〜５０μ園程度のものである。該
非晶質を含む半導体には微結晶状のものが含まれていて
もよく、またその構造はｐｎ、 ｐｉｎ 、旧Ｓ （
Ｍｅｔａｌｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ）、５Ｂ（ＳｃｈｏｔｔｋｙＢａｒｒｉｅｒ）な
どの構造のものであってもよい。
非晶質を含む半導体には微結晶状のものが含まれていて
もよく、またその構造はｐｎ、 ｐｉｎ 、旧Ｓ （
Ｍｅｔａｌｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ）、５Ｂ（ＳｃｈｏｔｔｋｙＢａｒｒｉｅｒ）な
どの構造のものであってもよい。
非晶質を含む半導体上に塗布され゛る溶剤可溶性物とは
、水や有機溶剤などに接触すると溶解する物のことであ
り、たとえば水溶性樹脂や溶剤可溶性樹脂、あるいはこ
れらに平均粒径０．０５〜５０μ■程度の無機粒子を分
散させたものなどや、蒸気圧の小さい液体、たとえばシ
リコーンオイルなどの有機化合物などがあげられるが、
これらに限定されるものではない。シリコーンオイルの
ような蒸気圧の小さい液状有機化合物を用いるばあいに
は、塗布部には第２の電極が形成されず、その上要すれ
ば容易に洗い流すことができるのでさらに好ましい。
、水や有機溶剤などに接触すると溶解する物のことであ
り、たとえば水溶性樹脂や溶剤可溶性樹脂、あるいはこ
れらに平均粒径０．０５〜５０μ■程度の無機粒子を分
散させたものなどや、蒸気圧の小さい液体、たとえばシ
リコーンオイルなどの有機化合物などがあげられるが、
これらに限定されるものではない。シリコーンオイルの
ような蒸気圧の小さい液状有機化合物を用いるばあいに
は、塗布部には第２の電極が形成されず、その上要すれ
ば容易に洗い流すことができるのでさらに好ましい。
溶剤可溶性物を非晶質を含む半導体上に塗布するに際し
ては、液状にしたものを印刷により必要なパターンを形
成するように塗布したり、微小ノズルで吹きつけ塗布さ
れたりするが、精度の高いパターンが容易にえられる方
法であればとくに限定はなく、どのような方法であって
もよい。
ては、液状にしたものを印刷により必要なパターンを形
成するように塗布したり、微小ノズルで吹きつけ塗布さ
れたりするが、精度の高いパターンが容易にえられる方
法であればとくに限定はなく、どのような方法であって
もよい。
溶剤可溶性物を塗布し、必要により乾燥させたのち、第
１の電極と同様の材料からなる厚さ１０〜１００００人
程度の第２の電極が常法により形成される。そののち溶
剤可溶性物を溶かす溶剤に浸漬し、該可溶性物をその上
に形成された第２の電極の一部とともに、要すればやわ
らかい布や海綿などでこすりながら除去することにより
、第２の電極を精度よく、容易にパターン化しうる。シ
リコン系の＾沸点化合物を用いるとその部分には金属が
つかないこともあり、このばあいには必要により単にシ
リコン系化合物を洗うだけでよく、より好ましい。
１の電極と同様の材料からなる厚さ１０〜１００００人
程度の第２の電極が常法により形成される。そののち溶
剤可溶性物を溶かす溶剤に浸漬し、該可溶性物をその上
に形成された第２の電極の一部とともに、要すればやわ
らかい布や海綿などでこすりながら除去することにより
、第２の電極を精度よく、容易にパターン化しうる。シ
リコン系の＾沸点化合物を用いるとその部分には金属が
つかないこともあり、このばあいには必要により単にシ
リコン系化合物を洗うだけでよく、より好ましい。
このようにして製造した半導体装置には、エツチング液
やレジストのように半導体装置に残留するとその信頼性
を著しく低下させるような物質が残留する余地がなく、
信頼性の＾い、エツチング法なみの精度を有する微細パ
ターンが容易にえられ、太陽電池、光センサ−、ＴＥＴ
（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）
、 ＣＣ口（ｃｈａｒｏｅｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉ
ｃｅ）などの用途に好適に使用される。
やレジストのように半導体装置に残留するとその信頼性
を著しく低下させるような物質が残留する余地がなく、
信頼性の＾い、エツチング法なみの精度を有する微細パ
ターンが容易にえられ、太陽電池、光センサ−、ＴＥＴ
（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）
、 ＣＣ口（ｃｈａｒｏｅｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉ
ｃｅ）などの用途に好適に使用される。
上記説明では第１の電極の一部を除去したのち、その上
に形成された非晶質を含む半導体上に溶剤可溶性物を塗
布したが、第１の電極の一部を除去したのち第１の電極
上に形成された非晶質を含む半導体の一部をレーザーや
