JPS63296019A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
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- JPS63296019A JPS63296019A JP12999387A JP12999387A JPS63296019A JP S63296019 A JPS63296019 A JP S63296019A JP 12999387 A JP12999387 A JP 12999387A JP 12999387 A JP12999387 A JP 12999387A JP S63296019 A JPS63296019 A JP S63296019A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/1343—Electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示パネルに関し、特に液晶表示パネル基
板の構成に関するものである。
板の構成に関するものである。
［従来の技術］
従来、液晶表示パネルにおいては、基板上に設けられた
透明導電膜に ＩＴＯ（インジウム−チン−オキサイド
）を用い、該 ＩＴＯに沿って配線抵抗を小さくするた
めの金属配線電極が形成されている。
透明導電膜に ＩＴＯ（インジウム−チン−オキサイド
）を用い、該 ＩＴＯに沿って配線抵抗を小さくするた
めの金属配線電極が形成されている。
第２図（ａ）、（ｂ）は、従来の液晶表示パネルにおい
て、金属配線電極を形成する方法を示す工程図である。
て、金属配線電極を形成する方法を示す工程図である。
同図において、ガラス基板ｌ上にＩＴＯの透明導電膜２
を成膜し、ポジ型レジスト（例えば、０ＦＰＲ−８００
，東京応化型）を用い、フォトリソ、エツチング工程に
よりパターンを形成する。
を成膜し、ポジ型レジスト（例えば、０ＦＰＲ−８００
，東京応化型）を用い、フォトリソ、エツチング工程に
よりパターンを形成する。
次いで、該透明導電膜２の上に金属配線電極４としてア
ルミニウムを成膜し、前記と同様にパターン形成するこ
とにより、液晶表示パネルが作成される。
ルミニウムを成膜し、前記と同様にパターン形成するこ
とにより、液晶表示パネルが作成される。
［発明か解決しようとする問題点］
しかしながら、上記の従来の液晶表示パネルは、その製
造工程の中で、特に現像工程において、ＩＴＯに多数の
ピンホールが発生するという欠点があった。これは、前
記の現像工程で使用される現像液（例えば、 ＮＭＤ−
：ｌ、東京応化型）がアルカリ溶液であるため、現像液
中でアルミニウムとＩＴＯが化学反応を起こすことに起
因している。
造工程の中で、特に現像工程において、ＩＴＯに多数の
ピンホールが発生するという欠点があった。これは、前
記の現像工程で使用される現像液（例えば、 ＮＭＤ−
：ｌ、東京応化型）がアルカリ溶液であるため、現像液
中でアルミニウムとＩＴＯが化学反応を起こすことに起
因している。
本発明は、上記の様な従来技術の欠点を除去し、アルミ
ニウム又はアルミニウム合金を使用した金属配線電極と
ＩＴＯの透明導電膜との間に高抵抗の薄膜を設けること
により、ＩＴＯのピンホールの発生を抑制した液晶表示
パネルを歩留りよく提供することを目的とするものであ
る。
ニウム又はアルミニウム合金を使用した金属配線電極と
ＩＴＯの透明導電膜との間に高抵抗の薄膜を設けること
により、ＩＴＯのピンホールの発生を抑制した液晶表示
パネルを歩留りよく提供することを目的とするものであ
る。
［問題点を解決するための手段］
即ち、本発明は、基板上に透明導電膜を設け、該透明導
電膜上にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金
属配線電極を少なくとも一層積層した液晶表示パネル基
板において、前記透明導電膜と金属配線電極の間に１．
０ｘｌＧ３〜１．０Ｘ１０’Ωｃｍの抵抗率を有する薄
