JPH04186229A - 補助電極付透明電極およびその製造方法 - Google Patents
補助電極付透明電極およびその製造方法Info
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- JPH04186229A JPH04186229A JP2317225A JP31722590A JPH04186229A JP H04186229 A JPH04186229 A JP H04186229A JP 2317225 A JP2317225 A JP 2317225A JP 31722590 A JP31722590 A JP 31722590A JP H04186229 A JPH04186229 A JP H04186229A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は主に液晶デイスプレィに用いられる透明画素電
極およびその製造方法に関するものである。
極およびその製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、液晶デイスプレィは電卓や時計の表示部からテレ
ビやＯＡ端末デイスプレィ等の高機能表示デバイスへの
応用が展開され、大画面化が進められている。
ビやＯＡ端末デイスプレィ等の高機能表示デバイスへの
応用が展開され、大画面化が進められている。
従来、液晶デイスプレィ用の信号電極側透明画素電極は
、平滑な面を有する研磨ガラスの上にまずアルカリイオ
ンの拡散防止のため二酸化珪素（Ｓｉｎ２）をコーティ
ングし、この上にスパッタ法等でＩＴＯ（酸化インジウ
ム、酸化錫の混合物）等から成る透明導電性セラミック
スを作製し、これをフォトリングラフィのパターン技術
とＩＴＯのエツチングによって画素電極を作製する。
、平滑な面を有する研磨ガラスの上にまずアルカリイオ
ンの拡散防止のため二酸化珪素（Ｓｉｎ２）をコーティ
ングし、この上にスパッタ法等でＩＴＯ（酸化インジウ
ム、酸化錫の混合物）等から成る透明導電性セラミック
スを作製し、これをフォトリングラフィのパターン技術
とＩＴＯのエツチングによって画素電極を作製する。
しかし、近年高画素密度化が進みＩＴＯの低抵抗化のた
めに十数μｍ線幅のニッケル／クロム等の金属補助電極
を設けた補助電極付透明電極が開発されてきた。例えば
、肩山 盤間ほか 真空第３２巻第９号ｐｐ６９７−７
０５ （１９８９）一方、パターン形成技術としてはフ
ォトリソグラフィ以外に凹版、凸版、平版、孔版等の各
種印刷法が実用化されているか、従来印刷法では３０μ
ｍ程度が限界とされてきた。例えば池上昭ほか電子材料
丸５ ｐｐ４４−４９ （１９８９）さらに透明電
極や金電極のような導電体を有機金属から作製する技術
も開発されてきた。例えば丸山 敏朗著「熱分解法によ
る透明導電性薄膜の塗布形成」アイビーシー（１９８９
） 発明が解決しようとする課題 ゛しかしながら、従来のフォトリングラフィでパターン
形成を行う製造方法では大画面化が困難であるとともに
コストも高くつく欠点を有していた。一方、印刷法では
大面積のパターンを低コストで形成することは可能であ
るが補助電極に要求される１０数μｍ以下のパターン形
成は不可能であった。さらに金属層がニッケル／クロム
のような抵抗値の高いものであるため、金属層の膜厚を
厚くする必要があり、段差の原因にもなった。またＩＴ
ＯがアンダーカットされるためＩＴ○／金属層間が不安
定であった。
めに十数μｍ線幅のニッケル／クロム等の金属補助電極
を設けた補助電極付透明電極が開発されてきた。例えば
、肩山 盤間ほか 真空第３２巻第９号ｐｐ６９７−７
０５ （１９８９）一方、パターン形成技術としてはフ
ォトリソグラフィ以外に凹版、凸版、平版、孔版等の各
種印刷法が実用化されているか、従来印刷法では３０μ
ｍ程度が限界とされてきた。例えば池上昭ほか電子材料
丸５ ｐｐ４４−４９ （１９８９）さらに透明電
極や金電極のような導電体を有機金属から作製する技術
も開発されてきた。例えば丸山 敏朗著「熱分解法によ
る透明導電性薄膜の塗布形成」アイビーシー（１９８９
） 発明が解決しようとする課題 ゛しかしながら、従来のフォトリングラフィでパターン
形成を行う製造方法では大画面化が困難であるとともに
コストも高くつく欠点を有していた。一方、印刷法では
大面積のパターンを低コストで形成することは可能であ
るが補助電極に要求される１０数μｍ以下のパターン形
成は不可能であった。さらに金属層がニッケル／クロム
