JPS60157286A - フレキシブルプリント基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブルプリント基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS60157286A JPS60157286A JP1184384A JP1184384A JPS60157286A JP S60157286 A JPS60157286 A JP S60157286A JP 1184384 A JP1184384 A JP 1184384A JP 1184384 A JP1184384 A JP 1184384A JP S60157286 A JPS60157286 A JP S60157286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating material
- conductor
- flexible printed
- printed circuit
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、温度変化に対しカール、ねじれ、反シ等がな
く、かつ耐熱性、寸法安定性、接着性等の優れを７レキ
シプルプリント基板及びその製造方法に係るものである
。
く、かつ耐熱性、寸法安定性、接着性等の優れを７レキ
シプルプリント基板及びその製造方法に係るものである
。
従来フレキシブルプリント基板あるいは、フラットケー
ブル（以後フレキシブルプリント板に含める）は、一般
に導体と有機ポリマーの絶縁材を接着剤を介して接着し
ていた。しかしこの際、熱圧着などの熱履歴を加えると
、冷間時に基板のカール、ねじれ、反りなどを生じ、そ
の後の導体パター；ング等が不可能となる欠点があった
。これらの諸問題は、導体と絶縁材の線膨張係数の差に
起因し、導体と同程度の線膨張係数をもつ有機ポリマー
があれば、解決されることが予想されるが一般に有機ポ
リマーの線膨張係数は、導体に比べると太き（３Ｘ １
０−’％：”以下のものはほとんど見出されていない。
ブル（以後フレキシブルプリント板に含める）は、一般
に導体と有機ポリマーの絶縁材を接着剤を介して接着し
ていた。しかしこの際、熱圧着などの熱履歴を加えると
、冷間時に基板のカール、ねじれ、反りなどを生じ、そ
の後の導体パター；ング等が不可能となる欠点があった
。これらの諸問題は、導体と絶縁材の線膨張係数の差に
起因し、導体と同程度の線膨張係数をもつ有機ポリマー
があれば、解決されることが予想されるが一般に有機ポ
リマーの線膨張係数は、導体に比べると太き（３Ｘ １
０−’％：”以下のものはほとんど見出されていない。
その為フレキシブルプリント基板の導体と絶縁材の接着
は、室温あるいは比較的低温で行なわなければならず、
プリント基板の耐熱性などの性能は、接着剤に支配され
、絶縁材として高耐熱性のポリイミドを用いてもその性
能を全く発揮できなかった。また接着力も十分なもので
はなかった。
は、室温あるいは比較的低温で行なわなければならず、
プリント基板の耐熱性などの性能は、接着剤に支配され
、絶縁材として高耐熱性のポリイミドを用いてもその性
能を全く発揮できなかった。また接着力も十分なもので
はなかった。
絶縁材の線膨張係数を下げる手段として、フィラーやガ
ラス繊維等を入れる方法もあるが、この方法では、フィ
ラー等を入れることによυ絶縁材カモろくなシ、フレキ
シブルプリント基板に必要不可欠なフレキシビリティ−
を欠くことになる。
ラス繊維等を入れる方法もあるが、この方法では、フィ
ラー等を入れることによυ絶縁材カモろくなシ、フレキ
シブルプリント基板に必要不可欠なフレキシビリティ−
を欠くことになる。
咬た線膨張係数も沿層方向には、小さくなるが、貫層方
向には効果を示さずこれは特にプリント基板のスルーホ
ール部の信頼性に問題を生じる。
向には効果を示さずこれは特にプリント基板のスルーホ
ール部の信頼性に問題を生じる。
本発明の目的は、絶縁材の線膨張係数と導体のそれとの
差が１．５ Ｘ １０−’Ｃ−１以下のものを使用する
ことによって導体と絶縁材に、熱履歴を加えてもカール
、ねじれ、反り等のないかつ十分な接着力、耐熱性、寸
法安定性等をもつ工業的に有用なフレキシブルプリント
基板とその製造方法を提供することにある。
差が１．５ Ｘ １０−’Ｃ−１以下のものを使用する
ことによって導体と絶縁材に、熱履歴を加えてもカール
、ねじれ、反り等のないかつ十分な接着力、耐熱性、寸
法安定性等をもつ工業的に有用なフレキシブルプリント
基板とその製造方法を提供することにある。
本発明の特徴は、導体と絶縁材からなるフレキシブルプ
リント基板並びにフラットケーブルにおいて、それらの
線膨張係数の差が１．５ Ｘ １０−５Ｃ−１以下望ま
しくは１． ＯＸ １０−５Ｃ−１以下であることにあ
る。
リント基板並びにフラットケーブルにおいて、それらの
線膨張係数の差が１．５ Ｘ １０−５Ｃ−１以下望ま
しくは１． ＯＸ １０−５Ｃ−１以下であることにあ
る。
本発明者らは、導体と同程度又は、それ以下の線膨張係
数をもつ有機ポリマーについて鋭意研究した結果、線膨
張係数が従来の有機ポリマーに比べ異常に小さい３ Ｘ
１０−５Ｃ”以下の有機ポリマーを発見し、フレキシ
ブルプリント基板において導体と絶縁材の線膨張係数の
差がｉ、 ５ Ｘ ｉ ｏ＝ ｃ−’以下であれば、カ
ール、ねじれ、反シなどの諸問題を解決できることを見
出しだ。この発見により従来不可能とされた導体への絶
縁材、又はその前駆体を直接塗布、乾燥、硬化を行ない