膜を介在せしめてなることを特徴とする液晶表示パネル
である。
電膜上にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金
属配線電極を少なくとも一層積層した液晶表示パネル基
板において、前記透明導電膜と金属配線電極の間に１．
０ｘｌＧ３〜１．０Ｘ１０’Ωｃｍの抵抗率を有する薄
膜を介在せしめてなることを特徴とする液晶表示パネル
である。
以下、本発明を説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明の液晶表示パネルの金
属配線電極を形成する方法を示す工程図である。その中
で、第１図（ｃ）は、金属配線電極が形成された本発明
の液晶表示パネルの断面図である。同第１図（Ｃ）にお
いて１本発明の液晶表示パネルは、ガラス基板ｌの上に
、ＩＴＯからなる透明導電膜２を設け、該透明導電膜２
の上を高抵抗膜３で被覆し、該高抵抗膜３の上に透明導
電膜２に沿って金属配線電極４を積層し、透明導電膜２
と金属配線電極４の間に高抵抗膜３を介在せしめること
を特徴とするものである。
属配線電極を形成する方法を示す工程図である。その中
で、第１図（ｃ）は、金属配線電極が形成された本発明
の液晶表示パネルの断面図である。同第１図（Ｃ）にお
いて１本発明の液晶表示パネルは、ガラス基板ｌの上に
、ＩＴＯからなる透明導電膜２を設け、該透明導電膜２
の上を高抵抗膜３で被覆し、該高抵抗膜３の上に透明導
電膜２に沿って金属配線電極４を積層し、透明導電膜２
と金属配線電極４の間に高抵抗膜３を介在せしめること
を特徴とするものである。
本発明において、透明導電膜２と金属配線電極４の間に
介在される高抵抗膜３としては、１．０×１０’ 〜１
．Ｏｘ １０’ΩＣ１１、好ましくは１．ＯＸ １０’
〜１．０ＸｌＯ’Ωｃｓの抵抗率を有する薄膜が用い
られる。抵抗率が１．０Ｘ１０３ΩＣ園未満では隣接電
極間でクロストークが生じ、またｉ、ｏｘｉｏ’ΩＣｍ
をこえると金属配線電極により配線抵抗を小さくできな
いので望ましくない。
介在される高抵抗膜３としては、１．０×１０’ 〜１
．Ｏｘ １０’ΩＣ１１、好ましくは１．ＯＸ １０’
〜１．０ＸｌＯ’Ωｃｓの抵抗率を有する薄膜が用い
られる。抵抗率が１．０Ｘ１０３ΩＣ園未満では隣接電
極間でクロストークが生じ、またｉ、ｏｘｉｏ’ΩＣｍ
をこえると金属配線電極により配線抵抗を小さくできな
いので望ましくない。
また、薄膜の材質としては、可視波長域において透明の
ものが好ましく、例えば、ＳｎＯ□、 ＺｎＯ。
ものが好ましく、例えば、ＳｎＯ□、 ＺｎＯ。
ＴｉＯ２等が挙げられる。
本発明において、透明導電膜の膜厚は通常２００〜２０
００人、好勲しくは４００〜１２００人が望ましい。
００人、好勲しくは４００〜１２００人が望ましい。
また、高抵抗膜、３の薄膜の膜厚は透明導電膜の２倍以
上あることが好ましいが、通常４００〜４０００人、好
ましくは８００〜２４００人が望ましい。
上あることが好ましいが、通常４００〜４０００人、好
ましくは８００〜２４００人が望ましい。
本発明の液晶表示パネルは、基板上に透明導電膜を成膜
し、７オトリソ、エツチング工程によりパターンを形成
し、次いで前記透明導電膜を高抵抗膜て被覆し、さらに
その上に金属配線電極の被膜を形成し、フォトリソ、エ
ツチング工程によりバターニングして、透明導電膜に沿
って高抵抗膜上に金属配線電極を積層することにより容
易に製造することができる。
し、７オトリソ、エツチング工程によりパターンを形成
し、次いで前記透明導電膜を高抵抗膜て被覆し、さらに
その上に金属配線電極の被膜を形成し、フォトリソ、エ
ツチング工程によりバターニングして、透明導電膜に沿
って高抵抗膜上に金属配線電極を積層することにより容
易に製造することができる。
フォトリソ、エツチング工程は、特に限定することはな
く通常の方法で行うことができるが、フォトリソ工程に
は、通常ポジ型のレジスト、例えば、０ＦＰＲ−８００
（東京応化製） 、 ＭＰ−３１４００（シブレイ社製