のような抵抗値の高いものであるため、金属層の膜厚を
厚くする必要があり、段差の原因にもなった。またＩＴ
ＯがアンダーカットされるためＩＴ○／金属層間が不安
定であった。
本発明は上記課題に鑑み、大画面化が容易で下地との密
着性に優れた低抵抗の補助電極付透明電極を低コストで
提供するものである。
着性に優れた低抵抗の補助電極付透明電極を低コストで
提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は酸化インジウム、酸化錫および酸化アンチモン
の何れかを主成分とする透明電極上に有機金（金レジネ
ート）を主成分としたメタルオーガニックインクを凹版
オフセット印刷法でパターン印刷、焼成し補助電極を形
成したことを特徴とする補助電極付透明電極およびその
製造方法を提供するものである。
の何れかを主成分とする透明電極上に有機金（金レジネ
ート）を主成分としたメタルオーガニックインクを凹版
オフセット印刷法でパターン印刷、焼成し補助電極を形
成したことを特徴とする補助電極付透明電極およびその
製造方法を提供するものである。
透明電極としては酸化インジウム、酸化錫および酸化ア
ンチモンを主成分とするセラミックターゲットをスパッ
ターして形成する方法が一般的であるが、製膜およびパ
ターン形成にコストがかかる。イオウを含む有機インジ
ウム、有機錫および有機アンチモンを主成分とし、添加
物として鉛およびケイ素原子を含有したメタルオーガニ
ックインクをガラス基板上に凹版オフセット印刷し、そ
の後焼成することで低コストで透明電極が形成できた。
ンチモンを主成分とするセラミックターゲットをスパッ
ターして形成する方法が一般的であるが、製膜およびパ
ターン形成にコストがかかる。イオウを含む有機インジ
ウム、有機錫および有機アンチモンを主成分とし、添加
物として鉛およびケイ素原子を含有したメタルオーガニ
ックインクをガラス基板上に凹版オフセット印刷し、そ
の後焼成することで低コストで透明電極が形成できた。
有機金はイオウを含むアルキル基に金か結合した化合物
であり、添加物として鉛原子および透明電極成分の一部
を含有したことを特徴とするもので透明電極との接着性
に優れている。
であり、添加物として鉛原子および透明電極成分の一部
を含有したことを特徴とするもので透明電極との接着性
に優れている。
これら凹版オフセット印刷に際して凹版をドライエツチ
ングされた単結晶シリコンウェハー、ブランケットをシ
リコンゴムで構成することによって有機金からなるイン
クを線幅１０μｍ以下で形成可能となる。
ングされた単結晶シリコンウェハー、ブランケットをシ
リコンゴムで構成することによって有機金からなるイン
クを線幅１０μｍ以下で形成可能となる。
全補助電極の位置としては下層透明電極の中央でも大き
な問題は生じないが、若干光の透過率が下がる傾向にあ
るためブラックマトリクスのように透明電極の一方の端
を完全に覆うことで光の透過率も高く、下地との接着性
にも優れた補助電極付透明電極となる。
な問題は生じないが、若干光の透過率が下がる傾向にあ
るためブラックマトリクスのように透明電極の一方の端
を完全に覆うことで光の透過率も高く、下地との接着性
にも優れた補助電極付透明電極となる。
以上のように本発明はメタルオーガニックインクを凹版
オフセット印刷法でパターン印刷、その後焼成して補助
電極を形成することを特徴とする補助電極付透明電極お
よびその製造方法に関するものである。
オフセット印刷法でパターン印刷、その後焼成して補助
電極を形成することを特徴とする補助電極付透明電極お
よびその製造方法に関するものである。
作用
本発明は上記した補助電極付透明電極およびその製造方
法において、凹版オフセット印刷法でパターン形成を行
うため大画面化が容易で且つ大幅なコストダウンが図れ
る。また有機金に若干の鉛原子と透明電極成分の一部を
添加することで低温焼成が可能となり、さらに下層透明
電極との密着性にも優れ、抵抗値もほぼ全血みの低抵抗
のものか得られる。このため補助電極の膜厚を薄くでき
るため、大きな段差を生じない。
法において、凹版オフセット印刷法でパターン形成を行
うため大画面化が容易で且つ大幅なコストダウンが図れ
る。また有機金に若干の鉛原子と透明電極成分の一部を
添加することで低温焼成が可能となり、さらに下層透明
電極との密着性にも優れ、抵抗値もほぼ全血みの低抵抗
のものか得られる。このため補助電極の膜厚を薄くでき
るため、大きな段差を生じない。
一方、透明電極もオーガニックメタルインクより形成す
ることで抵抗値は若干上がるが、大画面化が可能となり
