JP5503729B2 - 導体構造、透明デバイス及び電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、透明導電膜を備える導体構造及び当該導体構造を備えた電子機器に関する。
携帯電話などの無線通信携帯端末の高機能化・小型化・軽量化が著しい。また、高速化・大容量化への要求が高まっており、マイクロ波やミリ波を用いて信号の送受信を行なう高周波通信が急速に拡がっている。このような観点から、マイクロ波やミリ波に対応する小型・軽量・薄型の高周波回路が望まれている。
一方、無線通信携帯端末は大画面化の傾向にあり、ディスプレイ部は比較的大きな面積を有することが多い。従って、ディスプレイ部にデバイスを実装できれば、デバイスの実装面積を拡張することができる。ディスプレイ部にデバイスを実装する場合には、ユーザの視線を遮らないように、実装されるデバイスが肉眼で視認できないように工夫する必要がある。
例えば、上述したマイクロ波帯・ミリ波帯のデバイス又は当該デバイスへの伝送線路を透明導電膜で構成する技術が知られている。例えば、特許文献1には、エッチング性に優れており、高透過率の透明電極が開示されている。
特開2006−236747号公報
透明導電膜の抵抗値は、金属と比較して約2桁程度大きいため、透明導電膜自体の抵抗値に起因する損失や、透明伝送線路と他のデバイスとの接続部における特性インピーダンスの差によるミスマッチ損失が大きくなってしまう。
透明導電膜を厚膜化することにより抵抗値を下げることができるが、透明導電膜の透明性が犠牲となる。
以上のように、透明性を犠牲にせず、マイクロ波帯・ミリ波帯などの高周波帯域における抵抗値を低減可能な透明導電膜が期待されている。
そこで、本発明の様々な実施態様によって、透明性を確保しつつ、高周波帯域における抵抗値を低減可能な透明導電膜を備える導体構造及び当該導体構造を備えた電子デバイスを提供する。
本発明の一実施形態に係る導体構造は、電子機器のディスプレイ部に形成される透明導電膜と、肉眼で確認できない線幅を有し、前記透明導電膜の端部にオーミック接合される金属補助線とを備える。
本発明の一実施形態においては、金属補助線の幅が30μm以下とされる。また、他の実施形態においては、前記金属補助線が、前記透明導電膜の端部側面に形成される。さらに他の実施形態においては、ディスプレイ部が不透明の配線を含み、その配線に重なるように前記金属補助線が形成される。
本発明の一実施形態に係る電子機器は、ディスプレイ部を備えており、このディスプレイ部に、上述した導体構造を有する電極又はる線路が形成される。本発明の前記及び他の目的,特徴,利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
本発明の様々な実施形態によって、透明性を確保しつつ、高周波帯域における抵抗値を低減可能な透明導電膜を備える導体構造及び当該導体構造を備えた電子デバイスが提供される。
本発明の一実施形態に係る導体構造の構成を示す斜視図である。 前記一実施形態に係る導体構造の特性を従来技術と比較して示すグラフである。 本発明の他の実施形態に係る導体構造の構成を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る電子機器を示す図である。
以下、本発明の様々な実施形態について、添付図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る導体構造を備えるコプレーナ線路を示す。図示の通り、コプレーナ線路は、携帯電話などのディスプレイ部を構成するガラス基板10の主面上に形成された信号ラインとしての信号電極(信号導体)20と、ガラス基板10の主面上に信号電極20を挟むように形成されたGND電極(接地導体)30,40とを有する。GND電極30、40は、グランドに接続される。信号電極20の両端の側面には、線幅が微細な金属補助線22,24が形成されている。また、GND電極30,40の信号電極20側の端部側面には、同様に線幅が微細な金属補助線32,42が形成されている。
