JP6762896B2 - 圧力センサチップ、圧力発信器、および圧力センサチップの製造方法 - Google Patents
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Description
(1)実施の形態1に係る圧力センサチップ1の構成
図1A,1Bは、本発明の実施の形態1に係る圧力センサチップの構成を示す図である。図1Aには、実施の形態1に係る圧力センサチップ1の断面形状が模式的に示され、図1Bには、実施の形態1に係る圧力センサチップ1の平面形状が模式的に示されている。
図1A,1Bに示されるように、低圧検出用ひずみゲージ126は、抵抗R21〜R24を含む。また、高圧検出用ひずみゲージ125は、抵抗R11〜R14を含む。抵抗R11〜R14,R21〜R24は、例えば、活性層121の絶縁層122側に形成された拡散抵抗である。
上述した構造を有する圧力センサチップ1は、以下のように動作する。
例えば、圧力センサチップ1において、部屋132内の圧力よりも大きい圧力が圧力導入路111から導入された場合、ダイアフラム124が+Z方向(第3層13側)に変位する。このダイアフラム124の変位によってダイアフラム124に生じた応力がダイアフラム124に形成された低圧検出用ブリッジ回路B10を構成する抵抗R21〜R24に加わることにより、抵抗R21〜R24の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化がブリッジ回路B10の端子Pb,Pdから電気信号(例えば電圧)として出力されることにより、低圧側の圧力を計測することができる。
以上、本発明の実施の形態1に係る圧力センサチップは、1枚のダイアフラム124を挟んで、圧力導入路111と、圧力導入路111よりも開口面積の小さいストッパ部(凹部)131とを配置するとともに、Z方向から見て、ダイアフラム124の圧力導入路111の内側、且つストッパ部131の外側の領域に高圧検出用のひずみゲージ125が形成され、高圧検出用ひずみゲージ125よりも内側の領域に低圧検出用のひずみゲージ126が形成された構造を有している。
(1)実施の形態2に係る圧力センサチップ1Aの構成
図4A,4Bは、本発明の実施の形態2に係る圧力センサチップの構成を示す図である。図4Aには、実施の形態2に係る圧力センサチップ1Aの断面形状が模式的に示され、図4Bには、実施の形態2に係る圧力センサチップ1Aの平面形状が模式的に示されている。
例えば、図4A,4Bに示されるように、高圧検出用ひずみゲージ125は、第2層12のダイアフラム124として機能する領域において、Z方向から見て、3番目の第3層13_3のストッパ部131_3の外側に形成されている。
上述した構造を有する圧力センサチップ1Aは、以下のように動作する。
例えば、圧力センサチップ1Aの部屋132内の圧力よりも大きい圧力が圧力導入路111から導入された場合、ダイアフラム124が+Z方向(第3層13_1側)に変位する。ダイアフラム124が変位し、第3層13_1のストッパ部131_1に着床するまでの間は、ダイアフラム124に生じた応力が低圧検出用ブリッジ回路B10_1を構成する抵抗R21_1〜24_1に加わることにより、抵抗R21_1〜24_1の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化がブリッジ回路B10_1の端子Pb_1,Pd_2から電気信号として出力されることにより、低圧側の圧力を計測することができる。
次に、圧力センサチップ1Aの製造方法について説明する。
図6A〜6Iは、実施の形態2に係る圧力センサチップ1Aの製造方法におけるチップ作製工程を示す図である。ここでは、n=3とした場合の圧力センサチップ1Aの製造方法について悦明する。
以上の工程により、複数の圧力センサチップ1が作製される。
なお、上述の製造方法では、基板202とは異なる基板201を用いて第1層11を形成する場合を例示したが、これに限られず、SOI基板である基板202を利用して第1層11を形成してもよい。
例えば、ステップS05の後に、図7Aに示すように、基板202のシリコン基板層L1に孔112を形成する(ステップS06a)。具体的には、例えばよく知られたフォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術によって、基板202のシリコン基板層L1を選択的に除去することにより、第1孔112を形成する。
以上、実施の形態2に係る圧力センサチップ1Aは、1枚のダイアフラム上に積層された複数の第3層13_1〜13_nにおけるストッパ部131_1〜131_nの開口面積がダイアフラム124から離れる程大きくなるように形成され、且つ各第3層13_1〜13_nに対応する高圧検出用ひずみゲージの抵抗がダイアフラム124の同心円上に互いに離間して配置された構造を有している。これにより、実施の形態1に係る圧力センサチップ1Aよりも測定レンジの広い圧力用マルチレンジセンサを実現することが可能となる。
図8A,8Bは、本発明の実施の形態3に係る圧力センサチップの構成を示す図である。図8Aには、実施の形態3に係る圧力センサチップ1Bの断面形状が模式的に示され、図8Bには、実施の形態3に係る圧力センサチップ1Bの平面形状が模式的に示されている。なお、図8Bでは、各ひずみゲージを構成する抵抗の配置例が明確になるように、一部の構成要素を省略して図示している。
圧力センサチップ1Bにおいて、第3層13_1〜13_nは、絶縁層(例えばシリコン酸化膜)14を介して積層されている。各第3層13_1〜13_nには、対応する高圧検出用ひずみゲージ126_1〜126_nが夫々形成されている。
以上、実施の形態3に係る圧力センサチップ1Bによれば、実施の形態2に係る圧力センサチップ1Aと同様に、より測定レンジの広い圧力用マルチレンジセンサを実現することが可能となる。
図9A,9Bは、本発明の実施の形態4に係る圧力センサチップの構成を示す図である。図9Aには、実施の形態4に係る圧力センサチップ2の断面形状が模式的に示され、図9Bには、実施の形態4に係る圧力センサチップ2の平面形状が模式的に示されている。