コストダウンも図れる。
ることで抵抗値は若干上がるが、大画面化が可能となり
コストダウンも図れる。
全補助電極の位置としては下層透明電極の中央でも大き
な問題は生じないが、若干光の透過率が下がる傾向にあ
るためブラックマトリクスのように透明電極の一方の端
を完全に覆うことで光の透過率も高く、下地との接着性
にも優れた補助電極付透明電極となる。
な問題は生じないが、若干光の透過率が下がる傾向にあ
るためブラックマトリクスのように透明電極の一方の端
を完全に覆うことで光の透過率も高く、下地との接着性
にも優れた補助電極付透明電極となる。
実施例
以下に本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第１図は本発明の第１の実施例における凹版
オフセット印刷の概略図、第２図は第１の実施例におけ
る補助電極付透明電極の概゛略図である。第１図におい
て１１は単結晶シリコン凹版、１２は凹版取り付は台、
１３はブランケット、１４はＩＴＯパターニング基板、
１５は基板取り付は台、１６は移動台、１７は金レジネ
ートインク、２１はガラス基板、２２はＳｉＯ２，２３
はＩＴＯ層、２４は全補助電極である。
説明する。第１図は本発明の第１の実施例における凹版
オフセット印刷の概略図、第２図は第１の実施例におけ
る補助電極付透明電極の概゛略図である。第１図におい
て１１は単結晶シリコン凹版、１２は凹版取り付は台、
１３はブランケット、１４はＩＴＯパターニング基板、
１５は基板取り付は台、１６は移動台、１７は金レジネ
ートインク、２１はガラス基板、２２はＳｉＯ２，２３
はＩＴＯ層、２４は全補助電極である。
以下に補助電極付透明電極の製造方法を示す。
平面性の良くでたソーダライムガラス基板２１の上にス
パッター法によって５ｉＯｚ２２を１１００ｎ程度、さ
らにその上にＩＴＯを２００ｎｍ程度形成した（基板温
度２２０℃）。次にこのＩＴＯをフォトリングラフィお
よびエツチングによってパターン形成し下層の１７０層
２３を作製した。
パッター法によって５ｉＯｚ２２を１１００ｎ程度、さ
らにその上にＩＴＯを２００ｎｍ程度形成した（基板温
度２２０℃）。次にこのＩＴＯをフォトリングラフィお
よびエツチングによってパターン形成し下層の１７０層
２３を作製した。
このようにパターン形成されたＩＴＯバターニング基板
１４を基板取り付は台１２上にのせ、ドライエツチング
で最小線幅１０μｍの補助電極パターンを形成した単結
晶シリコン凹版１１を凹版取り付は台１５上に取り付け
、ＴＴＯパターニング基板との位置合わせを精確に行っ
た。
１４を基板取り付は台１２上にのせ、ドライエツチング
で最小線幅１０μｍの補助電極パターンを形成した単結
晶シリコン凹版１１を凹版取り付は台１５上に取り付け
、ＴＴＯパターニング基板との位置合わせを精確に行っ
た。
この凹版の上に金レジネートインク１７（ジイソブチル
金イソプロピルチオラート／オクチル酸インジウム／オ
クチル酸鉛／テルピネオール）を塗布、よくスキージ（
インクの除去）した後、シリコンゴム製のブランケット
１３を凹版に押し当て、移動台１６を移動することで凹
版のパターンを一部ブランケットに転写し、これをＩＴ
Ｏバターニング基板のＩＴＯ上に転写した。最小線幅９
μｍの金レジネートラインが形成できた。従来の凹版印
刷との違いは凹版として溝部の角型性に優れたドライエ
ツチングされた単結晶シリコン凹版を用いた点とブラン
ケットの材質の最適化したところにある。
金イソプロピルチオラート／オクチル酸インジウム／オ
クチル酸鉛／テルピネオール）を塗布、よくスキージ（
インクの除去）した後、シリコンゴム製のブランケット
１３を凹版に押し当て、移動台１６を移動することで凹
版のパターンを一部ブランケットに転写し、これをＩＴ
Ｏバターニング基板のＩＴＯ上に転写した。最小線幅９
μｍの金レジネートラインが形成できた。従来の凹版印
刷との違いは凹版として溝部の角型性に優れたドライエ
ツチングされた単結晶シリコン凹版を用いた点とブラン
ケットの材質の最適化したところにある。
このようにＩＴＯ上に金レジネートパターンを形成した
基板を５００℃３０分間空気中で焼成し脱媒、金属化を
行い全補助電極２４を形成し、補助電極付透明電極を完
成した。
基板を５００℃３０分間空気中で焼成し脱媒、金属化を
行い全補助電極２４を形成し、補助電極付透明電極を完
成した。
ＩＴＯの形成方法としてはスパッター法以外にも電子ビ
ーム加熱蒸着も可能であった。
ーム加熱蒸着も可能であった。
また、金レジネート成分にオクチル酸鉛を少量加えたた
