JPS63127227A - 液晶表示素子 - Google Patents
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- JPS63127227A JPS63127227A JP27460686A JP27460686A JPS63127227A JP S63127227 A JPS63127227 A JP S63127227A JP 27460686 A JP27460686 A JP 27460686A JP 27460686 A JP27460686 A JP 27460686A JP S63127227 A JPS63127227 A JP S63127227A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は液晶表示素子に関するもので特にガラス基板
上の二酸化ケイ素絶縁膜と透明電極膜の構造に関する。
上の二酸化ケイ素絶縁膜と透明電極膜の構造に関する。
液晶表示素子は電界で液晶分子の配列状態を変化させ、
この時の液晶の光学的性質の変化を利用して光を変調さ
せる電気光学効果を利用した表示素子である。
この時の液晶の光学的性質の変化を利用して光を変調さ
せる電気光学効果を利用した表示素子である。
この液晶表示素子としては例えば第２図に示すようにガ
ラス基板１の上にガラスのアルカリ成分が液晶中に溶出
するのを防ぐ目的で二酸化ケイ素絶縁膜３．液晶に電界
を印加するための透明電極膜４が設けられ、このガラス
基板１が２枚スペーサ６を介して対象に接着され、内部
に液晶５が光てんされたものが用いられる。
ラス基板１の上にガラスのアルカリ成分が液晶中に溶出
するのを防ぐ目的で二酸化ケイ素絶縁膜３．液晶に電界
を印加するための透明電極膜４が設けられ、このガラス
基板１が２枚スペーサ６を介して対象に接着され、内部
に液晶５が光てんされたものが用いられる。
このような液晶表示素子においては従来例えば特開昭５
８−１４０７２０号公報に示されているように液晶表示
素子のガラス基板１上に気相反応法により粒径１５０な
いし２５０Ａの二酸化ケイ素絶縁膜３．該絶縁膜上にス
パッタによりＩ Ｔ（Ｊ （Ｉｎｄｉ ｕｍＴｉｎ ０
ｘｉｄｅ 、酸化インジウム−酸化スズ）透明電極膜４
が形成される。スパッタリングでＩＴＯ透明１！極膜４
を形成すると、膜の光透過率が高い、電気抵抗値が低い
などの長所を有する反面ＩＴＯ透明′α極膜４の粒径が
最大？ＯＡであるのでＩＴＯ透明電極膜４のフォトリソ
グラフィにおいてレジストの密着力が悪く、そのために
オーバエツチングを起こし、ＩＴＯ透明電極膜４のパタ
ーンがレジストの現像と異なって細化するという欠点が
ある。これを防止するために気相反応法におけるシラン
ガスと酸素ガスの配合比、流量等の制御により、二酸化
ケイ素絶縁膜３の粒径を１５０Ａないし２５０Ａとなし
二酸化ケイ素絶縁膜３の上にスパッタリングで形成され
るＩＴＯ透明電極膜４の表面状態を二酸化ケイ素絶縁膜
３の粒径に従い粗ζこして、レジストの密着性を改善す
ることが行われている。
８−１４０７２０号公報に示されているように液晶表示
素子のガラス基板１上に気相反応法により粒径１５０な
いし２５０Ａの二酸化ケイ素絶縁膜３．該絶縁膜上にス
パッタによりＩ Ｔ（Ｊ （Ｉｎｄｉ ｕｍＴｉｎ ０
ｘｉｄｅ 、酸化インジウム−酸化スズ）透明電極膜４
が形成される。スパッタリングでＩＴＯ透明１！極膜４
を形成すると、膜の光透過率が高い、電気抵抗値が低い
などの長所を有する反面ＩＴＯ透明′α極膜４の粒径が
最大？ＯＡであるのでＩＴＯ透明電極膜４のフォトリソ
グラフィにおいてレジストの密着力が悪く、そのために
オーバエツチングを起こし、ＩＴＯ透明電極膜４のパタ
ーンがレジストの現像と異なって細化するという欠点が
ある。これを防止するために気相反応法におけるシラン
ガスと酸素ガスの配合比、流量等の制御により、二酸化
ケイ素絶縁膜３の粒径を１５０Ａないし２５０Ａとなし
二酸化ケイ素絶縁膜３の上にスパッタリングで形成され
るＩＴＯ透明電極膜４の表面状態を二酸化ケイ素絶縁膜
３の粒径に従い粗ζこして、レジストの密着性を改善す
ることが行われている。
しかしながら上記方法により二酸化ケイ素絶縁膜３を形
成しその表面状態を走査電子顕微鏡で観察すると、ガラ
ス基板上の位置により二酸化ケイ素絶縁膜の粒径分布が
異なり、１５０Ａ以下の粒径の二酸化ケイ素絶縁膜３も
形成された。これは気相反応法においてシランガスと酸
素ガスをインジェクタにより同時に噴出させて反応させ
るため、反応の制御が困難なためと推定される。このよ
