JPS61176803A - ストレインゲージ - Google Patents

ストレインゲージ

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JPS61176803A
JPS61176803A JP1689085A JP1689085A JPS61176803A JP S61176803 A JPS61176803 A JP S61176803A JP 1689085 A JP1689085 A JP 1689085A JP 1689085 A JP1689085 A JP 1689085A JP S61176803 A JPS61176803 A JP S61176803A
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徳幸 金城
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勝之 星
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、特定の化学構造を有し、配向されたポリイミ
ドからなる低熱膨張樹脂材料を用いたストレインゲージ
に関する。
〔発明の背景〕
有機ポリマの熱膨張係数(線膨張係数)は、ガラス転移
温度以下の温度領域においても、はとんどのものが4X
10″”K−”以上と、金属や無機物に比べてはるかに
大きな値を有する。有機物の線膨張係数が大きいことに
起因する問題は、極めて多く、有機ポリマの用途展開が
思うように進行しない理由がすべてここにあると言って
も過言ではない程である。このように、有機ポリマの線
膨張係数が大きい九めの問題点は極めて多く、低膨張係
数を有する有機ポリマはかなp前から強く望まれていた
本発明者らは先に1このような事情に鑑み、先ず、耐熱
樹脂材料、特にポリイミドについて多くの合成実験を試
み、原料成分と熱膨張係数との関係について詳細に検討
した。ポリイミドとしてはこれまで■米国特許第317
9614号(du Font )明細書、■C,E、 
8roog、 @Polyimides ’ 、 Ja
polym、 Sc i、: Macromol、 R
,ev、 、 11.161−208(1976)、■
N、 A、 Adrova and M、 M、 Ko
ton 。
Dokl、Akad、Nauk、8SSR,165,1
069(1965)、■M0M、 Koton  an
d Yu、 N、8azonov 、 J、Therm
AalYs、7(19751,165,0M、 M、 
Ko t on 。
Polym、 Sci、 U、8. S、R,21,2
756(1979)等に示されているように多種多様の
ものが提供されている。しかし、実際に合成され、ある
いは実用に供されているものは極めて少ない。これまで
、実際に合成が試みられ、報告あるいは市販されている
ものとしてはジアミノジフェニルエーテル、ジアミノシ
フエルメタン、パラフェニレンジアミンるるいはジアミ
ノジフェニルサルファイドのような芳香族ジアミンとピ
ロメリト酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、テトラカルボキシジフェニルエーテルニ無水
物するいはブタンテトラカルボン酸二無水物のようなテ
トラカルボン酸二無水物を原料としたポリイミドがある
に過ぎない。しかし、これらのポリイミドの線膨張係数
は4〜6XlO−1K−1と極めて大きい。
ところが、本発明者らはさらに合成実験を行った結果、
下記のような特定の芳香族ジアミンとテトラカルボン酸
二無水物とから得られるポリイミドが前述のポリイミド
よりも異常に小さな線膨張係数と極めてすぐれた引張シ
強度とを有する事実を発見した。本発明は一つにはこの
ような発見に基づいてなされたものである。
ところでストレインゲージは紙、フェルト或いは樹脂製
等の7−ト(フィルム)上に抵抗線(抵抗体グリッド)
を配してゲージパターンを形成したひずみ計でめるが、
このフィルム材として樹脂を用いる際には上記に加えて
更に重要な問題点がある。
先ず、従来ストレインゲージの電気抵抗体の抵抗温度係
数は、熱処理によシ構造材の熱膨張係数とストレインゲ
ージのベース材の熱膨張係数とを加味し、測定対象構造
材の熱膨張に対する見かけ上のひずみが最少になる様に
AMしていた。このことは、大きさが限定されかつ高い
電気抵抗値のストレインゲージの要求に対しては抵抗体
のグリッド幅を小さくして対応せざるを得す、相対的に
抵抗体に対するベース材(フィルム材)の熱膨張の影響
を増大せしめることになる。従って構造物の温度変化に
対する見かけ上のひずみを抵抗体の抵抗温度係数のコン
トロールによって最少にすることを困難にする。
また測定対象構造材の厚さが薄い場合には従来のストレ
インゲージを熱硬化性の接着剤で加圧接着した場合、薄
い構造材がストレインゲージのベース材との熱膨張の差
によって曲げられる。
スパッタリング法等でポリマシート上に合金抵抗体(箔
)を形成する際に1基板となるポリマフィルムの温度は
100〜300Cの過当な温度に保持しシート上に形成
される合金膜の結晶粒の大きさを整えて合金膜の抵抗温
度係数をコントロールすることが必要であるが、従来は
これに対処し得る策が知られていなかった。
更にストレインゲージにはそのクリープ性能の改善や接
着強度の経時変化の防止等が要求されてきた。
尚、ポリイミド樹脂をセンサ類に適用した例としては特
開昭59−75104号公報が挙げられるが、このポリ
イミド層利用の従来例をもってしても上記各種問題点は
未解決である。
〔発明の目的〕
本発明は上記従来の欠点を解消した高信頼性のストレイ
ンゲージを提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明のストレインゲージは、ポリイミド系樹脂材料で
構成されたフィルム上に含ニッケル合金(例えば銅−ニ
ッケル合金及び/またはニッケル−クロム合金)性の抵
抗体グリッドから成るゲージパターンが形成され、この
ゲージパターンの両端部(完全な端部でなくとも良い)
にリード線が接続されたものである。このポリイミド系
樹脂材料は1ヶ以上の芳香環を有し、この芳香環は分子
軸を中心に回転するが他の方向には柔軟性が無い構造(
分子構造が、分子軸を中心にO±40’の範囲でほぼ直
線状を呈する)である芳香族基を化学構造単位とするも
のでアリ、シかもこのポリイミド分子が少なくとも一軸
方向に配向されている部分を含むことt−S徴とする。
配向の程度はオーダーツ(ラメータ(8)にして0.0
7以上が好ましい。尚、Sは次式にて示される。
B  E。
5=− Eψ−B。
(式中、Eoは均一系(つまj) pree cure
 )  のE(弾性率)、Eooは無限延伸のEで約4
0×10” dyn/di )これは、熱膨張係数比(
a/amzm)で見ると、S値とα/αFullの相関
性が有シ(本願発明者は断性率と配向との関係を検討し
