JPS63181A - 磁気センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はモータの回転副葬に供せられる磁気センサに間
するものである。

従来の技術 従来、この種の磁気センサは第３図および第４図に示す
ような構成であった。図において、１ａ。

１ｂは信号磁界に対応して抵抗値が変化する信号磁界感
知部、２ａ、　２ｂ、　２ｃは前記信号磁界感知部１　
ａ、　１　ｂと同一の材質の強磁性薄膜の端子取出部で
ある。前記信号磁界感知部１ａ、　１ｂおよび端子取出
部２　ａ、　２　ｂ、　２　ｃはガラス基板３上に真空
熱者などの方法により構成されている。

発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では端子取出部にリード線などを
半田付けした場合に端子取出部とガラス基板との密着性
が劣化し、リード線が外れるなどの不良発生の原因とな
っていた。

本発明はこのような問題点を解決するもので、端子取出
部とガラス基板との密着性の向上を図り、リード線外れ
などの不良発生を減少させるようにした磁気センサを提
供することを目的とするものである。

問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は、ガラス基板上に
５〜５０オングストロームの厚さのクロム膜を蒸着し、
このクロム膜上にセンサパターンとなる強磁性薄膜を蒸
着したものである。

作用 この構成により、ガラス基板と強磁性薄膜との密着強度
が向上し、端子取出部の密着強度も向上する。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面（第１図、第２
図）に基づいて説明する。

図において、ｌｌａ、　１１ｂは信号磁界に対応して抵
抗値が変化する信号磁界感知部、１２ａ、　１２ｂ、　
１２ｃは前記信号磁界感知部１１ａ、１１ｂと同一の材
質の強磁性薄膜の端子取出部である。この信号磁界感知
部１１ａ、ｌｌｂおよび端子取出部１２ａ、１２ｂ、１
２ｃ　　（以下これらを総称して強磁性情ｒＩｊ！１５
と呼ぶ〕はクロム膜１３を介してガラス基板１４の上に
蒸着されている。

すなわち、ガラス基板１４上にクロム膜１３が蒸着され
、このクロム膜１３の上にセンサパターンとなる強磁性
＠ＷＡ１５が蒸着されている。

このような構成により、ガラス基板１４と強磁性７ＩＪ
膜１５の密着性は間に挟まれたクロム膜１３を介して向
上する。クロム膜１３の厚さが５オングストローム以下
の場合、ガラス基板１４と強磁性簿膜１５の密着性は殆
んど向上しない。また、クロム膜１３の厚さが２０オン
グストロ一ム以上の場合には磁気センサの抵抗変化率の
特性が劣ってしまう。しだがりて、ガラス基板１４と強
磁性薄膜１５の間に挟まれるクロム膜１３の厚さは５〜
２０オングストロームの範囲でなければ端子取出部１２
ａ、　１２ｂ、　１２ｃの密着強度は向上しないか、ま
たは磁気センサの必要な特性が得られない。

発明の効果 以上のように本発明によれば、クロム膜はガラス基板と
の密着性が良いので端子取出部におけるガラス基板に対
する密着強度が増し、端子取出部にリード線を半田付け
したときのリード線外れなどの不良発生が激減するとい
う効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による磁気センサを示す平面
図、第２図は第１図に示された磁気センサの断面図、第
３図は従来の磁気センサを示す平面図、第４図は第３図
に示された磁気センサの断面図である。 １１ａ、１１ｂ　・・・信号磁界感知部、１２ａ、１２
ｂ、１２ｃ　−・・端子取出部、１３・・・クロム膜、
１４・・・ガラス基板、１５・・・強磁性薄膜 第８図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ガラス基板上に５〜５０オングストロームの厚さの
   クロム膜を蒸着し、このクロム膜上にセンサパターンと
   なる強磁性薄膜を蒸着した磁気センサ。