）を使用し、現像にはアルカリ系の現像液を用いるのが
好ましい。
く通常の方法で行うことができるが、フォトリソ工程に
は、通常ポジ型のレジスト、例えば、０ＦＰＲ−８００
（東京応化製） 、 ＭＰ−３１４００（シブレイ社製
）を使用し、現像にはアルカリ系の現像液を用いるのが
好ましい。
［作用］
本発明の液晶表示パネルは、基板上に透明導電膜を設け
、該透明導電膜上にアルミニウム又はアルミニウム合金
からなる金属配線電極を少なくとも一層積層した液晶表
示パネル基板において、前記透明導電膜と金属配線電極
の間に１．０Ｘ１０’〜１．０ｘｌＧ’ΩＣ■の抵抗率
を有する薄膜を介在せしめてなるので、金属配線電極の
形成のためのフォトリソ、エツチング工程において、透
明導電膜のＩＴＯとアルミニウム又はアルミニウム合金
との接触が高抵抗の薄膜により遮断されるので、ＩＴＯ
に発生するピンホールを低減することができる。
、該透明導電膜上にアルミニウム又はアルミニウム合金
からなる金属配線電極を少なくとも一層積層した液晶表
示パネル基板において、前記透明導電膜と金属配線電極
の間に１．０Ｘ１０’〜１．０ｘｌＧ’ΩＣ■の抵抗率
を有する薄膜を介在せしめてなるので、金属配線電極の
形成のためのフォトリソ、エツチング工程において、透
明導電膜のＩＴＯとアルミニウム又はアルミニウム合金
との接触が高抵抗の薄膜により遮断されるので、ＩＴＯ
に発生するピンホールを低減することができる。
［実施例］
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
第１図（ａ）〜（Ｃ）に示す方法により液晶表示パネル
を得た。
を得た。
まず、ガラス基板ｌ上にスパッタ法により厚さ３００人
のＩＴＯを成膜し、フォトリソ工程にはポジ型のレジス
ト（０ＦＰＲ−８００（東京応化製）］を使用し、現像
にはアルカリ系の現像液［ＮＭＤ−：ｌ （東京応化
製）］を使用し、フォトリソ、エツチング工程により不
要部分を除去し、ピッチ２ＳＯＨ、ライン幅２１０μｍ
の透明導電膜２のパターンを形成した。（第１図（ａ）
参照） 次いで、前記透明導電膜２のパターンの上に高抵抗膜３
として抵抗率１．０ＸｌＯ’ΩＣＨＩのＳｎＯ，をスパ
ッタ法により、厚さ６００人に成膜した。（第１図（ｂ
）参照） 次に、前記高抵抗膜３の上に金属膜としてアルミニウム
をスパッタ法により３０００人の厚さに成膜し、前記と
同様の７オトリソ、エツチング工程により、ＩＴＯ膜に
沿って積層した、Ｉｔｌ！１０ｐｍの金属配線電極を形
成した液晶表示パネル基板を得た。
のＩＴＯを成膜し、フォトリソ工程にはポジ型のレジス
ト（０ＦＰＲ−８００（東京応化製）］を使用し、現像
にはアルカリ系の現像液［ＮＭＤ−：ｌ （東京応化
製）］を使用し、フォトリソ、エツチング工程により不
要部分を除去し、ピッチ２ＳＯＨ、ライン幅２１０μｍ
の透明導電膜２のパターンを形成した。（第１図（ａ）
参照） 次いで、前記透明導電膜２のパターンの上に高抵抗膜３
として抵抗率１．０ＸｌＯ’ΩＣＨＩのＳｎＯ，をスパ
ッタ法により、厚さ６００人に成膜した。（第１図（ｂ
）参照） 次に、前記高抵抗膜３の上に金属膜としてアルミニウム
をスパッタ法により３０００人の厚さに成膜し、前記と
同様の７オトリソ、エツチング工程により、ＩＴＯ膜に
沿って積層した、Ｉｔｌ！１０ｐｍの金属配線電極を形
成した液晶表示パネル基板を得た。
（第１図（Ｃ）参照）
以上の工程により作製した液晶表示パネル基板において
、隣接電極間の間隔が３０ｐｍ、電極の長さ１００ｍ＋
ｓの場合、隣接電極間の抵抗値は１．５ Ｘ １０’Ω
となり、またアルミニウム電極と透明導電膜の重なりを
１０ｐｍとすると、アルミニウム電極−透明導電膜間の
抵抗値は６Ωとなり、パネル駆動上問題はない。
、隣接電極間の間隔が３０ｐｍ、電極の長さ１００ｍ＋
ｓの場合、隣接電極間の抵抗値は１．５ Ｘ １０’Ω
となり、またアルミニウム電極と透明導電膜の重なりを
１０ｐｍとすると、アルミニウム電極−透明導電膜間の
抵抗値は６Ωとなり、パネル駆動上問題はない。
比較例１
