JPH0338063A - カラー固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
カラー固体撮像素子及びその製造方法Info
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- JPH0338063A JPH0338063A JP1171944A JP17194489A JPH0338063A JP H0338063 A JPH0338063 A JP H0338063A JP 1171944 A JP1171944 A JP 1171944A JP 17194489 A JP17194489 A JP 17194489A JP H0338063 A JPH0338063 A JP H0338063A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カラー固体撮像素子及びその製造方法に関し
、特に固体撮像素子の中に直接色分解カラーフィルター
を組み込んで形成したカラー固体撮像素子及びその製造
方法に関する。
、特に固体撮像素子の中に直接色分解カラーフィルター
を組み込んで形成したカラー固体撮像素子及びその製造
方法に関する。
今日、カラー固体撮像素子は、小型軽量、低電圧駆動の
条件のみならず、種々の特性において、カラー撮像管と
同等又はそれ以上の性能のものとなり、大きな広がりを
みせている。そして、さらにハイビジボンを想定した高
画素化が急がれている。
条件のみならず、種々の特性において、カラー撮像管と
同等又はそれ以上の性能のものとなり、大きな広がりを
みせている。そして、さらにハイビジボンを想定した高
画素化が急がれている。
このカラー固体撮像素子には様々な製造方法が提案され
ているが、固体撮像素子に色分解カラーフィルターを貼
り合わせる方法(貼り合わせ法)、又は、固体撮像素子
上に直接色分解カラーフィルターを形成する方法(オン
チップ法)によりカラー化する方法が一般的である。従
来は、色分解カラーフィルター〇形成及び分光特性管理
が容易な貼り合わせ法によるものが多かったが、高画素
化対応のために、高い位置合わせ精度、より大きな開口
率が必要となり、オンチップ法によるカラー固体撮像素
子の形成が主流になりつつある。
ているが、固体撮像素子に色分解カラーフィルターを貼
り合わせる方法(貼り合わせ法)、又は、固体撮像素子
上に直接色分解カラーフィルターを形成する方法(オン
チップ法)によりカラー化する方法が一般的である。従
来は、色分解カラーフィルター〇形成及び分光特性管理
が容易な貼り合わせ法によるものが多かったが、高画素
化対応のために、高い位置合わせ精度、より大きな開口
率が必要となり、オンチップ法によるカラー固体撮像素
子の形成が主流になりつつある。
従来のオンチップ法によるカラー固体撮像素子の製造方
法の工程の1例を第2図に示す。これを説明すると、先
ず、第2図(a)の固体撮像素子21に、第2図中)に
示すように平坦化剤22を塗布し、これを硬化させる。
法の工程の1例を第2図に示す。これを説明すると、先
ず、第2図(a)の固体撮像素子21に、第2図中)に
示すように平坦化剤22を塗布し、これを硬化させる。
平坦化剤としては、可視光に対して透明で、かつ耐熱性
1.・耐水性に冨む樹脂、例えば、ポリウレタン樹脂、
シリコン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等が用いられる。
1.・耐水性に冨む樹脂、例えば、ポリウレタン樹脂、
シリコン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等が用いられる。
次に、第2図(C)に示すように、周知の方法により、
所定の着色画素23を所定のパターンで、固体撮像素子
の上に正確に位置合わせして順次形成し、さらに第2図
(d)に示すよう保護膜24を塗布、硬化させ、さらに
、第2図(e)に示すように、感光性樹脂25(図中で
はポジ型)を塗布し、所望のパターンのマスク26を用