うに気相反応法により二酸化ケイ素絶縁膜３を形成し、
その粒径を所定値に制御する場合はその粒径制御が容易
でないので、スパッタリングで形成したＩＴＯ透明電極
膜４の表面粗度が充分でなく、その結果レジストの密着
性に欠はオーバエツチングをおこし、スパッタリングＩ
ＴＯ透明電極膜４が細化するという問題点があった。
成しその表面状態を走査電子顕微鏡で観察すると、ガラ
ス基板上の位置により二酸化ケイ素絶縁膜の粒径分布が
異なり、１５０Ａ以下の粒径の二酸化ケイ素絶縁膜３も
形成された。これは気相反応法においてシランガスと酸
素ガスをインジェクタにより同時に噴出させて反応させ
るため、反応の制御が困難なためと推定される。このよ
うに気相反応法により二酸化ケイ素絶縁膜３を形成し、
その粒径を所定値に制御する場合はその粒径制御が容易
でないので、スパッタリングで形成したＩＴＯ透明電極
膜４の表面粗度が充分でなく、その結果レジストの密着
性に欠はオーバエツチングをおこし、スパッタリングＩ
ＴＯ透明電極膜４が細化するという問題点があった。
この発明の目的は、透明電極膜の表面を粗にすることに
よりレジストの密着性を高め、透明電極膜のオーバエツ
チングを防止することにある。
よりレジストの密着性を高め、透明電極膜のオーバエツ
チングを防止することにある。
上記目的を達成するために、この発明によればガラス基
板１上に粒状体２を含んで表面を粗に形成した二酸化ケ
イ素絶縁膜３と、該絶縁膜上に透明電極膜４を備えると
するものとする。
板１上に粒状体２を含んで表面を粗に形成した二酸化ケ
イ素絶縁膜３と、該絶縁膜上に透明電極膜４を備えると
するものとする。
上記手段においてガラス基板１は液晶表示素子の透明電
極膜４．液晶５等を塔載する構造体である。粒状体２は
二酸化ケイ素絶縁膜３の表面を粗ｔこするための二酸化
ケイ素絶縁膜３の充填物である。二酸化ケイ素絶縁膜３
は液晶５にガラス基板１よりアルカリ成分が溶出するの
を防止する。透明電極膜４は液晶５に電場を印加して、
液晶のもつ誘電率異方性や電導変異方性により液晶分子
の配向を変化させ、液晶の光学的性質を変化させる。
極膜４．液晶５等を塔載する構造体である。粒状体２は
二酸化ケイ素絶縁膜３の表面を粗ｔこするための二酸化
ケイ素絶縁膜３の充填物である。二酸化ケイ素絶縁膜３
は液晶５にガラス基板１よりアルカリ成分が溶出するの
を防止する。透明電極膜４は液晶５に電場を印加して、
液晶のもつ誘電率異方性や電導変異方性により液晶分子
の配向を変化させ、液晶の光学的性質を変化させる。
二酸化ケイ素絶縁膜３は粒状体２を含むため。
その表面が粗に形成される。この表面が粗な二酸化ケイ
素絶縁膜３の上に透明電極膜４を形成させると、透明電
極膜４の表面は下地二酸化ケイ素絶縁膜３の表面状態に
従って粗に形成される。この表面が粗の透明電極膜４に
レジストを被着させると、レジストは透明電極膜４に良
好に密着する。
素絶縁膜３の上に透明電極膜４を形成させると、透明電
極膜４の表面は下地二酸化ケイ素絶縁膜３の表面状態に
従って粗に形成される。この表面が粗の透明電極膜４に
レジストを被着させると、レジストは透明電極膜４に良
好に密着する。
次にこの発明の実施例を図面にもとすいて説明する。
実施例１
ソーダガラスよりなる厚さ１．１ ｉｎのガラス基板１
の上に、オルガノゾル２％、テトラヒドロキシシラン（
Ｓ、（ＯＨ）、）５％を含むイソプロピル溶液をスピン
コード法で塗布し、３５０”Ｏで１時間加熱して第１図
に示すように二酸化ケイ素絶縁膜３を１００ＯＡ厚さζ
こ形成する。
の上に、オルガノゾル２％、テトラヒドロキシシラン（
Ｓ、（ＯＨ）、）５％を含むイソプロピル溶液をスピン
コード法で塗布し、３５０”Ｏで１時間加熱して第１図
に示すように二酸化ケイ素絶縁膜３を１００ＯＡ厚さζ
こ形成する。
オルガノゾルは粒子径が１００ないし２００Ｘの二酸化
ケイ素の微粒子が有機溶剤にコロイド状に分散しており
、テトラヒドロキシシランと混合して加熱焼成すると、
二酸化ケイ素絶縁膜中に二酸化ケイ素の微粒子が埋込ま
れ、二酸化ケイ素絶縁膜３の表面では二酸化ケイ素の微
粒子が突出し、１００ないし２００Ａの表面粗さを有す
る二酸化ケイ素絶縁膜３が形成される。
ケイ素の微粒子が有機溶剤にコロイド状に分散しており
、テトラヒドロキシシランと混合して加熱焼成すると、
二酸化ケイ素絶縁膜中に二酸化ケイ素の微粒子が埋込ま
れ、二酸化ケイ素絶縁膜３の表面では二酸化ケイ素の微
粒子が突出し、１００ないし２００Ａの表面粗さを有す
る二酸化ケイ素絶縁膜３が形成される。