め５００℃での低温焼成が可能となり、全補助電極と下
層ＩＴＯ間の接着強度は金レジネートにオクチル酸イン
ジウムを少量混入したことと有機金成分にイオウ（チオ
ラート）が含まれているため３５０）ｃｇ／ｃａｒ程度
と充分強くなった。
め５００℃での低温焼成が可能となり、全補助電極と下
層ＩＴＯ間の接着強度は金レジネートにオクチル酸イン
ジウムを少量混入したことと有機金成分にイオウ（チオ
ラート）が含まれているため３５０）ｃｇ／ｃａｒ程度
と充分強くなった。
有機金としてオクチル酸金を用いた場合は１００ｋｇ／
ｃｄとやや接着強度が低下した。ライン抵抗は従来のニ
ッケル／クロム補助電極のものと変わらなかった。
ｃｄとやや接着強度が低下した。ライン抵抗は従来のニ
ッケル／クロム補助電極のものと変わらなかった。
下層の透明電極として酸化錫・アンチモン系を用いた場
合は金レジネート成分のオクチル酸インジウムの代わり
にオクチル酸錫を添加することで充分な接着強度が得ら
れた。
合は金レジネート成分のオクチル酸インジウムの代わり
にオクチル酸錫を添加することで充分な接着強度が得ら
れた。
以下に第２の実施例を示す。第３図は第２の実施例にお
ける補助電極付透明電極の概略図である。第３図におい
て３１は酸化錫・アンチモン層、３２は全補助電極であ
る。
ける補助電極付透明電極の概略図である。第３図におい
て３１は酸化錫・アンチモン層、３２は全補助電極であ
る。
第２の実施例における補助電極付透明電極の製造方法に
ついて説明する。第１の実施例と同様に平面性の良くで
たソーダライムガラス基板２１の上にスパッター法によ
って５ｉ０２２２を１１００ｎ程度形成し、その上にＩ
ＴＯレジネートイン゛り（２−エチルへキサン酸インジ
ウム／ｐ −トルイル酸銀／オクチル酸鉛／ブチルカル
ピトールアセテート）を用い第１の実施例と同様の凹版
オフセット印刷法でパターン形成した。１２０℃で２０
分程度乾燥した後、このＩＴＯレジネートパターンの上
に金レジネートインク（ジイソブチル金イソプロピルチ
オラート／オクチル酸インジウム／オクチル酸鉛／テル
ピネオール）を凹版オフセント印刷で塗布、パターン形
成した。
ついて説明する。第１の実施例と同様に平面性の良くで
たソーダライムガラス基板２１の上にスパッター法によ
って５ｉ０２２２を１１００ｎ程度形成し、その上にＩ
ＴＯレジネートイン゛り（２−エチルへキサン酸インジ
ウム／ｐ −トルイル酸銀／オクチル酸鉛／ブチルカル
ピトールアセテート）を用い第１の実施例と同様の凹版
オフセット印刷法でパターン形成した。１２０℃で２０
分程度乾燥した後、このＩＴＯレジネートパターンの上
に金レジネートインク（ジイソブチル金イソプロピルチ
オラート／オクチル酸インジウム／オクチル酸鉛／テル
ピネオール）を凹版オフセント印刷で塗布、パターン形
成した。
次に、この基板を５００℃４５分間焼成して金属化を行
った。鉛原子を混合することでＩＴＯレジネートの焼成
温度を下げることができた。補助電極の位置は下層ＩＴ
Ｏの一方の端を覆った状態とした。これによって光の透
過率の低下を防げ、全補助電極の接着強度の向上が図れ
た。
った。鉛原子を混合することでＩＴＯレジネートの焼成
温度を下げることができた。補助電極の位置は下層ＩＴ
Ｏの一方の端を覆った状態とした。これによって光の透
過率の低下を防げ、全補助電極の接着強度の向上が図れ
た。
以下に第３の実施例を示す。第４図は第３の実施例の補
助電極付透明電極の概略図である。第４図において４１
は石英ガラス、４２は酸化錫・アンチモン層、４３は全
補助電極である。以下に補助電極付透明電極の製造方法
を示す。
助電極付透明電極の概略図である。第４図において４１
は石英ガラス、４２は酸化錫・アンチモン層、４３は全
補助電極である。以下に補助電極付透明電極の製造方法
を示す。
石英ガラス４１上に直接スパッター法で酸化錫・アンチ
モン層を２００ｎｍ形成し、フォトリソグラフィとエツ
チングによってパターン形成して酸化錫・アンチモン層
４２を作製した。次にこの酸化錫・アンチモン層からな
る透明電極上に金レジネートインク（オクチル酸金／オ
クチル酸珪素／テルピネオール）を第１の実施例と同様
の凹版オフセット印刷法で塗布、パターン形成した。
モン層を２００ｎｍ形成し、フォトリソグラフィとエツ
チングによってパターン形成して酸化錫・アンチモン層
４２を作製した。次にこの酸化錫・アンチモン層からな
る透明電極上に金レジネートインク（オクチル酸金／オ
クチル酸珪素／テルピネオール）を第１の実施例と同様
の凹版オフセット印刷法で塗布、パターン形成した。
