JPS59138310A - 薄膜抵抗の製造方法 - Google Patents

薄膜抵抗の製造方法

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JPS59138310A
JPS59138310A JP59006390A JP639084A JPS59138310A JP S59138310 A JPS59138310 A JP S59138310A JP 59006390 A JP59006390 A JP 59006390A JP 639084 A JP639084 A JP 639084A JP S59138310 A JPS59138310 A JP S59138310A
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JP
Japan
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manufacturing
thin film
resistor
temperature
tempering
Prior art date
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Application number
JP59006390A
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English (en)
Inventor
ヘルマン・ビルンブライアー
ヘルムート・ハース
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BBC Brown Boveri France SA
Original Assignee
BBC Brown Boveri France SA
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Publication date
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    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/08—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition
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    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、特許請求の範囲第１項のプレアンブル部に
記載の薄膜抵抗の製造方法に関する。
このような薄膜抵抗の製造方法は、例えば、Ｍｉ５ｓｃ
ｈｗｉｔｚｅｒ　、　Ｌｕｎｚｅ　　著の［半導体技術
（Ｈａｌｂ　１ｅｉｔｅｒｅｌｅｃｔｒｏｎｉｋ　）Ｊ
　、　Ｈ４ｉｔｈｉｇ　　出版（ハイデルベルグ）、１
９８０年の４３３頁〜４３７頁に記載されている。一般
に、薄膜抵抗は蒸着またはカソードスパッタリングによ
って製造される。抵抗材料としては、主に、ＮｉＣｒが
使われる。温度係数を小さくするために、抵抗は焼戻し
、すなわち、熱的後処理が施される大気中で焼戻された
ＮｉＣｒ　　抵抗は、高い長時間安定性とわずかな温度
ドリフトを有する。
しかしながら、このような薄膜抵抗の抵抗値はわずかな
焼戻しによっても、大きくなってしまう欠点を有する。
その結果、蒸着またはカソードスパッタリングの直後の
抵抗値を測定することは意味がない。
この発明は、長時間の使用、および、焼戻しの際ｌこ抵
抗値が一定に保たれる、冒頭で述べたような薄膜抵抗の
製造方法を提供することを目的とする。
この目的は特許請求の範囲第１項の特徴部によって実現
される。
この発明によって達成される効果は、蒸着またはカソー
ドスパッタリングの直後の抵抗値が長時間使用や焼戻し
ｌこよって変化することなく、抵抗値を一定に保つこと
ができることである。
以下、図面を参照してこの発明による薄膜抵抗の製造方
法の一実施例を説明する。
第１図にこの方法により製造された薄膜抵抗の平面図と
断面図を示。基板（ガラスまたはＡ６，０３）　Ｚの上
に、抵抗（ＮｉＣｒ）２が曲がりくねったパターンで蒸
着またはカソードスパッタリングにより形成される。抵
抗２の両端は接続端子３に接続される。
抵抗２の一部分は、絶縁層（グラス、　ｋｅｔｏ３゜ま
たは、セラミックを含んだＡ／、Ｏｓ）　４で覆われて
いて、残りの部分は覆われていない。絶縁層４は抵抗材
料の酸化を防止する。この絶縁層の被覆と非被覆の面積
の比率は原則的には任意に設定することができ、後述す
るように、とくに、抵抗２の値が抵抗の焼戻しまたは長
時間使用によっても変化することなく一定に保たれるよ
うに設定される。
絶縁層を塗った後に、薄膜抵抗は焼戻し処理される。第
２図に焼戻し温度Ｔと抵抗値Ｒの関係を示す。ここで、
焼戻し時間は約５時間、焼戻し温度は１００〜４００℃
に設定されている。
曲線ａは焼戻し後の絶縁被覆されていない部分の抵抗材
料の抵抗値変化を示す。この場合、抵抗値Ｒは焼戻し温
度Ｔが上昇すると、酸化ｌこより、かなり増加する。曲
線すは絶縁層４が被覆されている部分の抵抗材料の抵抗
値変化を示す。この場合、抵抗値Ｒは焼戻し温度Ｔの上
昇とともに減少する。
絶Ｒ層の被覆部と非被覆部の面積の比率は、焼戻しの前
後において、両部会の抵抗値の和が焼戻し温度に関係な
く一定、すなわち、第２図の一点鎖線Ｃのようになるよ
うに選ばれる。この比率を適当に選ぶことによって、非
被覆部の焼戻し処理後の抵抗値をΔ几にすることができ