信号電極20及びGND電極30,40は、いずれも透明導電膜によって形成されている。信号電極20及びGND電極30,40は、真空蒸着法,スパッタ法,パルスレーザディポジション(PLD)法等の物理蒸着法や、CVD法等の化学気相成長法などの任意の公知の手段によって形成される。透明導電膜の素材として、ITO,ZnO,Al・Ga・In等を添加したZnO基酸化物,In−ZnO系アモルファス系酸化物,ホモロガス酸化物,TiO,添加物を含むTiO基酸化物,などを用いることができるが、これらには限定されない。また、透明導電膜の抵抗値としては、低いほうが好ましく、1×10−2Ω・cm以下であることが望ましい。
透明導電膜端面の金属補助線22,24,32,42の素材には、透明導電膜に対してオーミック接合可能な金属材料,例えば、Al,Ti,In,Ga,Agなどの金属材料が用いられる。金属補助線22,24,32,42は、蒸着法やスパッタの方法で形成される。これら金属補助線22,24,32,42は、透明ではないため、携帯電話のユーザが使用時に目視できない程度の線幅を有するように形成される。金属補助線22,24,32,42は細いほどよいが、例えば30μm以下であれば、ユーザが通常の方法でディスプレイを見るときに、ユーザによって認識されない。しかし、金属補助線22,24,32,42の線幅は、これに限定されず、本発明を適用するディスプレイ装置やデバイスの仕様に応じて適宜決定される。
以上のように、本実施例では、透明導電膜による信号電極20と、その端面の金属補助線22,24とによって、コプレーナ構造の中心導体が構成されており、透明導電膜によるGND電極30,40と、その端面の金属補助線32,42とによって、それぞれコプレーナ構造のGND導体が構成されている。この金属補助線22,24,32,42の電気抵抗は、金属を素材として形成されるので、信号電極20及びGND電極30、40を構成する透明導電膜よりも非常に低い。マイクロ波帯・ミリ波帯の信号は、伝送線路の伝送方向両端を集中的に流れる。上述のように、信号電極20の両端の側面に金属補助線22,24を設けることにより、電流はこの金属補助線22,24を集中的に流れる。したがって、金属補助線22,24を設けることにより、高周波信号とっての抵抗値を低減させることができる。
寸法の一例を示すと、信号電極20の幅は200μm、GND電極30,40の幅は200μm、金属補助線22,24,32,42の幅は20μmである。いずれも、1μmである。しかし、寸法はこれらに限定されない。
図2に、電磁界シミュレーションによって得られた本発明の一実施形態に係る導体構造の特性を従来技術との特性と対比して示す。図2(A)は通過特性,図2(B)は反射特性を示す。グラフGA1,GB1は、透明導電膜(幅200um,膜厚1um)及び金属補助線(幅20μm,膜厚1um)を備える本発明の一実施形態に係る導体構造の通過特性及び反射特性をそれぞれ表し、グラフGA2,GB2は透明導電膜(幅200um,膜厚1um)のみの場合の通過特性及び反射特性をそれぞれ表し、グラフGA3,GB3は金属補助線(幅20μm,膜厚1um)のみの場合の通過特性及び反射特性をそれぞれ表す。図2(A)においてグラフGA1とグラフGA2を比較すると明らかなように、本実施形態に係る導体構造は、透明導電膜のみからなる導体構造よりも、60GHz以下の周波数領域において高い通過量が得られている。このように、本実施形態の導体構造によって良好な通過特性が得られる。また、図2(B)から明らかなように、本実施形態の導体構造は、透明導電膜よりも、60GHz以下の周波数領域において反射量が低い。このように、本実施形態の導体構造によって良好な反射特性が得られる。この電磁界シミュレーションの結果によって、透明導電膜に肉眼で確認できない線幅を有する金属補助線を設けることにより、十分に通過特性や反射特性を改善させる効果が得られることが判明した。
金属補助線のみの場合は、図2(A)のグラフGA3で示すように通過特性は改善されるものの、信号線のインダクタンス値が大きくなり、特性インピーダンスが高くなる。このため、接続素子との不整合が生じ、図2(B)のグラフGB3で示すように反射量が大きくなってしまう。
