JP3293146B2 - フレキシブル配線基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブル配線基板の製造方法Info
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- JP3293146B2 JP3293146B2 JP21559291A JP21559291A JP3293146B2 JP 3293146 B2 JP3293146 B2 JP 3293146B2 JP 21559291 A JP21559291 A JP 21559291A JP 21559291 A JP21559291 A JP 21559291A JP 3293146 B2 JP3293146 B2 JP 3293146B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性、電気特性、耐
薬品性、機械特性が優れた、ポリイミドと金属箔からな
るフレキシブル配線基板の製造方法に関するものであ
る。
薬品性、機械特性が優れた、ポリイミドと金属箔からな
るフレキシブル配線基板の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、フレキシブル配線基板はポリイミ
ドフィルムと金属箔を接着剤で張り合わせて製造されて
いる。このようなフレキシブル配線基板の諸特性は、耐
熱性、電気特性、耐薬品性、機械特性が優れたポリイミ
ドを用いているにもかかわらず、ポリイミドより劣る接
着剤層の性能で決まってしまう。たとえば、ポリイミド
の耐熱性が350℃以上であるにもかかわらず、フレキ
シブル配線基板の半田耐熱性は通常300℃以下であ
る。
ドフィルムと金属箔を接着剤で張り合わせて製造されて
いる。このようなフレキシブル配線基板の諸特性は、耐
熱性、電気特性、耐薬品性、機械特性が優れたポリイミ
ドを用いているにもかかわらず、ポリイミドより劣る接
着剤層の性能で決まってしまう。たとえば、ポリイミド
の耐熱性が350℃以上であるにもかかわらず、フレキ
シブル配線基板の半田耐熱性は通常300℃以下であ
る。
【0003】このような問題点を解決する方法として、
接着剤を用いず直接ポリイミド層を金属箔上に形成する
方法が検討されている。その代表的なものとして米国特
許第3179634号に示されているピロメリット酸二
無水物などの酸二無水物成分と、芳香族第1級ジアミン
からなるジアミン成分とを重合させることによって得ら
れるポリアミック酸ワニスを金属箔に直接塗布したの
ち、溶媒の乾燥除去、イミド化を行わせる方法である。
この方法ではイミド化後にカールなどの問題点が生じ
る。この問題点を解決するため、特開昭60−1572
86号公報や特開昭61−111259号公報では、分
子構造を剛直化するモノマーとしてp−フェニレンジア
ミンを共重合して適正化している。しかしながら、p−
フェニレンジアミンを多く用いると膜は脆くなる傾向が
あるため、他の方法で低熱線膨張率化し、カール防止す
ることが望まれていた。
接着剤を用いず直接ポリイミド層を金属箔上に形成する
方法が検討されている。その代表的なものとして米国特
許第3179634号に示されているピロメリット酸二
無水物などの酸二無水物成分と、芳香族第1級ジアミン
からなるジアミン成分とを重合させることによって得ら
れるポリアミック酸ワニスを金属箔に直接塗布したの
ち、溶媒の乾燥除去、イミド化を行わせる方法である。
この方法ではイミド化後にカールなどの問題点が生じ
る。この問題点を解決するため、特開昭60−1572
86号公報や特開昭61−111259号公報では、分
子構造を剛直化するモノマーとしてp−フェニレンジア
ミンを共重合して適正化している。しかしながら、p−
フェニレンジアミンを多く用いると膜は脆くなる傾向が
あるため、他の方法で低熱線膨張率化し、カール防止す
ることが望まれていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
ところは優れた低熱線膨張性を有し、しかも膜特性の良
好なポリイミドと金属箔からなるフレキシブル配線基板
の製造方法を提供することにある。
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
ところは優れた低熱線膨張性を有し、しかも膜特性の良
好なポリイミドと金属箔からなるフレキシブル配線基板
の製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
ピロメリット酸二無水物から主としてなる酸二無水物と
p−フェニレンジアミンから主としてなるジアミン成分
とを反応させて得られるポリアミック酸ワニスと該ポリ
アミック酸ワニスより高熱線膨張性のポリアミック酸ワ
ニスとを1:4から4:1の比で混合して得られるポリ
アミック酸ワニスを金属箔に直接塗布したのち、溶媒の
