JPS6060623A - 液晶表示素子の電極構造 - Google Patents
液晶表示素子の電極構造Info
- Publication number
- JPS6060623A JPS6060623A JP16810383A JP16810383A JPS6060623A JP S6060623 A JPS6060623 A JP S6060623A JP 16810383 A JP16810383 A JP 16810383A JP 16810383 A JP16810383 A JP 16810383A JP S6060623 A JPS6060623 A JP S6060623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- display element
- liquid crystal
- crystal display
- electrode pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高精細電極パターンにおいて良好な画質を得
るために配向膜を薄くする場合に好適で、対向電極が短
絡し難い液晶表示素子の電極構造に関する。
るために配向膜を薄くする場合に好適で、対向電極が短
絡し難い液晶表示素子の電極構造に関する。
マトリクス型液晶表示素子の電極パターンが高精細化し
、電極幅が細くなると、インジウム・スズ酸化物（ＩＴ
Ｏ）透明導電膜だけでパターンを形成した場合、電極パ
ターンが高抵抗となってしまう為、第１図に示すように
、表示部以外の電極パターン部分を、比較的導電率の高
い金属（Ｃｒなど） Ｉ！ｉ！で（部分的）に積層被覆
する必要が生ずる。但し、第１図において、１は金属導
電膜、２はＩＴＯ電極部、３はガラス基板である。
、電極幅が細くなると、インジウム・スズ酸化物（ＩＴ
Ｏ）透明導電膜だけでパターンを形成した場合、電極パ
ターンが高抵抗となってしまう為、第１図に示すように
、表示部以外の電極パターン部分を、比較的導電率の高
い金属（Ｃｒなど） Ｉ！ｉ！で（部分的）に積層被覆
する必要が生ずる。但し、第１図において、１は金属導
電膜、２はＩＴＯ電極部、３はガラス基板である。
一方、従来から液晶表示素子のＩＴＯ電極を、Ｓ ｉ
Ｏ２膜で積層被覆し、このＳｉＯ□膜上を更に配向膜で
被覆することが行われていたが、このようにすると、画
質を向上させるために配向膜を薄くすることができ、し
かも液晶層中の異物による上板と下板の対向電極間の短
絡事故が防止され、非常に有利となる。
Ｏ２膜で積層被覆し、このＳｉＯ□膜上を更に配向膜で
被覆することが行われていたが、このようにすると、画
質を向上させるために配向膜を薄くすることができ、し
かも液晶層中の異物による上板と下板の対向電極間の短
絡事故が防止され、非常に有利となる。
しかし、前述の如きＩＴＯ−金属の積層構造の電極にお
いて、ＩＴＯ電極パターン上に金属導電膜を形成した後
に、更に全面をＳ ｉ０２膜で被覆しようとしても、そ
の工程途中で、金属導電膜がはがれてしまうという問題
が生じていた。
いて、ＩＴＯ電極パターン上に金属導電膜を形成した後
に、更に全面をＳ ｉ０２膜で被覆しようとしても、そ
の工程途中で、金属導電膜がはがれてしまうという問題
が生じていた。
本発明の目的は、上記Ｓ ｉ ０２１１１！被覆の利点
を保持させたまま、しかも金属導電膜のはがれが生しな
いようにした、高精細パターンに好適な液晶表示素子の
電極構造を提供することにある。
を保持させたまま、しかも金属導電膜のはがれが生しな
いようにした、高精細パターンに好適な液晶表示素子の
電極構造を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、ＩＴＯ透
明導電膜電極パターン上の、金属導電膜の積層被覆が設
けられていない部分のみを、５ｔＯ２膜で積層被覆する
こととした。
明導電膜電極パターン上の、金属導電膜の積層被覆が設
けられていない部分のみを、５ｔＯ２膜で積層被覆する
こととした。
これは、既に従来の液晶表示素子において、ＩＴｏのみ
よりなる電極パターン上をＳｉＯ□膜で被覆しても金属
導電膜の剥離などの問題は特別には生しないことが実証
されていることに着目したのである。
よりなる電極パターン上をＳｉＯ□膜で被覆しても金属
導電膜の剥離などの問題は特別には生しないことが実証
されていることに着目したのである。
以下、本発明を実施例図面によって更に詳細に説明する
。
。
まず、ＩＴＯ電極パターンのみを形成し、金属導電膜を
蒸着する前に、３１（○Ｈ）イを主体とする浸漬液にデ
ィップして引き上げ、１５０℃で仮乾燥する。こうする
と、ＩＴＯ電極パターンの全面上に５ｔ（Ｏ）（）４膜
