JP2019184344A - ひずみゲージ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。図2は、第1の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図であり、図1のA−A線に沿う断面を示している。図1及び図2を参照するに、ひずみゲージ1は、基材10と、抵抗体30と、端子部41とを有している。
Claims (11)
- 可撓性を有する基材と、
前記基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、を有し、
前記抵抗体は、最下層となる第1層と、前記第1層上に積層された表面層となる第2層と、を含み、
前記第2層は、前記第1層よりも高密度な層であるひずみゲージ。 - 前記第1層と前記第2層との間に1以上の他の層を含み、前記第1層から前記第2層まで段階的に密度を高くした請求項1に記載のひずみゲージ。
- 前記第2層よりも下層は柱状構造を有する請求項1又は2に記載のひずみゲージ。
- 前記第2層の膜厚は、前記柱状構造を有する層の総厚の半分以下である請求項3に記載のひずみゲージ。
- 前記抵抗体は、アルファクロムを主成分とする請求項1乃至4の何れか一項に記載のひずみゲージ。
- 前記抵抗体は、アルファクロムを80重量%以上含む請求項5に記載のひずみゲージ。
- 前記抵抗体は、窒化クロムを含む請求項5又は6に記載のひずみゲージ。
- 前記基材の一方の面に、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層を有し、
前記抵抗体は、前記機能層の一方の面に形成されている請求項1乃至7の何れか一項に記載のひずみゲージ。 - 前記機能層は、前記抵抗体の結晶成長を促進する機能を有する請求項8に記載のひずみゲージ。
- 前記抵抗体を被覆する絶縁樹脂層を有する請求項1乃至9の何れか一項に記載のひずみゲージ。
- 可撓性を有する基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から抵抗体をスパッタ法で形成する工程を有し、
前記抵抗体は、最下層となる第1層と、前記第1層上に積層された表面層となる第2層と、を含み、
前記第2層は、前記第1層よりも高密度な層であり、
前記抵抗体を形成する工程では、チャンバ内に導入する希ガスの圧力又はスパッタ電力を制御して前記第1層と前記第2層の密度を変えるひずみゲージの製造方法。
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