JPS62184025A - 低熱膨張ポリイミドおよびそれを用いた電気的装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は付加硬化型ポリイミドを硬化して成る低熱膨張
ポリイミドおよびそれを用いた電気絶縁層を有する電気
的装置に関する。

〔ｄ来の技術〕

有機ポリマーの熱膨張係数（線膨張係数）は、ガラス転
移温度以下の温度領域において、殆んどのものが４　Ｘ
　Ｉ　Ｏ−８に″″１１以上属や無機物（Ｓｉ：０．８
ＸＩＯ−δに−”、Ａｌｌ：２Ｘ１０″″ＡＫ−”、Ｃ
ｕ：１．８Ｘ１０″″５Ｋ一’、　Ａ　ｇ　：　２．Ｑ
　Ｘ１０″″ＢＫ−１に比べてはるかに大きな値を示す
。そのため、これらと有機ポリマーとを一体化すると、
熱膨張係数の差によって熱応力が生じ、変形、クラック
、剥離や破壊などが起こる。例えば、ＬＳＩやＩＣの保
！！！膜としてシリコンウェハ上にコート膜を形成する
と、ウェハがそって、パターニングのためのフォトリソ
グラフィーが出来なかったり。

あるいは解像度が極めて悪くなるといった問題や。

熱応力が大きい場合、配線保！ＩＨＩＣ３としてそのパ
ッシベーション膜を剥離したり、シリコンウェハ自体に
襞間を起こさせることもあった。このため特開昭６０−
３２８２７号公報等で示されるように金属や無機物と同
等の極めて小さな熱膨張係数を有する縮重合型ポリイミ
ドが提案されている。

又、特開昭５６−９０８３４号公報等で示されるように
硬化の際、水等の低分子揮発性成分の発生が無いため、
ＭＯ５型ＬＳＩの高密度化、高機能化に対応する三次元
回路素子において、微細パターンを描くため半導体素子
基板表面にある凹凸を平坦化する場合、基板表面に膨れ
等が生じ難い付加重合型ポリイミドの使用が提案されて
いる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記縮重合型ポリイミドは、熱膨−張係数は小さいが、
硬化時水等の低分子揮発性成分を発生し、基板表面に膨
れ等ができ、平坦化に適用し難い問題があった。また、
上記付加重合型ポリイミドは。

熱膨張係数が４　Ｘ　１０−５Ｋ−１と大きいため無機
物（セラミック０．３　Ｘ　１０−ｔ′に７”等）や金
属（アルミニウム２　Ｘ　１０”−ＩＩＫ−工、銅１．
８Ｘ１０−″ＢＫ″″１等）との熱膨張係数の差によっ
て熱応力が生じ。

変形、クラック、剥離や破壊等が生じる問題があった。

コンピュータを始めとする産業用￥Ｉｉ層板は高密度化
、高集積化の傾向にある。これに伴ない、耐熱性の優れ
た高寸法安定性、スルホール信頼性の良好な付加重合型
ポリマーの開発が要求されている。従来、特公昭４６−
２３２５０号公報等で示されるアミノビスマレイミド系
材料や特開昭５６−２９９０９号公報等で提案されたエ
ポキシ変性レジン等が使用されていた。しかし、これら
付加重合型ポリマーの熱膨張係数が４　Ｘ　１０−５Ｋ
″″五以上と大きいため、熱膨張あるいは熱収縮による
位置ずれ、あるいは低熱膨張性の無機繊維や銅等の金属
との熱膨張係数の差によって熱応力が生じ、変形、クラ
ック、剥離や破壊を生じるといった問題があった。

本発明の目的は、上記問題点を解決し得る付加硬化型低
熱膨張ポリイミドおよびそれを用いた電気的装置を提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、付加硬化型低熱膨張ポリマを開発すること
により、達成される。

付加硬化型耐熱材料は特公昭４４−２０６２５号公報等
に示されるビスマレイミドを始め、膨大な数が泰知であ
るが、その構造と熱膨張率との関連を系統的に検討した
例は見当らない０本発明者らはこのような事情に鑑み、
先ず付加硬化型耐熱材料。

