JPS6148901A - 電気抵抗体 - Google Patents
電気抵抗体Info
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- JPS6148901A JPS6148901A JP60174433A JP17443385A JPS6148901A JP S6148901 A JPS6148901 A JP S6148901A JP 60174433 A JP60174433 A JP 60174433A JP 17443385 A JP17443385 A JP 17443385A JP S6148901 A JPS6148901 A JP S6148901A
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- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C10/00—Adjustable resistors
- H01C10/10—Adjustable resistors adjustable by mechanical pressure or force
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- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は担体上に担持された、サーメット材料からなる
抵抗層及び該抵抗層に相互配置した接触層を備える、熱
処理を行なった電気抵抗体に関する。
抵抗層及び該抵抗層に相互配置した接触層を備える、熱
処理を行なった電気抵抗体に関する。
この４ｉの公知゛ぼ気抵抗体を抵抗嶽歪デージとして使
用する場合、１つにはに一ファクター約５の感度しか迷
せられないという問題が生じ、このことは接続する評１
１１［１回路において高い経費を条件とする。更に、Ｋ
値の再現性が低いという問題も生じる。
用する場合、１つにはに一ファクター約５の感度しか迷
せられないという問題が生じ、このことは接続する評１
１１［１回路において高い経費を条件とする。更に、Ｋ
値の再現性が低いという問題も生じる。
従って、本発明の昧題は艮好な再現性、高い感度を有す
る脣許刊求の範囲第１項の上位概念記載の電気抵抗体を
つくることである８この昧題は本発明により、担体と抵
抗層との間、もしくは抵抗層の担体と反対の側面上に非
導′成性貧禰）蝦′ｆｔだ装置したことにより解決する
。
る脣許刊求の範囲第１項の上位概念記載の電気抵抗体を
つくることである８この昧題は本発明により、担体と抵
抗層との間、もしくは抵抗層の担体と反対の側面上に非
導′成性貧禰）蝦′ｆｔだ装置したことにより解決する
。
この構成により、Ｋ−ファクター１０の抵抗体が良好な
再現性で得られる。抵抗体層に隣接する層が非導電性で
あるということにより、抵抗体の慎能′ｔ−唄う並列接
続回路カー生じないと思われる。
再現性で得られる。抵抗体層に隣接する層が非導電性で
あるということにより、抵抗体の慎能′ｔ−唄う並列接
続回路カー生じないと思われる。
該層の非伝導性は、例えば酸層が約１０Åを示すような
非常に７１ｇい厚さを有することにより達成可ぼしであ
る。
非常に７１ｇい厚さを有することにより達成可ぼしであ
る。
この際局間距離は約１０μｍである。島状の構成は、核
層の厚さがほとんど意味を肩さないという利点を有する
。
層の厚さがほとんど意味を肩さないという利点を有する
。
抵抗層はクロムシリコンモノオキシドからなるので、−
収化珪累童の多少により温度係数を決足可犯である。こ
うして憶抗体の＋８現性ある磯酢性は約２００°Ｃの温
度においても保証される。
収化珪累童の多少により温度係数を決足可犯である。こ
うして憶抗体の＋８現性ある磯酢性は約２００°Ｃの温
度においても保証される。
非尋成性層はサーメツト層の金属分と同じ金属からなっ
ているのが有利であり、こうしてクロムシリコンオキシ
ドからなる抵抗層において非導電性ノーはクロムからな
るのが有利である。
ているのが有利であり、こうしてクロムシリコンオキシ
ドからなる抵抗層において非導電性ノーはクロムからな
るのが有利である。
担体材料による抵抗層及び非尋電性層の電気特性への妨
否を避けるために、担体と非導′賊性層との間に絶縁−
及び／又は拡散阻止中間層が配置されているのが良い。
否を避けるために、担体と非導′賊性層との間に絶縁−
及び／又は拡散阻止中間層が配置されているのが良い。
担体上に担持させるべき層は、抵抗層及び／又は非導電
性ノー及び／又は接触層及び／又は絶縁−及び拡散阻止
中間層を蒸着することにより、薄い厚さでその構造にお
いて均質に担持させることができ、この除抵抗ノ偏は有
利に同時蒸着により蒸着するのが有利である。
性ノー及び／又は接触層及び／又は絶縁−及び拡散阻止
中間層を蒸着することにより、薄い厚さでその構造にお
いて均質に担持させることができ、この除抵抗ノ偏は有
利に同時蒸着により蒸着するのが有利である。
しかしながら、これらの鳩は他の方法によっても担持さ
せろことができ、この際、例えば抵抗層及び／又は非導
電性ノ始及び／又は接′ＰＡ層及び／又は絶縁−及び拡
散阻止中間層は陰極スパッターされる。
せろことができ、この際、例えば抵抗層及び／又は非導
電性ノ始及び／又は接′ＰＡ層及び／又は絶縁−及び拡
散阻止中間層は陰極スパッターされる。
Ｋ−ファクターの再現性を高めるために、抵抗体を真空
中で熱処理し、このＦＰＡ該真空は層の腐蝕の阻止に作
用する。
中で熱処理し、このＦＰＡ該真空は層の腐蝕の阻止に作
用する。
このような腐蝕は、抵抗体を腐蝕防止保岐ガス中で熱処
理することにより、又は抵抗体を熱処理前に担持させた
保睡層により被覆することにより回避することができる
。
理することにより、又は抵抗体を熱処理前に担持させた
保睡層により被覆することにより回避することができる
。
抵抗体を約１時間熱処理するのが有利である。
抵抗体を約４００℃〜６００℃、有利に約５００℃〜５
５０″Ｃで熱処理する。
５０″Ｃで熱処理する。
接触層はわずかに間隔をおいて、はぼ同じ平面で抵抗層
に相互配置されているのが良い。このことにより、はん
だ付接触として働らく接触ノーの材料（この友めには銅
を便用することができる）が抵抗層中に拡散せず、その
電気時性に影＃を与えないという利点を有する。
に相互配置されているのが良い。このことにより、はん
だ付接触として働らく接触ノーの材料（この友めには銅
を便用することができる）が抵抗層中に拡散せず、その
電気時性に影＃を与えないという利点を有する。
次に、不発明の夾施例を図面にあられし、肝細に説明す
る。
る。
図示した抵抗体は担体１を有し、該担体は例えばガラス
又は金属からなっていてよい。担体１上ｖｃは絶縁−及
び拡散阻止中間１−２が担持されており、該僧は更に、
クロムからなる非導電性金属層３を石する。
又は金属からなっていてよい。担体１上ｖｃは絶縁−及
び拡散阻止中間１−２が担持されており、該僧は更に、
クロムからなる非導電性金属層３を石する。
非導電性層３の端部を解放したまま、非導電性層３上に
サーメット材料、すなわ）クロムシリコンモノオキシド
からなる抵抗層４が配置されている。
サーメット材料、すなわ）クロムシリコンモノオキシド
からなる抵抗層４が配置されている。
抵抗Ｉ曽４により−ｆｆＬ覆されていない非導電性層３
の端部上に銅からなる接触層５が担持されており、該接
触層は測定回路への接続のためのはんだ付位置として拗
ろく。接触層５と抵抗層４との間にはわずかな間隔６が
あり、この間隔により接触層５の抵抗ノＩ４中への拡散
は回避されろ。しかしながら、同時にこの間隔は抵抗層
４及び接触層５０間の導電性に影響を与えない程小さい
。この間隔６は抵抗Ｊｍ ４の微細構造において符に有
利である。
の端部上に銅からなる接触層５が担持されており、該接
触層は測定回路への接続のためのはんだ付位置として拗
ろく。接触層５と抵抗層４との間にはわずかな間隔６が
あり、この間隔により接触層５の抵抗ノＩ４中への拡散
は回避されろ。しかしながら、同時にこの間隔は抵抗層
４及び接触層５０間の導電性に影響を与えない程小さい
。この間隔６は抵抗Ｊｍ ４の微細構造において符に有
利である。
導電性ブリッジは、著しく厚く、このことにより導電性
に構成された非導電性禰３の端部で遅せられる。
に構成された非導電性禰３の端部で遅せられる。
第２図中では抵抗層４は二酸化珪素からなる保護層７に
より被覆されている。
より被覆されている。
保護層７を抵抗体に担持させ友後に熱処理を行なうと、
該保護層７は抵抗層４の腐ＴｊｊＬを回避するように作
用する。
該保護層７は抵抗層４の腐ＴｊｊＬを回避するように作
用する。
第１図の実施例においては腐蝕しないように、熱処理を
真空中又は保護ガス雰囲気中で行なう。
真空中又は保護ガス雰囲気中で行なう。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明による抵抗体の１実
施例を示す断面図である。 １・・・担体、 ２・・・中間層、３・・・非導電性
Ｊ−１４・・・抵抗層、 ５・・・接触層、 ６・
・・間隔、７ ・・・保ｈ１１ノー。
施例を示す断面図である。 １・・・担体、 ２・・・中間層、３・・・非導電性
Ｊ−１４・・・抵抗層、 ５・・・接触層、 ６・
・・間隔、７ ・・・保ｈ１１ノー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、担体上に担持された、サーメット材料からなる抵抗
層及び該抵抗層に相互配置した接触層を備える、熱処理
を行なつた電気抵抗体において、担体（１）と抵抗層（
４）との間、もしくは抵抗層（４）の担体（１）と反対
の側面上に非導電性金属層（３）が配置されていること
を特徴とする通気抵抗体。 ２、該非導電性金属層（３）は約１０Åの厚さを有する
特許請求の範囲第１項記載の抵抗体。 ３、非導電性金属層（３）は島状に構成されている特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の抵抗体。 ４、島間距離が約１０μｍである特許請求の範囲第３項
記載の抵抗体。 ５、抵抗層（４）はクロムシリシウムモノオキシドから
なる特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれか１
項記載の抵抗体。 ６、非導電性金属層（３）はクロムからなる特許請求の
範囲第５項記載の抵抗体。 ７、抵抗層（４）及び／又は非導電性金属層（３）及び
／又は接触層（５）が真空蒸着された特許請求の範囲第
１項から第６項までのいずれか１項記載の抵抗体。 ８、抵抗層（４）及び／又は非導電性金属層（３）及び
／又は接触層（５）が陰極スパッターされた特許請求の
範囲第１項から第７項までのいずれか１項記載の抵抗体
。 ９、真空中で熱処理された特許請求の範囲第１項から第
８項までのいずれか１項記載の抵抗体。 １０、腐蝕防止保護ガス雰囲気中で熱処理された特許請
求の範囲第１項から第８項までのいずれか１項記載の抵
抗体。 １１、約１時間熱処理された特許請求の範囲第１項から
第１０項までのいずれか１項記載の抵抗体。 １２、約４００℃〜６００℃で熱処理された特許請求の
範囲第１項から第１１項までのいずれか１項記載の抵抗
体。 １３、約５００℃〜５５０℃で熱処理された特許請求の
範囲第１項から第１２項までのいずれか１項記載の抵抗
体。 １４、担体上に担持された、サーメット材料からなる抵
抗層及び該抵抗層に相互配置した接触層を備える、熱処
理を行なつた電気抵抗体において、担体（１）と抵抗層
（４）との間、もしくは抵抗層（４）の担体（１）と反
対の側面上に非導電性金属層（３）が配置されており、
かつ担体（１）と非導電性金属層（３）との間に絶縁−
及び／又は拡散阻止中間層 （２）が配置されていることを特徴とする電気抵抗体。 １５、抵抗層（４）及び／又は非導電性金属層（３）及
び／又は接触層（５）及び／又は絶縁−及び拡散阻止中
間層（２）が真空蒸着された特許請求の範囲第１４項記
載の抵抗体。 １６、抵抗層（４）及び／又は非導電性金属層（３）及
び／又は接触層（５）及び／又は、絶縁−及び拡散阻止
中間層（２）が陰極スパッターされた特許請求の範囲第
１４項又は第１５項記載の抵抗体。 １７、真空中で熱処理された特許請求の範囲第１４項か
ら第１６項までのいずれか１項記載の抵抗体。 １８、腐蝕防止保護ガス雰囲気中で熱処理された特許請
求の範囲第１４項から第１６項までのいずれか１項記載
の抵抗体。 １９、約１時間熱処理された特許請求の範囲第１４項か
ら第１８項までのいずれか１項記載の抵抗体。 ２０、約４００℃〜６００℃で熱処理された特許請求の
範囲第１４項から第１９項までのいずれか１項記載の抵
抗体。 ２１、約５００℃〜５５０℃で熱処理された特許請求の
範囲第１４項から第２０項までのいずれか１項記載の抵
抗体。 ２２、担体上に担持された、サーメット材料からなる抵
抗層及び該抵抗層に相互配置した接触層を備える、熱処
理を行なつた電気抵抗体において、担体（１）と抵抗層
（４）との間、もしくは抵抗層（４）の担体（１）と反
対の側面上に非導電性金属層（３）が配置されていて、
かつ熱処理前に担持された保護層（７）により被覆され
ていることを特徴とする電気抵抗体。 ２３、保護層（７）が二酸化珪素からなる特許請求の範
囲第２２項記載の抵抗体。 ２４、保護層（７）がポリイミドからなる特許請求の範
囲第２２項記載の抵抗体。 ２５、約１時間熱処理された特許請求の範囲第２２項か
ら第２４項までのいずれか１項記載の抵抗体。 ２６、約４００℃〜６００℃で熱処理された特許請求の
範囲第２２項から第２５項までのいずれか１項記載の抵
抗体。 ２７、約５００℃〜５５０℃で熱処理された特許請求の
範囲第２２項から第２５項までのいずれか１項記載の抵
抗体。 ２８、担体上に担持された、サーメット材料からなる抵
抗層及び該抵抗層に相互配置した接触層を備える、熱処
理を行なつた電気抵抗体において、担体（１）と抵抗層
（４）との間、もしくは抵抗層（４）の担体（１）と反
対の側面上に非導電性金属層（３）が配置されており、
かつ担体（１）と非導電性金属層（３）との間に絶縁及
び／又は拡散阻止中間層（２）が配置されており、かつ
熱処理前に担体された保護層（７）により被覆されてい
ることを特徴とする電気抵抗体。 ２９、保護層（７）は二酸化珪素からなる特許請求の範
囲第２８項記載の抵抗体。 ６０、保護層（７）はポリイミドからなる特許請求の範
囲第２８項記載の抵抗。 ３１、約１時間熱処理された特許請求の範囲第２３項か
ら第３０項までのいずれか１項記載の抵抗体。 ３２、約４００℃〜６００℃で熱処理された特許請求の
範囲第２８項から第３１項までのいずれか１項記載の抵
抗体。 ３３、約５００℃〜５５０℃で熱処理された特許請求の
範囲第２８項から第３２項までのいずれか１項記載の抵
抗体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3429649A DE3429649A1 (de) | 1984-08-11 | 1984-08-11 | Elektrischer widerstand |
| DE3429649.2 | 1984-08-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148901A true JPS6148901A (ja) | 1986-03-10 |
| JPH0770366B2 JPH0770366B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=6242876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60174433A Expired - Lifetime JPH0770366B2 (ja) | 1984-08-11 | 1985-08-09 | 電気抵抗体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4758816A (ja) |
| EP (1) | EP0171467B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0770366B2 (ja) |
| DE (2) | DE3429649A1 (ja) |
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| DE68911630T2 (de) * | 1988-09-12 | 1994-06-01 | Toyota Chuo Kenkyusho Aichi Kk | Dünnschichtwiderstand für Dehnungsmesser. |
| DE4301552A1 (de) * | 1993-01-21 | 1994-07-28 | Telefunken Microelectron | Integrierte Leistungswiderstandsanordnung |
| DE19753800C2 (de) * | 1997-12-04 | 1999-12-30 | Mannesmann Vdo Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandes sowie eines mechanisch-elektrischen Wandlers |
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| JP2019066454A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、センサモジュール |
| JP6793103B2 (ja) | 2017-09-29 | 2020-12-02 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| JP2019078726A (ja) | 2017-10-27 | 2019-05-23 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、センサモジュール |
| JP2019082426A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
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1985
- 1985-08-09 JP JP60174433A patent/JPH0770366B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-12 US US06/764,872 patent/US4758816A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5013960A (ja) * | 1973-06-08 | 1975-02-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0171467A1 (de) | 1986-02-19 |
| JPH0770366B2 (ja) | 1995-07-31 |
| DE3472329D1 (en) | 1988-07-28 |
| US4758816A (en) | 1988-07-19 |
| DE3429649A1 (de) | 1986-02-20 |
| EP0171467B1 (de) | 1988-06-22 |
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