次にスパッタリングにより、ＩＴＯ透明電極膜４を３０
ＯＡ厚に形成する。スパッタリングで得られたＩＴＯ透
明電極膜４は１粒径５ｏλ、５００ｍ＋１１の光に対す
る透過率９２％、電気抵抗１３０Ω／ｃｍ”であった。
ＯＡ厚に形成する。スパッタリングで得られたＩＴＯ透
明電極膜４は１粒径５ｏλ、５００ｍ＋１１の光に対す
る透過率９２％、電気抵抗１３０Ω／ｃｍ”であった。
就いてレジストをスピンコード法で塗布し、乾燥したあ
と所定のパターンのフオ、・トマスクを用いて露光し、
現像した。得られたレジストの密着性は良好であった。
と所定のパターンのフオ、・トマスクを用いて露光し、
現像した。得られたレジストの密着性は良好であった。
湿式法でエツチングを行い。
透明成極膜４をパターン化した。レジストを除去して第
１図に示すような透明成極膜４を得た。
１図に示すような透明成極膜４を得た。
実施例２
ソーダガラスよりなる厚さ１．１絹のガラス基板１をア
ルミナゾル（粒径１００ないし２００Ａの酸化アルミニ
ウムの微粒子の分散ｔＬ）１％と、テトラヒドロキシシ
ラン４％を含むエタノール溶液にディップし、ひきあげ
てから、４００℃で３０分間加熱焼成して厚さ１０００
Ａの二酸化ケイ素絶縁膜３をガラス基板１の上に形成し
た。
ルミナゾル（粒径１００ないし２００Ａの酸化アルミニ
ウムの微粒子の分散ｔＬ）１％と、テトラヒドロキシシ
ラン４％を含むエタノール溶液にディップし、ひきあげ
てから、４００℃で３０分間加熱焼成して厚さ１０００
Ａの二酸化ケイ素絶縁膜３をガラス基板１の上に形成し
た。
二酸化ケイ素絶縁膜３には酸化アルミニウムの微粒子２
が埋込まれ、表面では酸化アルミニウムの微粒子２が突
出し、１００ないし２００Ａの表面粗さの粗面が形成さ
れることが走査型電子顕微鏡により観察できた。ＩＴＯ
透明電極膜４はスパッタリングで形成する。
が埋込まれ、表面では酸化アルミニウムの微粒子２が突
出し、１００ないし２００Ａの表面粗さの粗面が形成さ
れることが走査型電子顕微鏡により観察できた。ＩＴＯ
透明電極膜４はスパッタリングで形成する。
比較例１
ガラス基板１の上にテトラヒドロキシシラン５チを含む
エタノール溶液をスピンコード法により塗布し、４００
℃で３０分間加熱焼成して二酸化ケイ素絶縁膜３を形成
した。さらにスパッタリングでＩＴＯ透明電極膜４を３
０ＯＡの膜厚で形成した。
エタノール溶液をスピンコード法により塗布し、４００
℃で３０分間加熱焼成して二酸化ケイ素絶縁膜３を形成
した。さらにスパッタリングでＩＴＯ透明電極膜４を３
０ＯＡの膜厚で形成した。
比較例２
比較例１と同様な方法で二酸化ケイ素絶縁膜３を形成し
たあと、真空蒸着法でＩＴＯ透明電極膜４を３０ＯＡの
厚さで形成した。
たあと、真空蒸着法でＩＴＯ透明電極膜４を３０ＯＡの
厚さで形成した。
実施例１，２および比較例１．２で示したような二酸化
ケイ素絶縁膜３とＩＴＯ透明′ル極膜４を形成したガラ
ス基板１にレジスト膜を被着させ、その密着力を試験し
た。実施例１，２におけるＩＴＯ透明を極膜上のレジス
トの密着力は０．５に９７ｃｍ２であった。これに対し
比較例１における密着力は０．１５に９／ｍであり、比
較例２における密着力は０．４８に９／ｃＩｉｔであっ
た。
ケイ素絶縁膜３とＩＴＯ透明′ル極膜４を形成したガラ
ス基板１にレジスト膜を被着させ、その密着力を試験し
た。実施例１，２におけるＩＴＯ透明を極膜上のレジス
トの密着力は０．５に９７ｃｍ２であった。これに対し
比較例１における密着力は０．１５に９／ｍであり、比
較例２における密着力は０．４８に９／ｃＩｉｔであっ
た。
以上のように二酸化ケイ素または酸化アルミニウムの微
粒子２を含む二酸化ケイ素絶縁膜３の上にスパッタリン
グで形成されたＩＴＯ透明電極膜のレジスト密着力は微
粒子２を含まない二酸化ケイ素絶縁膜上にスパッタリン
グで形成されたＩＴＯ透明電極膜のレジスト密着力に比
して太き（、かつ真空蒸着法をこよるＩＴＯ透明電極膜
のレジスト密着力に′はぼ等しい。
粒子２を含む二酸化ケイ素絶縁膜３の上にスパッタリン
グで形成されたＩＴＯ透明電極膜のレジスト密着力は微
粒子２を含まない二酸化ケイ素絶縁膜上にスパッタリン
グで形成されたＩＴＯ透明電極膜のレジスト密着力に比
して太き（、かつ真空蒸着法をこよるＩＴＯ透明電極膜
のレジスト密着力に′はぼ等しい。
真空蒸着・法によるＩＴＯ透明電極膜に対するレジスト
の密着力は大きいが、スパッタリングの方がＩＴＯ透明
電極膜の量産性、光透過性 Ｎ気溝電性に優れる。
の密着力は大きいが、スパッタリングの方がＩＴＯ透明
電極膜の量産性、光透過性 Ｎ気溝電性に優れる。