乾燥除去、イミド化を行わせることを特徴とするフレキ
シブル配線基板の製造方法により達成される。
ピロメリット酸二無水物から主としてなる酸二無水物と
p−フェニレンジアミンから主としてなるジアミン成分
とを反応させて得られるポリアミック酸ワニスと該ポリ
アミック酸ワニスより高熱線膨張性のポリアミック酸ワ
ニスとを1:4から4:1の比で混合して得られるポリ
アミック酸ワニスを金属箔に直接塗布したのち、溶媒の
乾燥除去、イミド化を行わせることを特徴とするフレキ
シブル配線基板の製造方法により達成される。
【0006】本発明において使用されるピロメリット酸
二無水物から主としてなる酸二無水物成分とp−フェニ
レンジアミンから主としてなるジアミン成分とを反応さ
せて得られるポリアミック酸ワニスは、低熱線膨張性を
有するものであり、その好ましい組成としてはピロメリ
ット酸二無水物を80モル%以上含有する酸二無水物成
分とp−フェニレンジアミンを80モル%以上含有する
ジアミン成分とを重合させて得ることが好ましい。この
ポリアミック酸ワニスの熱線膨張係数としては、1.5
×10-5℃-1未満であるものが好ましい。特に好ましく
は、ピロメリット酸二無水物とp−フェニレンジアミン
とを重合してなるものである。
二無水物から主としてなる酸二無水物成分とp−フェニ
レンジアミンから主としてなるジアミン成分とを反応さ
せて得られるポリアミック酸ワニスは、低熱線膨張性を
有するものであり、その好ましい組成としてはピロメリ
ット酸二無水物を80モル%以上含有する酸二無水物成
分とp−フェニレンジアミンを80モル%以上含有する
ジアミン成分とを重合させて得ることが好ましい。この
ポリアミック酸ワニスの熱線膨張係数としては、1.5
×10-5℃-1未満であるものが好ましい。特に好ましく
は、ピロメリット酸二無水物とp−フェニレンジアミン
とを重合してなるものである。
【0007】ピロメリット酸二無水物とp−フェニレン
ジアミン以外に用いられるマイナー成分としては、公知
の酸二無水物やジアミンが挙げられ、具体例としては次
に示す高熱線膨張性のポリアミック酸ワニスの作製に用
いられる酸二無水物やジアミンと同様のものが使用でき
る。
ジアミン以外に用いられるマイナー成分としては、公知
の酸二無水物やジアミンが挙げられ、具体例としては次
に示す高熱線膨張性のポリアミック酸ワニスの作製に用
いられる酸二無水物やジアミンと同様のものが使用でき
る。
【0008】かかる低熱線膨張性のポリアミック酸ワニ
スは高熱線膨張性のポリアミック酸ワニスと混合されて
混合ポリアミック酸ワニスとなされることが重要であ
り、これにより、剛直性による問題点を顕在化させるこ
となく低熱線膨張率の特徴を活かすことができ、ランダ
ム共重合などによっては得られない低熱線膨張率化が可
能となる。
スは高熱線膨張性のポリアミック酸ワニスと混合されて
混合ポリアミック酸ワニスとなされることが重要であ
り、これにより、剛直性による問題点を顕在化させるこ
となく低熱線膨張率の特徴を活かすことができ、ランダ
ム共重合などによっては得られない低熱線膨張率化が可
能となる。
【0009】本発明における高熱線膨張性のポリアミッ
ク酸ワニスとしては、イミド化したとき上記の低熱線膨
張性のポリアミック酸ワニスを硬化させたものが示す熱
線膨張係数よりも高い熱線膨張率のポリイミドとなるも
のであればいずれであっても良い。熱線膨張係数として
は1.5×10-5℃-1以上となるものであることが好ま
しい。
ク酸ワニスとしては、イミド化したとき上記の低熱線膨
張性のポリアミック酸ワニスを硬化させたものが示す熱
線膨張係数よりも高い熱線膨張率のポリイミドとなるも
のであればいずれであっても良い。熱線膨張係数として
は1.5×10-5℃-1以上となるものであることが好ま
しい。
【0010】高熱線膨張性のワニスは、以下に示すごと
き酸二無水物成分とジアミン成分とを重合させることに
よって得ることができる。酸二無水物成分としては、
3,3’4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、ピロメリット酸二無水物、3,3’4,4’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物が好ましく、3,
3’4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二
無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物
なども用いることができる。酸二無水物成分は単独でも
使用できるが2種以上を併用することもできる。ジアミ
ン成分としては、4,4’−ジアミノジフェニルメタ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’
−ジアミノジフェニルスルフィドが好ましく、m−フェ
ニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホ
ン、9,9’−ビス(4−アミノフェニル)フルオレ
ン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、
1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,
4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル)、
2,2’−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]
プロパン、1,5−ジアミノナフタレン、p−フェニレ
ンジアミン、ベンジジン、2,7−ジアミノジフェニル
フルオレン、3,3’−ジメチルベンジジン、3,3’
−ジメチトキシベンジジン、4,4’−ジアミノベンズ
アニリド、2−メトキシ−4,4’−ジアミノベンズア
ニリド、2,2’−メトキシ−4,4’−ジアミノベン
ズアニリドなどの芳香族ジアミン、あるいは、ビス(3
−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンなどのジ
アミノシロキサンなども用いられる。ジアミン成分は単
独または2種以上併用して用いることができる。
き酸二無水物成分とジアミン成分とを重合させることに
よって得ることができる。酸二無水物成分としては、
3,3’4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、ピロメリット酸二無水物、3,3’4,4’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物が好ましく、3,
3’4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二
無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物
なども用いることができる。酸二無水物成分は単独でも
使用できるが2種以上を併用することもできる。ジアミ
ン成分としては、4,4’−ジアミノジフェニルメタ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’
−ジアミノジフェニルスルフィドが好ましく、m−フェ
ニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホ
ン、9,9’−ビス(4−アミノフェニル)フルオレ
ン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、
1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,
4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル)、
2,2’−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]
プロパン、1,5−ジアミノナフタレン、p−フェニレ
ンジアミン、ベンジジン、2,7−ジアミノジフェニル
フルオレン、3,3’−ジメチルベンジジン、3,3’
−ジメチトキシベンジジン、4,4’−ジアミノベンズ
アニリド、2−メトキシ−4,4’−ジアミノベンズア
ニリド、2,2’−メトキシ−4,4’−ジアミノベン
ズアニリドなどの芳香族ジアミン、あるいは、ビス(3
−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンなどのジ
アミノシロキサンなども用いられる。ジアミン成分は単
独または2種以上併用して用いることができる。
【0011】混合前のそれぞれのワニスの形成は、重合
溶媒にジアミン成分を溶解した後、一括して対応する酸
二無水物成分を加えることにより行なうことができる。
溶媒にジアミン成分を溶解した後、一括して対応する酸
二無水物成分を加えることにより行なうことができる。
【0012】ポリアミック酸の重合溶媒は、酸二無水物
成分、ジアミン成分および生成物のポリアミック酸がそ
れぞれ可溶な非プロトン性の溶媒であればいずれであっ
てもよい。このような溶媒としては、N,N−ジメチル
アセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド
が特に好ましく、その他、ジメチルスルホキシド、ブチ
ルラクトン、スルホラン、メチルスルホランなどが好ま
しい。これらの溶媒は単独あるいは2種以上混合して用
いられ、ポリアミック酸が析出しない程度であれば、ベ
ンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサノン、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、メチルエチルケトンなど
