JPS58165213A - 透明電極の形成方法 - Google Patents
透明電極の形成方法Info
- Publication number
- JPS58165213A JPS58165213A JP4932282A JP4932282A JPS58165213A JP S58165213 A JPS58165213 A JP S58165213A JP 4932282 A JP4932282 A JP 4932282A JP 4932282 A JP4932282 A JP 4932282A JP S58165213 A JPS58165213 A JP S58165213A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- electrode
- forming
- metal
- deposited
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（＆）発明の技術公費
本発明は低抵抗の透明電極を形成する方法に係り、さら
に具体的には透明電極に低抵抗金属の補助電極を付設す
る方法の改良に関するものである。
に具体的には透明電極に低抵抗金属の補助電極を付設す
る方法の改良に関するものである。
山） 従来技術と問題点
例えばエレクトロルミネッセンス表示装置や液晶表示装
置のようなディスプレイパネル等に用いられる透明電極
の低抵抗化を図るために、透明電極に低抵抗金属の補助
電極を付設する方法が採られている。すなわち４１図お
よびｉＩ２図に示すように、例えばガラス基板ｌ上に線
状の透明電極２を形成し、その透明電極２上面の両側（
あるいは片Ｉｔ）に低抵抗金属の線巾の細い補助電極８
を配設した構成がとられている。ところで、従来このよ
うな補助電極８の形成は、透明電極２とは別のホトリソ
グラフ工程で形成しており、工程数の増加、目合せの必
要性、さらに使用するホトマスクの加工限界により補助
電極８の巾の下限が制限されるという問題があった。
置のようなディスプレイパネル等に用いられる透明電極
の低抵抗化を図るために、透明電極に低抵抗金属の補助
電極を付設する方法が採られている。すなわち４１図お
よびｉＩ２図に示すように、例えばガラス基板ｌ上に線
状の透明電極２を形成し、その透明電極２上面の両側（
あるいは片Ｉｔ）に低抵抗金属の線巾の細い補助電極８
を配設した構成がとられている。ところで、従来このよ
うな補助電極８の形成は、透明電極２とは別のホトリソ
グラフ工程で形成しており、工程数の増加、目合せの必
要性、さらに使用するホトマスクの加工限界により補助
電極８の巾の下限が制限されるという問題があった。
（ｅ） 発明の目的
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、工程が簡単で
かつ乾式であり、しかも線巾が細く且つ透明電極の透明
性を十分維持できる補助電極の形成方法の提供を目的と
する。
かつ乾式であり、しかも線巾が細く且つ透明電極の透明
性を十分維持できる補助電極の形成方法の提供を目的と
する。
（ｄ） 発明の構成
上記目的を達成するために本発明は、絶縁基板上に所定
形状の透明電極を形成し前記透明電極の上面を絶縁物で
被覆した状態で、斜め上方より金属膜を蒸着し、しかる
後透明電極上の絶縁物表面に被着した金属膜を当該絶縁
物層とともに剥離して除去することにより、透明電極縁
端部とその隣接部に金属補助電極を形成することを特徴
とするものである。
形状の透明電極を形成し前記透明電極の上面を絶縁物で
被覆した状態で、斜め上方より金属膜を蒸着し、しかる
後透明電極上の絶縁物表面に被着した金属膜を当該絶縁
物層とともに剥離して除去することにより、透明電極縁
端部とその隣接部に金属補助電極を形成することを特徴
とするものである。
する。
第８図〜第６図は、本発明による透明電極の形成方法を
説明するための要部断面図で順次に示した工程図である
。まずｊＩ８図に示すように、ガラス基板１１上に例え
ばイしジウム錫酸化物（Ｉｔ））の透明電極となるべき
−”ｉ導電膜１かを形成し、その導電膜１２ａ上ｉこ所
定゛ンマターンの例えばポジ形。、、Ｘ４層、４１リ−
２ツグオる。
説明するための要部断面図で順次に示した工程図である
。まずｊＩ８図に示すように、ガラス基板１１上に例え
ばイしジウム錫酸化物（Ｉｔ））の透明電極となるべき
−”ｉ導電膜１かを形成し、その導電膜１２ａ上ｉこ所
定゛ンマターンの例えばポジ形。、、Ｘ４層、４１リ−
２ツグオる。
次にポジ形ホトレジスト層１４をマスクとして透明導電
膜１２＆をエツチングすることにより、第４図に示すよ
うにガラス基板１１ｒ石定パターンしかるＬｆＪｔＪ記
ホトレジスト層１４を除去せずに、透明電極１２ｂの上
面をホトレジスト層１４で被覆した状態で、例えばアル
ミニウム蒸着機内にセットし、第５図に示すように斜め
ｄ方向よりアルミニウムを蒸着すると、ホトレジスト層
１４の表面、透明電極１２の伺ｉ６縁端および基板ｌｌ
中上の隣接電極との間の間隙部の一部の巾ｅの面にアル
ミニウム層１８１％が蒸着される。因から容易に類推で
きるように、蒸着方向が斜めであるので例えば図の電極
ムと電極Ｂとの間隙部において、電極ムの影になる巾Ｓ
の部分はアルミニウム層は蒸着されない。さらにレジス
ト層１４の厚さを一部して図に示す高さｈを加減するか
、あるいはアルミニウム蒸着方？ａを調節すれば、基板
１１の上の蒸着の巾ｅも中白に調節することができる。
膜１２＆をエツチングすることにより、第４図に示すよ
うにガラス基板１１ｒ石定パターンしかるＬｆＪｔＪ記
ホトレジスト層１４を除去せずに、透明電極１２ｂの上
面をホトレジスト層１４で被覆した状態で、例えばアル
ミニウム蒸着機内にセットし、第５図に示すように斜め
ｄ方向よりアルミニウムを蒸着すると、ホトレジスト層
１４の表面、透明電極１２の伺ｉ６縁端および基板ｌｌ
中上の隣接電極との間の間隙部の一部の巾ｅの面にアル
ミニウム層１８１％が蒸着される。因から容易に類推で
きるように、蒸着方向が斜めであるので例えば図の電極
ムと電極Ｂとの間隙部において、電極ムの影になる巾Ｓ
の部分はアルミニウム層は蒸着されない。さらにレジス