二酸化ケイ素または酸化アルミニウムの微粒子２を含む
二酸化ケイ素絶縁膜３の上にスパッタリングで形成され
たＩＴＯ透明電極膜に対するレジスト密着力は大きいの
でオーバエツチングすることなくレジストの現像パター
ンに従ったＩＴＵ透明電極膜４が得られる。透明電極膜
４のコーナの形成は良好で、パターンの細化現象はおこ
らない。
二酸化ケイ素絶縁膜３の上にスパッタリングで形成され
たＩＴＯ透明電極膜に対するレジスト密着力は大きいの
でオーバエツチングすることなくレジストの現像パター
ンに従ったＩＴＵ透明電極膜４が得られる。透明電極膜
４のコーナの形成は良好で、パターンの細化現象はおこ
らない。
性、電気導電性の良好なＩＴＯ透明電極膜を寸法精度良
く所望のパターンで形成することができる。
く所望のパターンで形成することができる。
この発明によればガラス基板上に粒状体を含んで表面を
粗に形成した二酸化ケイ素絶縁膜と該絶縁膜上に透明′
１極膜とを備えるので、粒状体を含んで表面を粗に形成
された二酸化ケイ素絶縁膜の表面状態に従って透明成極
膜の表面が粗に形成され、その結果レジストの密着力が
高まりオーバエツチングによる透明電極膜の細化現象が
防止でき透明電極のパターン形成の精度が良くなって品
質が向上する。
粗に形成した二酸化ケイ素絶縁膜と該絶縁膜上に透明′
１極膜とを備えるので、粒状体を含んで表面を粗に形成
された二酸化ケイ素絶縁膜の表面状態に従って透明成極
膜の表面が粗に形成され、その結果レジストの密着力が
高まりオーバエツチングによる透明電極膜の細化現象が
防止でき透明電極のパターン形成の精度が良くなって品
質が向上する。
実施例において説明したように表面が粗な二酸化ケイ素
絶縁膜をスピンコード法、ディップ法で形成するときは
、従来設備をそのまま利用できるので従来と変らぬコス
トで液晶表示素子を夷造することができる。またスパッ
タリング透明電極膜を形成すると、量産性、光透過性、
’ａ気導屯注に優れた透明′電極膜を形成することがで
きる。
絶縁膜をスピンコード法、ディップ法で形成するときは
、従来設備をそのまま利用できるので従来と変らぬコス
トで液晶表示素子を夷造することができる。またスパッ
タリング透明電極膜を形成すると、量産性、光透過性、
’ａ気導屯注に優れた透明′電極膜を形成することがで
きる。
第１図はこの発明の実施例の表面が粗に形成された透明
電極膜を示す液晶表示素子の一部拡大断面図、第２図は
液晶表示素子の構成を示す断面図である。
電極膜を示す液晶表示素子の一部拡大断面図、第２図は
液晶表示素子の構成を示す断面図である。
１・・・ガラス基板、２・・・粒状体、３・・・二酸化
ケイ素絶縁膜、４・・・透明電極膜、 第１図
ケイ素絶縁膜、４・・・透明電極膜、 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ガラス基板上に粒状体を含んで表面を粗に形成した
二酸化ケイ素絶縁膜と、該絶縁膜上に透明電極膜とを備
えることを特徴とする液晶表示素子。 ２）特許請求の範囲第１項記載の表示素子において、粒
状体は粒径が１００ないし２００Åの二酸化ケイ素の微
粒子であることを特徴とする液晶表示素子。 ３）特許請求の範囲第１項記載の表示素子において、二
酸化ケイ素より成る絶縁膜はテトラヒドロキシシランの
アルコール溶液を塗布して形成した絶縁膜であることを
特徴とする液晶表示素子。 ４）特許請求の範囲第１項記載の表示素子において、透
明電極膜はスパッタリングで形成された酸化インジウム
−酸化スズの膜であることを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27460686A JPS63127227A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27460686A JPS63127227A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127227A true JPS63127227A (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=17544074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27460686A Pending JPS63127227A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63127227A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5140450A (en) * | 1989-03-31 | 1992-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transparent electro-conductive film and liquid crystal display using the same |
| US5408345A (en) * | 1991-09-10 | 1995-04-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflection type liquid crystal display device wherein the reflector has bumps |
| US5610741A (en) * | 1994-06-24 | 1997-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflection type liquid crystal display device with bumps on the reflector |
| US5734456A (en) * | 1990-11-16 | 1998-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device and display having maximum peak of surface roughness of color filter of 0.1 micron or less |
| KR100569262B1 (ko) * | 1998-09-30 | 2006-07-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
-
1986
- 1986-11-18 JP JP27460686A patent/JPS63127227A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5140450A (en) * | 1989-03-31 | 1992-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transparent electro-conductive film and liquid crystal display using the same |
| US5300858A (en) * | 1989-03-31 | 1994-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transparent electro-conductive film, and AC powder type EL panel and liquid crystal display using the same |
| US5734456A (en) * | 1990-11-16 | 1998-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device and display having maximum peak of surface roughness of color filter of 0.1 micron or less |
| US5408345A (en) * | 1991-09-10 | 1995-04-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflection type liquid crystal display device wherein the reflector has bumps |
| US5610741A (en) * | 1994-06-24 | 1997-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflection type liquid crystal display device with bumps on the reflector |
| KR100569262B1 (ko) * | 1998-09-30 | 2006-07-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
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