JPH0770366B2 - 電気抵抗体 - Google Patents

電気抵抗体

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JPH0770366B2
JPH0770366B2 JP60174433A JP17443385A JPH0770366B2 JP H0770366 B2 JPH0770366 B2 JP H0770366B2 JP 60174433 A JP60174433 A JP 60174433A JP 17443385 A JP17443385 A JP 17443385A JP H0770366 B2 JPH0770366 B2 JP H0770366B2
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フアオ・デー・オー・アードルフ・シントリング・アクチエンゲゼルシヤフト
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    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/16—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge
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    • G01B7/20—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge using change in resistance formed by printed-circuit technique
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は担体上に担持された、サーメツト材料からなる
抵抗層及び該抵抗層にわずかに間隔をおいて、ほぼ同じ
平面で配置された接触層を備える、熱処理された電気抵
抗体に関する。
従来技術及び発明が解決しようとする問題点 この種の公知電気抵抗体を抵抗線歪ゲージとして使用す
る場合、１つにはK-ファクタ−約５の感度しか達せられ
ないという問題が生じ、このことは接続する評価回路に
おいて高い経費を条件とする。更に、Ｋ値の再現性が低
いという問題も生じる。
従って、本発明の課題は良好な再現生、高い感度を有す
る特許請求の範囲第１項の上位概念記載の電気抵抗体を
つくることである。
問題点を解決するための手段 この課題は本発明により、担体と抵抗層との間、もしく
は抵抗層の担体と反対の面上に、端部は著しい厚さによ
り導電性に構成されている、島状に構成された薄い非導
電性金属層を配置したことにより解決する。この構成に
より、K-ファクター10の抵抗体が良好な再現性で得られ
る。抵抗体層に隣接する層が非導電性であるということ
により、抵抗体の機能を損う並列接続回路が生じないと
思われる。
該層の非伝導性は、例えば該層が約10Åを示すような非
常に薄い厚さを有することにより達成可能である。
非伝導性特性を獲得するためのもう１つの可能性は、非
伝導性層を島状に構成することであり、この際島間距離
は約10μｍである。島状の構成は、該層の厚さがほとん
ど意味を有さないという利点を有する。この非導電性金
属層３は担体１もしくは中間層２上にそれを担持させた
後、わずかな間隔で相互に存在する小さい“島”を構成
する。これらの島の間隔は非常に小さく“島”からそれ
に隣接する“島”への電子のジャンプが生じる。この間
隔はこの抵抗体を曲げることにより著しく変わり、電子
ジャンプの可能性も変わる。
電子ジャンプの可能性が大きければ大きい程、層３の伸
長感度は高まる。この伸長感度はサーメットからなる抵
抗層４の金属粒子に作用し、その感度は著しく高められ
る。このことがＫ−ファクターの増加に導びく。
抵抗層はクロムシリコンモノオキシドからなるので、一
酸化珪素量の多少により温度係数を決定可能である。こ
うして抵抗体の再現性ある機能性は約200℃の温度にお
いても保証される。
非導電性層はサーメツト層の金属分と同じ金属からなつ
ているのが有利であり、こうしてクロムシリコンオキシ
ドからなる抵抗層において非導電性層はクロムからなる
のが有利である。
担体材料による抵抗層及び非導電性層の電気特性への妨
害を避けるために、担体と非導電性層との間に絶縁‐及
び／又は拡散阻止中間層が配置されているのが良い。
担体上に担持させるべき層は、抵抗層及び／又は非導電
性層及び／又は接触層及び／又は絶縁‐及び拡散阻止中
間層を蒸着することにより、薄い厚さでその構造におい
て均質に担持させることができ、この際抵抗層は有利に
同時蒸着により蒸着するのが有利である。
しかしながら、これらの層は他の方法によつても担持さ
せることができ、この際、例えば抵抗層及び／又は非導
電性層及び／又は接触層及び／又は絶縁‐及び拡散阻止
中間層は陰極スパッターされる。
K-ファクタ−の再現性を高めるために、抵抗体を真空中
で熱処理し、この際該真空は層の腐蝕の阻止に作用す
る。
このような腐蝕は、抵抗体を腐蝕防止保護ガス中で熱処
理することにより、又は抵抗体を熱処理前に担持させた
保護層により被覆することにより回避することができ
る。保護層は二酸化珪素またはポリイミドからなってい
てよい。
抵抗体を約１時間熱処理するのが有利である。
抵抗体を約400℃〜600℃、有利に約500℃〜550℃で熱処
理する。
接触層はわずかに間隔をおいて、ほぼ同じ平面で抵抗層
に対応しているのが良い。このことにより、はんだ付接
触として働らく接触層に材料（このためには銅を使用す
ることができる）が抵抗層中に拡散せず、その電気特性
に影響を与えないという利点を有する。
次に、本発明の実施例を図面にあらわし、詳細に説明す
る。
図示した抵抗体は担体１を有し、該担体は例えばガラス
又は金属からなっていてよい。担体１上には絶縁‐及び
拡散阻止中間層２が担持されており、該層は更に、クロ
ムからなる非導電性金属層３を有する。
非導電性層３の端部を解放したまま、非導電性層３上に
サ−メツト材料、すなわちクロムシリコンモノオキシド
からなる抵抗層４が配置されている。
抵抗層４により被覆されていない非導電性層３の端部上
からなる接触層５が担持されており、該接触層は測定回
路への接続のためのはんだ付位置として働らく。接触層
５と抵抗層４との間にはわずかな間隔６があり、この間
隔により接触層５の抵抗層４中への拡散は回避される。
しかしながら、同時にこの間隔は抵抗層４及び接触層５
の間の導電性に影響を与えない程小さい。この間隔６は
抵抗層４の微細構造において特に有利である。
導電性ブリツジは、著しく厚く、このことにより導電性
に構成された非導電性層３の端部で達せられる。
第２図中では抵抗層４は二酸化珪素からなる保護層７に
より被覆されている。
保護層７を抵抗体に担持させた後に熱処理を行なうと、
該保護層７は抵抗層４の腐蝕を回避するように作用す
る。
第１図の実施例においては腐蝕しないように、熱処理を
真空中又は保護ガス雰囲気中で行なう。第３図は抵抗層
の担体と反対の面上に非導電性層を配置した実施例を示
す図である。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明による抵抗
体の１実施例を示す断面図である。 １……担体、２……中間層、３……非導電性層、４……
抵抗層、５……接触層、６……間隔、７……保護層。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】担体上に担持された、サーメット材料から
    なる抵抗層及び該抵抗層にわずかに間隔をおいて、ほぼ
    同じ平面で配置された接触層を備える、熱処理された電
    気抵抗体において、担体（１）と抵抗層（４）との間、
    もしくは抵抗層（４）の担体（１）と反対の面上に島状
    に構成された薄い非導電性金属層（３）が配置されてお
    り、この層（３）の端部は著しい厚さにより導電性に構
    成されていることを特徴とする電気抵抗体。
  2. 【請求項２】該非導電性金属層（３）は10Åの厚さを有
    する特許請求の範囲第１項記載の抵抗体。
  3. 【請求項３】島間距離が約10μｍである特許請求の範囲
    第１項記載の抵抗体。
  4. 【請求項４】抵抗層（４）はクロムシリコンモノオキシ
    ドからなる特許請求の範囲第１項から第３項までのいず
    れか１項記載の抵抗体。
  5. 【請求項５】非導電性金属層（３）はクロムからなる特
    許請求の範囲第４項記載の抵抗体。
JP60174433A 1984-08-11 1985-08-09 電気抵抗体 Expired - Lifetime JPH0770366B2 (ja)