いて、固体撮像素子21と正確に位置合わせして製版す
る。製版された感光性樹脂25をレジストとして、酸素
プラズマ等を利用してドライエツチングし、所望箇所の
上、例えば、電極パッドやスクライプライン上の平坦化
剤を灰化除去する(第2図(f))。最後に感光性樹脂
25を剥離すれば、第2図(8)に示すようなオンチッ
プ法によるカラー固体撮像素子が得られる。
所定の着色画素23を所定のパターンで、固体撮像素子
の上に正確に位置合わせして順次形成し、さらに第2図
(d)に示すよう保護膜24を塗布、硬化させ、さらに
、第2図(e)に示すように、感光性樹脂25(図中で
はポジ型)を塗布し、所望のパターンのマスク26を用
いて、固体撮像素子21と正確に位置合わせして製版す
る。製版された感光性樹脂25をレジストとして、酸素
プラズマ等を利用してドライエツチングし、所望箇所の
上、例えば、電極パッドやスクライプライン上の平坦化
剤を灰化除去する(第2図(f))。最後に感光性樹脂
25を剥離すれば、第2図(8)に示すようなオンチッ
プ法によるカラー固体撮像素子が得られる。
第3図は従来のオンチップ法によるカラー固体撮像素子
の1例の模式的断面を示しており、p型シリコン基板3
1の所要部にn゛拡散層32を形成し、その上のSin
g等の透明絶縁膜34中にポリシリコン等の透明電極3
3が形成されている。さらに、AIから成る遮光層、電
極JiN35を形成し、パッシベーション膜36を形成
して、モノクロの固体撮像素子が形成される。この上に
平坦化層36、着色画素37、保護膜38を形成し、カ
ラー固体撮像素子が得られる。
の1例の模式的断面を示しており、p型シリコン基板3
1の所要部にn゛拡散層32を形成し、その上のSin
g等の透明絶縁膜34中にポリシリコン等の透明電極3
3が形成されている。さらに、AIから成る遮光層、電
極JiN35を形成し、パッシベーション膜36を形成
して、モノクロの固体撮像素子が形成される。この上に
平坦化層36、着色画素37、保護膜38を形成し、カ
ラー固体撮像素子が得られる。
貼り合わせ法及びオンチップ法によるカラー固体撮像素
子は、いずれも光強度に応じた電気信号を蓄え、転送す
るデバイス、つまりモノクロの固体撮像素子を形成し、
次いで、色分解カラーフィルターを形成する方法であっ
た。貼り合わせ法によるカラー固体撮像素子は、前述の
ように高画素化への対応が困難な欠点があったが、オン
チップ法を採用しても依然として以下のような問題が残
っていた。
子は、いずれも光強度に応じた電気信号を蓄え、転送す
るデバイス、つまりモノクロの固体撮像素子を形成し、
次いで、色分解カラーフィルターを形成する方法であっ
た。貼り合わせ法によるカラー固体撮像素子は、前述の
ように高画素化への対応が困難な欠点があったが、オン
チップ法を採用しても依然として以下のような問題が残
っていた。
すなわち、モノクロの固体撮像素子は、エツチング、蒸
着等によりその表面に凹凸が生じ、均一な色特性を有す
る色分解カラーフィルターの形成は困難であること、さ
らに、凹凸上に色分解カラーフィルター画素が形成され
るため、これらがレンズ状になり、各感光素子の開口率
に差が出ること、また、色分解カラーフィルター製造工
程中に電極パッド部が薬液等により侵されること等の問
題点を有していた。
着等によりその表面に凹凸が生じ、均一な色特性を有す
る色分解カラーフィルターの形成は困難であること、さ
らに、凹凸上に色分解カラーフィルター画素が形成され
るため、これらがレンズ状になり、各感光素子の開口率
に差が出ること、また、色分解カラーフィルター製造工
程中に電極パッド部が薬液等により侵されること等の問
題点を有していた。
また、カラー固体撮像素子の構造上、感光層と色分解カ
ラーフィルターとの間にパッシベーション膜、平坦化層
が存在するため、受光部と着色画素間の距離が大きくな
り、光のクロストークが生じ易い問題もあった。
ラーフィルターとの間にパッシベーション膜、平坦化層
が存在するため、受光部と着色画素間の距離が大きくな
