JPS6072265A - イメ−ジセンサの電極構造 - Google Patents
イメ−ジセンサの電極構造Info
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- JPS6072265A JPS6072265A JP58178062A JP17806283A JPS6072265A JP S6072265 A JPS6072265 A JP S6072265A JP 58178062 A JP58178062 A JP 58178062A JP 17806283 A JP17806283 A JP 17806283A JP S6072265 A JPS6072265 A JP S6072265A
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
一発明の技術分野
本発明はＣｄＳｅを光導電膜とするイメージセンサの引
き出し電極に関するものである。
き出し電極に関するものである。
技術の背景
従来、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等の１−Ｖｌ化合物を元導電膜
素子蚤ご用いたイメージセンサではその引き出し電極と
してＮｉＣｒ−Ａｕの２層構造の電極が多く用いられ、
又ＣｄＳｅ光導電膜はＣｒとのオーミック性が良いため
その引き出し電極【こはＣｒ−Ａｕの２層構造の電極が
用いられていた。
素子蚤ご用いたイメージセンサではその引き出し電極と
してＮｉＣｒ−Ａｕの２層構造の電極が多く用いられ、
又ＣｄＳｅ光導電膜はＣｒとのオーミック性が良いため
その引き出し電極【こはＣｒ−Ａｕの２層構造の電極が
用いられていた。
従来技術と問題点
第１図ａ ” ｅは従来のイメージセンナの製造工程を
示す図であり、同図において、１は基板、２はＣｄＳｅ
等の光導電膜、３はレジスト、４は引き出し電極、５は
Ｃｒ又はＮｉ Ｃｒ層、６はＡｕ層をそれぞれ示してい
る。
示す図であり、同図において、１は基板、２はＣｄＳｅ
等の光導電膜、３はレジスト、４は引き出し電極、５は
Ｃｒ又はＮｉ Ｃｒ層、６はＡｕ層をそれぞれ示してい
る。
本従来例は、先ずａ図の如くセラミック、ガラス等の基
板１の上１こ光導電膜２を島状に形成し。
板１の上１こ光導電膜２を島状に形成し。
その上にレジスト３Ｇこよりリフトオフパターンを形成
する。次等こ５図の如＜ＮｉＣｒ−Ａｕ又はＣｒ−Ａｕ
の引き出し電極４を連続蒸着により形成し友のち、０図
の如くレジスト３を取り除けば、読み取り窓７が形成さ
れて完成する。
する。次等こ５図の如＜ＮｉＣｒ−Ａｕ又はＣｒ−Ａｕ
の引き出し電極４を連続蒸着により形成し友のち、０図
の如くレジスト３を取り除けば、読み取り窓７が形成さ
れて完成する。
このような従来例では、引き出し電極材料の主導体にＡ
ｕを用いている几め高価であるという欠点があった０ま
７ｔＮｉＣｒ−Ａｕ又はＣｒ−Ａｕの電極はＣｄＳ、Ｃ
ｄＳｅの光導電膜との間にエツチングに ′関して選択
性を持たないためにその形成；こは前述の如くリフトオ
フ法を用いねばならず、そのため製造プロセスが複雑に
なるという欠点があつ九。
ｕを用いている几め高価であるという欠点があった０ま
７ｔＮｉＣｒ−Ａｕ又はＣｒ−Ａｕの電極はＣｄＳ、Ｃ
ｄＳｅの光導電膜との間にエツチングに ′関して選択
性を持たないためにその形成；こは前述の如くリフトオ
フ法を用いねばならず、そのため製造プロセスが複雑に
なるという欠点があつ九。
発明の目的
本廃明は上記従来の欠点に鑑み、ＣｄＳｅを光導電膜ｔ
こ用いたイメージセンサを安価に製造できる引き出し電
極を提供することを目的とするものである。
こ用いたイメージセンサを安価に製造できる引き出し電
極を提供することを目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、 ＣｄＳｅを光導電
膜とするイメージセンサにおいて、光導電膜の引き出し
電極はＣｒ−Ａｌの２層構造としたことを特徴とするイ
メージセンサの電極構造を提供することによって達成さ
れる０ 発明の実施例 以下１本発明実施例を図面によって詳述するＯ第２図は
本発明蚤こよるイメージセンサの電極構造の第１の実施
例を説明するための図であり４ａはイメージセンサの平
面図、ｂはａ図のｂ、７．ｂ線における拡大断面図であ