特に付加硬化型ポリイミドについて多くの合成実験を試
み、原料成分と熱膨張係数との関係を詳細に検討した。

その結果、特定の付加硬化型ポリイミドが熱膨張係数が
小さいことを見い出した。

本発明の第１の発明は、付加硬化型ポリイミドを硬化し
て成る熱膨張係数が３×１０″″６に″″１１以下る低
熱膨張ポリイミドであり、特に付加硬化型ポリイミドが
ビスマレイミドであって一般式がから選ばれ、Ａｒ２−
は から選ばれ、−Ｒ１，−Ｒ１，−Ｒ８は−Ｈ１低級アル
央ル基、アリール基フ）１ら選ばれる）あるいは−Ｒ’
、−Ｒ１１，−Ｒ’、−Ｒ’、−Ｒ’、−Ｒ・。

＋　ＲＩＤ、　−Ｒ五１．−Ｒ”、は−Ｈ１低級アルキ
ル基、アラルキル基、アリール基ｅ　−Ｒ”は−Ｈ１低
級アルキル基、アリール基から選ばれる）であることを
特徴とする。

本発明の第２の発明は、付加硬化型ポリイミドを硬化し
て成る熱膨張係数が３×１０″″Ｂ　Ｋ−１以下である
低熱膨張ポリイミドを電気絶縁材として用いたことを特
徴とする電気的装置であり、特に付加硬化型ポリイミド
がビスマレイミドであって一般式が から選ばれ、Ａｒ！Ｌは から選ばれ、　Ｒ１，−ＲｆＬ、　　Ｒ８は−Ｈ９低級
アルキル基、アリール基から選ばれる）あるいは■ −Ｒ’、　　−Ｒ’ｌ−Ｒ’、−Ｒフ＋　　　　Ｒ”ｔ
　　　Ｒ−Ｒｌｏ、−Ｒ”、−Ｒ”、は−Ｈ，低級アル
キル基、アラルキル基、アリール基、−Ｒ１’は−ＩＩ
、低級アルキル基、アリール基から選ばれる）である低
熱膨張ポリイミドを用いた電気的装置にある。

本発明に用いられる付加硬化型ポリイミドは、ワニスと
して（１）半導体用絶縁薄膜、（２）銅張積層板、（３
）フレキシブルプリン１〜基板。

（４）太陽電池用基板、（５）高密度モジュール基板、
（６）液晶・ＦＡＸヘッド用断用膜熱膜７）磁気テープ
・磁気ディスク用基板、（８）液晶用配向膜、（９）コ
イルの絶縁等に適用でき、極めて有用である。又、成形
材料、半導体モールド材料、摺動材料、ＦＲＰなどにも
有用である。更に、フィルムとしてフロッピーディスク
、フレキシブルプリント基板、ＩＣキャリヤフィルなど
にも適用できる。

次に第１図ないし第６図により具体的に説明する。第１
図は、ＬＳＩの多層配線部の断面を示す。

１はシリコンウェハ、２は熱酸化膿、３はＡＱ配線、４
は本発明の低熱膨張ポリイミド膜からなる絶縁膜、５は
無機質の保護膜である。上記低熱膨張ポリイミド膜４は
平坦な配線構造を形成できると言う有機材料の特長を維
持し、しかも低熱膨張の故に、防湿膜としてすぐれた５
ｉＯａ膜のような低熱膨張係数を有する無機保護［５を
該ポリイミド膜４の上に形成することが可能であり、そ
れによって、熱膨張係数の差による熱応力によってクラ
ックあるいは剥離が生じ、耐湿保護の効果が損われるよ
うなことは全くない、従来のＬＳＩは上記無機保護膜５
を付与することができず、より高度の耐湿信頼性を必要
とするＬＳＩが得られなかった。

第２図は、α線遮蔽膜を有するメモリ素子の断面図を示
したものである。６は配線層、７はリード線を示す、α
線遮蔽膜４として本発明の低熱膨張ポリイミドを用いる
と、シリコンウェハ１や配線層６との熱膨張係数の差が
小さいため、従来のポリマーを用いたときに問題であっ
た熱応力によるクラックや剥離が発生せず、ウェハが湾
曲してフォトレジストのパターニングにおける解像度の
低下などの問題が起こらない。