てこれを確認した)、S値が0.07(7憾)程度でα
が約半分になるからである。
本発明に用いる低熱膨張性ポリイミドの化学構造として
、例えば 及び/または からなるものが挙げられる・。ここで、几はアルキル基
、フッ素化アルキル基、アルコキシル基、フッ素化アル
コキシル基、アシル基、ハロケア、 tは0〜4.mは
0〜2.nは0〜3である。本発明の低熱膨張性樹脂材
料は、分子配列がランダムでも他ポリマに比べ低熱膨張
性、高強度、高弾性。
高耐熱性でろるが、何らかの分子配向処理を行うことに
よって格段に七の性質が顕著になる。
ポリフェニレンなどの芳香族ポリマは、一般に剛値であ
るが脆いという欠点があシ、芳香環と芳香環の間に、−
0−、−s +、−(−CH冨÷。
CHs   CH5 −NH−C−0−eどのフレキシブルな結合を導入して
、ポリマ全体を可撓化されている。また、芳香環の結合
位置も、0−やm−位にすると可撓化される。ポリイミ
ドも同様であり、現在工業化されているポリイミドはす
べてが、これらの中から選ばれた結合を有している。そ
れ故に、本発明に用いる低熱膨張性ポリマは見出されて
いなかった。
本発明に用いる低熱膨張性ポリイミドとしては次のよう
な例が挙げられる。尚、下記の各式において、R,t、
m、nは前述の定義の通シであシ、kは0〜3の贅数で
ある。
(R)1 第4図は、樵々の材料の熱膨張係数を示したものである
。この図から一般的な有機ポリマの熱膨張係数が金属や
セラミックスなどに比べて大きいが、本発明に用いる配
向されたポリイミドの熱膨張係数が小さいかが一目瞭然
と分かる。熱膨張係数が金属やセラミックスなどの無機
材料と同程度に小さいと、これらの無機材料と有機材料
を組合せた場合温度変化に対して同様に寸法変化が起こ
る九め熱応力やそシが起こらず、工業的には非常に有用
である。これまでの有機材料の最大の欠点は、熱膨張係
数が無機材料に比べてはるかに大きいことであると言っ
て決して過言ではない。
本発明に用いる低熱膨張性ポリイミドは、芳香族アミノ
ジカルボン酸誘導体の単独重合、または芳香族ジアミン
あるいは芳香族ジイソシアナートと、芳香族テトラカル
ボン酸誘導体の反応によって得ることが出来る。テトラ
カルボン酸誘導体としてはエステル、酸無水物、酸塩化
物がめる。酸無水物音用いると、合成上好ましい。合成
反応は、一般的には、N−メチルピロリドン(NMP)
ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミ
ド(DMAC)、ジメチルスルホキサイド(nMjo)
、硫酸ジメチル、スルホラン、ブチロラクトン、クレゾ
ール、フェノール、ハロゲン化フェノール、シクロヘキ
サノン、ジオキサンなどの溶液中で、θ〜200Cの範
囲で行われる。
本発明用ポリイミドの合成に用いられるアミノジカルボ
ン酸誘導体として具体例を挙げると、4−アミノ7タル
酸、4−アミノ−5−メチルフタル酸、4−(p−アニ
リノ)−7タル酸、4−(3,5−ジメチル−4−アニ
リノ)フタル酸など、あるいはこれらのエステル、!!
無水物、酸塩化物などが挙げられる。
同じく本発明用ポリイミドの合成に用いられる芳香族ジ
アミンとしては、次のものが挙げられる。
p−フェニレンジアミン、2.5−ジアミノトルエン、
2.5−ジアミノキシレン、ジアミノキシレン(2# 
3 、5 、6− tetramethyl −p−p
hemylenediamine )、2.5−ジアミ
ノペンシトリフルオライド、2.5−ジアミノキシンー
ル、2.5−ジアミノアセトフェノン、2,5−ジアミ
ノベンゾフェノン、2,5−ジアミノジ7工二ル、2.
5−ジアミノフルオロベンゼン、ベンジジン、o−トリ
ジン、m−トリジン、3.3’ 。
5.5′−テトラメチルベンジジン、3.3’−ジメト
キシベンジジン、3.3’−ジ(トリフルオロメチル)
ベンジジン、3.3’−ジアセチルベンジジン%3,3
’−ジフルオロベンジジン、オクタフルオロベンジジン
、4,4“−ジアミノターフェニル%4,4’−ジアミ
ノクォータフェニルO また、これらのジイソシアナート化合物も同様に使用で
きる。
本発明のポリイミド合成に用いるテトラカルボン酸誘導
体としては、ピロメリット酸、メチルピロメリット酸、
ジメチルピロメリット酸、ジ(トリフルオロメチル)ピ
ロメリット酸% 383’ #4.4/−ビフェニルテ
トラカルボン酸、5.5’−ジメチル−3,3’ 、4
.4’−ビフェニルテトラカルボン酸、p−(3,4−
ジカルボキシフェニル)ベンゼン、またはこれらの酸無
水物、#!塩化物、エステルなどが挙げられる。
本発明に用いるポリイミドは、時に分子配向させなくて
も他のポリマに比較して低熱膨張性で、高速に、高弾性
であるが、分子鎖を配向させることにより格段に七の威
力全発揮することが出来る。
例えば、フィルム状の成形品を一軸または二軸延伸する
ことによって分子鎖を配列させることが出来る。芳香族
ポリイミドは一般に配向処理によって低熱膨張性、高弾
性、高強度になることは知られているが、本発明のポリ
イミドに比較し、その効果は全く少ない。ポリマ越の配
向させ方は、通常のフィルムを延伸機で延伸させるだけ
でなく、ポリイミドまたはその前駆体フェスからポリイ
ミド成形体にする過程で、その硬化反応や浴剤の揮発に
よる収縮を利用しても出来る。すなわち、フェスを塗布
し、硬化させる際に、収量を抑制することによって、分
子鎖を配向させることが可能でおる。硬化収縮による延
伸量は、従来の延伸法に比較して非常に少ないが、本発
明に用いるポリイミドにおいてはその程度の配向処理で
も十分効果がある。
ま九、フィルム状成形体を延伸させる場合、完全に硬化
したものを延伸しようとすると、ポリイミドのガラス転
移温度は極めて高いため、非常に高い温度で延伸しなけ
ればならず、また高温で延伸するkしても分子間凝集力
が非常に強いため配向し難い。容易に配向さぜる友めに
は溶剤をある程度含んでいる状態るるいはガラス転移温
度が低いポリアミド酸の状態で延伸して分子を配向させ
、その後完全硬化することが好ましい。
本発明に用いるポリイミドがこのような従来のポリマの
常識から全くはずれた挙動を示す理由は、次のように考
えられる。すなわち、本発明に係るポリイミド主鎖はほ
ぼ直線構造を有する。しかし、ポリアミド酸またはポリ
アミドフエスの状態では溶媒和してランダムコイル状に
なっておシ、硬化しても直線状構造はとれない。これが
、配向処理が加えられると、このポリイミド分子にとっ
て最も安定な直線状の構造をとれるようになったと考え
らnる。
本発明に用いる低熱膨張性ポリイミドは、低熱膨張性で
ないポリマをかなシの貢ブレンドまたは共X会させても
、その性質をあまシ失わない。本発明のポリイミドの中
には多少機械的に脆いものも含まれるが、七のようなも
のに対して、フレキシブルな低熱膨張性でないポリマを
ブレンドあるいは共重合させることは好ましい場合もあ
る。ブレンドあるいは共重合し得るポリマとしては、例
えば次のようなジアミンとテトラカルボン酸誘導体から
