JPS6384188A - フレキシブルプリント基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、温度変化に対しカール、ねじれ、反り等がな
く、かつ、耐折り曲げ性、耐熱性、寸法安定性、接着性
等の優れたフレキシブルプリント基板の製造方法に関す
る。

（従来の技術） 従来、フレキシブルプリント基板は、−１１Ｑに導体と
有機ポリマーの絶縁材を接着剤を介して接着していた。

しかしこの際、熱圧着等の熱履歴を加えると、冷間時に
基板のカール、ねじれ、反り等を生じ、その後の導体パ
ターニング等が不可能となる欠点があった。また、接着
層のため難燃性が低下する傾向におった。

これらの問題の解決方法として、導体上に直接有機ポリ
マー溶液を塗付し、接着剤なしでフレキシブルプリント
基板を製造する方法が種々提案されている。しかし、こ
れらの方法でも、一般に冷間時に導体と有機ポリマーの
線膨張係数の差によりカールする問題がおった。特開昭
５６−２３．７９１号等においては、ポリアミドイミド
溶液を金属箔に塗付し、乾燥後、線膨張係数の差により
生じたカールを後工程で熱処理により緩和する手法が提
案されているが、手数がかかり生産性が悪いという欠点
を有していた。また、特開昭６０−２４３．１２０Ｑ等
においては、特定構造を有するポリイミドあるいはポリ
イミド前駆体溶液を導体上に塗付し、低熱膨張の樹脂を
得、カールの少ないフレキシブルプリント基板を得る方
法が提案されているが、ｊｑられる樹脂フィルムの物性
、特に耐折り曲げ性が低いこと及びフレキシブルプリン
ト基板としてハンダに浸漬する際に、熱収縮率が大きい
という問題を有していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、特定の構造を有するポリアミドイミド
前駆体溶液を導体上に塗付し、イミド化することにより
、その絶縁材の線膨張係数を導体のそれに近づけ、導体
と絶縁材に熱履歴をカロえてもカール、ねじれ、反り等
がなく、かつ、良好な耐折り曲げ性、熱収縮率をもつ工
業的に有用なフレキシブルプリント基板の製造方法を提
供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者は、上記のような問題点を解決するための研究
を行ない、特定の構造を有するポリアミドイミド前駆体
樹脂溶液を導体上に塗付し、イミド化すればその絶縁材
の線膨張係数を低下でき、かつ、良好な耐折り曲げ性お
よび熱収縮率を有するフレキシブルプリント基板が得ら
れることを見出し、本発明を完成した。

本発明は、少なくとも導体と絶縁材を包含するフレキシ
ブルプリント基板の製造方法において、下記一般式（Ｉ
） （式中Ａｒ１は式 で示される基（ここで、Ｒ１−Ｒ８は同−又は異なる低
級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲンを示し、
０１〜ｎ８はそれぞれＯ〜４の整数を示す）であり、Ａ
ｒ２は４価の芳香族基である。〕で表される構造単位を
有するポリアミドイミド前駆体化合物を含有する樹脂溶
液を導体上に塗付し、イミド化することによりフレキシ
ブルプリント基板を製造する方法でおる。

本発明の低熱膨張樹脂材料としては、一般式（１）で示
されるポリアミドイミド前駆体化合物を使用する。この
化合物は （但し、式中Ｒ１〜Ｒ８は同−又は異なる低級アルキル
基、低級アルコキシ基又はハロゲンを示し、０１〜ｎ８
はそれぞれＯ〜４の整数を示す。）と芳香族テトラカル
ボン酸二無水物とを主原料とし、これらを反応させて得
られる。

ジアミン成分に置換基として導入可能な低級アルキル基
及び低級アルコキシ基は好ましくは炭素数１０未満のも
のであり、１０以上であると低熱膨張化が困難である。

ジアミン成分として、好ましくは４，４°−ジアミノベ
ンズアニリド、４，３°−ジアミノベンズアニリド、３
．４−ジアミノベンズアニリド及びそれらの置換誘導体
である。置換基はメチル基、エチル基、プロピル基、メ
トキシ基、エトキシ基、フッ素、塩素、臭素等が好まし
い。