り、光のクロストークが生じ易い問題もあった。
したがって、本発明は、上記した従来のカラー固体撮像
素子の問題点を解決し、固体撮像素子の撮像光を受光し
て光電変換する層(感光層又は受光部)上に直接色分解
カラーフィルターを組み込むこと、すなわち、半導体基
板上にイオン拡散した後の平坦な基板に直接色分解カラ
ーフィルターを設けることにより、均一な色特性、開口
率を1することができ、さらには、光のクロストークの
ない優れた品質の新規なカラー固体撮像素子及びその製
造方法を提供することを目的とするものであり、従来の
ようにモノクロの固体撮像素子を形成し、別途作成した
色分解カラーフィルターを貼り行わせたり、このような
完成したモノクロの固体撮像素子上に直接色分解カラー
フィルターを形成するのではなく、いわばこのようなモ
ノク〔1の固体撮像素子の中に色分解カラーフィルター
を組み込んだ新規なカラー固体撮像素子及びその製造方
法を提供することを目的としている。
素子の問題点を解決し、固体撮像素子の撮像光を受光し
て光電変換する層(感光層又は受光部)上に直接色分解
カラーフィルターを組み込むこと、すなわち、半導体基
板上にイオン拡散した後の平坦な基板に直接色分解カラ
ーフィルターを設けることにより、均一な色特性、開口
率を1することができ、さらには、光のクロストークの
ない優れた品質の新規なカラー固体撮像素子及びその製
造方法を提供することを目的とするものであり、従来の
ようにモノクロの固体撮像素子を形成し、別途作成した
色分解カラーフィルターを貼り行わせたり、このような
完成したモノクロの固体撮像素子上に直接色分解カラー
フィルターを形成するのではなく、いわばこのようなモ
ノク〔1の固体撮像素子の中に色分解カラーフィルター
を組み込んだ新規なカラー固体撮像素子及びその製造方
法を提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段〕
このような目的は、以下のような本発明によって解決さ
れる。
れる。
すなわち、第1の発明は、固体撮像素子の撮像光を受光
して光電変換する層上に直接色分解カラーフィルターを
設けたことを特徴とするカラー固体撮像素子であり、 第2の発明は、前記固体撮像素子がCCDであることを
特徴とするカラー固体撮像素子であり、第3の発明は、
前記色分解カラーフィルターが多層干渉膜によって構成
されていることを特徴とするカラー固体撮像素子であり
、 第4の発明は、前記色分解カラーフィルターを構成する
多層干渉膜の表面に透明電極層を設けたことを特徴とす
るカラー固体撮像素子であり、第5の発明は、前記色分
解カラーフィルターを構成する多層干渉膜中に透明電極
層を設けたことを特徴とするカラー固体撮像素子であり
、第6の発明は、半導体基板の所望部にイオン拡散する
工程、該基板の撮像光を受光して光電変換する層上に直
接多層干渉膜を形威する工程、前記多層干渉膜の表面又
は中に透明電極層を形成する工程、遮光層を形威する工
程からなることを特徴とするカラー固体撮像素子の製造
方法である。
して光電変換する層上に直接色分解カラーフィルターを
設けたことを特徴とするカラー固体撮像素子であり、 第2の発明は、前記固体撮像素子がCCDであることを
特徴とするカラー固体撮像素子であり、第3の発明は、
前記色分解カラーフィルターが多層干渉膜によって構成
されていることを特徴とするカラー固体撮像素子であり
、 第4の発明は、前記色分解カラーフィルターを構成する
多層干渉膜の表面に透明電極層を設けたことを特徴とす
るカラー固体撮像素子であり、第5の発明は、前記色分
解カラーフィルターを構成する多層干渉膜中に透明電極
層を設けたことを特徴とするカラー固体撮像素子であり
、第6の発明は、半導体基板の所望部にイオン拡散する
工程、該基板の撮像光を受光して光電変換する層上に直
接多層干渉膜を形威する工程、前記多層干渉膜の表面又
は中に透明電極層を形成する工程、遮光層を形威する工
程からなることを特徴とするカラー固体撮像素子の製造
方法である。
本発明のカラー固体撮像素子においては、撮像光を受光