得られるポリイミドがある。芳香族シアきンの具体例を
挙げると、m−7二二レンジアミン、4.4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、l、2−ビス(アニリノ)エタン
、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジ
フェニルスルホン、2.2−ビス(p−アミノフェニル
)フロパン、2.2−ビス(p−アミノフェニルJヘキ
?フルオロプロパン、3.3′−ジメチル−4,4’−
ジアミノジフェニルエーテル、3.3’−ジメチル−4
,4′−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノトルエン
、ジアミノベンシトリフルオライド、1.4−ビス(p
−アミノフェノキ7)ベンゼン、4.4′−ビス(p−
アミノフェノキシ)と7エ二ル、2.2−ビス(4−(
1)−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、ジアミ
ノアントラキノン、4.4’−ビス(3−アミノフェノ
キシフェニル)ジフェニルスルホン、l、3−ビス(ア
ニリノ)へキサフルオロプロパン、1.4−ビス(アニ
リノ)オクタフルオロブタン、l、5−ビス(アニリノ
)デカフルオロペンタン、1.7−ビス(アニリノ)テ
トラデカフルオロへブタン、一般式 84     R+4 R4R4 または (Rs 、Ryは21iffiの有機基、 fL4. 
R@は1価の有ifi基、p、qはlよシ大きい整数)
で示されるジアミノシロキサン、2.2−ビス(4−(
p−アミノフェノキシ)フェニル)へキサフルオロプロ
パン、2.2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フ
ェニル)へキサフルオロプロパン、2゜2−ビス(4−
(2−アミノフェノキシ)フェニル)へキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)
 −3,5−ジメチルフェニル)へキサフルオロプロパ
ン%2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)−3
,5−ジトリフルオロメチルフェニルlへキサフルオロ
プロパン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメ
チルフェノキシ)ベンゼン、4.4’−ビス(4−アミ
ノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、
4.4′−ビス(4−アミノ−3−) IJフルオロメ
チルフェノキシ)ビフェニル、4.41−ビス(4−ア
ミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニル
スルホン、4.4’−ビス(3−アミノ−5−トリフル
オロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、2.2−
ビス(4−(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェ
ノキシ)フェニル)へキサフルオロプロパンなどのジア
ミン類、並びにこルらのジアミンとホスゲンなどの反応
によって得らnるジイソシアナート例えばトリレンジイ
ソシアナート、ジフェニルメタンジイソ7アナート、ナ
フタレンジイソシアナート、ジフェニルエーテルジイソ
シアナート、フェニレン−1,3−ジインシアナー) 
e トO芳香族ジイソシアナート類がめる。また、テト
ラカルボン酸並びにその誘導体としては次のようなもの
が挙げられる。ここではテトラカルボン酸として例示す
るが、これらのエステル化物、酸無水物。
酸塩化物ももちろん使用出来る。2,3.3’ 。
4′−テトラカルボキシジフェニル%3s3’s4.4
′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、2.3.3
’ 、4’、−テトラカルボキシジフェニルエーテル、
3.3’ 、4.4’−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、2,3.3’ 、4’−テトラカルボキシベンゾフ
ェノン、2,3,6.7−テトラカルボキシナフタレン
、1.4,5.7−テトラカルボキシナ7タレン、1,
2,5.6−テトラカルボキシナフタレン% 3s J
’ e 4s4′−テトラカルボキシジフェニルメタン
、2゜2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)フロ
パン、2.2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
へキサフルオロプロパン、3.3’ 、4゜4′−テト
ラカルボキシジフェニルスルホン、3゜4.9.10−
テトラカル・ボキシベリレン、2゜2−ビス(4−(3
,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル)プロパン、
2.2−ビス(4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ
)フェニル)へキサフルオロプロパン、ブタンテトラカ
ルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸などがある
ま九、反応性官能基を有する化合物で変性し、架橋構造
やラダー構造を導入することも出来る。例えば、次のよ
うな方法がある。
(1)  一般式(In)で表わされる化合物で変性す
ることによって、ピロロン環やインインドロキナゾリン
ジオン環などを導入する。
ここで、几′は2+x価の芳香族有機基、2はNH冨基
、C0NH*基、8ChNHス基から選ばれた基でめ9
、アミノ基に対して、オルン位でめる。Xは1または2
である。
(iD  重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン
ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘
導体で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽
和化合物としては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒ
ドロフタル酸、エチニルアニリンなどが使用できる。
(IiD  フェノール性水酸基、あるいはカルボン酸
を有する芳香族アミンで変性し、この水酸基またはカル
ボキシル基と反応しうる橋かけ剤を用い網目構造を形成
する。
本発明において、低熱膨張ポリイミドと抵抗体(箔)と
なる合金とを一体化する場合、接着性が1要である。−
案としては抵抗体材料の表面を粗化したり、7ランカツ
プリング剤、チタネートカップリング剤、アルミアルコ