この様なジアミン化合物を２種以上同時に使用しても差
し支えない。

芳香族テトラカルボン酸二無水物とは、（但し、式中＾
ｒは４価の芳香族基である。）で表されるものであり、
ピロメリット酸二無水物、３゜３°、４，４−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、３．３°、４，４°−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３°、４
，４°−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物
を挙げることができる。低熱膨張化効果としては、ピロ
メリット酸二無水物が好薫゛しいが、２種以上のテトラ
カルボン酸二無水物を物性の向上や接着性の向上等を目
的として使用してもよい。

重合反応はＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ
、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ＞　、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド（ＤＭＡＣ＞、ジメチルスルフオキ
シド（ＤＭＳＯ）　、硫酸ジフェルスルホン、ブチロラ
クトン、クレゾール、ハロゲン化フェノール、ダイグラ
イム等の溶媒中で０〜２００℃の範囲で行なわれるが、
重合反応中、イミド化反応が進行すると、本発明の低熱
膨張化効果は得にくいため、Ｏ〜１００″Ｃの範囲で行
なわれるのが好ましい。

本発明においては、一般式ＣＩ）で示されるポリアミド
イミド前駆体化合物を含有する樹脂溶液を導体上に塗付
するが、そのポリアミドイミド前駆体の構成単位が５０
モル％以上含まれることが好ましい。５０モル％未満で
あれば、低熱膨張化効果が少なく、カールの少ないフレ
キシブルプリント基板を得るのは困難である。特に好ま
しくは、６０モル％以上である。

その他の構成単位については、種々のジアミン、テトラ
カルボン酸化合物を用いて、コポリマゼーションあるい
は別途合成したポリイミド又はその前駆体及びポリアミ
ドイミド等をブレンドすることができる。

具体的に例を挙げると、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−
フェニレンジアミン、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル、４，４“−ジアミノジフェニルメタン、３．３
゛−ジメチル−４，４°−ジアミノジフェニルメタン、
２．２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
）プロパン、１．２−ビス（アニリノ）エタン、ジアミ
ノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルスルフィド
、ジアミノベンゾエート、２．２−ビス（ｐ−アミノフ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（叶アミノフェニル）
へキサフルオロプロパン、１，５−ジアミノナフタレン
、ジアミノトルエン、ジアミノベンシトリフルオライド
、１，４−ビス（叶アミノフェノキシ）ベンゼン、４，
４°−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、ジア
ミノアントラキノン、４，４゛−ビス（３−アミノフェ
ノキシフェニル）ジフェニルスルホン、１，３−ビス（
アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１．４−ビス（ア
ニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビス（アニリ
ノ）デカフルオロペンクン、１，７−ビス（アニリノ）
テトラデカフルオロへブタン、一般式 （但し、式中ＲＩＯ及びＲ１２は２価の有機基であり、
Ｒ９及びＲ１１は１価の有１１であり、ｐ及びｑは１よ
り大きい整数である。）で示されるジアミノシロキサン
、２．２−ビス〔４−（叶アミノフェノキシ）フェニル
）へキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル）へキサフルオロプロパン
、２，２−ビス（４−（２−アミノフェノキシ）フェニ
ル）へキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル）へ
キサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）−３，５−ジトリフルオロメチルフェニ
ル）へキサフルオロプロパン、ｐ−ビス（４−アミノ−
２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、４，４
°−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノ
キシ）ビフェニル、４，４°−ビス（４−アミノ−３−
トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４°
−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキ
シ）ジフェニルスルホン、４゜４°−ビス（３−アミノ
−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスル
ホン、２，２−ビス（４−（４−アミノ−３−トリフル
オロメチルフェノキシ）フェニル）へキサフルオロプロ
パン、ベンジジン、３゜３°、５，５°−テトラメチル
ベンジジン、オクタフルオロベンジジン、３，３°−メ
トキシベンジジン、〇−トリジン、ｍ−トリジン、２，
２°、５．５’、６，６°−へキサフルオロトリジン、
４，４°′−ジアミノターフェニル、４．４°“°−ジ
アミノクォーターフェニル等のジアミン類、並びにこれ
らジアミンとホスゲン等の反応によって得られるジイソ
シアネート類がある。また、テトラカルボン酸並びにそ
の誘導体としては、次の様なものが挙げられる。ここで
はテトラカルボン酸として例示するが、これらのエステ
、ル化物、酸無水物、酸塩化物ももちろん使用できる。