が形成される。この状態で、ＩＴＯ電極パターン上の、
金属導電膜の積層被覆を設ける部分の３１ （ＯＨ）４
だけを、ホトリソグラフ法で取り除く。このホトエツチ
ングにおいては、ネガホトレジ−ネガマスクを用いて苛
性ソーダでエツチングするか、ポジホトレジ−ポジマス
クを用いてＣＦ、プラズマでエツチングする。この後、
５００°Ｃで１０分間焼成するとＩＴＯ電極パターン上
にＳ ｉ Ｏ２ｎ！ｉｉ４が、第２図に示すように形成
される。
蒸着する前に、３１（○Ｈ）イを主体とする浸漬液にデ
ィップして引き上げ、１５０℃で仮乾燥する。こうする
と、ＩＴＯ電極パターンの全面上に５ｔ（Ｏ）（）４膜
が形成される。この状態で、ＩＴＯ電極パターン上の、
金属導電膜の積層被覆を設ける部分の３１ （ＯＨ）４
だけを、ホトリソグラフ法で取り除く。このホトエツチ
ングにおいては、ネガホトレジ−ネガマスクを用いて苛
性ソーダでエツチングするか、ポジホトレジ−ポジマス
クを用いてＣＦ、プラズマでエツチングする。この後、
５００°Ｃで１０分間焼成するとＩＴＯ電極パターン上
にＳ ｉ Ｏ２ｎ！ｉｉ４が、第２図に示すように形成
される。
次に金属を蒸着して電極の形成を終わり、第３図に示す
状態になる。こうしてＩＴＯ−金属積層電極にＳ ｉ
Ｏ２！Ｄ膜を被覆することが出来る。
状態になる。こうしてＩＴＯ−金属積層電極にＳ ｉ
Ｏ２！Ｄ膜を被覆することが出来る。
この場合、金属導電膜の上にはＳ ｉ ０２膜の被覆が
ない訳であるが、電極の構造上、金属導電膜部分はＩＴ
Ｏ電極パターンに比べて面積が約１／２０と非常に小さ
いから、金属導電膜部分がＳｉＯ□で被覆されていなく
ても、ＩＴＯ電極パターンの金属導電膜で被覆されてい
ない部分だけがＳｉＯ□膜で被覆されていれば、上板と
下板の対向電極が液晶中の異物により短絡される確率は
非常に小さくなり、歩留り向上に役立つ。また、ＩＴＯ
電極パターン上の金属導電膜が形成されている部分で、
仮に金属導電膜の上がＳ ｉ （）、ｌｉで被覆され、
その上に薄い配向膜が形成されたとしても、この部分は
表示部ではないため、画質に及ぼす効果は少ないと考え
られるが、本発明でＳｉＯ２膜により被覆される部分は
、全て表示部分であるから、その上の配向膜を薄くする
と、それが画質向上に及ぼす効果は大きい。
ない訳であるが、電極の構造上、金属導電膜部分はＩＴ
Ｏ電極パターンに比べて面積が約１／２０と非常に小さ
いから、金属導電膜部分がＳｉＯ□で被覆されていなく
ても、ＩＴＯ電極パターンの金属導電膜で被覆されてい
ない部分だけがＳｉＯ□膜で被覆されていれば、上板と
下板の対向電極が液晶中の異物により短絡される確率は
非常に小さくなり、歩留り向上に役立つ。また、ＩＴＯ
電極パターン上の金属導電膜が形成されている部分で、
仮に金属導電膜の上がＳ ｉ （）、ｌｉで被覆され、
その上に薄い配向膜が形成されたとしても、この部分は
表示部ではないため、画質に及ぼす効果は少ないと考え
られるが、本発明でＳｉＯ２膜により被覆される部分は
、全て表示部分であるから、その上の配向膜を薄くする
と、それが画質向上に及ぼす効果は大きい。
なお、上記実施例において、金属導電膜１の厚さは６５
０ （４００〜９００）人、ＩＴＯ電極部２の厚さは５
５０ （４００〜７００）人、Ｓ ｓ ０２膜４の厚さ
は８００（６００〜１０００）人として良好な結果が得
られた。
０ （４００〜９００）人、ＩＴＯ電極部２の厚さは５
５０ （４００〜７００）人、Ｓ ｓ ０２膜４の厚さ
は８００（６００〜１０００）人として良好な結果が得
られた。
以上説明したように本発明によれば、高精細電極パター
ンを有する液晶表示素子において、良好な画質が得られ
、しかも上板と下板の対向電極間に短絡事故が生ずる確
率が激減し歩留りが大きく向上する。
ンを有する液晶表示素子において、良好な画質が得られ
、しかも上板と下板の対向電極間に短絡事故が生ずる確
率が激減し歩留りが大きく向上する。
第１図はＩＴＯ−金属積層電極を有する液晶表示素子の
電極構造断面図、第２図はＩＴＯ電極パターン上に形成
されたＳ ｉ ０２１ｆｆを示す断面図、第３図ばＳｉ
ｎ、、膜形成後金層を蒸着して電極の形成を柊わった状
態を示す断面図である。
電極構造断面図、第２図はＩＴＯ電極パターン上に形成
されたＳ ｉ ０２１ｆｆを示す断面図、第３図ばＳｉ
ｎ、、膜形成後金層を蒸着して電極の形成を柊わった状
態を示す断面図である。
Claims (1)
- インジウム・スズ酸化物よりなる透明導電膜電極パター
ン上に、幅の狭い金属導電膜の積層被覆を設けた液晶表
示素子の電極構造において、インジウム・スズ酸化物よ
りなる透明導電膜電極パターン上の、金属導電膜の積層
被覆を設けてない部分のみを、ＳｉＯ２膜で積層被覆し