レート、アルミニウムキレート、ジルコニウムキレート
、アルミニウムアセチルアセトンなどによシ表面処理す
ることが挙げられる。これらの表面処理剤を前記低熱膨
張ポリイミドに添加してもよい。
本発明において、より熱膨張係数を下げたシ、弾性率を
上げたり、流動性をコントロールしたシするために、無
機質、有機質、または金属などの粉末、繊維、チョップ
トストランドなどを混合することも出来る。例えばガラ
ス繊維等のシート状のものに本件ポリイミド材料(例え
ばポリアミド酸組成物)を含浸させたものも本発明の範
囲である。
本発明のストレインゲージは以上の低熱膨張樹脂と含ニ
ッケル合金材料とを一体化したものである。
〔発明の実施例〕
第1図は本発明の一実施例に係るストレインゲージの平
面図で6シ、第2図は第1図に係る実施例品のA−A’
断面図でめる。
図中、符号lは本発明に係る特徴的な低熱膨張ポリイミ
ドフィルムである。フィルム1面にはゲージパターン2
が形成されている。尚、フィルムlは当該樹脂のみから
構成されていても、また、ガラス繊維等に含浸されてい
ても良く、更にはゲージパターンを挾むようKして同じ
或いは他のポリマ材を設けても良い。フィルムl(つま
〕ペース材)の厚さは例えば25μm程度である。ゲー
ジパターン2は断面で見ると第2図の如く抵抗体グリッ
ド4で構成されている。抵抗体グリッド4の厚さは例え
ば5μmでろる。尚、符号3はリード線を示す。
この例のものは例えば、低熱膨張性ポリイミド材(ポリ
アミドフエス或いはポリアミド酸)を鋼−ニッケル(C
u−Ni)材やニッケル−クロム(Ni−Cr)合金箔
にコーティングし、これをベース材にしてホトエツチン
グ法によシ合金箔をバターニングして得られる。第3図
はこの工程図を示す。
第5図は本発明の別の実施例に係るストレインゲージの
平面図でめ9、第6図は纂5図に係る実施例品のA−A
’断面図である。各図中の符号は第1.2図の各符号と
対応する。
尚、第6図に係る第2実施例においては、ベース材(フ
ィルム)lの厚さは7.5〜20μmであり、抵抗体グ
リッド4の厚さは0.3〜1.0μmである。
この第2実施例品は例えば、低熱膨張性ポリイミドフィ
ルム上KCuNi又はNiCr合金をスパッタリング法
又は蒸着法によシ膜形成を行いその後ホトエツチング法
によジストレンゲージパターン金製作しストレインゲー
ジを製作する工程、及びリングラフィ法とスパッタリン
グ法又は蒸着法によシポリイミドフイルム上にCuNi
又はNiCr合金膜のゲージパターンを製作しストレイ
ンゲージを製作する工程等によって得られる。
第7図及び第8図はこの工程図を示す。
次に本発明に用いるポリイミドの合成に関してよシ詳細
に例示する。
実施例1〜8.比較例1〜16 温就計、攪拌装置、還流コンデンサ、及び窒素吹込口を
有する4つロフラスコに、表IK示す量のジアミンを入
れ、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)850gで
溶解した。次いで、O〜50Cの水浴中にフラスコを浸
漬し、発熱を抑制しながらテトラカルボン酸二無水物を
投入した。
テトラカルボン酸二無水物が溶解した後、水浴をはずし
、室温付近で約5時間反応を続け、表1に示すポリアミ
ド酸ワニスを得た。ワニス粘度が非常に高くなった場合
、25Cでの粘度が50ポアズになるまで80〜85C
にて加熱攪拌(クツキング)した。
これらのポリアミド酸を加熱して得られるポリイミドの
熱膨張係数は、次のように測定した。すなわち、ガラス
板にアプリケータを用いて均一に塗布し、80〜100
Cで30〜60分乾燥してフィルム状にし、ガラス板か
らはがして鉄枠に固定しく固定硬化、またはバネでつる
して自由収縮できる)、200C,30(1,40(l
にそれぞn60分間保持して、30〜200μm厚のポ
リイミドフィルムを得た。これf:3■X80mに切)
出し、2枚のガラス板にはさんで再び400Cに加熱し
、除冷して残留歪を除去した後、熱機械試験機で、5C
/−の条件で寸法変化を測定し、ガラス転移点以下の寸
法変化量から求めた。このようにして、フィルムの吸湿
水分や溶剤やイミド化反応による残留歪を十分に除去、
ならびにイミド化反応を実質的に完結しないと、正確な
熱膨張係数は測定できない。吸湿水分によって、ルT〜
150Cの範囲において、脱湿によって見掛は上フィル
ムの熱膨張係数が小さく観測される。また、残留歪また
はイミド化反応が完結していないと、Tg付近で残留歪
の除去または、イミド化反応による脱水による収縮が起
こp、見掛は上の線膨張係数は小さく観測される場合が
多い。また、鉄枠に固定して硬化しても、硬化途中で破
れてしまった場合、配向処理が不十分で熱膨張係数が多
少大きくなるので注意を要する。
次に、表1.2に前記ポリイミドフィルムの固定硬化と
自由硬化後の熱膨張係数を示す。
また、表1〜2のデータを横軸固定硬化での線膨張係数
、縦軸自由硬化での熱膨張係数でプロットした結果を第
9図に示した。一般的なポリイミドに比較して、本発明
に用いるポリイミドは熱膨張係数が非常に小さいことが
分る。
化学構造上の共通点をみると、低熱性になるジアミンは
、この中で、p−PDA、DATP。
o−TOLID、I)−DATOLである。そして、テ
トラカルボン酸二無水物としては、PMDAがBPD人
である。すなわち、これらの実験データから低熱膨張性
が発現する条件は次の通シである。
■ 骨格がベンゼン核とイミド環からなること■ ベン
ゼン核の結合がパラ結合であること■ ベンゼン核に側
鎖としてメチル基などの置換置があっても良い。
実施例9〜14 本発明に用いる低熱膨張性ポリイミドは、一般の熱膨張
係数が大きいポリイミドと共重合あるいはポリアミド酸
の段階で共重合することにより、熱膨張係数を適aKコ
ントロールすることも可能である。
共重合体並びにブレンド物の熱膨張係数を表3に示した
。共重合あるいはブレンドの比に対して熱膨張係数は直
線に近い関係があシ、コントロールが楽に出来ることが
分る。
実施例15(%性の検討) α) 試料・・・表4に示した芳香族ジアミンと芳香族
テトラカルボン酸二無水物とをN−メチル−2−ピロリ
パン中で、室温で反応させてポリアミド酸ワニスとした
。このワニスをガラス板上に塗布し、100Cで1時間
乾燥させた後、フィルムをはがし、200Cで1時間、
更に350Cで1時間窒素ガス中で硬化してポリイミド
フィルムを得た。
また、硬化時に、硬化収縮を自由にさせ九場合(pre
e cure )と、鉄枠で収縮を一方或いは二方向に
抑えた場合([Jnifix 、 Bi fix cu
re )とで熱膨張挙動が変わることが分かった。
C)熱膨張係数・・・幅5W%厚さ20〜lOOμm1
長さ65m(チャック間)のフィルムを試験片として熱
物理試験機(TMA1500.真空理工)を使用し、5
C/−の条件で測定した。熱膨張係数には温度依存性が
おるので、代表値としては50〜250Cの間の平均値
を用いることにした。
■) 広角X線回折・・・305wX40鰭、厚さ約4