具体的に、圧力センサチップ2は、圧力導入するための第1層11、ダイアフラムとして機能する第2層12、ダイアフラムの一方向への変形を制限する第3層13とが積層された構造を有している。
上述した構造を有する圧力センサチップ2は、以下のように動作する。
例えば、ブリッジ回路B11,B20A,B20Bの端子V+と端子GNDとの間に一定の電流を流した状態において、測定対象の流体からダイアフラム124Aとダイアフラム124Bとに圧力が加えられた場合を考える。
以上、実施の形態4に係る圧力センサチップ2は、ダイアフラム並列配置型の差圧センサチップにおいて、2つの圧力導入路と2つのストッパ部との間に夫々設けられた2つのダイアフラムにひずみゲージ126A,126Bを夫々配置するとともに、そのひずみゲージ126A,126Bの外側にひずみゲージ125A,125Bを夫々配置した構造を有している。
次に、上述した本発明に係る圧力センサチップを適用した圧力発信器の一例を以下に示す。
図11は、実施の形態4に係る圧力センサチップ2を搭載した圧力発信器の構造を示す図である。
同図に示される圧力発信器100は、実施の形態4に係るダイアフラム並列配置型のセンサチップを用いた差圧発信器である。
上述した構造を有する圧力発信器100は、以下のように動作する。
例えば、計測対象の流体が流れるパイプラインに圧力発信器100を実装する場合を考える。この場合、例えば、パイプラインの上流側(高圧側)の流体の圧力をダイアフラム50_1で検出し、下流側(低圧側)の流体の圧力をダイアフラム50_2で検出するように、圧力発信器100をパイプラインに実装する。
以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
Claims (5)
- 計測対象の流体の圧力を検出する圧力センサチップであって、
第1主面、および前記第1主面と反対側の第2主面と、前記第1主面および前記第2主面に開口した圧力導入路を有する第1層と、
前記圧力導入路の一端を覆うダイアフラムと、第1ひずみゲージと、第2ひずみゲージとを有し、前記第1層の前記第2主面上に配置された第2層と、
第3主面と、前記第3主面に形成された凹部とを有し、前記第3主面が前記第2層上に配置された第3層とを有し、
前記凹部は、前記ダイアフラムを介して前記圧力導入路と対面して形成され、
前記凹部は、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記圧力導入路の内側に形成され、 前記第1ひずみゲージは、前記第2層の前記ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記凹部の外側の領域に形成され、
前記第2ひずみゲージは、前記第2層の前記ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記第1ひずみゲージよりも内側の領域に形成され、
前記第3層は、前記第2層上にn(nは2以上の整数)個積層され、
前記第2層側からi(1<i≦n)番目の前記第3層の前記凹部は、(i−1)番目の前記第3層の前記凹部よりも大きな開口面積を有し、
前記第2ひずみゲージは、前記第3層毎に対応して設けられ、
前記第1ひずみゲージは、前記第2層の前記ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見てn番目の前記第3層の前記凹部の外側に形成され、 前記第2層側からn番目の前記第3層に対応する前記第2ひずみゲージは、前記第2層のダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記第1ひずみゲージの内側、且つ(n−1)番目の前記第3層の前記凹部の外側の領域に形成され、
前記第2層側からj(1<j<n)番目の前記第3層に対応する前記第2ひずみゲージは、前記第2層の前記ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、(j+1)番目の前記第3層に対応する前記第2ひずみゲージよりも内側、且つ(j−1)番目の前記第3層の前記凹部の外側の領域に形成され、
前記第2層側から1番目の前記第3層に対応する前記第2ひずみゲージは、前記第2層の前記ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、2番目の前記第3層に対応する前記第2ひずみゲージよりも内側に形成されている
ことを特徴とする圧力センサチップ。 - 請求項1に記載の圧力センサチップにおいて、
前記第2層側からk(1≦k≦n)番目の前記第3層に対応する前記第2ひずみゲージは、前記第2層の前記ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記第2層側からk番目の前記第3層の前記凹部の周縁部に形成され、
前記第1ひずみゲージは、前記第2層の前記ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記圧力導入路の周縁部に形成されている
ことを特徴とする圧力センサチップ。 - 計測対象の流体の圧力を検出する圧力センサチップであって、
第1主面、および前記第1主面と反対側の第2主面と、夫々前記第1主面および前記第2主面に開口した第1圧力導入路および第2圧力導入路とを有する第1層と、
前記第1圧力導入路を覆う第1ダイアフラムと、前記第2圧力導入路を覆う第2ダイアフラムと、第1ひずみゲージと、第2ひずみゲージと、第3ひずみゲージと、第4ひずみゲージとを有し、前記第1層の前記第2主面上に配置された第2層と、
第3主面、および前記第3主面と反対側の第4主面と、前記第3主面に形成された第1凹部および第2凹部と、前記第1凹部と前記第2凹部とを連通する第1連通路と、前記第4主面に開口部を有し前記第1連通路に連通された第2連通路とを有し、前記第3主面が前記第2層上に配置された第3層とを有し、
前記第1凹部は、前記第1ダイアフラムを介して前記第1圧力導入路と対面して形成され、