第３図に、磁気ディスクの断面を示す。８はスパッタリ
ングなどで形成した磁性薄膜、９は保護膜である０本発
明の低熱膨張のポリイミド４の採用により、温度変動に
よる歪の発生、記録した信号の乱れまたは熱応力による
磁性薄１１１１８や保護膜にクラックを生じる問題がな
くなった。

第４図は、アルミナ基板に形成した高密度配線基板を用
いたマルチチップモジュールの一部を分解した斜視図を
示したものである。１０はアルミナ基板、１１はリード
ビン、１２はフェイスダウンボンディングで形成したＬ
ＳＩ、１３はボンディング用半田ボール、１４はディス
クリートワイヤである。熱膨張係数が大きいポリマーを
層間絶縁膜に使用すると、１０μｍ厚いものを２０層程
度重ねたところで、熱応力による絶縁１１！４の内部の
クラック、配Ｍ３の断線、基板１０の湾曲、クラック、
剥離が起こる。この絶縁層４に本発明の低熱膨張ポリイ
ミドの採用によって、３０層に多層積層しても異常のな
い配線基板を得ることが可能になった。

第５図に、ＬＳＩ搭載金属板ベースのプリント配線板の
断面図を示す。１５は金属基板、１６はフィルムキャリ
ヤ方式で製造したＬＳＩチップ、１７は低熱膨張ポリイ
ミドを用いたキャリヤフィルム、１８は端子である。低
熱膨張ポリイミドをキャリヤフィルム１７として採用し
たために高精度高密度のＬＳ１１６が得られ、またボン
ディング用半田ボール１３にかかる応力の大幅な減少に
より疲労破断の問題が低減した。また、金属基板１５上
に形成した配線部３の絶縁膜４に、本発明の低熱膨張ポ
リイミドを採用することによって、湾曲のないプリント
配線基板が得られ、そのため高精度高密度実装が可能に
な、る。

第６図は、リード線ボンディング方式で実装した金属基
板モジュールを示したものである。１９がリード線ボン
ディング方式のＬＳＩチップである。

また、特に図面を示さないが、次のような用途にも有用
である。無溶剤型エポキシ含浸ワニスで固嬉したフィル
ム絶縁コイルのフィルム材に採用した場合、銅やアルミ
ニウム等のコイル材と絶縁層との熱膨張係数の差が小さ
いために絶縁層のクラック、はくり、及びこれらに伴な
う絶縁抵抗や絶縁破壊電圧の低下がなくなった。

サブミクロンオーダーの微細加工技術として。

Ｘ線リソグラフィーが注目されている。Ｘ線すソグラフ
ィーＯマスク用基材としてシリカフィルムやポリイミド
フィルムが用いられているが、これを低熱膨張ポリイミ
ドに置換えると、シリカフィルムの機械的な脆性と、従
来のポリイミドの寸法安定性の問題が一挙に解決できる
。

アモルファスシリコンを用いた太陽電池の基板として、
低熱膨張のポリイミド薄膜をコートしたステンレス等の
金属箔が使用すると、従来のポリイミドを用いた場合に
比べ、アモルファスシリコン薄膜のクラックの発生が著
しく減少する。

フレキシブルプリント基板用フィルムとして低°熱膨張
ポリイミドを採用した場合、金属配線材との線膨張係数
が小さいため、従来のポリイミドを用いたときのように
カールすることが全くない平坦なフレキシブルプリント
基板が得られる。また。

このような問題がないため、金属箔上に直接ワニスを塗
布するという製造方法が採用できる。このため従来のよ
うな、接着剤で金属箔とあらかじめ作製したフィルムを
貼り合わせる方法に比べて工程が半減し、かつ低温硬化
の接着剤による耐熱性の大幅な低下も免れる。また、こ
のフレキシブルプリント基板は、熱膨張係数が小さいた
め、多層配線基板としご使用する場合、各層のずれが極
めて小さく、高密度実装が可能になる。

本発明の低熱膨張材を繊維強化積層板のマトリックスレ
ジンとして使用する場合、繊維補強による沿層方向の熱
膨張係数だけでなく、それと直角の貫層方向の熱膨張係
数も小さく出来る。また、繊維材との熱膨張係数の差が
小さいため１局所的な熱応力がなく、ヒートショックな
どによる界面はくすなどの問題が起こらない。