0μmi試験片として、ガイガーフレックスR,AD(
理学電機)を使用して測定した。
(4)結果と検討 ポリイミドの熱膨張挙動は、ポリアミド酸フィルムから
ポリイミドへ加熱硬化する過程で、硬化収縮を抑制する
か否かによって様々に変化することが分かった。第10
図は、DATPとPMDAからのポリイミドl6D1の
熱膨張挙動である。ポリイミドの熱膨張係数は通常4〜
6 X 10−4K”であう、50〜250Cの温度変
化に対して、0.8〜1.2係の寸法変化がある。これ
に比較してADZは、50〜250Cの温度範囲で、l
’reecureのものが0.2係、Bifix cu
reのものではα1S程度しか寸法変化していない。第
11図も低熱膨張性ポリイミド(AA2)の例である。
この場合も、Bifix cure(、たものは0.1
係以下である。しかし、pree cure Oものは
比較的熱膨張係数が大きくなシ、50〜250Cの範囲
で0.4%穆度である。この試料では、硬化収縮の抑制
を1軸のみ行ったものも検討した。この結果によると、
抑制方向(σFX−X)では更に熱膨張係数が小さくな
シ寸法変化は250C近辺までほぼ0優である。但し、
抑制方向に直角の方向(UFX−Y)ではpree c
ure  とほぼ同様の挙動を示した。すなわち、イミ
ド化時のわずかな硬化収縮(線収縮約101)の方法に
よって、一般のプレポリマフィルムを数倍〜数10倍延
伸したときと同様の効果が得られたことになる。同じく
、ムA3.F3の各試料についての熱膨張挙動を第12
図、第13図に示す。
第14図にポリイミドの化学構造と熱膨張係数との関係
を示す。この結果よシ、ポリイミドの種類は大まかに次
の4つに分類できる。
■ pree、 BiHx cureのどちらも熱膨張
係数が小さいもの。このグループには、〇−TLDまた
はDATPとPMDAの組合せのものが含まれる。
■ pfee Cureの場合、多少熱膨張係数は大き
いが、Bifix cureすれば非常に小さくなるも
の。このグループには、p−PDA。
o−TLD%またはDA’rPとBPDAの組合せのも
のが含まれる。
■ pree cureの場合、かなシ大きな熱膨張係
数を有するが、Bifix cureによシ約半分程度
になるもの、このグループには、p−PDA、o−TL
D、DATP、m−PDAとBTDAとの組合せ、DD
EとPMDAとの組合せ、2.4−DATOとBPDA
との組合せのものが含まれる。
■ pree cure、 Bifix cureのい
ずれも熱膨張係数が大きいもの、その他の大半のポリイ
ミドはこのグループに含まれる。
ポリマの熱膨張係数が、延伸結晶化によって小さくなる
ことはよく知られている。そこで、ポリイミドの結晶性
を、広角X線回折によシ検討しな。
測定結果を第15図、第16図に示した。第15図よシ
、■のグループに含まれるplはシャープな反射がみら
れ、結晶性であることが分かる。
C1もある程度結晶性と考えられる。これらに比べ、■
のグループのA2や■のグループのA3は、■のグルー
プのF3に比べれば、多少配向性有シと考えられるが、
Dl−?C1のような結晶性はないと考えられる。
また第16図の結果から、A2についてpreecur
e、 13ifix cure、 UFX、及びUFY
の違いを検討したが、広角xm回折のデータにはほとん
ど違いが出ていない。強いて言えば、 Free cu
reの場合−の大きさが小さいようである。これらの結
果から、結晶性は強い方が明らかに熱膨張係数が小さく
なる傾向がみられるが、これだけでは硬化収縮の抑制効
果は説明できない。もつと長距離での秩序性が重要と考
えられる。
次に、各グループのポリイミドのコンフオメージョンを
検討してみると、第17図のようになり、ある程度の共
通性が認められた。■のグループに含まれるものは、ジ
アミン、テトラカルボン酸成分の両者とも、直線的にほ
ぼ同一平面上に並ぶコンフォメーションしかとれない。
そのため、分子軸方向に棒状で剛直でるり、かつ結晶化
し易いと考えられる。■のグループのものは、BPDA
のビフェニルによって多少ジグザグ構造になるが、かな
シ直線的なコンフォメーションを有する。■のグループ
は更vc2つにわかれる。1つはp−PDA。
o−TI;D、DATP(!:BTDAからなるもので
、(1111のようにほぼ同一平面上に並ぶが、ベンゾ
フェノン骨格によって直線上には並び難い。もう一つは
、(■)のようにエーテル結合の部分で折曲シ同一平面
上には並べないが、エーテル結合間の骨格は直線上に並
んでいる。PMDAとDDM。
DD8との組合せも同様のタイプKl[する。その他の
大半のポリイミドは(V)のように、エーテル、チオエ
ーテル、メチレン、ケトン等によって規則性はなくなる
ストレインゲージを接着し、歪量を検出する対象となる
構造材の主なものは普通鋼材(熱膨張係数10.8X1
0’″’/C)、ステンレス鋼材(熱膨張係数16.2
X10−’/C)、アルミニウム合金(熱膨張係数2&
4XlG−’/C)%マグネシウム合金(熱膨張係数2
7Xl G−・/C1、であるが、本低熱膨張性ポリイ
ミドはその熱膨張係数t−4×10−’/l:: (石
英ガラス程度)から2×lO°すτ(アルミニウム程度
)までの間任意の値Kyi!1シ製造出来るのでストレ
インゲージのベース材に本低熱廖張性ポリイミドを使用
した場合上記の各構造材と同じ熱膨張係数を持ったベー
ス材のストレインゲージの製作が出来る。
従来はストレインゲージの電気抵抗体の抵抗温度係数を
熱処理によシ構造材の熱膨張係数とストレインゲージの
ベース材の熱膨張係数を加味し、構造材の熱膨張に対し
見かけ上のひずみが最少になる様調整していたが本発明
によ)構造材の熱膨張係数とストレインゲージのベース
材の熱膨張係数を同じくすることができるのでストレイ
ンゲージの電気抵抗体の抵抗温度係数の調整対称を一元
化できる。従来技術では大きさが限定され、かつ高い電
気抵抗値のストレインゲージの要求に対しては抵抗体の
グリッドの巾を小さくして対応せざるを得ないので、相
対的に抵抗体に対するベース材の熱膨張の影響を増大せ
しめることとなシ、構造物の温度変化に対する見かけ上
のひずみを抵抗体の抵抗温度係数をコントロールすると
とによシ最少にすることを困1IAVcすることに成る
が、熱膨張係数を構造材のそれに合せることが可能な本
低熱膨張性ポリイミドをベース材とすることによシ、こ
の困難さを解決することが可能である。このことはスパ
ッタリング法で製作する合金薄膜を抵抗体とするストレ
インゲージには特に重要なことである。また、構造材の
厚さが薄い場合には従来のストレインゲージを熱硬化性
の接着剤で加圧接着した場合、薄い構造材がストレイン
ゲージのベース材との熱膨張の差によって曲がることが
あったが、ストレインゲージのベース材と構造物の熱膨
張係数を一致させることによ)曲シを防ぐことが可能で
ある。
次に上述の1見かけ上の歪を最少にコントロールする機
構2について補足説明する。