高抵抗膜を使用しない以外は、実施例１と同様の方法で
液晶表示パネル基板を得た。
液晶表示パネル基板を得た。
以下、実施例１の高抵抗膜を用いた場合と、比較例１の
高抵抗膜を用いない場合について、ＩＴＯに発生するピ
ンホール密度を比較した一例を第１表に示す。
高抵抗膜を用いない場合について、ＩＴＯに発生するピ
ンホール密度を比較した一例を第１表に示す。
第 １ 表
第１表の結果より、アルミニウムとＩＴＯを直接接触さ
せないことにより、１丁０のピンホールを著しく減少さ
せることができた。
せないことにより、１丁０のピンホールを著しく減少さ
せることができた。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明の液晶表示パネルにおいて
、ＩＴＯの透明導電膜とアルミニウム又はアルミニウム
合金からなる金属配線電極の間に高抵抗膜を介在せしめ
ることにより、ＩＴＯのピンホールを低減させることが
てき、液晶表示パネルの歩留まりを向上させることが可
能となる。
、ＩＴＯの透明導電膜とアルミニウム又はアルミニウム
合金からなる金属配線電極の間に高抵抗膜を介在せしめ
ることにより、ＩＴＯのピンホールを低減させることが
てき、液晶表示パネルの歩留まりを向上させることが可
能となる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の液晶表示パネルの金属
配線電極を形成する方法を示す工程図および第２図（ａ
）、（ｂ）は従来の液晶表示パネルの金属配線電極を形
成する方法を示す工程図である。
配線電極を形成する方法を示す工程図および第２図（ａ
）、（ｂ）は従来の液晶表示パネルの金属配線電極を形
成する方法を示す工程図である。
Claims (1)
- 基板上に透明導電膜を設け、該透明導電膜上にアルミニ
ウム又はアルミニウム合金からなる金属配線電極を少な
くとも一層積層した液晶表示パネル基板において、前記
透明導電膜と金属配線電極の間に１．０×１０＾３〜１
．０×１０＾９Ωｃｍの抵抗率を有する薄膜を介在せし
めてなることを特徴とする液晶表示パネル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12999387A JPS63296019A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 液晶表示パネル |
| US07/193,060 US4859036A (en) | 1987-05-15 | 1988-05-12 | Device plate having conductive films selected to prevent pin-holes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12999387A JPS63296019A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 液晶表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63296019A true JPS63296019A (ja) | 1988-12-02 |
Family
ID=15023499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12999387A Pending JPS63296019A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-28 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63296019A (ja) |
-
1987
- 1987-05-28 JP JP12999387A patent/JPS63296019A/ja active Pending
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