成形材料として使用する場合、ｊｌめ込み材料が金属や
セラミックスのとき、同様にクラック発生や埋め込み物
のクラックや変形の問題が起こらな覧１゜ また、本発明の低熱膨張材料は、粉末充填剤としても利
用出来る。すなわち、各種有機フェスや成形材料の低熱
膨張材や、流動性コントロール材として無機充填剤が用
いられている。これの代替として本発明の低熱膨張材を
利用すると、高純度化、接着性が良い、比重が小さいな
どのメリットがある。

本発明の低熱膨張材は、従来の高弾性低熱膨張の芳香族
ポリアミドに比較して、溶解性がはるかに優れているの
で、容易に紡糸が可能な繊維材として極めて有用である
。

また、接着剤として使用する場合、溶接剤の硬化後の熱
応力によって接着強度が低下すると言われているが、本
発明の低熱膨張材は、熱応力が極めて小さいので、この
点で非常に有利である。

〔作用〕

本発明の特定の付加硬化型ポリイミドは銅やアルミニウ
ム等の金属やセラミックあるいはガラス繊維のような無
機物と同等の極めて小さな熱膨張係数を有しているため
、一体化した場合熱膨張係数の差による熱応力の発生が
無く、変形、クラック、剥離や破壊も極めて少ない、又
、硬化は、揮発性成分を生じない付加硬化型で進行する
ため膨れも無く厚膜化が可能である。

なお、本発明の付加硬化型ポリイミドが低熱膨張性を示
すのは、恐らくバッキングが他のポリイミドより大きい
ためと推定される。

〔実施例〕

以下に実施例を示して本発明を更に詳細な説明する。

実施例１〜２６ 温度計、攪拌装置、還流冷却器及び窒素吹入口　　　　
゛を有する４つロフラスコに、第１表または第２表に示
す量のジアミン、およびＮ−メチル−２−ピロリドン（
ＮＭＰ）５００ｇを入れ、窒素気流下攪拌溶解した。次
いで、テトラカルボン酸無水物を添加し、室温付辺で約
５時間反応させた。その後、無水マレイン酸を添加し、
室温で約１時間攪拌己た０次いで、無水酢酸をＩＱ、及
び酢酸カリウムを２０ｇ添加し、良く攪拌した脱水閉環
させた。脱水閉環が進行しにくい場合には必要に応じ！
て、加熱した。

その後１反応液を水に投入し、生じたビスマレイミドの
沈殿を濾過、減圧乾燥した。

得、られたビスマレイミドを、２３０℃／１０ｍ１ｎ＋
２５０　℃／３０ｍ１ｎ＋２７０　℃／３０＋＋＋ｉｎ
＋３００℃／３０ｍ１ｎ加熱硬化した。得られた樹脂板
を３５０℃に加熱し、除冷して残留歪を解決したのち、
熱機械試験機（ＴＭＡ）を用い、５℃／■ｉｎの条件で
寸法変化を測定した。線膨張係数は、そのガラス転移点
以下の寸法変化証から求めた。なお、いずれもガラス転
移温度は３５０℃以上であった。

実施例２７〜３２．比較例１．２ 温度計、攪拌装置、還流冷却器及び窒素吹込口を有する
４つロフラスコに、第３表に示す量のジアミンおよびＮ
ＭＰ３００ｇを入れ、窒素気流下攪拌溶解した０次いで
、無水マレイン酸を添加し。

約１時間攪拌した。その後、無水酢酸３００ｇ、酢酸カ
リウム２０ｇを添加し、良く攪拌し脱水閉環させた。実
施例１と同様にして得られたビスマレイミドの線膨張係
数を求めた。なお、いずれもガラス転移温度は３５０℃
以上であった。