ストレインゲージを構造材に貼付けて温度変化を与えた
ときストレインゲージの抵抗値を変化させる因子として
は a)ゲージ抵抗体の抵抗値の温度による変化。
(抵抗材の抵抗温度係数αが関係する)b)構造材の熱
膨張による寸法の変化。
(構造材の線膨張係数β、が関係する)C)ゲージの抵
抗材自身の線膨張によるゲージの寸法の変化。
(ゲージ抵抗材の線膨張係数β1が関係する)d) ゲ
ージペース材の線膨張による寸法の変化。
(ベース材の1鞭張係数β、が関係する)C)その他接
着剤の線膨張が考えられるが、極めて小さく無視できる
がある。
従って、温度の変化によるゲージ抵抗体の抵抗値の変化
は 但し、Kはゲージファクター、ΔR/R/ΔTは単位温
度当九りの抵抗変化率である。
上式においてα十K(β、+β、−β、)=0となれば
温度による抵抗の変化がないことになる。またα=K(
β、−β、−βS)となるようにαの値を調整すれば温
度による抵抗変化がなくなる。
更に本発明によれば次のメリットがある。
スパッタリング法でポリイミドフィルムに合金抵抗体を
形成する際に基板となるポリイミドフィルムの温度を1
00〜300t:’の適当な温度に保持しフィルム上に
形成される合金膜の結晶粒の大きさをととのえ合金膜の
抵抗温度係数をコントロールすることが必要である。ポ
リイミドフィルムの熱膨張が大きければ合金膜が付着し
たポリイミドフィルムを常温にし九時に合金膜とポリイ
ミドフィルムの熱収縮の差によシ応力が働ている状態と
なシストレインゲージに製作した場合ストレインゲージ
そのものに応力が内在することとなシひずみ測定に不都
合が生じることとなる。本低熱膨張性ポリイミドで製造
されたフィルムはその熱膨張係数を4 X l O−’
/Cに設定することが出来るので、スパッタリング合金
膜とポリイミドフィルム間の応力の少ない状態が得られ
る。又熱膨張係数が小さいことによプ加熱時のフィルム
の変形が少すく、均一な膜厚のスパッタリング合金膜が
得られる。
本低熱膨張性ポリイミドをベース材としたストレインゲ
ージはベース材の熱膨張係数をひずみ量を検出する対称
となる構造材の熱膨張係数に一致させることが出来るの
で、ゲージ接着後の構造物の温度変化に対して、その接
着強度は熱膨張係数が異る場合に比べてよ)安定したも
のとなる。つまシ接着強度の経時変化が少なくなる。
更に本低熱膨張性ポリイミドは高いヤング率を持ってい
るのでストレインゲージのベース材に使用した場合低い
クリープ性能のストレインゲージとなシストレインゲー
ジのクリープ性能が改善される。
〔発明の効果〕
以上述べた通)、本発明によれば高信頼性のストレイン
ゲージが得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
$1因及び第5図は夫々本発明の実施例に係るストレイ
ンゲージの平面図、第2図は第1図のA−A′断面図、
第3図、第7図及び第8図は夫々本発明の実施例に係る
ストレインゲージの製造工程図、第4図は各種材料の熱
膨張係数を示す特性図、第6図は第5図のA−A’断面
図、第9図は本発明で用いる樹脂の特性図、第10図〜
第13図は本発明の実施例材料の温度特性図、第14図
は同じく本実施例材料の熱膨張係数を整理し九特性図、
第15図及び第16図は同じく本実施例材料の回折図、
第17図は同じく本実施例材料の分第3閏 第5目 第6 a 興7図 6名 図 ■走−史化tkオ?リイ1ドQ葎膨張係耘 (KIO−
’1につ名10囚 渫、a   (−’c〕 、/1a度(( 第12  口 第t3 fjJ 遥 嬰  (τ] 1f7t4 EJ 第15 F2 第16図 o       to        zo     
  30#第1’7図 手続補正書(方式) %式% 事件の表示 昭和60年特許願第 16890  号発明の名称 ストレインゲージ 名 称(slot抹式会社 日 立 製作所名称 ミネ
ペア株式会社 代   理   人 居  所(〒1001東京都千代田区丸の内−丁目5番
1号株式会社 日立装作所内 ′tJA東京212−1
111f人代表1〔発明の背景〕 有機ポリマの熱膨張係数(線膨張係数)は、ガラス転移
温度以下の温度領域においても、はとんどのものが4 
X 10−”K−1以上と、金属や無機物に比べてはる
かに大きい値を有する。有機物の線膨張係数が大きいこ
とに起因する問題は、極めて多く、有機ポリマの用途展
開が思うように進行しない理由がすべてここにあると言
っても過言ではない程である。このように、有機ポリマ
の線膨張係数が大きいための問題点は極めて多く、低膨
張係数を有する有機ポリマはかなり前から強く望まれて
いた。 本発明者らは先に、このような事情に鑑み、先ず、耐熱
樹脂材料、特にポリイミドについて多くの合成実験を試
み、原料成分と熱膨張係数との関係について詳細に検討
した。ポリイミドとしてはこれまで■米国特許第317
9614号(デュポン(duPont) )明細書、■
シー イー スループ、「ポリイミドズ」、ジャーナル
 オブ ポリマーサイエンス:マクロモレキュラレビュ
ー、11,161−−208 (1976) 、■エヌ
 ニー アドローバエンド エム エム コツトン、ド
クラデン ア力デミア ナウク ソ連、 l 65 、
1069 (1965) 。 ■エム エム コツトン エンド ニー エヌサザノフ
、ジャーナル オブ サーマルアナリシス、 7 (1
975) 、 185.■エム エム コツトン、ポリ
マーサイエンス ソ連 21 、2756(1979)
  (■C,E、Sroog、  ”Polyimid
es”、J。 Polym、Sci、:Macromol、Rev、、
 11 s 161−208(1976) 、■N、A
、Adrova and M、M、Koton、 Do
kl。 Akad、Nauk、5SSR,165、1069(1
965) 、0M、M。 Koton and Yu、N、5azonov、 J
、Therm、Aalys、 7−(1975) 、 
165、■M、M、Koton、 Polym、 Sc
i。 U、S、S、R,主よ、 2756 (1979) )
等に示されているように多種多様のものが提供されてい
る。しかし、実際に合成され、あるいは実用に供されて
いるものは極めて少ない、これまで、実際に合成が試み
られ、報告あるいは市販されているものとしてはジアミ
ノジフェニルエーテル、ジアミノフェルメタン、バラフ
エニレジアミンあるいはジアミノジフェニルサルファイ
ドのような芳香族ジアミンとピロメリト酸二無水物、ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、テトラカルポ
キシジフェニルエーテルニ無水物あるいはブタンテトラ
カルボン酸二無水物のようなテトラカルボン酸二無水物
を原料としたポリイミドがあるに過ぎない、しかし。 これらのポリイミドの線膨張係数は4〜6×10−”K
”′と極めて大きい。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ポリイミド系樹脂材料で構成されたフィルム上に含
