JPH01281734A - 酸化Si膜のパターン化方法 - Google Patents

酸化Si膜のパターン化方法

Info

Publication number
JPH01281734A
JPH01281734A JP63111911A JP11191188A JPH01281734A JP H01281734 A JPH01281734 A JP H01281734A JP 63111911 A JP63111911 A JP 63111911A JP 11191188 A JP11191188 A JP 11191188A JP H01281734 A JPH01281734 A JP H01281734A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
ammonium fluoride
glass substrate
oxide film
transparent glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63111911A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsumi Suzuki
克己 鈴木
Mitsutaka Nishikawa
西川 光貴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP63111911A priority Critical patent/JPH01281734A/ja
Publication of JPH01281734A publication Critical patent/JPH01281734A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は酸化St膜のパターン化エツチング方法に関す
る。
〔従来の技術〕
現在酸化St膜は素子のオーバーコート膜、配線、段差
の平坦化膜や絶縁膜、コンデンサー膜など素子の一部と
して多用されている。そしてそれをエッチパターニング
する方法はArやフレオンガスを用いるドライエツチン
グ法とフッ酸を用いるウェットエツチング法で行なわれ
ていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし従来の技術では透明ガラス基板上に形成された酸
化St膜をフッ酸で湿式エッチパターニングすると基板
裏面がエツチングにより白濁するため基板が透明でなく
てはならない液晶パネル等では使用できない問題点があ
った。更にフッ酸は取り扱いにも注意を必要としなけれ
ばならなかった。またArガスを用いて酸化Si膜をプ
ラズマエツチングする従来の乾式エッチ技術ではArに
より基板からたたき出された酸化Si粒子が基板に再付
着する再デボ現象の問題点があった。すなわち第8図に
示す様な電極の平坦化構造の場合上下電極間に酸化Si
膜の再デボ粒子が付着、上下電極の導通不良を起こして
しまう、更にプラズマ中にレジストがさらされるため後
工程でのレジスト剥離が麹しいという問題点もある。ま
たフレオンガスを用いる場合も含め一般にドライエッチ
ング法はカラス基板を白濁させないがエツチングの分布
が少なくないため最近要求の大きい大型基板化が難しい
、また真空装置を用いるので大量の処理が難しく、装置
が高価、装置のメインテナンスが頻繁に必要など製造コ
ストが高くなるという問題点があった。
そこで本発明はこの様な問題点を解決するものであって
その目的とするところは透明ガラス基板を白濁させずに
信頼性良く、安価に透明ガラス基板上に形成された酸化
St膜をパターン化することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の酸化St膜のパターン化方法は、透明ガラス基
板上に形成された酸化St膜をエッチパターニングする
際、フッ化アンモン+酢酸、又はフッ化アンモン+リン
酸が含まれるエツチング液を用いることを特徴としてい
る。
〔実 施 例−1〕 アクティブマトリックス型液晶表示装置の2端子スイツ
チング用素子であるMIM素子の基本断面構造を第4図
に、またその上面図を第5図に示す0図より理解される
様に透明ガラス基板上に下電極を形成、陽極酸化等によ
り下電極表面に絶縁膜を形成後それらにクロスする様に
上電極を形成することでMIM素子を構成している。透
明ガラス基板を使う理由は透過型液晶パネルだからであ
る。しかし下電極の段差により上電極線巾が変動し、そ
れに伴いMIM素子面積が変わるので素子特性も変動す
る、電極パターニング時のエツチング端面(第3図−E
T)が素子として動作するためエツチングの影響により
素子特性が変動する、上@、極が下電極の段差をカバー
しきれず断線する等問題点があった。
ここで本発明実施例−1を第1図に示す、Baホウケイ
酸ガラス上に、下電極をTaにて3000人厚に形成し
た0次にクエン酸水溶液中で陽極酸化を実施、絶縁層を
500Aの厚さにつけた。
次に5i(OH)、とCHs S i(OH) sのシ
ラノール化合物に溶媒を加えたもの(東京応化、0CD
−Ty p e 7 )をスピンコーターで塗布し10
0℃X30分、250℃×30分、それぞれ対流オーブ
ン中でベーキングした。この時シラノール化合物焼成膜
厚は約2800人であった0次に0.1%フッ化アンモ
ン水溶液に10voj%になる様に酢酸を加え液温50
℃にて焼成膜をエツチングし5μm口のコンタクトホー
ルを開孔した。この際基板は全く白濁しなかった0次に
シラノール化合物焼成膜の緻密度をあげるため400’
CX30分のベークを追加し、続いてCrの上電極、画
素電極を形成しMIM素子を作成した。ここでフッ化ア
ンモン士酢酸のエツチング液を50℃で使用した理由は