して光電変換する凹凸のない平坦な層上に直接色分解カ
ラーフィルターが設けられているので、色分解カラーフ
ィルターは均一な色特性を有するものとなり、また、色
分解カラーフィルターは凹凸のない平坦なものとなり、
レンズ状なることによって起こる開口率の不均一が生し
ない。
して光電変換する凹凸のない平坦な層上に直接色分解カ
ラーフィルターが設けられているので、色分解カラーフ
ィルターは均一な色特性を有するものとなり、また、色
分解カラーフィルターは凹凸のない平坦なものとなり、
レンズ状なることによって起こる開口率の不均一が生し
ない。
さらに、従来のもののように撮像光を受光して光電変換
する層と色分解カラーフィルターとの間にパッシベーシ
ョン膜、平坦化層が存在しないので、光のクロストーク
が最小限になる。
する層と色分解カラーフィルターとの間にパッシベーシ
ョン膜、平坦化層が存在しないので、光のクロストーク
が最小限になる。
さらに、本発明のカラー固体撮像素子の製造方法におい
ては、色分解カラーフィルター形成工程が固体撮像素子
製造工程の中に組み込まれるため、製造工程が簡単にな
り、収率が向上する。また、製造されたカラー固体撮像
素子の精度、信頼性が向上する。
ては、色分解カラーフィルター形成工程が固体撮像素子
製造工程の中に組み込まれるため、製造工程が簡単にな
り、収率が向上する。また、製造されたカラー固体撮像
素子の精度、信頼性が向上する。
第1図は、本発明によるカラー固体撮像素子の1例の模
式的断面図であり、固体撮像素子としてCCDを例にと
っているが、必ずしもCCDに限られるものではなく、
BBD等の他の固体撮像素子であってもよい。このカラ
ー固体撮像素子は、p型シリコン基板11の所要部にB
゛等のn゛イオン拡散して電荷の出力部12等が形威さ
れている。
式的断面図であり、固体撮像素子としてCCDを例にと
っているが、必ずしもCCDに限られるものではなく、
BBD等の他の固体撮像素子であってもよい。このカラ
ー固体撮像素子は、p型シリコン基板11の所要部にB
゛等のn゛イオン拡散して電荷の出力部12等が形威さ
れている。
そして、撮像光を受光して光電変換する基板11の上に
は直接分光特性を有する多層干渉膜14.14’が形成
されている。多層干渉膜14.14′ 間にポリシリコ
ン層からなる透明電極層13が形成される。
は直接分光特性を有する多層干渉膜14.14’が形成
されている。多層干渉膜14.14′ 間にポリシリコ
ン層からなる透明電極層13が形成される。
多層干渉膜14上にはアルミ遮光層15、電極層(図示
なし)が形成され、さらに、パッシベーション膜16が
形成されている。第1図においては、上記したように、
多層干渉膜14.14’間に透明電極層13が形成され
ているが、この層13は多層干渉膜14の上に形威され
ていてもよい、また、図において、出力部12及び透明
電極層13から上に伸びている線ば引き出し線を模式的
に示したもので、実際にはこのようには配線されていな
い。
なし)が形成され、さらに、パッシベーション膜16が
形成されている。第1図においては、上記したように、
多層干渉膜14.14’間に透明電極層13が形成され
ているが、この層13は多層干渉膜14の上に形威され
ていてもよい、また、図において、出力部12及び透明
電極層13から上に伸びている線ば引き出し線を模式的
に示したもので、実際にはこのようには配線されていな
い。
上記のカラー固体撮像素子における色分解カラーフィル
ターとしては、多層干渉膜を用いているが、デバイス内
に直接これ以外の種々の色分解カラーフィルターを設け
ることもできる。しかしながら、その場合、デバイスの
イオン汚染を極力排除する構成としなければならない。
ターとしては、多層干渉膜を用いているが、デバイス内
に直接これ以外の種々の色分解カラーフィルターを設け
ることもできる。しかしながら、その場合、デバイスの
イオン汚染を極力排除する構成としなければならない。
第1図のカラー固体撮像素子において、多層干渉膜14
の上に透明電極層13を形成する場合の製造方法をさら