も加えてよい。
成分、ジアミン成分および生成物のポリアミック酸がそ
れぞれ可溶な非プロトン性の溶媒であればいずれであっ
てもよい。このような溶媒としては、N,N−ジメチル
アセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド
が特に好ましく、その他、ジメチルスルホキシド、ブチ
ルラクトン、スルホラン、メチルスルホランなどが好ま
しい。これらの溶媒は単独あるいは2種以上混合して用
いられ、ポリアミック酸が析出しない程度であれば、ベ
ンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサノン、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、メチルエチルケトンなど
も加えてよい。
【0013】ポリアミック酸ワニスの濃度は5〜60重
量%が好ましく、10〜30重量%が特に好ましい。
量%が好ましく、10〜30重量%が特に好ましい。
【0014】反応温度は−10〜100℃が好ましく、
0〜80℃が特に好ましい。重合度を上げるためには低
温の方が好ましいが、反応速度、あるいは、原料の溶解
性ではイミド化が進行しない限り高温の方が良く、上記
の温度が好ましい。
0〜80℃が特に好ましい。重合度を上げるためには低
温の方が好ましいが、反応速度、あるいは、原料の溶解
性ではイミド化が進行しない限り高温の方が良く、上記
の温度が好ましい。
【0015】ポリアミック酸ワニスの混合比は必要とな
るポリイミドの線膨張係数によって選ぶことができる。
低線膨張係数のものを得るためにはピロメリット酸二無
水物とp−フェニレンジアミンからなるポリアミック酸
ワニスを多く混合し、高線膨張係数のものを得るために
は高熱線膨張性のポリアミック酸ワニスを多く混合すれ
ばよい。また、ピロメリット酸二無水物とp−フェニレ
ンジアミンからなるポリアミック酸ワニスと高熱線膨張
性のポリアミック酸ワニスの混合比は、金属箔の線膨張
係数に合わせる点から1:4から4:1であることが好
ましい。さらに、混合の方法としては、通常のメカニカ
ルな攪拌で十分であるが、超音波などをかける方法でも
良い。
るポリイミドの線膨張係数によって選ぶことができる。
低線膨張係数のものを得るためにはピロメリット酸二無
水物とp−フェニレンジアミンからなるポリアミック酸
ワニスを多く混合し、高線膨張係数のものを得るために
は高熱線膨張性のポリアミック酸ワニスを多く混合すれ
ばよい。また、ピロメリット酸二無水物とp−フェニレ
ンジアミンからなるポリアミック酸ワニスと高熱線膨張
性のポリアミック酸ワニスの混合比は、金属箔の線膨張
係数に合わせる点から1:4から4:1であることが好
ましい。さらに、混合の方法としては、通常のメカニカ
ルな攪拌で十分であるが、超音波などをかける方法でも
良い。
【0016】ポリアミック酸ワニスを塗布する基板とし
ては、銅、アルミ、鉄などの金属箔が挙げられる。一般
的には、防錆処理、粗面化処理した銅箔が用いられる。
塗布方法としては、ダイコーター、リバースコーターな
どの通常の塗工装置が用いられる。
ては、銅、アルミ、鉄などの金属箔が挙げられる。一般
的には、防錆処理、粗面化処理した銅箔が用いられる。
塗布方法としては、ダイコーター、リバースコーターな
どの通常の塗工装置が用いられる。
【0017】ポリイミド層は1回の塗工で形成されても
よいが、複数回の塗工で形成されるほうが好ましい。こ
れは、ポリイミド膜表層に形成される低熱線膨張性部分
を効果的に利用し、低熱線膨張化できるだけでなく、銅
箔部をエッチング除去したときのポリイミドフィルムの
カールをも抑えることができるからである。1回塗工の
場合、溶媒の加熱乾燥、イミド化は50〜400℃で行
われる。これらの工程は段階的に行っても連続的に行っ
ても良い。複数回の塗工の場合、最終層以外の層を形成
するときには溶媒の加熱乾燥・イミド化は50〜280
℃で行われ、最終層を形成するときには50〜400℃
で行われる。また、空気中でもあるいは窒素などの不活
性ガス中でも良いが、基板の金属箔の酸化を避けるには
不活性ガス中が好ましい。また、イミド化の際、アミン
と無水酢酸などからなる脱水剤を用いても良い。
よいが、複数回の塗工で形成されるほうが好ましい。こ
れは、ポリイミド膜表層に形成される低熱線膨張性部分
を効果的に利用し、低熱線膨張化できるだけでなく、銅
箔部をエッチング除去したときのポリイミドフィルムの
カールをも抑えることができるからである。1回塗工の
場合、溶媒の加熱乾燥、イミド化は50〜400℃で行
われる。これらの工程は段階的に行っても連続的に行っ
ても良い。複数回の塗工の場合、最終層以外の層を形成
するときには溶媒の加熱乾燥・イミド化は50〜280
℃で行われ、最終層を形成するときには50〜400℃
で行われる。また、空気中でもあるいは窒素などの不活