液温60℃以上になると酢酸が急速に気化しエツチング
特性が変化するからである。またシラノール化合物は3
00℃以上で焼成してしまうとエツチング時残渣を生じ
やすいため250℃焼成時点でエツチング、その後本焼
成を実施している。
以上の様に作成したMIM素子はシラノール化合物焼成
膜にて下電極を平坦化しているため、かつコンタクトホ
ールのエツチング端面は適度なテーパーがついているた
め従来問題になっていた上電極切れを完全になくすこと
ができた。更に下電極エツチング端面を素子として動作
させない、同一平面上にて精度良<MIM素子面積を決
定するため素子特性を大幅に安定化できそれにより液晶
表示面内の表示特性バラツキが確認されなくなった。
尚、今回、酸化S1膜のエツチング液をフッ化アンモ7
士塩酸、フッ化アンモ7士硫酸、フヅ化アンモン+硝酸
に変えて実験したところ基板は白濁し透過型液晶表示に
は適さなかった。ただしフッ化アンモン+リン酸では全
く基板は白濁せず本発明実施例と同様の効果を有するこ
とがわかった。
また、フッ化アンモンの濃度を10wt%まで、酢酸濃
度を3Qvoj%まで増やし同様の実験を行なったが基
板は白濁しなかった。
〔実 施 例−2〕 液晶表示装置のカラーフィルター側基板の一般的な断面
構造を第6図に示す、透明ガラス基板上に透明電極パタ
ーンを形成、更にその上にRGBのカラーフィルターを
形成した構造となっている。
透明ガラス基板を使う理由は実施例−1と同様である。
しかし液晶に電圧をかける際、この構造ではカラーフィ
ルターにより電圧降下を起こし効率良く電圧が液晶にか
からないという問題があり各液晶TVメーカーは第7図
に示す様なRGBカラーフィルター上に中間層を形成、
更にその上に透明電極パターンを形成する構造を開発し
ている。
だが図中8の端子電極上に異方性導′gjh膜を圧着す
る際端子電極下の中間層に割れが発生し電極が断線する
という問題が生じ量産移行できない状態にある。
ここで本発明実施例−2を第3図に示す、Baホウゲイ
酸ガラス上にRGBカラーフィルターを形成し続けてS
 i O2バイアススパツタにてカラーフィルターを平
坦化する。この際スパッタ熱によるカラーフィルターの
退色を防ぐため基板冷却を行ない、かつスパッタ条件を
調整、基板温度を180℃以下に制御した0次に0.1
%フッ化アンモン水溶液に10voj%になるようにリ
ン酸を加えた液温50℃のエツチング液で端子電極が形
成される部分のみをエツチング除去した0次にITOに
て画素電極をその上に形成した。この時SiO2バイア
ススパッタ膜のエツチング端面は第3図に示す様に適度
なテーパーがつくためITOの断線は全く生じなかった
。また透明ガラス基板が白濁することも全くなく異方性
導電膜圧着後も5iOzバイアススパツタ膜に割れは発
生しなく、そのためITOの断線も無かった。
尚、実施例−1と同様にフッ化アンモン+酢酸でも同じ
効果を有する。またフッ化アンモン濃度を10wt%ま
で、リン酸濃度を30voj%まで増やし同様の実験を
行なったが基板は白濁しなかった。
〔発明の効果〕
以上述べた様に発明によれば透明ガラス基板上に形成さ
れた酸化St膜をエッチパターニングする際、フッ化ア
ンモ7士酢酸、又はフッ化アンモン+リン酸が含まれる
エツチング液を用いることで、信頼性良く、又分布良く
エツチングができるため最近要求の大きい大型基板化に
適している、ガラス基板でも白濁しないため透過型デバ
イスに適している、安価であるためコストダウンができ
る、フッ酸に比べて危険でないため作業、管理が容易等
積々の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明実施例−1を説明するMIM素
子断面図と上面図である。第3図は本発明実施例−2を
説明する液晶表示装置のカラーフィルター側基板断面図
、第4図、第5図は一般的なMIM素子断面図と上面図
、第6図、第7図は一般的なカラーフィルター側基板断
面図、第8図は電極を平坦化した際の断面図。 1・・・下電極 2・・・絶縁層 3・・・中間層 4・・・上電極 5・・・画素電極 6・・・透明ガラス基板 7・・・カラーフィルター 8・・・端子電極 9・・・異方性導電膜 10・・・液晶 11・・・再デボ粒子 ET・・・エツチング端面 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 給水 喜三部 (他1名)毛22 第斗図 第ツ巴 第6図 ′IA715a ’1.8図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  透明ガラス基板上に形成された酸化Si膜をエッチパ
    ターニングする際、フッ化アンモン+酢酸、又はフッ化
    アンモン+リン酸が含まれるエッチング液を用いること
    を特徴とする酸化Si膜のパターン化方法。
JP63111911A 1988-05-09 1988-05-09 酸化Si膜のパターン化方法 Pending JPH01281734A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63111911A JPH01281734A (ja) 1988-05-09 1988-05-09 酸化Si膜のパターン化方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63111911A JPH01281734A (ja) 1988-05-09 1988-05-09 酸化Si膜のパターン化方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01281734A true JPH01281734A (ja) 1989-11-13

