JPS60113964A - イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
イメ−ジセンサの製造方法Info
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- JPS60113964A JPS60113964A JP58221505A JP22150583A JPS60113964A JP S60113964 A JPS60113964 A JP S60113964A JP 58221505 A JP58221505 A JP 58221505A JP 22150583 A JP22150583 A JP 22150583A JP S60113964 A JPS60113964 A JP S60113964A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明はファクシミリなどの装置に用いるイメージセン
サの製造方法に関する。
サの製造方法に関する。
（ｂ）技術の背景
二次元の光情報を時系列化して電気信号に変換する光電
変換素子には、 ｐｎ接合によるト１０Ｓ型、 ＣＣＤ
型撮像デバイス等があるが１本発明は、 ＣｄＳｅの多
結晶光電変換素子を画素読取り体とする密着型イメージ
センサに係り、該センサを構成する電極形成手段を提示
するものである。
変換素子には、 ｐｎ接合によるト１０Ｓ型、 ＣＣＤ
型撮像デバイス等があるが１本発明は、 ＣｄＳｅの多
結晶光電変換素子を画素読取り体とする密着型イメージ
センサに係り、該センサを構成する電極形成手段を提示
するものである。
と
（Ｃ）従来技術ｆ問題点
多結晶光導電体として知られているｎ−ｖｒ化合物、特
にＣｄＳｅを基板上に薄膜形成した画素読取りのイメー
ジセンサは、従来、センサ変換の電流引出し電極部（セ
ンサ電極）としてオーミックコンタクトが取得容易なり
ロームＣｒが使用される。然し、Ｃｒ電極のパターンニ
ングは、 ＣｄＳｅとの選択エツチングが不可能であり
、このためホトレジストを併用したリフトオフ法による
電極形成が行なわれている。然しなから該イメージセン
サの電極形成方法は、製造工数かかさみ問題がある。
にＣｄＳｅを基板上に薄膜形成した画素読取りのイメー
ジセンサは、従来、センサ変換の電流引出し電極部（セ
ンサ電極）としてオーミックコンタクトが取得容易なり
ロームＣｒが使用される。然し、Ｃｒ電極のパターンニ
ングは、 ＣｄＳｅとの選択エツチングが不可能であり
、このためホトレジストを併用したリフトオフ法による
電極形成が行なわれている。然しなから該イメージセン
サの電極形成方法は、製造工数かかさみ問題がある。
（ｄ）発明の目的
本発明は前記の問題点を解決するためなされたもので、
基板上のＣｄＳｅセンサ薄膜に対して、前記製造プロセ
スの簡易化をはかりうる選択エツチングが可能な電極導
体形成の一手段を提示するものである。
基板上のＣｄＳｅセンサ薄膜に対して、前記製造プロセ
スの簡易化をはかりうる選択エツチングが可能な電極導
体形成の一手段を提示するものである。
（ｅ ’）発明の構成
前記の目的は、ｎ−ｖｒ化合物の光導電効果を利用する
密着型イメージセンサに於いて、センサ電極としＡｌ−
Ｃｒ−＾Ｕからなる多層導体構成の電極を形成すること
により達成される。
密着型イメージセンサに於いて、センサ電極としＡｌ−
Ｃｒ−＾Ｕからなる多層導体構成の電極を形成すること
により達成される。
（ｆ）発明の実施例
本発明は、 ＣｄＳｅがリン酸溶液に安定であり、且つ
又、リン酸溶液中対して可溶な八１がＣｄＳｅとオーミ
ックコンタクトが取れることを利用して、前記のリフト
オフ工程によらない電極導体を取得するにある。
又、リン酸溶液中対して可溶な八１がＣｄＳｅとオーミ
ックコンタクトが取れることを利用して、前記のリフト
オフ工程によらない電極導体を取得するにある。
以下１本発明を実施例図（各図共に断面図である）に従
って詳細に説明する。
って詳細に説明する。
第１図に於いて、１はガラス基板、２は画素ビット形成
完了の光導電体ＣｄＳｅである。画素ビット２ば、基板
１全面に蒸着成膜されたＣｄＳｅセンザセン熱処理後２
図示の如き画素ビット形成のエツチング加工がされたも
のである。この場合１画素ビット２は図示基板１の左右
両方向に例えは、８〜１６／ｍｍのピッチで直線状に配
列される。
完了の光導電体ＣｄＳｅである。画素ビット２ば、基板
１全面に蒸着成膜されたＣｄＳｅセンザセン熱処理後２