    ニッケル合金性抵抗体グリッドから成るゲージパターン
    が形成され、該ゲージパターンの両端部にリード線が接
    続されたストレインゲージにおいて、前記ポリイミド系
    樹脂材料は1ケ以上の芳香環を有し、該芳香環は分子軸
    を中心に回転するが他の方向には柔軟性が無い構造であ
    る芳香族基を化学構造単位とするポリイミドであって、
    該ポリイミド分子が少なくとも一軸方向に配向されてい
    る部分を含む材料であることを特徴とするストレインゲ
    ージ。 2、特許請求の範囲第1項記載のストレインゲージにお
    いて、前記含ニッケル合金は、銅−ニッケル合金及びニ
    ッケル−クロム合金から選ばれるものであることを特徴
    とするストレインゲージ。 3、特許請求の範囲第1項記載のストレインゲージにお
    いて、前記ポリイミド系樹脂材料が前記合金の箔にコー
    ティングされた後、該合金箔がホトエッチングによって
    前記のパターンに形成されることを特徴とするストレイ
    ンゲージ。 4、特許請求の範囲第1項記載のストレインゲージにお
    いて、前記抵抗体グリッドのパターンは前記ポリイミド
    系シート上に前記合金を成膜した後ホトエッチングして
    形成したものであることを特徴とするストレインゲージ
    。 5、特許請求の範囲第4項記載のストレインゲージにお
    いて、前記成膜はスパッタリング法及び/または蒸着法
    によることを特徴とするストレインゲージ。 6、特許請求の範囲第1項記載のストレインゲージにお
    いて、上記配向の程度はオーダーパラメータが0.07
    以上であることを特徴とするストレインゲージ。 7、特許請求の範囲第1項記載のストレインゲージにお
    いて、上記ポリイミドは、分子軸を中心に0±40°の
    範囲のほぼ直線状を呈する分子構造であることを特徴と
    するストレインゲージ。 8、特許請求の範囲第1項記載のストレインゲージにお
    いて、前記ポリイミドの主鎖は、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼ および/または▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、Rはアルキル基、フッ素化アルキル基、アルコ
    キシル基、フッ素化アルコキシル基、アシル基、ハロゲ
    ンから選ばれ、lは0〜4の整数、mは0〜2の整数、
    nは0〜3の整数である)から構成されていることを特
    徴とするストレインゲージ。 9、特許請求の範囲第1項記載のストレインゲージにお
    いて、前記ポリイミド分子の単位構造は次の式から選ば
    れることを特徴とするストレインゲージ。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(3) ▲数式、化学式、表等があります▼(4) ▲数式、化学式、表等があります▼(5) ▲数式、化学式、表等があります▼(6) ▲数式、化学式、表等があります▼(7) ▲数式、化学式、表等があります▼(8) (式中、Rはアルキル基、フッ素化アルキル基、アルコ
    キシル基、フッ素化アルコキシル基、アシル基、ハロゲ
    ンから選ばれ、kは0〜3の整数、lは0〜4の整数、
    mは0〜2の整数、nは0〜3の整数である。) 10、特許請求の範囲第1項記載のストレインゲージに
    おいて、前記のポリイミド分子に更に他のポリマをブレ
    ンド或いは共重合させてなるものであることを特徴とす
    るストレインゲージ。 11、特許請求の範囲第1項記載のストレインゲージに
    おいて、前記ポリイミドは芳香族アミノジカルボン酸誘
    導体の単独重合、または芳香族ジアミン若しくは芳香族
    ジイソシアナートと芳香族テトラカルボン酸誘導体との
    反応物であることを特徴とするストレインゲージ。 12、特許請求の範囲第1項記載のストレインゲージに
    おいて、前記低熱膨張樹脂材料を塗膜状フィルム状或い
    は繊維状に成形すると、配向方向が一軸または二軸であ
    ることを特徴とするストレインゲージ。 13、特許請求の範囲第10項記載のストレインゲージ
    において、他のポリマはジアミンとテトラカルボン酸誘
    導体から得られるポリイミドであることを特徴とするス
    トレインゲージ。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6031508A (en) * 1997-05-12 2000-02-29 Nec Corporation Antenna adjuster
JP2009300096A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Minebea Co Ltd ひずみゲージ及びその製造方法並びにひずみゲージの取付方法
JP2017067764A (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、荷重センサ、及びひずみゲージの製造方法
WO2019065752A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
WO2019065840A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019066454A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
JP2019066312A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019078726A (ja) * 2017-10-27 2019-05-23 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
CN109825809A (zh) * 2019-03-29 2019-05-31 华南理工大学 一种聚酰亚胺基电阻式薄膜应变传感器及其制备方法与应用
WO2019124458A1 (ja) * 2017-12-22 2019-06-27 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
US11543308B2 (en) 2017-09-29 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11542590B2 (en) 2017-09-29 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11747225B2 (en) 2018-04-05 2023-09-05 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved stability and stress reduction