る。同図において播、１０板１０の上に蒸着７熱処理工
程の後２島状にパターニングさｎ７’ｃｃｄｓｅ元導電
膜、１２．１２’はり７トオフ法により形成さ′ｎた電
極で１本実施例ではこの電極をＣｒ層１３とＡｇ＠１４
との２層構造としたことである。なお各部の膜厚はＣｄ
Ｓｅは１μｍ−Ｃｒは２００Ａ、Ａ／は１μｍｒＬ程度
である〇このように構成さＴＬｙｃ本芙施例実施極構造
は。
膜とするイメージセンサにおいて、光導電膜の引き出し
電極はＣｒ−Ａｌの２層構造としたことを特徴とするイ
メージセンサの電極構造を提供することによって達成さ
れる０ 発明の実施例 以下１本発明実施例を図面によって詳述するＯ第２図は
本発明蚤こよるイメージセンサの電極構造の第１の実施
例を説明するための図であり４ａはイメージセンサの平
面図、ｂはａ図のｂ、７．ｂ線における拡大断面図であ
る。同図において播、１０板１０の上に蒸着７熱処理工
程の後２島状にパターニングさｎ７’ｃｃｄｓｅ元導電
膜、１２．１２’はり７トオフ法により形成さ′ｎた電
極で１本実施例ではこの電極をＣｒ層１３とＡｇ＠１４
との２層構造としたことである。なお各部の膜厚はＣｄ
Ｓｅは１μｍ−Ｃｒは２００Ａ、Ａ／は１μｍｒＬ程度
である〇このように構成さＴＬｙｃ本芙施例実施極構造
は。
その主導体がＡｌであるので、従来のＡｕ’ａ’用いた
ものをこ比し安価となる。なおＣｄＳｅ元導電膜との接
続はＣｄＳｅとオーミック性の良いＣｒが受け持つので
その接触は良好である。
ものをこ比し安価となる。なおＣｄＳｅ元導電膜との接
続はＣｄＳｅとオーミック性の良いＣｒが受け持つので
その接触は良好である。
第３図は第２の実施例を説Ｆ！Ａするための図であり、
ａ”’−’ｅはその製造工程を示す図である。同図にお
匹て２０はセラミック、ガラス等を用いた基板、２１は
光導電膜、２２は第１のＣｒ層、２３はＡＪ層２４は第
２のＣｒ ｒｆＬ ２５Ｕ Ａｕ ｉ！！、２６は読取
り窓−２７、２７’は引き出し電極をそれぞれ示す。
ａ”’−’ｅはその製造工程を示す図である。同図にお
匹て２０はセラミック、ガラス等を用いた基板、２１は
光導電膜、２２は第１のＣｒ層、２３はＡＪ層２４は第
２のＣｒ ｒｆＬ ２５Ｕ Ａｕ ｉ！！、２６は読取
り窓−２７、２７’は引き出し電極をそれぞれ示す。
本実施例は前実施例の０ｒ−ＡＡ’の２層＠造の引出し
電極の上に更）こ０ｒ−Ａｕ層を追加したものであって
、引出し電極の形成は先ずａ図の如く基板２０の上に熱
処理及び島状）こノ（ターニングしｋＣｄＳｅ元導電膜
２１を形成する。次にｂ図の如く基板全面に第１のＣｒ
＠２２、Ａ４１層２３．第２のＣｒ層２４．Ａｕ層２５
の順に連続蒸着を行なう。ここで一層目の第１のＣｒ＠
２２はＣｄＳｅ元導電膜２１とのオーミックコンタクト
用（乙二層目のＡｅｌｉｉ２３は主導体として、三層目
の第２のＣｒ＠２４はｉ＠２３とＡｕ層２５とを選択エ
ツチングするためｔこ、またＡｕ＠２５は外部コネクタ
との接点用に設けたものである０次にＣ図の如く読み取
り窓２６及び引出し電極２７ 、２７’を形成するため
に先ずＡｕ層２５をヨウ素、ヨウ化カリ水溶液で所定の
パターン通りにエツチングし。
電極の上に更）こ０ｒ−Ａｕ層を追加したものであって
、引出し電極の形成は先ずａ図の如く基板２０の上に熱
処理及び島状）こノ（ターニングしｋＣｄＳｅ元導電膜
２１を形成する。次にｂ図の如く基板全面に第１のＣｒ
＠２２、Ａ４１層２３．第２のＣｒ層２４．Ａｕ層２５
の順に連続蒸着を行なう。ここで一層目の第１のＣｒ＠
２２はＣｄＳｅ元導電膜２１とのオーミックコンタクト
用（乙二層目のＡｅｌｉｉ２３は主導体として、三層目
の第２のＣｒ＠２４はｉ＠２３とＡｕ層２５とを選択エ
ツチングするためｔこ、またＡｕ＠２５は外部コネクタ
との接点用に設けたものである０次にＣ図の如く読み取
り窓２６及び引出し電極２７ 、２７’を形成するため
に先ずＡｕ層２５をヨウ素、ヨウ化カリ水溶液で所定の
パターン通りにエツチングし。
次いで＠２のＣｒ＠２４、Ａｚ＠２１第１のＣｒ＠２２
をリン酸溶液でエツチングする０このようにして形成さ
オｔ′ｆｃ本災施例はリフトオフ工程を省くことができ
、さらに電極形１父時に光導電膜を犯すことがなくイメ
ージセンサの製造プロセスな簡略化、安定化させること
ができる０発明の効果 以上詳細に説明したようをこ本発明のイメージセンサの