に詳しく説明すると、p型半導体基板itを洗浄後、熱
酸化して表面にSiO□膜を形威し、その上にポジ型の
フォトレジストを塗布、製版し、フッ化アンモニウム水
溶液で電荷出力部12等のためのSiO□膜の窓開けを
し、ポジ型のフォトレジストを灰化除去した後にB゛イ
オン埋込み、拡散を行い、再度フッ化アンモニウム水溶
液でSiO□膜をエツチング除去する。
の上に透明電極層13を形成する場合の製造方法をさら
に詳しく説明すると、p型半導体基板itを洗浄後、熱
酸化して表面にSiO□膜を形威し、その上にポジ型の
フォトレジストを塗布、製版し、フッ化アンモニウム水
溶液で電荷出力部12等のためのSiO□膜の窓開けを
し、ポジ型のフォトレジストを灰化除去した後にB゛イ
オン埋込み、拡散を行い、再度フッ化アンモニウム水溶
液でSiO□膜をエツチング除去する。
次いで、Sin、とTi01からなる7層の多層干渉膜
を蒸着し、その上にポジ型のフォトレジストを塗布、製
版し、CF4ガスによるドライエツチングによってパタ
ーニングし、シアン画素を形成する。
を蒸着し、その上にポジ型のフォトレジストを塗布、製
版し、CF4ガスによるドライエツチングによってパタ
ーニングし、シアン画素を形成する。
同様にして、イエロー画素を形成する。この際、シアン
画素との重ね合わせ部を設け、グリーン画素とする(以
上、多層干渉膜14′)。
画素との重ね合わせ部を設け、グリーン画素とする(以
上、多層干渉膜14′)。
さらに、CVD法によってS i l(、ガスを用いて
多結晶Siの成膜をし、その上にポジ型のフォトレジス
トを塗布、製版し、フッ化アンモニウム水溶液でエツチ
ングし、ポジ型のフォトレジストを灰化除去し、多結晶
Siによる透明電極層13を形成する。
多結晶Siの成膜をし、その上にポジ型のフォトレジス
トを塗布、製版し、フッ化アンモニウム水溶液でエツチ
ングし、ポジ型のフォトレジストを灰化除去し、多結晶
Siによる透明電極層13を形成する。
その上に透明絶縁膜を介してAIを蒸着して成膜し、そ
の上にポジ型のフォトレジストを塗布、製版し、リン酸
水溶液でエツチングし、ポジ型のフォトレジストを灰化
除去し、遮光部15及び配線部位を形成する。
の上にポジ型のフォトレジストを塗布、製版し、リン酸
水溶液でエツチングし、ポジ型のフォトレジストを灰化
除去し、遮光部15及び配線部位を形成する。
最後に、CVD法によって5insガスと02ガスを用
いてSiO□膜を気相成長させ、この上にポジ型のフォ
トレジストを塗布、製版し、フッ化アンモニウム水溶液
によってエツチングした後、ポジ型のフォトレジストを
灰化除去し、所望のカラー固体撮像素子が得られる。
いてSiO□膜を気相成長させ、この上にポジ型のフォ
トレジストを塗布、製版し、フッ化アンモニウム水溶液
によってエツチングした後、ポジ型のフォトレジストを
灰化除去し、所望のカラー固体撮像素子が得られる。
このようにして得られたカラー固体撮像素子を撮像回路
に組み込み、レンズ系を介して撮影したところ、優れた
画質の映像が得られた。
に組み込み、レンズ系を介して撮影したところ、優れた
画質の映像が得られた。
なお、上記における7層のシアンの多層干渉膜としては
、例えば、 基 、板 Ti(h (700人) SiOz (1250人) T i Oz (700人) Sift (1250人) TiO□ (700人) Sing (1250人) T i Ot (700人) の順で積層されたものを用いる。また、イエローの多層
干渉膜としては、例えば、上記のシアンの多層干渉膜の
約1.5倍の膜厚のものを用いる。
、例えば、 基 、板 Ti(h (700人) SiOz (1250人) T i Oz (700人) Sift (1250人) TiO□ (700人) Sing (1250人) T i Ot (700人) の順で積層されたものを用いる。また、イエローの多層
干渉膜としては、例えば、上記のシアンの多層干渉膜の
約1.5倍の膜厚のものを用いる。
本発明においては、透明電極層13と多層干渉膜14.