る。被覆部の抵抗値をΔＢ、だけ等しく減少させると、
薄膜抵抗の焼戻し処理の前後の抵抗値が変化しない。
薄膜抵抗の一部分を絶縁被覆することは、焼戻し処理を
行なう場合、利点のみを有するわけではない。薄膜抵抗
が焼戻し処理されない場合には、抵抗値は長時間使用の
結果変化しない。
これは、長時間部用゛時の被覆部と非被覆部の抵抗値の
変化が補償されるかられある。
しかしながら、温度係数を小さくするため番こ、焼戻し
は一般に必要である。第３図に温度係数ＴＫと焼戻し温
度Ｔとの関係を示す。曲線ａは絶縁被覆されていない部
分の抵抗の特性を示もある温度以下では絶縁被覆されて
いない抵抗は負の温度係数を有する。温度がＴＺのとき
、温度係数は０となり、Ｔ１以上のとき、正となる。
曲Ｉｗｂは絶縁被覆されている部分の抵抗の温度係数を
示す。ある温度以下ではこの温度係数も負である。温度
がＴ３のとき、轍度係数は０となり、１３以上のとき正
となる。ここでＴ３はＴ７より高い。
焼戻し処理の温度を適当に選ぶことにより、薄膜抵抗の
温度係数をＯにすることが可能である。ここでは、焼戻
し温度’ｐｃｉ’ｒＩとＴ３の中間のＴＺに設定しなけ
ればならない。温度Ｔ２のときは、非破壊抵抗部の温度
係数は正の＋ΔＴＫであり、被覆部の温度係数は負の−
ΔＴＫであり、両者の絶対値が等しくなる。抵抗の絶縁
被覆部と非被覆部の比率を１対１にすると、焼戻し温度
Ｔで正と負の温度係数が補償され、抵抗全体の温度係数
が０となる。
この発明による方法により製造される薄膜抵抗は一般に
、薄膜技術またはハイブリッド技術において応用される
。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明により製造される薄膜抵抗の平面図と
断面図、第２図は焼戻し温度と抵抗値の関係を示すグラ
フ、第３図は焼戻し温度と酩度係数の関係を示すグラフ
である。 ！・・・基板、２・・抵抗、３・・・接続端子、４・・
・絶縁層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）蒸着またはカソードスパッタリングによる薄膜抵
    抗の製造方法において、抵抗の一部が抵抗値の経年変化
    の原因となる酸化を防ぐ絶縁層で被覆されていることを
    特徴とする薄膜抵抗の製造方法。 １２）　　？Ｐ３４Ｍ被覆されている抵抗部分と被覆さ
    れていない抵抗部分の面積比は焼戻し処理の際に抵抗値
    が一定に保たれるように選ばれていることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項に記載の製造方法。 （３）抵抗の温度係数がＯとなるような温度で焼戻しが
    行なわれることを特徴とする特許請求の範」用第２項に
    記載の製造方法。 （４）　　前記絶縁層は金′属酸化層であることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１
    項に記載の製造方法。 （５）前記絶縁層はＡ６２０ｓまたはセラミックを含ん
    でいる一Ａ、７？ｚＯｓであることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の製
    造方法。 （６）前記絶縁層はガラスであることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の
    製造方法。
JP59006390A 1983-01-20 1984-01-19 薄膜抵抗の製造方法 Pending JPS59138310A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

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DE19833301665 DE3301665A1 (de) 1983-01-20 1983-01-20 Verfahren zur herstellung eines duennfilmwiderstandes

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JPS59138310A true JPS59138310A (ja) 1984-08-08

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JP59006390A Pending JPS59138310A (ja) 1983-01-20 1984-01-19 薄膜抵抗の製造方法

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US (1) US4530852A (ja)
JP (1) JPS59138310A (ja)
DE (1) DE3301665A1 (ja)
FR (1) FR2539912A1 (ja)
GB (1) GB2136213A (ja)

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Publication number Publication date
GB2136213A (en) 1984-09-12
US4530852A (en) 1985-07-23
FR2539912A1 (fr) 1984-07-27
FR2539912B3 (ja) 1985-05-17
GB8400677D0 (en) 1984-02-15
DE3301665A1 (de) 1984-07-26

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