２，３゜３゛、４“−ジフェニルエーテルテトラカルポ
ン３、３’，４°−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、
２，３。

６、７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５．７
−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５．８−ナフ
タレンテトラカルボン酸、３．３’．４．４°−ジフェ
ニルメタンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３．４−
ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）へキサフルオロプロパン、
３，４，９．１０−テトラカルボキシペリレン、２，２
−ビス（４−　（３．４−ジカルボキシフェノキシ）フ
ェニル）プロパン、２、２−ビス（４〜（３，４−ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル）へキサフルオロプロパ
ン、ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカ
ルボン酸等がある。また、トリメリット酸及びその誘導
体も挙げられる。

また、反応性官能基を有する化合物で変性し、架橋構造
やラダー構造を導入することもできる。

例えば、次のような方法がある。

（ｉ）　　一般式 （但し、式中Ｒ１３は２＋Ｘ価の芳香族性は基であり、
ＺはＮｌ−４２基、ＣＯＮＦ１２基、Ｓ０２Ｎ目２基か
ら選ばれた基であってアミノ基に対してオルト位であり
、Ｘは１又は２である。〉で表される化合物で変性する
ことによって、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジ
オン環等を導入する。

（ｉ：）重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、
ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘
導体で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽
和化合物としては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒ
ドロフタル酸、エチルアニリン等が使用できる。

（ｉｉｉ）フェノール性水酸基あるいはカルボン酸を有
する芳香族アミンで変性し、この水酸基又はカルボキシ
ル基と反応し１７る橋かけ剤を用いて網目構造を形成す
る。

前記各成分を用いて変性することにより、線膨張係数を
調整することができる。即ら、一般式（Ｉ）の構造のみ
からなるポリアミドイミド前駆体より得られるフレキシ
ブルプリント基板は、面内に１　Ｘ　１０’に一１以下
の線膨張係数を有する絶縁体を形成可能であるが、これ
に前記各成分により変性することにより、線膨張係数を
任意に大きくすることができる。

本発明における無接着剤のフレキシブルプリント基板を
得るには、一般式（Ｉ）に示されるようなポリアミドイ
ミド前駆体の形で導体上に塗付することが必要である。

通常のポリアミドイミド溶液を塗付しても低熱膨張の絶
縁体は得られない。

塗付方法は任意の方法をとることが可能である。

本発明においては、任意に溶媒乾燥温度、イミド化温度
を選択可能である。イミド化温度は通常２００℃以上で
、好ましくは最高温度がガラス転移温度以上でおる。ガ
ラス転移温度以上に上げることにより、絶縁体中に発生
する歪を緩和でき、導体をエツチングする際に発生する
導体側へのカールを少なくすることができる。

本発明における導体として用いられるものには銅、アル
ミニウム、鉄、金、銀、パラジウム、ニッケル、クロム
、モリブデン又はそれらの合金が挙げられる。好ましく
は銅であり、電解銅箔が価格の点で更に好ましい。

一般に、電解銅箔は圧延銅箔に比ベカールが少ないもの
を得難いが、本発明によれば電解銅箔でもカールがない
ものを得ることが可能である。

サイディング、ニッケルメッキ、又はアルミニウムアル
コラード、アルミニウムキレート、シランカップリング
剤等によって化学的、機械的表面処理をしてもよい。ま
た、予め任意の接着層を形成した導体上に本発明による
絶縁層を設けても差し支えない。