図示の如き画素ビット形成のエツチング加工がされたも
のである。この場合１画素ビット２は図示基板１の左右
両方向に例えは、８〜１６／ｍｍのピッチで直線状に配
列される。
第２図は、第１図面素ビット形成パターンの基板全面に
ＡＩ３を膜厚５０００人程度真空蒸着した後。
ＡＩ３を膜厚５０００人程度真空蒸着した後。
Ｃｒ ４を膜厚５００人真空蒸着し、更にＡｕ ５を真
空蒸着により１０００人、それぞれ連続的に成Ｈ’Ａし
た多層構成のセンサ電極を形成した図である。
空蒸着により１０００人、それぞれ連続的に成Ｈ’Ａし
た多層構成のセンサ電極を形成した図である。
第３図は、第２図構成の多層導体電極形成膜から所定の
電極パターンを形成する図である。
電極パターンを形成する図である。
電極パターンは１例えば紫外線露光用ホトレジスト膜処
理に続き、先ず前記被着のＡｕ層５に対して、沃素及び
沃化カリウム混溶液でエツチングして図６部分の窓明り
をする。
理に続き、先ず前記被着のＡｕ層５に対して、沃素及び
沃化カリウム混溶液でエツチングして図６部分の窓明り
をする。
次いで、窓明けのＡｕ層５の下地層、 Ｃｒ層４と旧Ｎ
３に対しては、７０℃〜８０°Ｃに加熱したリン酸溶液
中でエツチングする。
３に対しては、７０℃〜８０°Ｃに加熱したリン酸溶液
中でエツチングする。
斯くして、センサ形成の画素ピッｌ−２の受光開口窓６
が極めて容易に形成されると共に、併せて。
が極めて容易に形成されると共に、併せて。
該イメージセンサから引き出ずオーミック電極７と７′
とが成形される。
とが成形される。
（ｇ）発明の効果
以上、詳細に説明に説明した本発明のイメージセンサの
製造方法によれは、従来の光導電センサＣｄＳｅ膜に付
加する電極形成のリフトオフ工程が省略され、製造プロ
セスの簡易化と安定化がばかられ、性能的に優れた。然
も低コストの密着型イメージセンサが提供可能となる。
製造方法によれは、従来の光導電センサＣｄＳｅ膜に付
加する電極形成のリフトオフ工程が省略され、製造プロ
セスの簡易化と安定化がばかられ、性能的に優れた。然
も低コストの密着型イメージセンサが提供可能となる。
第１図は光導電体ＣｄＳｅ画素ビット形成の基板断面図
、第２図は本発明の多層構成のセンサ電極形成の実施例
断面図、及び第３図はセンサ開口窓形成完了の断面図で
ある。 図中、■はガラス基板、２は光導電画素ヒツト体のＣｄ
Ｓｅ１１． ’３はＡＩ 層、４ばＣｒＷｔ、５は４０
層。 及び６はセンサ受光開口窓、７と７′はセンサ電極であ
る。 条！叫 ？ Ｙ−２目 条３騎 一一一一一一一一一−さ、／
、第２図は本発明の多層構成のセンサ電極形成の実施例
断面図、及び第３図はセンサ開口窓形成完了の断面図で
ある。 図中、■はガラス基板、２は光導電画素ヒツト体のＣｄ
Ｓｅ１１． ’３はＡＩ 層、４ばＣｒＷｔ、５は４０
層。 及び６はセンサ受光開口窓、７と７′はセンサ電極であ
る。 条！叫 ？ Ｙ−２目 条３騎 一一一一一一一一一−さ、／
Claims (1)
- ｎ−ｖｒ化合物の光導電効果を用いる密着型イメージセ
ンサに於いて、センサ電極としＡｌ−Ｃｒ−八〇からな
る多層導体構成の電極を形成したことを特徴とするイメ
ージセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221505A JPS60113964A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221505A JPS60113964A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113964A true JPS60113964A (ja) | 1985-06-20 |
Family
ID=16767757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58221505A Pending JPS60113964A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113964A (ja) |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP58221505A patent/JPS60113964A/ja active Pending
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