性ガス中でも良いが、基板の金属箔の酸化を避けるには
不活性ガス中が好ましい。また、イミド化の際、アミン
と無水酢酸などからなる脱水剤を用いても良い。
【0018】さらに、ポリアミック酸ワニスには、必要
に応じて少量の塗工性改良剤、接着性改良剤、充填剤な
どを配合して用いることもできる。
に応じて少量の塗工性改良剤、接着性改良剤、充填剤な
どを配合して用いることもできる。
【0019】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0020】(熱線膨張係数の測定) イミド化したサンプルの銅箔層をエッチング除去して膜
厚30ミクロンのポリイミドフィルムを得た後、このフ
ィルムを5×20mmに切断し、熱機械試験機(真空理
工株式会社製、TM−7000M/L)によって熱線膨
張係数の測定を行った。測定長は15mmで、係数は1
00℃から250℃の伸びの差から求めた。
厚30ミクロンのポリイミドフィルムを得た後、このフ
ィルムを5×20mmに切断し、熱機械試験機(真空理
工株式会社製、TM−7000M/L)によって熱線膨
張係数の測定を行った。測定長は15mmで、係数は1
00℃から250℃の伸びの差から求めた。
【0021】(カールの測定) イミド化したサンプルを10cm角に切断した後、フラ
ットな板の上に置き、4隅の持ち上がりの長さの平均値
を測定した。カールの方向は、ポリイミド層を内側にし
た場合を正、外にした場合を負として示した。
ットな板の上に置き、4隅の持ち上がりの長さの平均値
を測定した。カールの方向は、ポリイミド層を内側にし
た場合を正、外にした場合を負として示した。
【0022】実施例1 反応は窒素気流下で行った。 (ワニスAの作製) p−フェニレンジアミン4.87g(0.045モル)
をN,N−ジメチルアセトアミド83.2gに溶解させ
た後、ピロメリット酸二無水物9.82g(0.045
モル)を加えて50℃で3時間攪拌して反応させて粘度
180ps(25℃)のポリアミック酸ワニスを得た。
をN,N−ジメチルアセトアミド83.2gに溶解させ
た後、ピロメリット酸二無水物9.82g(0.045
モル)を加えて50℃で3時間攪拌して反応させて粘度
180ps(25℃)のポリアミック酸ワニスを得た。
【0023】(ワニスBの作製) 4,4’−ジアミノジフェニルエーテル11.01g
(0.055モル)をN,N−ジメチルアセトアミド1
30.4gに溶解させた後、ピロメリット酸二無水物1
2.00g(0.055モル)を加えて50℃で3時間
攪拌して反応させて粘度130ps(25℃)のポリア
ミック酸ワニスを得た。
(0.055モル)をN,N−ジメチルアセトアミド1
30.4gに溶解させた後、ピロメリット酸二無水物1
2.00g(0.055モル)を加えて50℃で3時間
攪拌して反応させて粘度130ps(25℃)のポリア
ミック酸ワニスを得た。
【0024】次に、上記ワニスAとワニスBを混合して
メカニカル攪拌装置で十分攪拌した後、24時間放置し
た。このワニスを18ミクロンの銅箔上に塗布し、80
℃で30分間、80℃から150℃に30分間で昇温、
150℃で30分間、150℃から350℃に30分間
で昇温、350℃で30分間の条件で溶媒の乾燥除去、
イミド化を行なった。得られた試料について熱線膨張係
数およびカールを測定したところ、1.73(×10-5
℃-1)および2mmであった。
メカニカル攪拌装置で十分攪拌した後、24時間放置し
た。このワニスを18ミクロンの銅箔上に塗布し、80
℃で30分間、80℃から150℃に30分間で昇温、
150℃で30分間、150℃から350℃に30分間
で昇温、350℃で30分間の条件で溶媒の乾燥除去、
イミド化を行なった。得られた試料について熱線膨張係
数およびカールを測定したところ、1.73(×10-5
℃-1)および2mmであった。
【0025】比較例1 p−フェニレンジアミン4.87g(0.045モ
ル)、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル11.0
1g(0.055モル)をN,N−ジメチルアセトアミ
ド213.6gに溶解させた後、ピロメリット酸二無水
物21.81g(0.100モル)を加えて50℃で3
時間攪拌して反応させて粘度140ps(25℃)のポ
リアミック酸ワニスを得た。実施例1と同様に硬化さ
せ、熱線膨張係数およびカールをそれぞれ測定したとこ
ろ、2.20(×10-5℃-1)および15mmであっ
た。
ル)、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル11.0
1g(0.055モル)をN,N−ジメチルアセトアミ
ド213.6gに溶解させた後、ピロメリット酸二無水
物21.81g(0.100モル)を加えて50℃で3
時間攪拌して反応させて粘度140ps(25℃)のポ
リアミック酸ワニスを得た。実施例1と同様に硬化さ