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JPS6148901A JPS6148901A (ja) 1986-03-10
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT206727Z2 (it) * 1985-09-17 1987-10-01 Marelli Autronica Sensore estensimetrico a film spesso per la rilevazione di sforzi e deformazioni in organi o strutture meccaniche
US5001454A (en) * 1988-09-12 1991-03-19 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Thin film resistor for strain gauge
DE4301552A1 (de) * 1993-01-21 1994-07-28 Telefunken Microelectron Integrierte Leistungswiderstandsanordnung
DE19753800C2 (de) * 1997-12-04 1999-12-30 Mannesmann Vdo Ag Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandes sowie eines mechanisch-elektrischen Wandlers
US6622558B2 (en) 2000-11-30 2003-09-23 Orbital Research Inc. Method and sensor for detecting strain using shape memory alloys
DE10113474B4 (de) * 2001-03-17 2007-09-13 Siemens Ag Elektrische Schaltung
DE10156160B4 (de) * 2001-11-15 2007-06-14 Siemens Ag Mechanisch-elektrischer Wandler
CN102570757B (zh) * 2004-02-10 2015-05-27 博泽沃尔兹堡汽车零部件有限公司 用于电动驱动装置的炭刷系统
US20160040458A1 (en) * 2014-08-06 2016-02-11 Camfil Usa, Inc Dust collector with explosion resistant door
JP6793103B2 (ja) 2017-09-29 2020-12-02 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019066454A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
JP2019066453A (ja) 2017-09-29 2019-04-25 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019066313A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019066312A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019078726A (ja) 2017-10-27 2019-05-23 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
JP2019082424A (ja) * 2017-10-31 2019-05-30 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019082426A (ja) * 2017-10-31 2019-05-30 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019090723A (ja) * 2017-11-15 2019-06-13 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019090722A (ja) * 2017-11-15 2019-06-13 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019090724A (ja) 2017-11-15 2019-06-13 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019113411A (ja) * 2017-12-22 2019-07-11 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
JP2019174387A (ja) 2018-03-29 2019-10-10 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019184284A (ja) * 2018-04-03 2019-10-24 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019184344A (ja) 2018-04-05 2019-10-24 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ及びその製造方法
US11774303B2 (en) 2018-10-23 2023-10-03 Minebea Mitsumi Inc. Accelerator, steering wheel, six-axis sensor, engine, bumper and the like
US20210226264A1 (en) * 2020-01-20 2021-07-22 Cirque Corporation Battery Swell Detection
JP2021162303A (ja) 2020-03-30 2021-10-11 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5547936B2 (ja) * 1973-06-08 1980-12-03
US4016525A (en) * 1974-11-29 1977-04-05 Sprague Electric Company Glass containing resistor having a sub-micron metal film termination
US3996551A (en) * 1975-10-20 1976-12-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Chromium-silicon oxide thin film resistors
US4081315A (en) * 1976-05-25 1978-03-28 Trw Inc. Cermet etch technique
US4231011A (en) * 1979-09-24 1980-10-28 University Of Pittsburgh Discontinuous metal film resistor and strain gauges
US4280114A (en) * 1979-09-24 1981-07-21 University Of Pittsburgh Discontinuous metal and cermet film resistors and strain gauges
US4325048A (en) * 1980-02-29 1982-04-13 Gould Inc. Deformable flexure element for strain gage transducer and method of manufacture
US4485370A (en) * 1984-02-29 1984-11-27 At&T Technologies, Inc. Thin film bar resistor

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6148901A (ja) 1986-03-10
US4758816A (en) 1988-07-19
EP0171467B1 (de) 1988-06-22
DE3429649A1 (de) 1986-02-20
DE3472329D1 (en) 1988-07-28
EP0171467A1 (de) 1986-02-19

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