以上のように、本実施例によれば、透明導電膜の端部側面に金属補助線を設けることにより、伝送線路端部における抵抗値が低減され、伝送線路全体としての損失を著しく低減することが可能となる。また、金属補助線の線幅は、肉眼で確認できない線幅であるため、このような金属補助線と透明導電膜とからなる電極は透明なものと認識される。
次に、図3を参照しながら、本発明の他の実施形態に係る導体構造について説明する。同図(A)は、本発明の他の実施形態に係る導体構造を示す。図示の通り、上述した金属補助線22,24,32,42を、信号電極20,GND電極30,40の端部側面ではなく、端部上面(ディスプレイ部10に対抗する面とは反対側の面)に設けた例である。本実施形態に係る導体構造によれば、金属補助線22,24と信号電極20、金属補助線32とGND電極30、金属補助線42とGND電極40とのそれぞれの合成抵抗により、各電極20、30、40の端部の抵抗値を低減することができ、より損失を低減することが可能になる。図3(B)は、本発明のさらに他の実施形態に係る導体構造を示す。図示の通り、係る導体構造においては、信号電極20の両端の側面及びGND電極30、40の信号電極20側の端部側面に設けられた金属補助線22,24,32,42上に透明導電膜100が形成されている。かかる実施形態においては、図3(A)に示した導体構造よりも金属と透明導電膜の成膜や加工等のプロセス精度を必要としない点である。本発明のさらに他の実施形態においては、金属補助線22,24,32,42を、信号電極20,GND電極30,40の端部側面及び端部上面にそれぞれ設けることができる。
図3(C)〜(G)は、本発明の様々な実施形態に係る導体構造をマイクロストリップ線路に適用した様々な例を示す。同図(C)に示されるマイクロストリップ線路は、ガラス基板10の主面上にそれぞれ設けられた信号電極20と金属補助線22,24と、ガラス基板10の主面とは反対の面に形成されグランドに接続されたGND電極110と、を備える。金属補助線22,24は、前記図1のコプレーナ線路と同様に、信号電極20の両端の側面に形成されている。本実施形態では、GND電極110側には、金属補助線は設けられていない。図3(D)は、本発明の他の実施形態に係るマイクロストリップ線路を示す。同図に示すように、このマイクロストリップ線路は、図3(C)の構成に加えて、GND電極110の表面の主面上の金属補助線22,24とそれぞれ対向する位置に、金属補助線120,122を有する。このように、金属補助線120,122を設けることにより、金属補助線120,122を有しないGND電極よりも抵抗値を低減することができ、損失を低減することができるとともに、周辺回路からの電磁界の影響を受けにくくなる。図3(E)は、本発明のさらに他の実施形態に係るマイクロストリップ線路を示す。同図に示すマイクロストリップ線路においては、金属補助線22,24が信号電極20の上面端部に設けられている。図3(F)は、本発明のさらに他の実施
形態に係るマイクロストリップ線路を示す。同図に示すマイクロストリップ線路は、信号電極20の両端の側面に設けられた金属補助線22,24の上に透明導電膜100がさらに形成されている。図3(G)は、本発明のさらに他の実施形態に係るマイクロストリップ線路を示す。このマイクロストリップ線路は、図3(C)に示したマイクロストリップ線路に金属性のバイパス線130をさらに形成して構成される。バイパス線130は、金属補助線22の後端と金属補助線24の前端とを結ぶ細い金属線と、金属補助線22の前端と金属補助線24の後端とを結ぶ細い金属線とからなる。このバイパス線130を構成する金属線の線幅は、ディスプレイの表示情報を確認するときの視線を遮らないために、裸眼の空間分解能以下であることが望ましく、例えば30μm以下であることが望ましい。このようにバイパス線130を構成する金属線の線幅を30μm以下とすることにより、ユーザがディスプレイの表示情報を確認する際に、バイパス線130を視認することはできない。