、かつカール、ねじれ、反シ等のないフレキシブルプリ
ント基板を極めて容易に得ることが可能となった。
数をもつ有機ポリマーについて鋭意研究した結果、線膨
張係数が従来の有機ポリマーに比べ異常に小さい３ Ｘ
１０−５Ｃ”以下の有機ポリマーを発見し、フレキシ
ブルプリント基板において導体と絶縁材の線膨張係数の
差がｉ、 ５ Ｘ ｉ ｏ＝ ｃ−’以下であれば、カ
ール、ねじれ、反シなどの諸問題を解決できることを見
出しだ。この発見により従来不可能とされた導体への絶
縁材、又はその前駆体を直接塗布、乾燥、硬化を行ない
、かつカール、ねじれ、反シ等のないフレキシブルプリ
ント基板を極めて容易に得ることが可能となった。
本発明らは、絶縁材に化学構造
比べ十分に小さく、特に・、。
のものは、熱処理の仕方によっては、線膨張係数を１０
−６のオーダーにすることも可能であることを発見した
。
−６のオーダーにすることも可能であることを発見した
。
本発明によれば、十分な接着力、耐熱性を得るのに高温
を要するために従来用いることのできなかった接着剤を
使うこともできる。この除用いる接着剤の線膨張係数は
、導体に比べ大きくても何ら不都合はないが小さいもの
を用いた方が好ましい。
を要するために従来用いることのできなかった接着剤を
使うこともできる。この除用いる接着剤の線膨張係数は
、導体に比べ大きくても何ら不都合はないが小さいもの
を用いた方が好ましい。
本発明の低熱膨張樹脂材料としては、ｐ−フェニレジア
ミン、２．４−ジアミノトルエン、２゜４−ジアミノキ
シレン、ジアミノジュレン、１゜５−ジアミノナフタレ
ン、２．６−ジアミノナフタレン、またはこれらのイン
シアナート化物とビフェニルテトラカルボン酸またはそ
の誘導体を主原料とし、これらの反応によって得られる
ポリイミドが好ましい。ジアミンのうちｐ−フェニレン
ジアミンは靭性、疲労特性、耐熱性の点で最もすりして
いる。ｔ＊、ｐ−フェニレンジイソシアナートも同様で
ある。テトラカルボン酸の誘導体としては、エステル、
酸無水物、酸塩化物がある。
ミン、２．４−ジアミノトルエン、２゜４−ジアミノキ
シレン、ジアミノジュレン、１゜５−ジアミノナフタレ
ン、２．６−ジアミノナフタレン、またはこれらのイン
シアナート化物とビフェニルテトラカルボン酸またはそ
の誘導体を主原料とし、これらの反応によって得られる
ポリイミドが好ましい。ジアミンのうちｐ−フェニレン
ジアミンは靭性、疲労特性、耐熱性の点で最もすりして
いる。ｔ＊、ｐ−フェニレンジイソシアナートも同様で
ある。テトラカルボン酸の誘導体としては、エステル、
酸無水物、酸塩化物がある。
酸無水物を用いると、合成上好ましい。合成反応は、Ｎ
−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド
（’ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、ジ
メチルスルホキサイド（ＤＭＳＯ）硫酸ジメチル、スル
ホラン、ブチロラクトン、クレソール、フェノール、ノ
飄ロゲン化フェノール。
−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド
（’ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、ジ
メチルスルホキサイド（ＤＭＳＯ）硫酸ジメチル、スル
ホラン、ブチロラクトン、クレソール、フェノール、ノ
飄ロゲン化フェノール。
シクロヘキサノン、ジオキサンなどの溶液中で、θ〜２
００Ｃの範囲で行われる。
００Ｃの範囲で行われる。
本発明においてポリイミドを用いる場合、本発明の本質
を失なわない範囲で種々のジアミンやテトラカルボン酸
二無水物を２種類以上用いてコポリメリゼーション又は
、別途合成したポリイミド又はその前駆体をブレンドす
ることもできる。むしろ、導体の熱膨張係数に合せて、
適当にモディファイすることが望ましい。例えば、導体
に銅箔を用いる場合、後述の実施例５〜１０に示すよう
に、銅箔と線膨張係数を合せるために、４．４’−ジア
ミノジフェニルエーテルをジアミン成分として１０〜２
０モルチ変性する方が好ましい。
を失なわない範囲で種々のジアミンやテトラカルボン酸
二無水物を２種類以上用いてコポリメリゼーション又は
、別途合成したポリイミド又はその前駆体をブレンドす
ることもできる。むしろ、導体の熱膨張係数に合せて、
適当にモディファイすることが望ましい。例えば、導体
に銅箔を用いる場合、後述の実施例５〜１０に示すよう
に、銅箔と線膨張係数を合せるために、４．４’−ジア
ミノジフェニルエーテルをジアミン成分として１０〜２
０モルチ変性する方が好ましい。
（
本発明における導体として用いられるものには銅、アル
ミニウム、鉄、金、銀、Ｐ（ＬＮｉＸＣ１％ Ｍ ｏな
どまたはそれらの合金が挙げられ絶縁材との接着力を高
めるために、コロナ放電、クロー放電、サンディング、
ニッケルメッキ、または、アルミニウムアルコラード、
アルミニウムキレート、７ランカツプリング剤などによ
って化学的、機械的表面処理をしてもよい。（アニリノ
）エタン、４．４’ −’）アミノジフェニルエーテル
、ジアミノジフェニルスルホン、２．２−ビス（ｐ−ア
ミノフェニル）フロパン、２．２−ビス（ｐ−アミノフ
ェニル）へキサフルオロプロパン、３゜３′−ジメチル
ベンジジン、３．３’−ジメチルベンジジン、３，３′
−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
３．３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメ
、タン、ジアミノトルエン、ジアミノペンシトリフルオ
ライド、１．４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン、４．４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ヒフェニ
ル、２，２−ビス［４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル）プロパン、ジアミノアントラキノン、４．４’−
ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフェニルスル
ホン、１．３−ビス（アニリノ）へキサフルオロプロパ
ン、１．４−ビス（アニリノ）オクタフルオロブタン、
ｌ、５−ビス（アニリノ）デカフルオロペンタン、１．
７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロへブタン、一
般式 ％式％ （Ｒｓ 、Ｒ７は二価の有機基、Ｒ４、Ｒ６は一価の有
機基、ｐ、ｑは１よシ大きい整数）で示されるジアミノ
シロキサン、２，２−ビス（４−（ｐ−アミノフェノキ
シ）フェニル）へキサフルオロプロパン、２．２−ビス
（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）へキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（４−（２−アミノフェノ
キシ）フェニル）へキサフルオロプロパン、２゜２−ビ
ス（４−（４−アミノフェノキシ）−３゜５−ジメチル
フェニル）へキサフルオロプロパン、２．２−ビス（４
−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジトリフルオロ
メチルフェニル）へキサフルオロプロパン、ｐ−ビス（
４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベン
ゼン、４゜４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロ
メチルフェノキシ）ビフェニル、４．４’ −ビス（４
−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェ
ニル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロ
メチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビ
ス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）
ジフェニルスルホン、２．２−ビス［４−（４−アミノ
−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル）へキ
サフルオロプロパンなどのジアミン類、並びにこれらの
ジアミンとホスゲンなどの反応によって得られるジイソ
シアナート例えばトリレンジイソシアナート、ジフェニ
ルメタンジイソシアナート、ナフタレンジインシアナー
ト、ジフェニルエーテルジイソシアナート、フェニレン
−１，３−ジイソシアナートなどの芳香族ジイソシアナ
ート類がある。まだ、テトラカルボン酸並びにその誘導
体としては次のようなものが挙げられる。ここではテト
ラカルボン酸として例示するが、これのエステル化物、
酸無水物、酸塩化物ももちろん使用出来る。キシジフェ
ニル、３．３’ 、４．４’−テトラカルボキンジフェ
ニルエーテル、２，３．３’ 、４’−テトラカルボキ
シジフェニルエーテル、２，３．３’。
ミニウム、鉄、金、銀、Ｐ（ＬＮｉＸＣ１％ Ｍ ｏな
どまたはそれらの合金が挙げられ絶縁材との接着力を高
めるために、コロナ放電、クロー放電、サンディング、
ニッケルメッキ、または、アルミニウムアルコラード、
アルミニウムキレート、７ランカツプリング剤などによ
って化学的、機械的表面処理をしてもよい。（アニリノ
）エタン、４．４’ −’）アミノジフェニルエーテル
、ジアミノジフェニルスルホン、２．２−ビス（ｐ−ア
ミノフェニル）フロパン、２．２−ビス（ｐ−アミノフ
ェニル）へキサフルオロプロパン、３゜３′−ジメチル
ベンジジン、３．３’−ジメチルベンジジン、３，３′
−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
３．３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメ
、タン、ジアミノトルエン、ジアミノペンシトリフルオ
ライド、１．４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン、４．４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ヒフェニ
ル、２，２−ビス［４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル）プロパン、ジアミノアントラキノン、４．４’−
ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフェニルスル
ホン、１．３−ビス（アニリノ）へキサフルオロプロパ
ン、１．４−ビス（アニリノ）オクタフルオロブタン、
ｌ、５−ビス（アニリノ）デカフルオロペンタン、１．
７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロへブタン、一