US11774303B2 (en) 2018-10-23 2023-10-03 Minebea Mitsumi Inc. Accelerator, steering wheel, six-axis sensor, engine, bumper and the like
US11796404B2 (en) 2018-03-29 2023-10-24 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6031508A (en) * 1997-05-12 2000-02-29 Nec Corporation Antenna adjuster
JP2009300096A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Minebea Co Ltd ひずみゲージ及びその製造方法並びにひずみゲージの取付方法
JP2019164161A (ja) * 2015-09-29 2019-09-26 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、荷重センサ、及び荷重センサの製造方法
JP2017067764A (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、荷重センサ、及びひずみゲージの製造方法
JP2022153664A (ja) * 2015-09-29 2022-10-12 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、荷重センサ、ひずみゲージの製造方法、及び荷重センサの製造方法
US11131590B2 (en) 2015-09-29 2021-09-28 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge, load sensor, and method for manufacturing strain gauge
CN111417830A (zh) * 2017-09-29 2020-07-14 美蓓亚三美株式会社 应变片及传感器模块
US11326966B2 (en) 2017-09-29 2022-05-10 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved design to reduce pinholes and damage
US11702730B2 (en) 2017-09-29 2023-07-18 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11692806B2 (en) 2017-09-29 2023-07-04 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved stability
US11542590B2 (en) 2017-09-29 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11543308B2 (en) 2017-09-29 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
JP2019066312A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
CN111406195A (zh) * 2017-09-29 2020-07-10 美蓓亚三美株式会社 应变片
JP2019066454A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
WO2019065752A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
WO2019065840A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
JP2019066313A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ
US11454488B2 (en) 2017-09-29 2022-09-27 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved stability
US11499876B2 (en) 2017-10-27 2022-11-15 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge and sensor module
JP2019078726A (ja) * 2017-10-27 2019-05-23 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
CN111742189A (zh) * 2017-12-22 2020-10-02 美蓓亚三美株式会社 应变片及传感器模块
US11543309B2 (en) 2017-12-22 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge and sensor module
JP2019113411A (ja) * 2017-12-22 2019-07-11 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
WO2019124458A1 (ja) * 2017-12-22 2019-06-27 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、センサモジュール
US11796404B2 (en) 2018-03-29 2023-10-24 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11747225B2 (en) 2018-04-05 2023-09-05 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved stability and stress reduction
US11774303B2 (en) 2018-10-23 2023-10-03 Minebea Mitsumi Inc. Accelerator, steering wheel, six-axis sensor, engine, bumper and the like
CN109825809A (zh) * 2019-03-29 2019-05-31 华南理工大学 一种聚酰亚胺基电阻式薄膜应变传感器及其制备方法与应用

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