本発明において、より熱膨張係数を下げたり、弾性率を
上げたり、流動性をコントロールしたり、又は、低コス
ト化するために、無機質、有機質又は金属等の粉末、繊
維、チョツプドストランド等を混合して使用することも
できる。

〔作用〕

本発明におけるポリアミドイミド化合物がなぜ低熱膨張
化できるかは確かではないが、本発明のポリアミドイミ
ド前駆体はその溶媒乾燥時あるいはイミド化時に、導体
上で面内に強く配向結晶化して低熱膨張化を実現してい
るものと推定される。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例、合成例及び比較例により具体的
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。

線膨張係数は、イミド化反応が十分終了した試料を使用
し、サーモメカニカルアナライザー（以下ＴＭＡと略す
る。）を用いて行ない、２５０℃に昇温後１０℃／分の
速度で冷却して２４０℃から１００℃までの平均の線膨
張率を算出した。

耐折り曲げ試験は、幅１０ｍ及び厚さ約２５μｍの試料
を使用し、東洋精機製作新製のＭＩＴ耐揉耐力疲労試験
機り測定した。

また、熱収縮率は、幅１０ｍ及び長さ２００ｍの試料を
２６０℃のハンダ浴に１０秒間浸漬後、長さの変化によ
り算出した。

なお、各実施例における略号は次の通りである。

ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物 ＢＰＤＡ：３，３°、４，４°−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物 ＢＴＤＡ：３，３°、４，４°−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 ＤＤＥ：４，４°−ジアミノジフェニルエーテル０−Ｔ
ＬＤＮ：Ｏ−トリジン Ｑ ＤＭＡＣニジメチルアセトアミド ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン 実施例１ 温度計、塩化カルシウム管、攪拌棒及び窒素吸込口を取
付けた３００ｄの４つロフラスコに毎分２００ｍ１の窒
素を流しながら、０．０８５モルのＤＡＢＡ、０．０１
５モルのＤＤＥ及び１７０ｍ１のＤＭＡＣを加えて攪拌
した。ＤＡＢＡは溶解できなかった。この溶液を水冷浴
中で１０’Ｃ以下に冷却しながら０．１モルのＰＭＤＡ
を徐々に加えたところ、ＤＡＢＡは徐々に溶解しながら
重合反応し、粘稠なポリアミック酸（ポリアミドイミド
前駆体）を得た。

アプリケータを用いてアルミ板上に固定した厚さ１８μ
の電解銅箔上にフィルム厚みが約２５μ■になるように
この溶液をコーティングし、１５０′Ｃの強制通風炉中
に１０分間放置し予備乾燥を行ない、次いで３３０’Ｃ
の循環式熱風オーブン中に１５分間放置した。得られた
フレキシブル銅張板は銅を内側に曲率半径２０ｓ程度の
逆カールを示した。この程度のカールは実用上差し支え
ない。

この銅張板を塩化第二鉄溶液でエツチングしてポリアミ
ドイミドフィルムを得、線膨張係数を測定したところ１
　ｘ　１０−６（Ｋ−’）であった。耐折り曲げ性は１
万５千回で、使用に差し支えない。

実施例２ 実施例１と同様に０．０７５モルのＤＡＢＡ、０．０２
５モルのＤＤＥ及び０．１モルのＰＭＤＡを１７０ｍ１
のＤＭＡＣ中で重合反応を行ない、フレキシブル銅張板
を作製した。僅かな逆カールを示していた。エツチング
したところ銅と接触していた面を内側に曲率半径１０ｓ
程度のカールをしたポリアミドイミドフィルムを得た。

その線膨張係数を測定したところ３Ｘ１０−６（Ｋ”）
であった。このフィルムの耐折り曲げ性は２万回以上で
あり、熱収縮率は０．１％未満であった・また、この重
合溶液をガラス板上にフィルム厚みが約２５μｍになる
ようにアプリケータを用いてコーティングし、１５０℃
の強制通風炉中に１０分間放置し予備乾燥を行ない、フ
ィルムを剥がした後３３０　’Ｃの循環式熱風オーブン
中に１５分間無張力の状態で放置した。熱膨張係数を測
定したところ１６Ｘ　１０’　（Ｋ”１）であった。