14’ は同時に加工することができるため、電極の加
工工程を別々に行う必要はない。例えば、フッソ系ガス
を用いて、ポリシリコン電極層と多層干渉膜(TiO2
−5ift)を同時にドライエツチングすることができ
る。
14’ は同時に加工することができるため、電極の加
工工程を別々に行う必要はない。例えば、フッソ系ガス
を用いて、ポリシリコン電極層と多層干渉膜(TiO2
−5ift)を同時にドライエツチングすることができ
る。
本発明のカラー固体撮像素子においては、感光素子に直
接色分解カラーフィルターが設けられていて色分解カラ
ーフィルターに凹凸がなく、また、従来のもののように
感光層と色分解カラーフィルターとの間にパッシベーシ
ョン膜、平坦化層が存在しないので、色ムラや開口率の
不均一、光のクロストーク等を最小限におさえることが
できる効果がある。
接色分解カラーフィルターが設けられていて色分解カラ
ーフィルターに凹凸がなく、また、従来のもののように
感光層と色分解カラーフィルターとの間にパッシベーシ
ョン膜、平坦化層が存在しないので、色ムラや開口率の
不均一、光のクロストーク等を最小限におさえることが
できる効果がある。
さらに、本発明のカラー固体撮像素子の製造方法によれ
ば、色分解カラーフィルター形成工程が固体撮像素子製
造工程の中に組み込まれるため、製造工程が簡単になる
だけでなく、同じ焼き付は装置等を用いることにより、
収率が向上する、製造されたカラー固体撮像素子の精度
、信頼性が向上する等の効果がある。
ば、色分解カラーフィルター形成工程が固体撮像素子製
造工程の中に組み込まれるため、製造工程が簡単になる
だけでなく、同じ焼き付は装置等を用いることにより、
収率が向上する、製造されたカラー固体撮像素子の精度
、信頼性が向上する等の効果がある。
第1図は本発明によるカラー固体撮像素子の1例の模式
的断面図、第2図は従来のオンチップ法によるカラー固
体撮像素子の製造方法の1例の工程図、第3図は従来の
オンチップ法によるカラー固体撮像素子の1例の模式的
断面図である。
的断面図、第2図は従来のオンチップ法によるカラー固
体撮像素子の製造方法の1例の工程図、第3図は従来の
オンチップ法によるカラー固体撮像素子の1例の模式的
断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、固体撮像素子の撮像光を受光して光電変換する層上
に直接色分解カラーフィルターを設けたことを特徴とす
るカラー固体撮像素子。 2、前記固体撮像素子がCCDであることを特徴とする
請求項1記載のカラー固体撮像素子。 3、前記色分解カラーフィルターが多層干渉膜によって
構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の
カラー固体撮像素子。 4、前記色分解カラーフィルターを構成する多層干渉膜
の表面に透明電極層を設けたことを特徴とする請求項3
記載のカラー固体撮像素子。 5、前記色分解カラーフィルターを構成する多層干渉膜
中に透明電極層を設けたことを特徴とする請求項3記載
のカラー固体撮像素子。 6、半導体基板の所望部にイオン拡散する工程、該基板
の撮像光を受光して光電変換する層上に直接多層干渉膜
を形成する工程、前記多層干渉膜の表面又は中に透明電
極層を形成する工程、遮光層を形成する工程からなるこ
とを特徴とするカラー固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1171944A JPH0338063A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | カラー固体撮像素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1171944A JPH0338063A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | カラー固体撮像素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0338063A true JPH0338063A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15932700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1171944A Pending JPH0338063A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | カラー固体撮像素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0338063A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005069376A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ |
EP1406304A3 (en) * | 2002-09-26 | 2006-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
CN101441840A (zh) * | 2007-11-20 | 2009-05-27 | 索尼株式会社 | 显示设备 |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1171944A patent/JPH0338063A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1406304A3 (en) * | 2002-09-26 | 2006-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
WO2005069376A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ |
US7759679B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-07-20 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and camera employing same |
CN101441840A (zh) * | 2007-11-20 | 2009-05-27 | 索尼株式会社 | 显示设备 |
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