ト層１４の厚さを一部して図に示す高さｈを加減するか
、あるいはアルミニウム蒸着方？ａを調節すれば、基板
１１の上の蒸着の巾ｅも中白に調節することができる。
そのあとで化学薬品によりホトレジスト層１４をその表
面の金属熱ＩＩ膜とともに除去すると、亀６図のよう化
補助電極１８ｂを付設した透明電極１２ｂが得られる。
面の金属熱ＩＩ膜とともに除去すると、亀６図のよう化
補助電極１８ｂを付設した透明電極１２ｂが得られる。
尚、透明電極１２ｂは前述の、ＩＴＵの他にカドミウム
インジウム酸化物（ＯｄＯ；Ｉｎ１０ｇ）や酸化錫（８
ａＯ，）等でもよいし、前記金属蒸着層は、金や銀等の
他の金属で形成することもできる。
インジウム酸化物（ＯｄＯ；Ｉｎ１０ｇ）や酸化錫（８
ａＯ，）等でもよいし、前記金属蒸着層は、金や銀等の
他の金属で形成することもできる。
（ｆ） 発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明によれば、取り扱
い易い金属蒸着工程によゆ簡単に、透明電極の透明性を
損うことなく、その低抵抗化が司能となり、エレクトロ
ルミネツ士ンス表示装置や液晶表示装置のようなディス
プレイパネルやドツトマトリックス表示パネル等に広く
使用される透明１ｉＥ極の抵抗が＾いＣとに起因する障
害を除去できる等の効果がある。
い易い金属蒸着工程によゆ簡単に、透明電極の透明性を
損うことなく、その低抵抗化が司能となり、エレクトロ
ルミネツ士ンス表示装置や液晶表示装置のようなディス
プレイパネルやドツトマトリックス表示パネル等に広く
使用される透明１ｉＥ極の抵抗が＾いＣとに起因する障
害を除去できる等の効果がある。
１７４１図は従来の透明電極の形成方法を説明するため
の要部上面図、＃！２図は第１図におけるムーム′断面
図、第８−図〜第６図は本発明による透明電極の形成方
法を説明するための要部断面図で順次に示した工程図で
ある。 図面において、１はガラス基板、２は透明電極、ＩＮ！
補助ａｍ、１１はガラス基板、１２１よ透明導電膜、１
２ｂは透明電極、１８Ｂは金属蒸着層、１８ｂは補助電
極、１４はホトレジスト層をそれぞれ示すＯ
の要部上面図、＃！２図は第１図におけるムーム′断面
図、第８−図〜第６図は本発明による透明電極の形成方
法を説明するための要部断面図で順次に示した工程図で
ある。 図面において、１はガラス基板、２は透明電極、ＩＮ！
補助ａｍ、１１はガラス基板、１２１よ透明導電膜、１
２ｂは透明電極、１８Ｂは金属蒸着層、１８ｂは補助電
極、１４はホトレジスト層をそれぞれ示すＯ
Claims (1)
- 絶繊基板上に所定形状の透明電極を形成し、前記透明電
極の上面を絶縁物で被覆した状態で、斜め上方より金属
膜を蒸着し、しかる後、透明電極上の絶縁物表面に被着
した金属膜を当該絶縁物層とともに剥離して除去するこ
とにより透明電極の絶縁部および該絶縁部に隣接する基
板面の一部の領域に密接して、残余の金属蒸着膜よりな
る金属補助電極を形成することを特徴とする透明電極の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4932282A JPS58165213A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 透明電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4932282A JPS58165213A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 透明電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58165213A true JPS58165213A (ja) | 1983-09-30 |
| JPH0340451B2 JPH0340451B2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=12827732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4932282A Granted JPS58165213A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 透明電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58165213A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011111650A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 太陽誘電株式会社 | 導体構造、透明デバイス及び電子機器 |
-
1982
- 1982-03-26 JP JP4932282A patent/JPS58165213A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011111650A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 太陽誘電株式会社 | 導体構造、透明デバイス及び電子機器 |
| JP5503729B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-05-28 | 太陽誘電株式会社 | 導体構造、透明デバイス及び電子機器 |
| US8889998B2 (en) | 2010-03-09 | 2014-11-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Conductor structure, transparent device, and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0340451B2 (ja) | 1991-06-19 |
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