機械的なひっかきなどにより除去し、そののち該非晶質
を含む半導体上の第２の電極が不要な部分に相当する部
分に溶剤可溶性物を塗布して半導体装置を製造してもよ
く、第１の電極の一部および第１の電極上に形成された
非晶質を含む半導体の一部の除去を同時に行なったのち
、該非晶質を含む半導体上の第２の電極が不要な部分に
相当する部分に溶剤可溶性物を塗布して半導体装置を製
造してもよい。
に形成された非晶質を含む半導体上に溶剤可溶性物を塗
布したが、第１の電極の一部を除去したのち第１の電極
上に形成された非晶質を含む半導体の一部をレーザーや
機械的なひっかきなどにより除去し、そののち該非晶質
を含む半導体上の第２の電極が不要な部分に相当する部
分に溶剤可溶性物を塗布して半導体装置を製造してもよ
く、第１の電極の一部および第１の電極上に形成された
非晶質を含む半導体の一部の除去を同時に行なったのち
、該非晶質を含む半導体上の第２の電極が不要な部分に
相当する部分に溶剤可溶性物を塗布して半導体装置を製
造してもよい。
つぎに本発明の製法を実施例にもとづき説明する。
実施例１
ガラス（１）上に５ｎＯｔ電極（′２Ｊを設けた基板を
エツチングして、第１図に示すような帯状のパターンを
作り、その上にグロー放電法によりＰ型ａ−３ｉＣ：Ｈ
１２０人、真性ａ−３ｉ：Ｈ６０００人、ｎ型μＣ−３
ｉ：Ｈ５０部人からなる半導体（３）を形成した。
エツチングして、第１図に示すような帯状のパターンを
作り、その上にグロー放電法によりＰ型ａ−３ｉＣ：Ｈ
１２０人、真性ａ−３ｉ：Ｈ６０００人、ｎ型μＣ−３
ｉ：Ｈ５０部人からなる半導体（３）を形成した。
これを第２図に示すようにＹＡＧレーザーで半導体部の
みを５ｎｏ２電極のパターンからずらして平行にスクラ
イブした。ついで平均粒径０．５μ■のタルク６０部（
重」部、以下同様）、平均粒径１．５μｍの炭カル２５
部および低重合度のポリビニルアルコール５部を水に分
散させたスラリーをスクリーン印刷法で１０μ窮厚にな
るように塗布し、第３図に示すように印刷されたスラリ
ー（４）を形成し、７０℃で乾燥させた。次いでＮ電極
（５）を全面に蒸着したのち５０℃の温水中で約３分間
超音波洗浄し、水洗後フロン乾燥させて第４図に示す太
陽電池をえた。
みを５ｎｏ２電極のパターンからずらして平行にスクラ
イブした。ついで平均粒径０．５μ■のタルク６０部（
重」部、以下同様）、平均粒径１．５μｍの炭カル２５
部および低重合度のポリビニルアルコール５部を水に分
散させたスラリーをスクリーン印刷法で１０μ窮厚にな
るように塗布し、第３図に示すように印刷されたスラリ
ー（４）を形成し、７０℃で乾燥させた。次いでＮ電極
（５）を全面に蒸着したのち５０℃の温水中で約３分間
超音波洗浄し、水洗後フロン乾燥させて第４図に示す太
陽電池をえた。
えられた太陽電池の特性はＮ電極を化学エツチングした
ものと同じであったが、エツチングしたものを１００℃
で１０Ｈｒ処理すると、太陽電池性能は初期値の１７１
０になったのに対して、本発明の方法によるものは逆に
１５％増加した。
ものと同じであったが、エツチングしたものを１００℃
で１０Ｈｒ処理すると、太陽電池性能は初期値の１７１
０になったのに対して、本発明の方法によるものは逆に
１５％増加した。
実施例２
実施例１で用いたスラリーのかわりにシリコーンオイル
をインクジエクトプリンターで第３図と同じパターンに
なるように塗布し、Ｎを真空蒸着すると、シリコーンオ
イルを塗布したところにはＭが付着せず、このままで良
好な特性を示す太陽電池がえられた。
をインクジエクトプリンターで第３図と同じパターンに
なるように塗布し、Ｎを真空蒸着すると、シリコーンオ
イルを塗布したところにはＭが付着せず、このままで良
好な特性を示す太陽電池がえられた。
［発明の効果］
本発明の製法によると、精度の高い微細パターンを有す
る信頼性の高い半導体装置が容易に製造される。
る信頼性の高い半導体装置が容易に製造される。
第１〜４図は本発明の方法により半導体装置を製造する
ばあいの一実施態様の各段階に関する説明図であり、第
１図はガラス上に５ｎｏｔ電極を設けた基板をエツチン
グした状態を示す説明図、第２図は第１図に示す基板上
に半導体を形成し、半導体の一部のみをスクライブした
状態を示す説明図、第３図は第２図に示す半導体の上に
スラリーをスクリーン印刷法で塗布し、乾燥させた状態
を示す説明図、第４図は本発明の方法により形成した太
ｗＡ電池に関する説明図である。 （図面の符号） （１）ニガラス （２１： Ｓｎｏ！電極 （３）二半導体 （４）：印刷されたスラリー （５） ： ＃電極 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 １．。 ；ｔ′１ 図 ；ｔ′２図 才３図 才４図
ばあいの一実施態様の各段階に関する説明図であり、第
１図はガラス上に５ｎｏｔ電極を設けた基板をエツチン
グした状態を示す説明図、第２図は第１図に示す基板上