般式 ％式％ （Ｒｓ 、Ｒ７は二価の有機基、Ｒ４、Ｒ６は一価の有
機基、ｐ、ｑは１よシ大きい整数）で示されるジアミノ
シロキサン、２，２−ビス（４−（ｐ−アミノフェノキ
シ）フェニル）へキサフルオロプロパン、２．２−ビス
（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）へキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（４−（２−アミノフェノ
キシ）フェニル）へキサフルオロプロパン、２゜２−ビ
ス（４−（４−アミノフェノキシ）−３゜５−ジメチル
フェニル）へキサフルオロプロパン、２．２−ビス（４
−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジトリフルオロ
メチルフェニル）へキサフルオロプロパン、ｐ−ビス（
４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベン
ゼン、４゜４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロ
メチルフェノキシ）ビフェニル、４．４’ −ビス（４
−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェ
ニル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロ
メチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビ
ス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）
ジフェニルスルホン、２．２−ビス［４−（４−アミノ
−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル）へキ
サフルオロプロパンなどのジアミン類、並びにこれらの
ジアミンとホスゲンなどの反応によって得られるジイソ
シアナート例えばトリレンジイソシアナート、ジフェニ
ルメタンジイソシアナート、ナフタレンジインシアナー
ト、ジフェニルエーテルジイソシアナート、フェニレン
−１，３−ジイソシアナートなどの芳香族ジイソシアナ
ート類がある。まだ、テトラカルボン酸並びにその誘導
体としては次のようなものが挙げられる。ここではテト
ラカルボン酸として例示するが、これのエステル化物、
酸無水物、酸塩化物ももちろん使用出来る。キシジフェ
ニル、３．３’ 、４．４’−テトラカルボキンジフェ
ニルエーテル、２，３．３’ 、４’−テトラカルボキ
シジフェニルエーテル、２，３．３’。
４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３゜６．
７−チトラカルボキシナフタレン、１，４゜５．７−チ
トラカルボキシナフタレン、１，２゜５．６−チトラカ
ルボキシナフタレン、３１３′。
７−チトラカルボキシナフタレン、１，４゜５．７−チ
トラカルボキシナフタレン、１，２゜５．６−チトラカ
ルボキシナフタレン、３１３′。
４．４′−テトラカルボキシジフェニルメタン、２．２
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２
．２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−・キサ
フルオロプロパン、３１３’１４．４′−テトラカルボ
キシジフェニルスルホン、３．４，９．１０−テトラカ
ルボキシペリレン、２．２−ビス（４−（３，４−ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル）プロパン、２．２−ビ
ス（４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル
）ヘキサフルオロプロパン、ブタンテトラカルボン酸、
シクロペンクンテトラカルボン酸などがある。
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２
．２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−・キサ
フルオロプロパン、３１３’１４．４′−テトラカルボ
キシジフェニルスルホン、３．４，９．１０−テトラカ
ルボキシペリレン、２．２−ビス（４−（３，４−ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル）プロパン、２．２−ビ
ス（４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル
）ヘキサフルオロプロパン、ブタンテトラカルボン酸、
シクロペンクンテトラカルボン酸などがある。
また、反応性官能基を有する化合物で変性し、架橋構造
やラダー構造を導入することも出来る。例えば、次のよ
うな方法がある。
やラダー構造を導入することも出来る。例えば、次のよ
うな方法がある。
（１）一般式（ＩＩ［）で表わされる化合物で変性する
ことによって、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジ
オン環などを導入する。
ことによって、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジ
オン環などを導入する。
Ｈ２Ｎ Ｒ’ ＮＨ２
１（■）
（Ｚ）よ
ここで、Ｒ１’は２ ＋ ｘ価の芳香族有機基、ＺはＮ