実施例３３．比較例３ 実施例１，３，７，１０．１４．２７で得たビスマレイ
ミドをそれぞれＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し
て固形分５０重量％のワニスとした。このワニスをアミ
ノシラン処理ガラスクロス（日東紡績社製０　、１　ｍ
ｍ厚）に含浸し、１３０〜１４０℃に３０〜６０分間加
熱、乾燥して樹脂含量４０〜５０重量％のプリプレグを
作製した。このプリプレグを５枚重ね、更に両側に３５
μｍ銅箔を重ね、１８０℃、圧力５０ｋｇ／ａｍ”、　
９０ｍ１ｎ、更に２２０℃／　１８０ｍ１ｎの条件で加
圧成形を行ない積層板を得た。特性を評価した結果は第
４表の通りである。なお、比較例として、アミノビスマ
レイミド系樹脂で作製した積層板の特性を示す。

第　　４　　表 ・半田耐熱性：積層板を１０１００Ｘ１５０に切断した
試料を半田浴（３５０℃）に浮べ、板にふくれが発生す
る時間（Ｓ）で評価。

・銅箔接着強さ：　Ｊ　Ｉ　Ｓ　　Ｃ６４８１に準じて
測定した引剥し強さくｋｇ／ｃｍ）　−銅箔とプリプレ
グ層間の接着性を示す。

・厚さ方向の線膨張係数：積層板（１０１１１１角）の
厚さ方向の寸法変化率を熱物理試験機で２℃／−１ｎの
昇温条件で測定し、５０℃から３００℃迄測定した値。

・最大位置ずれ：各層のパッドとスルホール間の位置ず
れの最大値（μｍ）。

実施例３４ 実施例３のマレイミドをＮＭＰの溶液（５０重量％）と
し、高さ０．９μｍ２幅５μｍのアルミパターンを有す
るシリコンウェハ上にスピンコーターにより回転姑布し
た。これを１００℃／ｌｈ＋２２０℃／１ｈ＋３５０℃
／ｌｈの熱処理を行って、膜厚２．６μｍの硬化樹脂膜
を形成した。

この！！！！膜表面の高低差は０．１μｍで極めて平坦
化能に優れていることが分かる。

又、そのシリコンウェハを３５０℃Ｈ１５０℃。

１００ｏｏの耐クラツク性テストをしても、外観上類ん
ど変化が悪かった。

比較例４ 付加重合型ポリイミドであるＴＨＨＲＭＩＤ６００（Ｇ
ｕｌｆ　０１１　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏｍｐａｎｙｌ
ｌｌｇ、重量平均分子量Ｍｗ　＝１．９ＸＩＯ”　、分
散度Ｍｗ／ＭＮ＝２．０、但し、ＭＮは数平均分子ｆａ
）１００ｇをＮＭＰｌｏｏｇ、メチルエチルケトン４０
０ｇ及びメタ　１ノ一ル４００ｇからなる混合溶剤に溶
解し、不溶分を濾別したのち、濾液をｎ−ヘキサン６０
０ｇ中に攪拌しながら滴下して低分子量成分を溶出除去
した。得られた沈殿をアセトン１００ｇに溶解し、不溶
分を濾別し、次いで濾液をｎ−ヘキサン４００ｇ中に注
いで沈殿させ、減圧乾燥した。得られた精製ポリマーは
Ｍｗ　；４−　ＯＸ　１０　”＋　Ｍｙ／ｉτ＝１．３
であり゛、分子量１０００以下及び分子量１００−００
以上の成分を含まなかった。この精製ポリマーをアセト
フェノンの溶液（′４０重量％）とし。

実施例３４と同様にして膜厚２μｍの硬化樹脂膜を形成
した。この塗膜表面の高低差は０．１μｍであった。し
かし、耐クラツク性テストでは１０（１）でクラックが
生じた。なお、得られた硬化樹脂膜の線膨張係数は４．
．２Ｘ１０″″ｊｌＫ−１であった。

比較例５ ｐ−ＰＤＡ４０．３１ｇをＮＭＰ８５０ｇ　に溶解し、
次いで２０℃の水浴中にフラスコを浸漬し、発熱を抑制
しながらＢＰＤＡ１０９．７ｇ　　を投入した、ＢＰＤ
Ａが溶解した後、水浴をはずし、室温付近で約５時間反
応を続け、ポリアミド酸ワニスを得た。このワニスを用
い、高さ０．９μｍ。