図4は、本発明の一実施形態に係るディスプレイを備えた携帯電話を示す。このディスプレイには、本発明の一実施形態に係る透明アンテナが形成されている。図4(A)は、携帯電話300の平面図を示し、図4(B)は、図4(A)の#B−#B線に沿って矢印方向に見た断面の概略を示す。これらの図に示すように、携帯電話300の液晶ディスプレイ310には、その外縁に沿って逆L字状の透明アンテナ320が形成されている。液晶ディスプレイ310は、液晶パネル312を備え、この液晶パネル312の裏面側にバックライト314が設けられ、表面側に保護パネル316が設けられた構成となっている。そして、この保護パネル316の裏面側に、透明アンテナ320が形成されている。透明アンテナ320は、透明導電膜322と、その端部側面に形成された金属補助線324,326とによって構成されている。透明アンテナ320は、本発明の一実施形態に係る導体構造をアンテナに適用したものである。つまり、この透明アンテナ320の金属補助線324,326は、携帯電話のユーザが液晶ディスプレイ310に表示された情報を見るときに、ユーザの肉眼では認識されない程度の線幅を有するように構成される。上述のように、この線幅は30μm以下であることが望ましい。透明アンテナ320は、ディスプレイ310に形成しうる任意の形状をとることができる。例えば、透明アンテナ320は、折り返し、ループ、逆F、パッチアンテナなどの任意の平面アンテナである。
図4(C)は、本発明の他の実施形態に係るディスプレイ310を示す。この実施形態に係るディスプレイ310においては、液晶パネル312の表面に透明アンテナ320が直接形成される。一実施形態においては、液晶パネル312の表面に形成された偏光板の表面に透明アンテナ320を形成する。図4(D)は、本発明の他の実施形態に係るディスプレイ310を示す。図4(D)のディスプレイ310においては、透明アンテナ320の金属補助線324,326が、液晶パネル312の駆動用電極マトリクス313と対向する位置(積層方向において重なる位置)に形成される。一実施形態においては、金属補助線324,326の少なくとも一部が、駆動用電極マトリクス313と重なる位置に形成される。透明導電膜322の幅と駆動用電極マトリクス313の電極間隔は一致する必要はない。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることができる。例えば、本発明の様々な実施形態に係る導体構造は、伝送線路やアンテナ以外の様々なデバイス又は線路に適用される。本発明の様々な実施形態に係る導体構造は、上述した携帯電話などの携帯端末の他に、ノートパソコンのディスプレイなど各種のディスプレイ装置や各種のイメージセンサに適用可能である。本発明の様々な実施形態に係る導体構造を、いわゆる透明デバイスの電極又は線路として用いることができる。本明細書では、透明デバイスという用語を、可視光領域で70%以上の透過率を有する材料で作られているデバイス、という意味で用いる。透明デバイスには、様々な電子機器のディスプレイ装置又は様々なイメージセンサの構成部品であって、本明細書で説明された透明導電膜からなるものが含まれる。
10:ガラス基板20:信号電極22,24,32,42:金属補助線30,40:GND電極100:透明導電膜110:GND電極120,122:金属補助線130:金属補助線300:携帯電話310:液晶ディスプレイ312:液晶パネル313:駆動用電極マトリクス314:バックライト316:保護パネル320:透明アンテナ322:透明導電膜324,326:金属補助線

Claims (5)

  1. 電子機器のディスプレイ部に形成される透明導電膜と、肉眼で確認できない線幅を有し、前記透明導電膜の端部にオーミック接合される金属補助線と、を備え、前記ディスプレイ部が不透明の配線を含み、その配線に重なるように前記金属補助線が形成される導体構造。
  2. 前記金属補助線の幅を、30μm以下とした請求項1記載の導体構造。
  3. 前記金属補助線を、前記透明導電膜の端部側面に形成した請求項1又は2記載の導体構造。
  4. 請求項1〜のいずれか一項に記載の導体構造の電極ないし線路を含む透明デバイス。
  5. ディスプレイ部を備えており、このディスプレイ部に、請求項1〜のいずれか一項に記載の導体構造を有する電極又は線路が形成された電子機器。
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