この基板を８５０℃３５分間焼成して金レジネートイン
クの金属化を行った。石英ガラスの場合、耐熱性が高い
ため鉛原子を含有させる必要はなかった。下層透明電極
との接着性も高温焼成のため金レジネート中にイオウ原
子がなくとも良好であった。
クの金属化を行った。石英ガラスの場合、耐熱性が高い
ため鉛原子を含有させる必要はなかった。下層透明電極
との接着性も高温焼成のため金レジネート中にイオウ原
子がなくとも良好であった。
以上のような全補助電極は同一形状、同一膜厚で従来の
ニッケル／クロム等の補助電極に比べ抵抗が低かった。
ニッケル／クロム等の補助電極に比べ抵抗が低かった。
発明の効果
以上のように本発明の補助電極付透明電極およびその製
造方法は、低抵抗で大面積の補助電極付透明電極および
その微細パターン補助電極を低コストで形成する製造方
法を提供するものである。
造方法は、低抵抗で大面積の補助電極付透明電極および
その微細パターン補助電極を低コストで形成する製造方
法を提供するものである。
補助電極の抵抗が低いため従来の補助電極の膜厚より薄
くでき段差を抑えることができる利点も有している。さ
らに透明電極の一方を補助電極が覆うことで光の透過率
を上げ、下層との接着強度向上も可能となった。
くでき段差を抑えることができる利点も有している。さ
らに透明電極の一方を補助電極が覆うことで光の透過率
を上げ、下層との接着強度向上も可能となった。
第１図は本発明の第１の実施例における凹版オフセット
印刷の概略図、第２図は第１の実施例における補助電極
付透明電極の概略図、第３図は第２の実施例における補
助電極付透明電極の概略図、第４図は第３の実施例の補
助電極付透明電極の概略図である。 １１・・・・・・単結晶シリコン凹版、１２・・・・・
・凹版取り付は台、１３・・・・・・ブランケット、１
４・・・・・・ＩＴＯパターニング基板、１５・・・・
・・基板取り付は台、１６・・・・・・移動台、１７・
・・・・・金レジネートインク、２１・・・・・・ガラ
ス基板、２２・・・・・・５１０２．２３・・・・・・
ＩＴＯ層、２４・・・・・・全補助電極、３１・・・・
・・酸化錫・アンチモン層、３２・・・・・・全補助電
極、４１・・・・・・石英ガラス、４２・・・・・・酸
化錫・アンチモン層、４３・・・・・・全補助電極。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 ほか２名とＳ
−！σ
印刷の概略図、第２図は第１の実施例における補助電極
付透明電極の概略図、第３図は第２の実施例における補
助電極付透明電極の概略図、第４図は第３の実施例の補
助電極付透明電極の概略図である。 １１・・・・・・単結晶シリコン凹版、１２・・・・・
・凹版取り付は台、１３・・・・・・ブランケット、１
４・・・・・・ＩＴＯパターニング基板、１５・・・・
・・基板取り付は台、１６・・・・・・移動台、１７・
・・・・・金レジネートインク、２１・・・・・・ガラ
ス基板、２２・・・・・・５１０２．２３・・・・・・
ＩＴＯ層、２４・・・・・・全補助電極、３１・・・・
・・酸化錫・アンチモン層、３２・・・・・・全補助電
極、４１・・・・・・石英ガラス、４２・・・・・・酸
化錫・アンチモン層、４３・・・・・・全補助電極。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 ほか２名とＳ
−！σ
Claims (7)
- （１）酸化インジウム、酸化錫および酸化アンチモンの
何れかを主成分とする透明電極上に有機金を主成分とし
たメタルオーガニックインクを印刷、焼成し補助電極を
形成したことを特徴とする補助電極付透明電極。 - （２）酸化インジウム、酸化錫および酸化アンチモンの
何れかを主成分とする透明電極が真空蒸着法によって形
成されたことを特徴とする請求項（１）記載の補助電極
付透明電極。 - （３）透明電極が有機インジウム、有機錫および有機ア
ンチモンを主成分としたメタルオーガニックインクをガ
ラス基板上に印刷、焼成することで形成されたことを特
徴とする請求項（１）記載の補助電極付透明電極。 - （４）有機金がイオウを含むアルキル基に金が結合した
化合物であり、添加物として鉛原子および透明電極成分
の一部を含有したことを特徴とする請求項（１）記載の
補助電極付透明電極。 - （５）補助電極が下層透明電極の少なくとも一方の端を
完全に覆ったことを特徴とする請求項（１）記載の補助
電極付透明電極。 - （６）有機金を主成分とするメタルオーガニックインク
および有機インジウム、有機錫および有機アンチモンを