電極構造はＣｒ−Ａｕの２層構造、又はその上にＣｒ−
Ａｕ１ｌを追加した構造とすることによＧノイメージセ
ンサの引出口電極を安価に製造できるといった効果大な
るものである。
をリン酸溶液でエツチングする０このようにして形成さ
オｔ′ｆｃ本災施例はリフトオフ工程を省くことができ
、さらに電極形１父時に光導電膜を犯すことがなくイメ
ージセンサの製造プロセスな簡略化、安定化させること
ができる０発明の効果 以上詳細に説明したようをこ本発明のイメージセンサの
電極構造はＣｒ−Ａｕの２層構造、又はその上にＣｒ−
Ａｕ１ｌを追加した構造とすることによＧノイメージセ
ンサの引出口電極を安価に製造できるといった効果大な
るものである。
第１図は従来のイメージセンナの製造工程を説明するた
めの図、第２図は本発明によるイメージセンナの電極構
造の第１の実施例を説明するための図、第３図は第２の
実施例を説明するための図である。 図面）こおいて、１０．２０は基板、１１．２１はＣｄ
Ｓｅ元導電膜、１２．１２’及び２７ 、２７’は引き
出し電極をそれぞれ示す。 第１図 （。） （ｂ） （ｃ） （ｂ） 第３図 （ａ） （Ｃ）
めの図、第２図は本発明によるイメージセンナの電極構
造の第１の実施例を説明するための図、第３図は第２の
実施例を説明するための図である。 図面）こおいて、１０．２０は基板、１１．２１はＣｄ
Ｓｅ元導電膜、１２．１２’及び２７ 、２７’は引き
出し電極をそれぞれ示す。 第１図 （。） （ｂ） （ｃ） （ｂ） 第３図 （ａ） （Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ＣｄＳｅを光導電膜とするイメージセンナにおい
て１元導電膜の引き出し電極はＣｒ−Ａｌの２層構造と
したことを特徴とするイメージセンサの電極構造。 ２、前記引き出し電極はＣｒ−Ａｌの２層構造の上に更
蚤こＣｒ−Ａｕ層を追加したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のイメージセンサの電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178062A JPS6072265A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | イメ−ジセンサの電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178062A JPS6072265A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | イメ−ジセンサの電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6072265A true JPS6072265A (ja) | 1985-04-24 |
Family
ID=16041937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58178062A Pending JPS6072265A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | イメ−ジセンサの電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6072265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124563A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Stanley Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58178062A patent/JPS6072265A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124563A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Stanley Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
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