たことを特徴とする液晶表示素子の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16810383A JPS6060623A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 液晶表示素子の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16810383A JPS6060623A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 液晶表示素子の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060623A true JPS6060623A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15861892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16810383A Pending JPS6060623A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 液晶表示素子の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060623A (ja) |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP16810383A patent/JPS6060623A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4522660B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
| US5312643A (en) | Method of producing a transparent conductive film provided with supplementary metal lines | |
| CN108873509A (zh) | 形成像素结构的方法 | |
| JPS63289533A (ja) | 液晶ディスプレイ装置 | |
| JPS6060623A (ja) | 液晶表示素子の電極構造 | |
| CN108666265A (zh) | 一种薄膜晶体管基板及其制备方法 | |
| JP2752983B2 (ja) | 液晶表示用薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3259119B2 (ja) | 配線パターン基板及び薄膜トランジスタマトリクス基板とその製造方法 | |
| JPH02215134A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| US20240019744A1 (en) | Display panel and manufacturing method thereof | |
| JP2002116881A (ja) | タッチパネル及びその製造方法 | |
| JPH083562B2 (ja) | カラ−フイルタ−の製造方法 | |
| JPH08262491A (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JPH05335424A (ja) | 絶縁層を介した上部電極と下部電極の導通方法及びその構造 | |
| JPH0373083B2 (ja) | ||
| JPH06308539A (ja) | マトリクスアレイ基板の製造方法 | |
| JPS61145530A (ja) | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 | |
| WO2024011665A1 (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
| JPS6315283A (ja) | 薄膜トランジスタマトリクスの形成方法 | |
| JPH02130551A (ja) | 薄膜パターンとその製造方法ならびにそれを用いたマトリクス回路基板と画像表示装置 | |
| JPH02275417A (ja) | 表示素子用薄膜トランジスタ | |
| JPH06104282A (ja) | 導電膜パターンの形成方法 | |
| JPH03296024A (ja) | Ｍｉｍ液晶パネル及びその製造方法 | |
| JPH0548106A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPS6146520Y2 (ja) |