実施例３ 実施例１と同様に、０．０５５モルのＤＡＢＡ。

０．０４５モルのＤＤＥ及び０．１モルのＰＭＤＡを１
７０ｍ１のＤＭＡＣ中で重合反応を行ない、フレキシブ
ル銅張板を作製した。得られたフレキシブル銅張板はフ
ィルムを内側に曲率半径２０Ｍの正カールを示していた
。この程度のカールは使用に差し支えない。エツチング
してポリアミドイミドフィルムを得、線膨張係数を測定
したところ１０ｘ　’Ｉ　Ｏ’　（Ｋ−１＞でおった。

このフィルムの耐折り曲げ性は２万回以上でおり、熱収
縮率は０゜１％未満でおった。

実施例４ 実施例１と同様に、０．１モルのＤＡＢＡＳｏ。

０８モルのＰＭＤＡ及び０．０２モルのＢＴＤＡを１７
０ｄのＤＭＡＣ中で重合を行ない、フレキシブル銅張板
を作製した。得られたフレキシブル銅張板はほぼ平らで
あった。エツチングしてポリアミドイミドフィルムを得
、線膨張係数を測定したところ６ｘ　１０’　（Ｋ−１
＞であった。このフィルムの耐折り曲げ性は２万回以上
で必り、熱収縮率は０．１％未満でおった。

実施例５ 実施例１と同様に、０．１モルのＤＡＢＡ、０゜１モル
のＢＰＤＡを１７０ｍ１のＤＭＡＣ中で重合反応を行な
い、フレキシブル銅張板を作製したところ曲率半径１５
ＩｒＲの正カールを示した。エツチングしてポリアミド
イミドフィルムを得、線膨張係数を測定したところ１２
ｘ　１０−６（Ｋ−１＞でおり、熱収縮率は０．１５％
であった。耐折り曲げ性は１万２千回であり、使用に差
し支えない。

実施例６ 実施例１と同様に、０．０７モルのＭＤＡＢＡ、０．０
３モルのＤＤＥ及び０．１モルのＰＭＤＡを１７０ｍ１
のＤＭＡＣ中で重合反応を行ない、フレキシブル銅張板
を作製したところほぼ平らで、そのフィルムは８Ｘ１０
−６（Ｋ’）の線膨張係数を有し、０．１％未満の熱収
縮率及び２万回以上の耐折り曲げ性を示した。

実施例７ 実施例１と同様に、０．０６５モルのＢＡＴＡ、０．０
３５モルのＤＤＥ及び０．１モルのＰＭＤＡを１７０ｒ
ｎ１のＤＭＡＣ中で重合反応を行ない、フレキシブル銅
張板を作製したところほぼ平らで、そのフィルムは８Ｘ
１０’（Ｋ−１＞の線膨張係数を有し、０．１％未満の
熱収縮率及び２万回以上の耐折り曲げ性を示した。

実施例８ 実施例１と同様に、０．０６５モルのＢＡＰＡ、０．０
３５モルのＤＤＥ及び０．１モルのＰＭＤＡを１７０ｒ
ｎ１のＤＭＡＣ中で重合反応を行ない、フレキシブル銅
張板を作製したところほぼ平らで、そのフィルムは９　
ｘ　１０’　（Ｋ−１＞の線膨張係数を有し、０．１％
未満の熱収縮率及び２万回以上の耐折り曲げ性を示した
。

実施例９ ０．１モルの３，４°−ジアミノベンズアニリド及び０
．１モルのＰＭＤＡを１７０ｍ１のＤＭＡｃ中で実施例
１と同様に重合反応を行ない、フレキシブル銅張板を作
製したところほぼ平らであった。

エツチングして線膨張係数を測定したところ５×１０’
（Ｋ−１＞であり、熱収縮率は０．１％以下であった。

耐折り曲げ性は２万回以上であった。

実施例１０ 実施例２のフレキシブル銅張板の作製において、４００
℃の循環式熱風オーブン中で１５分間放置してイミド化
反応を行ない、その銅張板をエツチングしたところ、そ
のフィルムは銅と接近していた面を内側に僅かにカール
しただけであった。