前記第2凹部は、前記第2ダイアフラムを介して前記第2圧力導入路と対面して形成され、
前記第1ひずみゲージは、前記第2層の前記第1ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記第1凹部の外側の領域に形成され、
前記第2ひずみゲージは、前記第2層の前記第1ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記第1ひずみゲージよりも内側の領域に形成され、
前記第3ひずみゲージは、前記第2層の前記第2ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記第2凹部の外側の領域に形成され、
前記第4ひずみゲージは、前記第2層の前記第2ダイアフラムとして機能する領域において、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記第3ひずみゲージよりも内側の領域に形成されている
圧力センサチップ。 - 請求項3に記載の圧力センサチップと、
第5主面と、前記第5主面と反対側の第6主面と、夫々前記第5主面と前記第6主面とに開口する第1流体圧力導入孔および第2流体圧力導入孔とを有する基台と、
前記基台の前記第5主面上に設けられ、前記第1流体圧力導入孔の一端を覆う第3ダイアフラムと、
前記基台の前記第5主面上に設けられ、前記第2流体圧力導入孔の一端を覆う第4ダイアフラムと、
第7主面と、前記第7主面と反対側の第8主面と、夫々前記第7主面および前記第8主面に開口する第1貫通孔および第2貫通孔とを有し、前記第7主面が前記基台上に固定され、前記第8主面が前記第1層の前記第1主面に接合されて、前記圧力センサチップを支持する支持基板と、
を備え、
前記第1流体圧力導入孔と前記第1貫通孔とが連通し、
前記第2流体圧力導入孔と前記第2貫通孔とが連通している、
ことを特徴とする圧力発信器。 - 計測対象の流体の圧力を検出する圧力センサチップであって、
第1主面、および前記第1主面と反対側の第2主面とを有し、前記第1主面と前記第2主面とを貫通する圧力導入路を有する第1層と、
第1ひずみゲージを有し、前記第1層の前記第2主面上に前記圧力導入路を覆って形成され、前記第1主面と垂直な方向から見て前記圧力導入路と重なりを有する領域がダイアフラムとして機能する第2層と、
前記第2層上に積層されたn(nは2以上の整数)個の第3層と、を有し、
前記n個の第3層は、
第3主面、および前記第3主面と反対側の第4主面と、
前記第3主面に形成された凹部と、
前記第4主面側に形成された第2ひずみゲージと、を夫々含み、
前記第2層側から1番目の前記第3層は、前記第3主面が前記第2層に接合されるとともに、前記凹部が前記第1主面と垂直な方向から見て前記圧力導入路の内側の領域に形成され、
前記第2層側からi(1<i≦n)番目の前記第3層は、前記第3主面が(i−1)番目の前記第3層の前記第4主面に接合され、
i番目の前記第3層の前記凹部の開口面積は、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記(i−1)番目の前記第3層の前記凹部よりも大きく形成され、
前記第2層側からn番目の前記第3層の前記第2ひずみゲージは、前記第1主面と垂直な方向から見て、n番目の前記第3層の前記凹部の外側の領域に形成され、
前記第2層側からj(1≦j<n)番目の前記第3層の前記第2ひずみゲージは、前記第1主面と垂直な方向から見て、前記j番目の前記第3層の前記凹部よりも外側、且つ(j+1)番目の前記第3層の前記第2ひずみゲージよりも内側の領域に形成され、
前記第1ひずみゲージは、前記第1主面と垂直な方向から見て、1番目の前記第3層の前記第2ひずみゲージよりも内側の領域に形成されている
ことを特徴とする圧力センサチップ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017056192A JP6762896B2 (ja) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | 圧力センサチップ、圧力発信器、および圧力センサチップの製造方法 |
KR1020180031564A KR102070368B1 (ko) | 2017-03-22 | 2018-03-19 | 압력 센서칩, 압력 발신기, 및 압력 센서칩의 제조 방법 |
US15/926,353 US10816423B2 (en) | 2017-03-22 | 2018-03-20 | Pressure sensor chip and pressure transmitter having a strain gauge arrangement being disposed in a region of the diaphragm |
CN201810236040.4A CN108896233B (zh) | 2017-03-22 | 2018-03-21 | 压力传感器芯片、压力发送器以及压力传感器芯片的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017056192A JP6762896B2 (ja) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | 圧力センサチップ、圧力発信器、および圧力センサチップの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018159594A JP2018159594A (ja) | 2018-10-11 |
JP6762896B2 true JP6762896B2 (ja) | 2020-09-30 |
Family
ID=63583251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017056192A Active JP6762896B2 (ja) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | 圧力センサチップ、圧力発信器、および圧力センサチップの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10816423B2 (ja) |