Ｈ２基、ＣＯＮＨ２基、ＳＯ２ＮＨ２基から選ばれた基
であシ、アミノ基に対して、オルソ位である。
Ｈ２基、ＣＯＮＨ２基、ＳＯ２ＮＨ２基から選ばれた基
であシ、アミノ基に対して、オルソ位である。
Ｘは１または２である。
（１１）重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、
ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘
導体で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽
和化合物とじては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒ
ドロフタル酸、エチニルアニリンなどが使用できる。
ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘
導体で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽
和化合物とじては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒ
ドロフタル酸、エチニルアニリンなどが使用できる。
（ＩＮ）フェノール性水酸基１．するいはカルボン酸を
有する芳香族アミンで変性し、この水酸基またはカルボ
キシル基と反応しうる橋かけ剤を用い網目構造を形成す
る。
有する芳香族アミンで変性し、この水酸基またはカルボ
キシル基と反応しうる橋かけ剤を用い網目構造を形成す
る。
前記各成分を用いて変性することによシ熱膨張係数を調
整することができる。即ち、以上詳述した変性成分は前
記一般式〔■〕に含まれるものであシ、この構造単位の
含有量を増加させることにより、一般式〔Ｉ〕で示され
る構造単位のみからなるポリマの膨張係数よシも大きく
することができ、目的あるいは用途に応じて任意に設定
することができる。例えば一般式（１）で示される構造
単位のみからなるポリマの線膨張係数は約１×１０−６
に一’であるが、バラフェニレンジアミン（一般式〔Ｉ
〕のＡｒｔ 、 ｐ ＰＤＡと略す）にジアミノジフェ
ニルエーテル（一般式（ＩＩ）のＡｒｚ ｌ ＤＤＥと
略す）を配合した場合、生成ポリイミドの線膨張係数は
第１図の通シとなる。なお、このときのカルボン酸成分
はビフェニルテトラカルボン酸二無水物のみを用いたも
のであり、全芳香族ジアミン成分とは等モルにて反応さ
せたものである。なお、第１図を見ると、ＤＤＥの配合
量が７５モルチにおいては膨張係数の下がυ方はかなシ
急激になっていることが分る。
整することができる。即ち、以上詳述した変性成分は前
記一般式〔■〕に含まれるものであシ、この構造単位の
含有量を増加させることにより、一般式〔Ｉ〕で示され
る構造単位のみからなるポリマの膨張係数よシも大きく
することができ、目的あるいは用途に応じて任意に設定
することができる。例えば一般式（１）で示される構造
単位のみからなるポリマの線膨張係数は約１×１０−６
に一’であるが、バラフェニレンジアミン（一般式〔Ｉ
〕のＡｒｔ 、 ｐ ＰＤＡと略す）にジアミノジフェ
ニルエーテル（一般式（ＩＩ）のＡｒｚ ｌ ＤＤＥと
略す）を配合した場合、生成ポリイミドの線膨張係数は
第１図の通シとなる。なお、このときのカルボン酸成分
はビフェニルテトラカルボン酸二無水物のみを用いたも
のであり、全芳香族ジアミン成分とは等モルにて反応さ
せたものである。なお、第１図を見ると、ＤＤＥの配合
量が７５モルチにおいては膨張係数の下がυ方はかなシ
急激になっていることが分る。
本発明において、よシ熱膨張係数を下げたり、弾性率を
上げたり、流動性をコントロールしたり、または低コス
ト化するために、無機質、有機質、または金属などの粉
末、繊維、チョップトストランドなどを混合して使用す
ることも出来る。
上げたり、流動性をコントロールしたり、または低コス
ト化するために、無機質、有機質、または金属などの粉
末、繊維、チョップトストランドなどを混合して使用す
ることも出来る。
本発明において、絶縁材の硬化温度が重要である。すな
わち、絶縁材として導体とほぼ同じ線膨張係数のものを
用いても、溶剤の蒸発やイミド化反応に伴う収縮応力が
発生する。この応力によってフレキシブル基板にそ９、
ねじれなどが起こる場合がある。これらの応力は、硬化
温度をポリマーのガラス転温度付近よシ高くすれば緩和
できる。
わち、絶縁材として導体とほぼ同じ線膨張係数のものを
用いても、溶剤の蒸発やイミド化反応に伴う収縮応力が
発生する。この応力によってフレキシブル基板にそ９、
ねじれなどが起こる場合がある。これらの応力は、硬化
温度をポリマーのガラス転温度付近よシ高くすれば緩和
できる。
例えは、銅箔にフェスをコートして銅張板を形成した場
合、−担平坦になっても、銅箔をエツチングすると、絶
縁フィルムに残存した応力によって銅箔側にカールして
しまう。しかし、ガラス転移点付近よシ高温で硬化した
ものは、このカール現象が全くなくなる。
合、−担平坦になっても、銅箔をエツチングすると、絶
縁フィルムに残存した応力によって銅箔側にカールして
しまう。しかし、ガラス転移点付近よシ高温で硬化した
ものは、このカール現象が全くなくなる。
合成例１
温度計、塩化カルシウム管、撹拌棒、窒素吹込口を取付
け＊５０（ＩＩＪの４つロフラスコに毎分約１０（ＩＩ
Ｊの窒素を流しながら、４．４′−ジアミノジフェニル
エーテル（以下ＤＤＥと略記する）３５．９ｇｒ とＮ