幅５μｍのアルミパターンを有するシリコンウェハ上に
スピンコーターにより回転塗布した。これを１００℃／
１ｈ＋２００℃／１ｈ＋３００℃／１ｈ＋４００℃／ｌ
ｈの熱処理を行なって０．９μｍの硬化樹脂膜を形成し
た。この塗膜表面の高低差は０．１μｍであった。一方
、溶液の濃度を４０重量％にすると、沈殿が生じて均一
にスピンコーターで回転塗布できなかった。沈殿を生じ
ないように分子量を低くし、２μｍの厚さの硬化樹脂膜
を形成させると、得られる被膜は脆く、耐クラツク性テ
ストでは５０伽でクラックが生じた。

実施例３５ 実施例３のマレイミドをＮＭＰの溶液（５０重量％）と
し、片面粗化した３５μｍ厚の銅箔の粗化面に、硬化後
の膜厚が５０μｍになるように直接塗布した。乾燥、硬
化は鉄枠に固定した状態で、１００℃／１ｈ＋２００℃
／１ｈ＋３５０℃／３０ｍ１ｎの条件で硬化した。室温
に冷却後、鉄枠をはずして、フレキシブル銅張板を得た
。このフレキシブル銅張板は、カール、ねじれ２反りな
どはみられなかった。更に２５０℃の半田浴に３０秒、
３５０℃の半田浴に３０秒放置後室温に冷却したが、加
熱、冷却後とも、形状変化は無かった。

又、銅箔とフィルムとのビール強度は、強く、銅箔自体
が破断してしまった。

実施例３６ 実施例３のマレイミドのＮＭＰ溶液（５０重量％）を用
いて、第２図に示す如く、２層配線構造を有するゲート
アレーを作製した。

、所定の不純物拡散を完了して得たゲートアレーに第１
層目の配線用１μｍのＡｌ膜をスパッタリングで形成し
、フォトレジストを用いて第一層目の配線を形成した０
次いで、アルミニウムキレート化合物のトルエン溶液で
表面処理し、３５０℃。

３０分加熱後、実施例３のマレイミドのＮＭＰ溶液（５
０重量％）を２μｍ厚になるように塗布硬化した。２０
０℃７３０ｍ１ｎ　＋　３５０／　３０＋ｎｉｎで硬化
した後、ネガ型フォトレジストで所定のスルーホール（
７μｍ角）を実施例６と同じエッチャントで形成した。

酸素プラズマアッシャでポリイミド表面を粗した後、第
２層目の配線材ＡＱ膜をスパッタリングで形成した。パ
ターン形成後。

スパッタリングで１μｍ厚のシリカ薄膜を形成した。こ
の時点°およびエツチングによる電極形成およびヒート
サイクル（１５０℃Ｈ５０℃）５０サイクル試験後も何
の異常も起きなかった。また、このウェハを１２０℃、
２気圧の水蒸気中にさらした結果、１０００時間放置後
でも異常は認められなかった。

実施例３７ 第５図に示すマルチモジュールおよびハイブリッドＬＳ
Ｉ用の多層配線基板を実施例３のマレイミドのＮＭＰ溶
液（５０重量％）を用いて形成した。

所定のリードピンを有する１■厚、１００×１００ｍｍ
角のアルミナ基板の表面に、実施例７と同様の方法で、
２５Ｍの多層配線基板を作製した。

配線材料は、２％Ｓｉ入りのＡＱで、厚みは２μｍ厚、
眉間材の形成は、あらかじめ作製しておいた１０μｍ厚
の半硬化の実施例３のマレイミドフィルム（１００℃／
３０分＋２００℃７３０分加熱したもの）を、実施例３
のマレイミドのＮＭＰ溶液（５０重量％）を接着剤とし
て貼合せた。スルーホールは、最小２０μｍ角程度でや
はりヒドラジンとエチレンジアミンの混合液を用いてエ
ツチングにより形成した。最終的に、＊素中で３５０”
Ｃ１０，５ｈ　　の熱処理を行ったが、はとんど湾曲の
ない多層配線基板が得られた。