主成分とするメタルオーガニックインクを印刷する際、
凹版オフセット印刷を用いることを特徴とする補助電極
付透明電極の製造方法。 - （７）凹版オフセット印刷の凹版がドライエッチングさ
れた単結晶シリコンウェハーで、ブランケットがシリコ
ンゴムからなっていることを特徴とする補助電極付透明
電極の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2317225A JPH04186229A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 補助電極付透明電極およびその製造方法 |
| US07/795,022 US5312643A (en) | 1990-11-20 | 1991-11-20 | Method of producing a transparent conductive film provided with supplementary metal lines |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2317225A JPH04186229A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 補助電極付透明電極およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186229A true JPH04186229A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18085874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2317225A Pending JPH04186229A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 補助電極付透明電極およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5312643A (ja) |
| JP (1) | JPH04186229A (ja) |
Cited By (4)
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| DE19649761C2 (de) * | 1996-11-30 | 2003-04-03 | Univ Stuttgart | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristall-Displays auf Kunststoff-Folien unter Verwendung von bistabilen Flüssigkristallen |
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| JP2014073653A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Komori Corp | グラビアオフセット印刷方法 |
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| WO2007092852A2 (en) | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Mynosys Cellular Devices, Inc. | Microsurgical cutting instruments |
| KR102362535B1 (ko) * | 2015-10-27 | 2022-02-15 | 삼성전자주식회사 | 무선 터미널에서 내장 코일 구조 및 구동 방법 |
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1990
- 1990-11-20 JP JP2317225A patent/JPH04186229A/ja active Pending
-
1991
- 1991-11-20 US US07/795,022 patent/US5312643A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5312643A (en) | 1994-05-17 |
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