−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰと略記する）４
ｚｓｇｒｔ入れ攪拌しＤＤＥを溶解した。この溶液を水
冷塔で１０Ｃ以下に冷却しながら、ピロメリット酸二無
水物（以下ＰＭＤＡと略記する）３９．１ｇｒ’ｆｆｉ
徐々に加え縮重合して、ねんちょうなポリアミック酸を
得、さらに以後の塗膜作業性を良くするためにこのフェ
スの回転粘度が約５０ポアズになるまで８５′ｃでクツ
キングを行なった。
け＊５０（ＩＩＪの４つロフラスコに毎分約１０（ＩＩ
Ｊの窒素を流しながら、４．４′−ジアミノジフェニル
エーテル（以下ＤＤＥと略記する）３５．９ｇｒ とＮ
−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰと略記する）４
ｚｓｇｒｔ入れ攪拌しＤＤＥを溶解した。この溶液を水
冷塔で１０Ｃ以下に冷却しながら、ピロメリット酸二無
水物（以下ＰＭＤＡと略記する）３９．１ｇｒ’ｆｆｉ
徐々に加え縮重合して、ねんちょうなポリアミック酸を
得、さらに以後の塗膜作業性を良くするためにこのフェ
スの回転粘度が約５０ポアズになるまで８５′ｃでクツ
キングを行なった。
上述のようにして得られたポリアミック酸ワニスを、ガ
ラス板上にアプリケータを用いて均一に塗布し１００Ｃ
の強制通風炉中に１時間放置し予備乾燥を行ないポリア
ミック酸フィルムを得、次いでこのポリアミック酸フィ
ルムを鉄わくに固定し２０（１，３００ｔ：’でそれぞ
れ１時間保持後、琥珀色のポリイミドフィルムを得た。
ラス板上にアプリケータを用いて均一に塗布し１００Ｃ
の強制通風炉中に１時間放置し予備乾燥を行ないポリア
ミック酸フィルムを得、次いでこのポリアミック酸フィ
ルムを鉄わくに固定し２０（１，３００ｔ：’でそれぞ
れ１時間保持後、琥珀色のポリイミドフィルムを得た。
比較例１
合成例１で得だポリイミドの線膨張係数は、５．５９Ｘ
１０−５Ｃ−１で約３５μｍの厚みをもつこのフィルム
にボスチックジャパン製Ｈ２７６６エポキシーゴム系接
着剤（以下Ｈ２７６６と略記する）全約２０μｍ塗布し
、片面ニッケルメッキ処理した厚さ３５μｍの圧延銅箔
と張合わせ、これに油圧式プレス機で４０Ｋｇ／ｃｍ２
の圧力と１５０ｔＺ’の熱をかけて３０分間保持した。
１０−５Ｃ−１で約３５μｍの厚みをもつこのフィルム
にボスチックジャパン製Ｈ２７６６エポキシーゴム系接
着剤（以下Ｈ２７６６と略記する）全約２０μｍ塗布し
、片面ニッケルメッキ処理した厚さ３５μｍの圧延銅箔
と張合わせ、これに油圧式プレス機で４０Ｋｇ／ｃｍ２
の圧力と１５０ｔＺ’の熱をかけて３０分間保持した。
室温でこのフレキシブル銅張板は大きく湾曲してしまっ
た。
た。
本発明において使用する線膨張係数とに、特にことわシ
がない限シガラス状態におけるもので測定は、フィルム
状の試料をザーモメカニカルアナライザー（以下ＴＭＡ
と略記する）を用いて行ない、その結果ガラス転移点以
下で最大傾きをもつ直線部から算出したものである。こ
の除注意しなけｎばいけないのは、試料のイミド化が完
結していなかったシ、残留応力、吸湿水分等があると、
測定途中に試料の収縮が起こシ真の線膨張係数をめるこ
とができないので、試料は、予ケメ゛そのガラス転移温
度以上に加熱し除冷したものを用いなければならないこ
とである。
がない限シガラス状態におけるもので測定は、フィルム
状の試料をザーモメカニカルアナライザー（以下ＴＭＡ
と略記する）を用いて行ない、その結果ガラス転移点以
下で最大傾きをもつ直線部から算出したものである。こ
の除注意しなけｎばいけないのは、試料のイミド化が完
結していなかったシ、残留応力、吸湿水分等があると、
測定途中に試料の収縮が起こシ真の線膨張係数をめるこ
とができないので、試料は、予ケメ゛そのガラス転移温
度以上に加熱し除冷したものを用いなければならないこ
とである。
合成例２
パラフェニレンジアミン（以下ｐ−ＰＤＡと略記する）
２０．１６ｇｒ と３．３’ 、４．４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物（以下Ｓ −ＢＰＤＡと略記
する）５４．８４ｇｒ を用いイミド化の最終の加熱温
度を４００Ｃとした他は、合成例１と同様にしてポリイ
ミドフィルムを得た。
２０．１６ｇｒ と３．３’ 、４．４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物（以下Ｓ −ＢＰＤＡと略記
する）５４．８４ｇｒ を用いイミド化の最終の加熱温
度を４００Ｃとした他は、合成例１と同様にしてポリイ
ミドフィルムを得た。
実施例１
合成例２で得たポリイミドフィルムの線膨張係ａは、１
．ＩＸ １０−５で比較例１と同様にしてフレキシフル
銅張板を得た。このフレキシブル鋼張板は、カール、ね
じれ、反シなどは、みられなかった。
．ＩＸ １０−５で比較例１と同様にしてフレキシフル
銅張板を得た。このフレキシブル鋼張板は、カール、ね
じれ、反シなどは、みられなかった。
比較例２
合成例１で合成したポリアミック酸ワニスを片面粗化処
理した厚さ３５μｍの圧延銅箔にアプリケーターを用い
て均一に塗布し、強制通風ｐ中に１００Ｃで１時間乾燥
後鉄わくに固定し２００Ｃ。
理した厚さ３５μｍの圧延銅箔にアプリケーターを用い
て均一に塗布し、強制通風ｐ中に１００Ｃで１時間乾燥
後鉄わくに固定し２００Ｃ。
４００Ｃでそれぞれ１時間、３０分保持した。室温まで
冷却後、鉄わくをはすすと約３５μｍのポリイミド層を
もつフレキンプル銅張板は、ポリイミド層を内側に大き
くカールし、このカールの湾曲半径は１１．４ｍで厚さ
１０鵡の真鍮板をのせて一昼夜放置しても直らなかった