JP (1) | JP6762896B2 (ja) |
KR (1) | KR102070368B1 (ja) |
CN (1) | CN108896233B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015103485A1 (de) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | MEMS-Sensor, insb. Drucksensor |
US10557760B2 (en) * | 2017-05-15 | 2020-02-11 | Strain Measurement Devices, Inc. | Thin film strain gauge |
JP6793103B2 (ja) | 2017-09-29 | 2020-12-02 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
JP2019066454A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、センサモジュール |
JP2019066312A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
JP2019066453A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
JP2019082424A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
JP2019113411A (ja) | 2017-12-22 | 2019-07-11 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、センサモジュール |
JP2019184344A (ja) | 2018-04-05 | 2019-10-24 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ及びその製造方法 |
EP3855148A4 (en) | 2018-10-23 | 2022-10-26 | Minebea Mitsumi Inc. | ACCELERATOR PEDAL, STEERING GEAR, 6-AXIS SENSOR, ENGINE, BUMPER AND THE LIKE |
EP3644009A1 (de) * | 2018-10-24 | 2020-04-29 | Hahn-Schickard-Gesellschaft für angewandte Forschung e.V. | Dehnungsmessstruktur mit einem strukturierten träger |
JP7105492B2 (ja) * | 2019-02-25 | 2022-07-25 | ヤマシンフィルタ株式会社 | 差圧検出装置 |
US10871407B2 (en) * | 2019-04-25 | 2020-12-22 | Measurement Specialties, Inc. | Sensor assemblies with multirange construction |
US11162850B2 (en) * | 2019-04-25 | 2021-11-02 | Measurement Specialties, Inc. | Sensor assemblies with integrated electrical connections and diaphragm overload protection |
JP7252055B2 (ja) * | 2019-05-16 | 2023-04-04 | アズビル株式会社 | 圧力センサ |
EP3770112A1 (en) * | 2019-07-22 | 2021-01-27 | Infineon Technologies AG | Pressure sensor |
JP7328112B2 (ja) * | 2019-10-09 | 2023-08-16 | アズビル株式会社 | センサ素子 |
JP7319182B2 (ja) * | 2019-12-12 | 2023-08-01 | アズビル株式会社 | 差圧計 |
KR102273245B1 (ko) * | 2020-02-17 | 2021-07-06 | 대양전기공업 주식회사 | 압력 센서 구조체 및 그 제조방법 |
CN113323631B (zh) * | 2020-02-28 | 2022-03-15 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 一种天然气水合物储层开采结构及气体压裂注入水硬性氧化钙的天然气水合物开采方法 |
US11650110B2 (en) * | 2020-11-04 | 2023-05-16 | Honeywell International Inc. | Rosette piezo-resistive gauge circuit for thermally compensated measurement of full stress tensor |
CN112909024B (zh) * | 2021-02-03 | 2022-08-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5189777A (en) * | 1990-12-07 | 1993-03-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method of producing micromachined differential pressure transducers |