【発明の効果〕

前記実施例から明らかなように本発明のポリイミドは、
硬化が揮発成分の発生しない付加反応で進行するうえ、
硬化後の線膨張係数が３×１０−５Ｋ一’と低熱膨張性
を示す、そのため、金属や無機物と複合化する用途（電
気絶縁製ｆｌ）に極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電気絶縁装置の一例を示す多層配線構
造を有するＬＳＩの断面図、第２図は同じくα線遮蔽膜
を有するメモリ素子の断面図、第３図は同じく磁気ディ
スクの断面図、第４図は同じくアルミナ基板上の高密度
多層配線を形成し、ＬＳＩを搭載したマルチチップモジ
ュールを一部分解した断面図斜視図、第５図は同じくフ
ィルムキャリヤ方式のＬＳＩを搭載した金属板ベースの
プリント基板の断面図、第６図は同じくリード線ボンデ
ィング方式のＬＳＩを搭載した金属板ペースプリント基
板の断面図を示したものである。 １・・・シリコンウェハ、２・・・熱酸化膜、３・・・
アルミニウム配線、４・・・低熱膨張ポリイミド、５・
・・無機質保護膜、６・・・配線層、７・・・リード線
、８・・・磁性薄膜、９・・・保護膜、１０・・・アル
ミナ基板、１１・・・リードビン、１２・・・ＬＳＩチ
ップ、１３・・・半田ポール、１５・・・金属基板、１
６・・・フィルムキャリヤ方式のＬＳＩ、１７・・・キ
ャリヤフィルム、１８・・・端子、１９・・・リード線
ボンディング方式のＬＳＩ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、付加硬化型ポリイミドを硬化して成る樹脂の熱膨張
   係数が３×１０＾−＾５Ｋ＾−＾１以下である低熱膨張
   ポリイミド。 ２、付加硬化型ポリイミドがビスマレイミドであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低熱膨張ポリ
   イミド。 ３、ビスマレイミドが ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａｒ′、Ａｒ＾３は▲数式、化学式、表等があ
   ります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ から選ばれ、Ａｒ＾２は ▲数式、化学式、表等があります▼ から選ばれ、−Ｒ＾１、−Ｒ＾２、−Ｒ＾３は−Ｈ、低
   級アルキル基、アリール基から選ばれる）であることを
   特徴とする特許請求の範囲第２項記載の低熱膨張ポリイ
   ミド。 ４、ビスマレイミドが ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、−Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、−
   Ｒ＾１、−Ｒ＾２、−Ｒ＾３、−Ｒ＾４、−Ｒ＾５、−
   Ｒ＾６、−Ｒ＾７、−Ｒ＾８、−Ｒ＾９、−Ｒ＾１＾０
   、−Ｒ＾１＾１、−Ｒ＾１＾２、は−Ｈ、低級アルキル
   基、アラルキル基、アリール基、−Ｒ＾１＾３は−Ｈ、
   低級アルキル基、アリール基から選ばれる）であること
   を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の低熱膨張ポリ
   イミド。 ５、付加硬化型ポリイミドを硬化して成る樹脂の熱膨張
   係数が３×１０＾−＾５Ｋ＾−＾１以下である低熱膨張
   ポリイミドを電気絶縁層に用いたことを特徴とする電気
   的装置。 ６、付加硬化型ポリイミドがビスマレイミドであること
   を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の電気的装置。 ７、ビスマレイミドが （式中、Ａｒ′、Ａｒ＾３は▲数式、化学式、表等があ
   ります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ から選ばれ、Ａｒ＾２は ▲数式、化学式、表等があります▼ から選ばれ、−Ｒ＾１、−Ｒ＾２、−Ｒ＾３は−Ｈ、低
   級アルキル基、アリール基から選ばれる）であることを
   特徴とする特許請求の範囲第６項記載の電気的装置。 ８、ビスマレイミドが ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、−Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、−
   Ｒ＾１、−Ｒ＾２、−Ｒ＾３、−Ｒ＾４、−Ｒ＾５、−
   Ｒ＾６、−Ｒ＾７、−Ｒ＾８、−Ｒ＾９、−Ｒ＾１＾０
   、−Ｒ＾１＾１、−Ｒ＾１＾２、は−Ｈ、低級アルキル
   基、アラルキル基、アリール基、−Ｒ＾１＾３は−Ｈ、
   低級アルキル基、アリール基から選ばれる）であること
   を特徴とする特許請求の範囲第６項記載の電気的装置。