。
冷却後、鉄わくをはすすと約３５μｍのポリイミド層を
もつフレキンプル銅張板は、ポリイミド層を内側に大き
くカールし、このカールの湾曲半径は１１．４ｍで厚さ
１０鵡の真鍮板をのせて一昼夜放置しても直らなかった
。
実施例２
合成例２で合成したポリアミック酸ワニスを用いた他は
比較例２と同様にしてフレキシブル銅張板を得た。この
フレキシブル銅張板は、比較例２の場合とは逆に銅箔を
内側にエツチング作業には影響を及ばさない程度にカー
ルし、この湾曲半径は、９２．０關であった。
比較例２と同様にしてフレキシブル銅張板を得た。この
フレキシブル銅張板は、比較例２の場合とは逆に銅箔を
内側にエツチング作業には影響を及ばさない程度にカー
ルし、この湾曲半径は、９２．０關であった。
合成例３
１ＱＱ＋ａ／の４つロフラスコを用い、１．４−ジアミ
ノデュレン５．３７ ｇＸｓ ＢＰＤＡ ９．６３ ｇ
１ＮＭＰ８５ｇを用いた他は、合成例１と同様にしてポ
リアミック酸ワニスを得た。さらにポリイミドフィルム
を得ようとしたが、もろくフィルム状にはならなかった
。
ノデュレン５．３７ ｇＸｓ ＢＰＤＡ ９．６３ ｇ
１ＮＭＰ８５ｇを用いた他は、合成例１と同様にしてポ
リアミック酸ワニスを得た。さらにポリイミドフィルム
を得ようとしたが、もろくフィルム状にはならなかった
。
実施例３
合成例３で合成したポリアミック酸ワニスを用いて比較
例２と同様の操作を行なった。得られたフレキシブル銅
張板は冷間時には絶縁材がもろかったが反りは全くなか
った。
例２と同様の操作を行なった。得られたフレキシブル銅
張板は冷間時には絶縁材がもろかったが反りは全くなか
った。
合成例４
１．５−ジアミノナフタレン５．２５ｇＸ ５−ＢＰＤ
Ａ９．’７６ｇを用いた他は、合成例３と同様にしてポ
リアミック酸ワニスを得た。さらにポリイミドフィルム
を得ようとしたが、もろくフィルム状にすることはでき
なかった。
Ａ９．’７６ｇを用いた他は、合成例３と同様にしてポ
リアミック酸ワニスを得た。さらにポリイミドフィルム
を得ようとしたが、もろくフィルム状にすることはでき
なかった。
実施例４
合成例４で合成したポリアミック酸ワニスを用いて比較
例２と同様の操作を得なかった。得られたフレキシブル
銅張板は、冷間時には絶縁材がもろかったが、銅箔を内
側に湾曲しその湾曲半径は１２６ｔａｎであった。
例２と同様の操作を得なかった。得られたフレキシブル
銅張板は、冷間時には絶縁材がもろかったが、銅箔を内
側に湾曲しその湾曲半径は１２６ｔａｎであった。
合成例５〜１０
第１表に示される様にＤＤＥＸ＋）−ＰＤＡ。
５−ＢＰＤＡを配合し、ＮＭＰＯ量を８５ ｇｒ にし
て合成例２と同様の操作をしてそれぞれのポリアミック
酸ワニス及びポリイミドフィルムを得た。
て合成例２と同様の操作をしてそれぞれのポリアミック
酸ワニス及びポリイミドフィルムを得た。
ポリイミドフィルムにおけるＤＤＥとｐ−ＰＤＡＯ比と
線膨張係数の関係を第１図に示す。
線膨張係数の関係を第１図に示す。
実施例５〜１０
合成例３〜８で得られたポリアミック酸を用いて実施例
２と同様にして各共重合体のフレキシブル銅張板を作成
し、そのカールの度合について検討した。第２表及び第
２図にその結果を示す。
２と同様にして各共重合体のフレキシブル銅張板を作成
し、そのカールの度合について検討した。第２表及び第
２図にその結果を示す。
実施例１１
実施例６で得られたフレキシブル鋼張板を３００Ｃのハ
ンダ浴に３分間ディップした。
ンダ浴に３分間ディップした。
このフレキシブル銅張板は、定温にもどしても導体と絶
縁材の剥離、カールはみられなかった。
縁材の剥離、カールはみられなかった。
実施例１２〜１７
実施例５〜１０で得られたフレキシブル銅張板のポリイ
ミドフィルムの銅箔からのピー８強度測定を試みたが、
ポリイミドフィルム金銅箔から剥離することができず測
定は、不可能だった。
ミドフィルムの銅箔からのピー８強度測定を試みたが、
ポリイミドフィルム金銅箔から剥離することができず測
定は、不可能だった。
このビール強度ニ、従来のフレキシブルプリント基板に
比較して十分大きいことは明確である。
比較して十分大きいことは明確である。
実施例１８
合成例２で得た２５μｍのフィルムに合成例６で合成し
たポリアミンクー酸を約２０μｍ均一に塗布し、１００
Ｃの通風炉中で１時間乾燥し片面ニッケルメッキした厚
さ３５μｍの圧延銅箔と貼り合わせて１５０Ｃで４０に
９／ｃｍ２の圧力下で３０分放置してフレキシブル銅張
板を得た。このフレキシブル銅張板の導体と絶縁材のビ
ール強度は１、６ Ｋ９／ ｃｍ ｋ示した。ダイレク
トコート法を使用すればこの程度の強い強度のものが得
られる。
たポリアミンクー酸を約２０μｍ均一に塗布し、１００
Ｃの通風炉中で１時間乾燥し片面ニッケルメッキした厚
さ３５μｍの圧延銅箔と貼り合わせて１５０Ｃで４０に
９／ｃｍ２の圧力下で３０分放置してフレキシブル銅張
板を得た。このフレキシブル銅張板の導体と絶縁材のビ
ール強度は１、６ Ｋ９／ ｃｍ ｋ示した。ダイレク
トコート法を使用すればこの程度の強い強度のものが得
られる。
以上説明したように、本実施例により得られるフレキシ
ブルプリント基板の特徴は、導体と絶縁材の線膨張係数
の差を１．５ Ｘ １０−５ｉｌｌ”−’以下にするこ
とによシ、熱履歴を加えてもカール、ねじシ、反りを生
じないことでおる。また、絶縁材又はその前駆体を導体
に直接塗布、乾燥、硬化を行なうことも可能となり、接
着工程を省くことができ非常に画期的である。
ブルプリント基板の特徴は、導体と絶縁材の線膨張係数