に半導体を形成し、半導体の一部のみをスクライブした
状態を示す説明図、第３図は第２図に示す半導体の上に
スラリーをスクリーン印刷法で塗布し、乾燥させた状態
を示す説明図、第４図は本発明の方法により形成した太
ｗＡ電池に関する説明図である。 （図面の符号） （１）ニガラス （２１： Ｓｎｏ！電極 （３）二半導体 （４）：印刷されたスラリー （５） ： ＃電極 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 １．。 ；ｔ′１ 図 ；ｔ′２図 才３図 才４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に形成された第１の電極の一部を除去し
たのち、第１の電極上に形成された非晶質を含む半導体
上に形成される第２の電極が不要な部分に相当する非晶
質を含む半導体上の部分に、あらかじめ溶剤可溶性物を
塗布し、ついで第２の電極を形成することを特徴とする
半導体装置の製法。 ２ 第１の電極の一部を除去したのち、第１の電極上に
形成された非晶質を含む半導体の一部を除去し、そのの
ち該非晶質を含む半導体上の第２の電極が不要な部分に
相当する部分に溶剤可溶性物を塗布する特許請求の範囲
第１項記載の製法。 ３ 第１の電極の一部および第１の電極上に形成された
非晶質を含む半導体の一部の除去を同時に行なったのち
、該非晶質を含む半導体上の第２の電極が不要な部分に
相当する部分に溶剤可溶性物を塗布する特許請求の範囲
第１項記載の製法。 ４ 前記溶剤可溶性物が蒸気圧の小さい液状有機化合物
、水可溶性または有機溶剤可溶性の固形物である特許請
求の範囲第１項記載の製法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039910A JPS61198686A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 半導体装置の製法 |
| EP86102335A EP0193820A3 (en) | 1985-02-27 | 1986-02-22 | Method for forming a thin film pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039910A JPS61198686A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 半導体装置の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198686A true JPS61198686A (ja) | 1986-09-03 |
| JPH0574952B2 JPH0574952B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=12566102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60039910A Granted JPS61198686A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198686A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114427115A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-05-03 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925279A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-09 | Kyocera Corp | 太陽電池の製造方法 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60039910A patent/JPS61198686A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925279A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-09 | Kyocera Corp | 太陽電池の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114427115A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-05-03 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574952B2 (ja) | 1993-10-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |