JPS62266814A - 薄膜コンデンサ - Google Patents
薄膜コンデンサInfo
- Publication number
- JPS62266814A JPS62266814A JP11141586A JP11141586A JPS62266814A JP S62266814 A JPS62266814 A JP S62266814A JP 11141586 A JP11141586 A JP 11141586A JP 11141586 A JP11141586 A JP 11141586A JP S62266814 A JPS62266814 A JP S62266814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film capacitor
- film
- lower electrode
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical class [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は薄膜コンデンサに関し、特に、有機金属の熱分
解により得られた強誘電体層を有電体被膜として用いる
薄膜コンデンサの構造に関する。
解により得られた強誘電体層を有電体被膜として用いる
薄膜コンデンサの構造に関する。
従来、薄膜コンデンサの有電体被膜にはチタン酸５Ｈ２
、ジルコン酸チタン酸鉛（Ｐ Ｚ ”ｒ” ）またはジ
ルコン酸ランタン変性チタン酸鉛（Ｐ Ｌ、 Ｚ Ｔ
）等の強誘電体材料の被膜が用いられ、これら薄膜は１
’ｉｊｆれも歌属アルコキシド溶液なディ・ソピング法
で塗布した後、焼成する方法によって形成されている。
、ジルコン酸チタン酸鉛（Ｐ Ｚ ”ｒ” ）またはジ
ルコン酸ランタン変性チタン酸鉛（Ｐ Ｌ、 Ｚ Ｔ
）等の強誘電体材料の被膜が用いられ、これら薄膜は１
’ｉｊｆれも歌属アルコキシド溶液なディ・ソピング法
で塗布した後、焼成する方法によって形成されている。
しかしながら、この有機金属溶液を塗布し焼成する方法
は、大気中で高温（約５５０℃）加熱する］Ｆ程を片む
ので、下地側の電極材料の選択に制約を受ける。すなわ
ち、大気中で高温に曝らされた場合酸化等により導電性
が劣化しないためには魚、白金等の貴金属材料か或いは
酸化インジウム酸化錫等の導電性酸化物のいずれかを選
択して下部電極としなければならない。しかし、貴金属
材料の使用は製造原価の上界を招くので好ましくなく、
また導電性酸化物は価格は兼いが抵抗率が高いのて′薄
膜コンデンサの周波数特性を悪化させる欠点をもつ。
は、大気中で高温（約５５０℃）加熱する］Ｆ程を片む
ので、下地側の電極材料の選択に制約を受ける。すなわ
ち、大気中で高温に曝らされた場合酸化等により導電性
が劣化しないためには魚、白金等の貴金属材料か或いは
酸化インジウム酸化錫等の導電性酸化物のいずれかを選
択して下部電極としなければならない。しかし、貴金属
材料の使用は製造原価の上界を招くので好ましくなく、
また導電性酸化物は価格は兼いが抵抗率が高いのて′薄
膜コンデンサの周波数特性を悪化させる欠点をもつ。
本発明の目的は、上記の状況に濫み、従来の導電性酸（
ヒ物膜から成る下部電極の高比抵抗を改善することによ
り周波数特性が格段に優れ、且つ製造原価を上昇せしめ
ることなき構造を備えた薄膜コンデンサを提伊すること
である。
ヒ物膜から成る下部電極の高比抵抗を改善することによ
り周波数特性が格段に優れ、且つ製造原価を上昇せしめ
ることなき構造を備えた薄膜コンデンサを提伊すること
である。
本発明に従えば、有機金属の熱分解により得られる強有
電体被膜を誘電体として用いる薄膜コンデンサの下部電
極は、卑金属薄膜の−にに導電性酸化物薄膜を積層せし
めた多層薄膜で形成される。
電体被膜を誘電体として用いる薄膜コンデンサの下部電
極は、卑金属薄膜の−にに導電性酸化物薄膜を積層せし
めた多層薄膜で形成される。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面構造図である。本
実施例によれば、耐熱性を有する絶縁基板１（例えば石
英ガラス）上の所定の領域には卑金属膜２（例えばニッ
ケルークロム合金）が形成され、更にこの卑金属膜２を
被覆するように導電性酸化物膜３（例えば酸化インジウ
ム−酸化錫（ＩＴＯ））が積層されることによって下部
電極が形成される。ついでこの下部電極上には有機金属
を塗布・焼成する公知の手段によって、例えばチタン酸
鉛よりなる誘電体肢ｆＩＡ４が形成され、更に上部−Ｇ
： Ｖｉ！の金属導電極５および下部電極の引出し用金
属導電膜６が例えばアルミニウム合金によりそれぞれ形
成される。このように多層薄膜からなる下部電極は、導
電性酸化物膜の高比抵抗が卑金属膜２により低められる
ので、下部電極が導電性酸化膜の単一膜から成る従来の
薄膜コンデンサに比べ周波数特性を格段に改善すること
ができる。
実施例によれば、耐熱性を有する絶縁基板１（例えば石
英ガラス）上の所定の領域には卑金属膜２（例えばニッ
ケルークロム合金）が形成され、更にこの卑金属膜２を
被覆するように導電性酸化物膜３（例えば酸化インジウ
ム−酸化錫（ＩＴＯ））が積層されることによって下部
電極が形成される。ついでこの下部電極上には有機金属
を塗布・焼成する公知の手段によって、例えばチタン酸
鉛よりなる誘電体肢ｆＩＡ４が形成され、更に上部−Ｇ
： Ｖｉ！の金属導電極５および下部電極の引出し用金
属導電膜６が例えばアルミニウム合金によりそれぞれ形
成される。このように多層薄膜からなる下部電極は、導
電性酸化物膜の高比抵抗が卑金属膜２により低められる
ので、下部電極が導電性酸化膜の単一膜から成る従来の
薄膜コンデンサに比べ周波数特性を格段に改善すること
ができる。
第２図は本発明薄膜コンデンサにおける誘電正接の実測
図で、従来のものと対比させたものである。
図で、従来のものと対比させたものである。
ここで、Ａは本発明における薄膜コンデンサの誘電正接
の周波数特性、Ｂは対比のためにあげた従来技術による
ものの誘電正接の周波数特性である。これより明らかな
ように、従来の薄膜コンデンサの誘電正接がＩＫ（Ｈｚ
）を超えた付近から忌々に悪化するに対し、本発明のも
のは１０Ｋ（Ｈ２）を過ぎてもなお平坦特性を示してお
り、その改善の効果の著しいことが明らかに実証されて
いる。
の周波数特性、Ｂは対比のためにあげた従来技術による
ものの誘電正接の周波数特性である。これより明らかな
ように、従来の薄膜コンデンサの誘電正接がＩＫ（Ｈｚ
）を超えた付近から忌々に悪化するに対し、本発明のも
のは１０Ｋ（Ｈ２）を過ぎてもなお平坦特性を示してお
り、その改善の効果の著しいことが明らかに実証されて
いる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば有機金属の
熱分解により得られた強有電体被膜を誘電体として用い
る薄膜コンデンサの下部電極を卑金属薄膜の上に導電性
酸化物を積層せしめた多層薄膜で形成したことによって
、その周波数特性を格段に改善し得たもので、高周波数
特性に優れた大容量の薄膜コンデンサを安価に提供し得
る効果を有するものである。
熱分解により得られた強有電体被膜を誘電体として用い
る薄膜コンデンサの下部電極を卑金属薄膜の上に導電性
酸化物を積層せしめた多層薄膜で形成したことによって
、その周波数特性を格段に改善し得たもので、高周波数
特性に優れた大容量の薄膜コンデンサを安価に提供し得
る効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す断面構造図、第２図は
本発明薄膜コンデンサにおける誘電正接の周波数特性の
実測図である。 ■・・−・・・絶縁基板、２・・・・・・下部電極の卑
金属膜、３・・・・・・下部電極の導電性金属酸化物膜
、４・・・・・・有電体被膜、５・・・・・・上部電極
の金属導電膜、６・・−・・・下部電極の引出し用金属
導電膜、Ａ・・・・・・本発明薄膜＝１ンデンサの誘電
正接の周波数特性、Ｂ・・・・・・従来薄膜コンデンサ
の誘電正接の周波数特性。 代理人 弁理士 内厚 行１・′、−′°−・′パ１
＄ ７ 図 ／゛°紀綜基汰 ４１０．講電木核頑冷り俤ｉ
誤
本発明薄膜コンデンサにおける誘電正接の周波数特性の
実測図である。 ■・・−・・・絶縁基板、２・・・・・・下部電極の卑
金属膜、３・・・・・・下部電極の導電性金属酸化物膜
、４・・・・・・有電体被膜、５・・・・・・上部電極
の金属導電膜、６・・−・・・下部電極の引出し用金属
導電膜、Ａ・・・・・・本発明薄膜＝１ンデンサの誘電
正接の周波数特性、Ｂ・・・・・・従来薄膜コンデンサ
の誘電正接の周波数特性。 代理人 弁理士 内厚 行１・′、−′°−・′パ１
＄ ７ 図 ／゛°紀綜基汰 ４１０．講電木核頑冷り俤ｉ
誤
Claims (1)
- 有機金属の熱分解により得られる強誘電体を誘電体被
膜として用いる薄膜コンデンサにおいて、前記有電体被
膜の下部電極が卑金属薄膜の上に導電性酸化物薄膜を積
層せしめて成る多層薄膜で形成されることを特徴とする
薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141586A JPS62266814A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 薄膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141586A JPS62266814A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 薄膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62266814A true JPS62266814A (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=14560588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11141586A Pending JPS62266814A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 薄膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62266814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04338619A (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-25 | Nec Corp | 薄膜キャパシタ |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP11141586A patent/JPS62266814A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04338619A (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-25 | Nec Corp | 薄膜キャパシタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH113834A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH04333295A (ja) | 電歪効果素子およびその製造方法 | |
| JPH07504783A (ja) | ＰＺＴ，ＰＬＺＴ及び白金層からＳｉＯ↓２層を隔離するための改良された方法 | |
| US3490055A (en) | Circuit structure with capacitor | |
| US3683245A (en) | Hermetic printed capacitor | |
| JPS62266814A (ja) | 薄膜コンデンサ | |
| JPS5969907A (ja) | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ | |
| JP2001189229A (ja) | コンデンサ | |
| JPS59225509A (ja) | Ｃｒ複合体 | |
| JP2641530B2 (ja) | チップ状電子部品の製造方法 | |
| JP2996016B2 (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
| JPS62122103A (ja) | 積層型チツプバリスタの製造方法 | |
| JPH0133929B2 (ja) | ||
| JPS62264613A (ja) | 積層セラミツクコンデンサ | |
| JP3072303B2 (ja) | ヒーター | |
| JPH02294007A (ja) | セラミック電子部品の電極形成方法 | |
| JPH09162452A (ja) | セラミック素子及びその製造方法 | |
| JPS6386414A (ja) | 積層形セラミツクコンデンサ | |
| JPS5885502A (ja) | 厚膜バリスタの製造法 | |
| JPS5854481B2 (ja) | チタン系酸化物用電極の製造法 | |
| JPS5858717A (ja) | 電子部品 | |
| JPH0210548B2 (ja) | ||
| JPS6110893A (ja) | 発熱体 | |
| JPS6214929B2 (ja) | ||
| JPH0496384A (ja) | 電歪効果素子及びその製造方法 |