比較例１ 実施例１と同様に、０．１モルのＤＤＥ及び０００９８
モルのＰＭＤＡを’１７０威のＤＭＡＣ中で重合反応を
行ない、フレキシブル銅張板を作製したところ曲率半径
５ｓ程度の強い正カールを示した。エツチング後そのフ
ィルムの線膨張係数を測定したところ２７ｘ１０−６（
Ｋ−１＞であり、熱収縮率は０．１％未満で、耐折り曲
げ性は２万回以上であった。

比較例２ 実施例１と同様に、０．１モルのＯ−Ｔ　Ｌ　Ｄ　Ｎ及
び０．１モルのＰＭＤＡを１７０ｄのＤＭＡＣ中で重合
反応を行ない、フレキシブル銅張板を作製したところ、
曲率半径１０℃程度の強い正カールを示した。エツチン
グ後、そのフィルムの線膨張係数を測定したところ、２
０ｘ　１０−６（Ｋ−１）であり、熱収縮率は０．５％
と大きく、耐折り曲げ性は２００回と脆いフィルムであ
だ。

比較例３ 実施例２で得らえた重合溶液の１部に、ポリマー当り２
倍モルのピリジン及び２倍モルの無水酢酸を加え、５０
℃で５時間加熱してイミド化反応を行なった。重合溶液
はゴム状に固まり、銅箔に均一にコーティングすること
は困難であった。

比較例４ 無水トリメリット酸と４，４°−ジアミノジフェニルメ
タンから合成された市販のポリアミドイミドワニス（固
形分：３０重量％、溶媒：　ＮＭＰ＞をアルミ板上に固
定した厚さ１８μの電解銅箔上にフィルム厚みが約２５
μ而になる様にアプリケータを用いコーティングし、１
８０℃の強制通風炉中に１０分間放置して予備乾燥を行
ない、次いで３３０℃の循環式熱風オーブン中に１５分
間放置した。得られたフレキシブル銅張板はフィルムを
内側に曲率半径５ｓ程度の強い正カールを示した。

線膨張係数は３５　Ｘ　１０−６（Ｋ−１＞であった。

上記各実施例及び各比較例の結果を第１表に示す。

〔発明の効果〕

本発明によるフレキシブルプリント基板は、カールが少
なく、かつ、耐折り曲げ性及び熱収縮率に優れたもので
あり、製造方法として直接コートでき、また、カールを
除くための熱処理が不要でおるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ＰＭＤＡとＤＡＢＡ／ＤＤＥの共重合による
線膨張係数の関係を示すグラフである。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも導体と絶縁材を包含するフレキシブル
   プリント基板の製造方法において、下記一般式〔Ｉ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼　〔Ｉ〕 〔式中Ａｒ＿１は式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＿６）＿ｎ＿６（Ｒ＿７）＿ｎ＿７（Ｒ＿８）＿ｎ
   ＿８で示される基（ここで、Ｒ＿１〜Ｒ＿８は同一又は
   異なる低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン
   を示し、ｎ＿１〜ｎ＿８はそれぞれ０〜４の整数を示す
   ）であり、Ａｒ＿２は４価の芳香族基である。〕で表さ
   れる構造単位を有するポリアミドイミド前駆体化合物を
   含有する樹脂溶液を導体上に塗付してイミド化すること
   を特徴とするフレキシブルプリント基板の製造方法。
2. （２）導体とポリアミドイミドからなる絶縁材とのみか
   らなる特許請求の範囲第１項記載のフレキシブルプリン
   ト基板の製造方法。
3. （３）導体が電解銅箔である特許請求の範囲第１項又は
   第２項記載のフレキシブルプリント基板の製造方法。
4. （４）イミド化工程における最高温度が絶縁材のガラス
   転移温度以上である特許請求の範囲第１項ないし第３項
   のいずれかに記載のフレキシブルプリント基板の製造方
   法。