JP3481399B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2003-12-22 | 松下電工株式会社 | 圧力センサ |
US6038933A (en) * | 1997-07-15 | 2000-03-21 | Mts Systems Corporation | Multi-axis load cell |
EP1071934B1 (de) * | 1998-04-09 | 2002-02-13 | Plöchinger, Heinz | Kapazitive druck- oder kraftsensorstruktur und verfahren zur herstellung derselben |
JP4273663B2 (ja) * | 2001-01-11 | 2009-06-03 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサの製造方法 |
JP3628972B2 (ja) * | 2001-03-14 | 2005-03-16 | ニッタ株式会社 | 静電容量式センサ |
US6688185B2 (en) * | 2001-08-20 | 2004-02-10 | Autoliv Asp, Inc. | System and method for microstrain measurement |
JP3847281B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2006-11-22 | 株式会社山武 | 圧力センサ装置 |
CN101268350B (zh) * | 2005-07-22 | 2012-11-28 | 意法半导体股份有限公司 | 带有双测量刻度和高满刻度值的集成式压力传感器 |
JP2011220927A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Yamatake Corp | 圧力センサ |
JP5997570B2 (ja) * | 2012-10-15 | 2016-09-28 | アズビル株式会社 | 圧力センサチップ |
JP6055286B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2016-12-27 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ、およびタッチパネル |
KR101489302B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2015-02-04 | 전자부품연구원 | 압력센서 |
US9470593B2 (en) * | 2013-09-12 | 2016-10-18 | Honeywell International Inc. | Media isolated pressure sensor |
JP2015061057A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
TW201516386A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-05-01 | Asia Pacific Microsystems Inc | 複合範圍壓力感測器 |
JP6320812B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-05-09 | 株式会社東芝 | 圧力センサの製造方法、成膜装置及び熱処理装置 |
JP6034819B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2016-11-30 | アズビル株式会社 | 圧力センサチップ |
DE102014104831A1 (de) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdrucksensor |
US10209830B2 (en) * | 2016-03-31 | 2019-02-19 | Apple Inc. | Electronic device having direction-dependent strain elements |
JP6697954B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2020-05-27 | アイシン精機株式会社 | 荷重検出装置 |
-
2017
- 2017-03-22 JP JP2017056192A patent/JP6762896B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-19 KR KR1020180031564A patent/KR102070368B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-20 US US15/926,353 patent/US10816423B2/en active Active
- 2018-03-21 CN CN201810236040.4A patent/CN108896233B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102070368B1 (ko) | 2020-01-29 |
CN108896233B (zh) | 2020-09-29 |
US20180275001A1 (en) | 2018-09-27 |
US10816423B2 (en) | 2020-10-27 |
JP2018159594A (ja) | 2018-10-11 |
KR20180107734A (ko) | 2018-10-02 |
CN108896233A (zh) | 2018-11-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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