Family

ID=14573211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63111911A Pending JPH01281734A (ja) 1988-05-09 1988-05-09 酸化Si膜のパターン化方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01281734A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009501436A (ja) * 2005-07-12 2009-01-15 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング 二酸化シリコンおよび基礎のシリコンのためのエッチングとドーピング用の複合媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009501436A (ja) * 2005-07-12 2009-01-15 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング 二酸化シリコンおよび基礎のシリコンのためのエッチングとドーピング用の複合媒体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI431779B (zh) 薄膜電晶體,製造該電晶體之方法,具有該電晶體之顯示裝置,及製造該顯示裝置之方法
US5366588A (en) Method of manufacturing an electrically conductive pattern of tin-doped indium oxide (ITO) on a substrate
JPH01281734A (ja) 酸化Si膜のパターン化方法
JPH0584606B2 (ja)
JPH02215134A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPS62247330A (ja) 液晶表示装置
JPH05224220A (ja) 液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法
JP2989286B2 (ja) 液晶表示装置における電極形成方法及び電極構造
JPH0254577A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPH1010505A (ja) 平面型表示装置の製造方法
KR20030054012A (ko) 액정표시장치의 유리기판 식각방법
JPH04316024A (ja) アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法
JPH01281437A (ja) 液晶表示装置
JPS5852680A (ja) 液晶パネル基板の製造方法
JPH0827457B2 (ja) 液晶表示パネルのギヤツプ用スペ−サ形成方法
JPH0351821A (ja) Mim型非線形スイッチング素子の製造方法
JPH01283524A (ja) 液晶表示装置
JPH0352277A (ja) 非線形素子の製造方法
JPH0346633A (ja) 非線形素子の製造方法
JPS6364081A (ja) 配線電極の形成方法
JPH0451808B2 (ja)
JPS63284523A (ja) 薄膜トランジスタアレ−の製造方法
JPH0682770A (ja) 液晶表示素子
JPH02924A (ja) 非線形抵抗素子の製造方法
JPH01114826A (ja) 液晶表示素子