の差を１．５ Ｘ １０−５ｉｌｌ”−’以下にするこ
とによシ、熱履歴を加えてもカール、ねじシ、反りを生
じないことでおる。また、絶縁材又はその前駆体を導体
に直接塗布、乾燥、硬化を行なうことも可能となり、接
着工程を省くことができ非常に画期的である。
実施例１９
実施例５の銅張シ板金最終硬化温度を２００Ｃ。
３０（１，３５０ｔｌ：、４００Ｃと変えて作成した。
銅張シ板は、室温に冷却してもいずれも平坦であった。
しかし、銅箔をエツチングした結果、硬化温度が２００
Ｃと３００Ｃのものは絶縁フィルムが銅箔側にカールし
た。３５０Ｃ，４００ｔＺ’で硬化したものについては
、エツチング後も平坦のままでおった。この絶縁フィル
ムのガラス転移温度は３２０Ｃであシ、この温度以上に
加熱するととによシ、硬化時の溶剤の揮散やイミド化に
よる収縮応力が緩和されたと思われる。
Ｃと３００Ｃのものは絶縁フィルムが銅箔側にカールし
た。３５０Ｃ，４００ｔＺ’で硬化したものについては
、エツチング後も平坦のままでおった。この絶縁フィル
ムのガラス転移温度は３２０Ｃであシ、この温度以上に
加熱するととによシ、硬化時の溶剤の揮散やイミド化に
よる収縮応力が緩和されたと思われる。
以上述べたように本発明のフレキシブルプリント基板は
、導体と絶縁材との間に熱履歴を加えてもカール、ねじ
れ、反９等を生じず、しかも充分な接着力を有するとい
う効果かあ、り、′！！：たその製造においてはフィラ
ーやガラス繊維等の異物混入を不要としかつ直接コート
できるという効果を奏する。
、導体と絶縁材との間に熱履歴を加えてもカール、ねじ
れ、反９等を生じず、しかも充分な接着力を有するとい
う効果かあ、り、′！！：たその製造においてはフィラ
ーやガラス繊維等の異物混入を不要としかつ直接コート
できるという効果を奏する。
第１図はポリイミドフィルムの成分比率と線膨張係数と
の関係を示す特性図、第２図は導体と絶縁材との線膨張
係数差とフレキシブルプリント板の湾曲度との関係を示
す特性図である。 代理人 弁理士 高橋明夫（ ＸＩＯ−５治１０
の関係を示す特性図、第２図は導体と絶縁材との線膨張
係数差とフレキシブルプリント板の湾曲度との関係を示
す特性図である。 代理人 弁理士 高橋明夫（ ＸＩＯ−５治１０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導体と絶縁材からなシ、該絶縁材は有機材料のみか
らなり、シかも前記導体との線膨張係数の差が１．５
Ｘ １０−’Ｃ−１以下であることを特徴とするフレキ
シブルプリント基板。 ２、特許請求の範囲第１項記載において、前記絶縁材は
次式の単位構造 （式中、Ｒ１は から選ばれる）を有するイミド化合物でおることを特徴
とする７レキシプルプリント基板。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載において、
前記絶縁材は次式の単位構造 を有するイミド化合物であることを特徴とするフレキシ
ブルプリント基板。 ４、導体に該導体との線膨張係数の差が１．５×１Ｏ−
５Ｃ−１以下となる有機絶縁材をそのまま若しくは前駆
体の形で前記導体上に直接塗布し硬化することを特徴と
するフレキシブルプリント基板の製造方法。 ５、特許請求の範囲第４項記載において、前記硬化工程
における最高硬化温度が絶縁基材のガラス転移温度以上
であることを特徴とするフレキシブルプリント基板の製
造方法。 ６、％許請求の範囲第４項または第５項記載において、
前記絶縁材は次式の単位構造 （式中、Ｒ１は を有するイミド化合物でおることを特徴とするフレキシ
ブルプリント基板の構造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1184384A JPS60157286A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
| JP1592392A JPH0563322A (ja) | 1984-01-27 | 1992-01-31 | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1184384A JPS60157286A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1592392A Division JPH0563322A (ja) | 1984-01-27 | 1992-01-31 | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157286A true JPS60157286A (ja) | 1985-08-17 |
| JPH0317235B2 JPH0317235B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=11789002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1184384A Granted JPS60157286A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157286A (ja) |
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- 1984-01-27 JP JP1184384A patent/JPS60157286A/ja active Granted
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