せ、熱線膨張係数およびカールをそれぞれ測定したとこ
ろ、2.20(×10-5℃-1)および15mmであっ
た。
【0026】実施例2 (ワニスCの作製) 4,4’−ジアミノジフェニルエーテル11.01g
(0.055モル)をN,N−ジメチルアセトアミド1
54.1gに溶解させた後、3,3’,4,4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物16.18g(0.0
55モル)を加えて50℃で3時間攪拌して反応させて
粘度200ps(25℃)のポリアミック酸ワニスを得
た。
(0.055モル)をN,N−ジメチルアセトアミド1
54.1gに溶解させた後、3,3’,4,4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物16.18g(0.0
55モル)を加えて50℃で3時間攪拌して反応させて
粘度200ps(25℃)のポリアミック酸ワニスを得
た。
【0027】実施例1で作製したワニスAとワニスCを
混合して実施例1と同様に熱線膨張係数およびカールを
測定したところ、1.77(×10-5℃-1)および1m
mであった。
混合して実施例1と同様に熱線膨張係数およびカールを
測定したところ、1.77(×10-5℃-1)および1m
mであった。
【0028】比較例2 p−フェニレンジアミン4.87g(0.045モ
ル)、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル11.0
1g(0.055モル)をN,N−ジメチルアセトアミ
ド237.3gに溶解させた後、ピロメリット酸二無水
物9.82g(0.045モル)、3,3’,4,4’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物16.18g
(0.055モル)を加えて50℃で3時間攪拌して反
応させて粘度160ps(25℃)のポリアミック酸ワ
ニスを得た。実施例1と同様に硬化させ、熱線膨張係数
およびカールを測定したところ、2.45(×10-5℃
-1)および20mmであった。
ル)、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル11.0
1g(0.055モル)をN,N−ジメチルアセトアミ
ド237.3gに溶解させた後、ピロメリット酸二無水
物9.82g(0.045モル)、3,3’,4,4’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物16.18g
(0.055モル)を加えて50℃で3時間攪拌して反
応させて粘度160ps(25℃)のポリアミック酸ワ
ニスを得た。実施例1と同様に硬化させ、熱線膨張係数
およびカールを測定したところ、2.45(×10-5℃
-1)および20mmであった。
【0029】実施例3 (ワニスDの作製) 4,4’−ジアミノジフェニルメタン10.91g
(0.055モル)をN,N−ジメチルアセトアミド1
29.8gに溶解させた後、ピロメリット酸二無水物1
2.00g(0.055モル)を加えて50℃で3時間
攪拌して反応させて粘度100ps(25℃)のポリア
ミック酸ワニスを得た。
(0.055モル)をN,N−ジメチルアセトアミド1
29.8gに溶解させた後、ピロメリット酸二無水物1
2.00g(0.055モル)を加えて50℃で3時間
攪拌して反応させて粘度100ps(25℃)のポリア
ミック酸ワニスを得た。
【0030】実施例1で作製したワニスAとワニスDを
混合して実施例1と同様に熱線膨張係数およびカールを
測定したところ、1.80(×10-5℃-1)および3m
mであった。
混合して実施例1と同様に熱線膨張係数およびカールを
測定したところ、1.80(×10-5℃-1)および3m
mであった。
【0031】実施例4 (ワニスE)4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド
11.89g(0.055モル)をN,N−ジメチルア
セトアミド135.4gに溶解させた後、ピロメリット
酸二無水物12.00g(0.055モル)を加えて5
0℃で3時間攪拌して反応させて粘度100ps(25
℃)のポリアミック酸ワニスを得た。
11.89g(0.055モル)をN,N−ジメチルア
セトアミド135.4gに溶解させた後、ピロメリット
酸二無水物12.00g(0.055モル)を加えて5
0℃で3時間攪拌して反応させて粘度100ps(25
℃)のポリアミック酸ワニスを得た。
【0032】実施例1で作製したワニスAとワニスEを
混合して実施例1と同様に熱線膨張係数およびカールを
測定したところ、1.86(×10-5℃-1)および2m
mであった。
混合して実施例1と同様に熱線膨張係数およびカールを
測定したところ、1.86(×10-5℃-1)および2m
mであった。
【0033】実施例5 (ワニスF)4,4’−ジアミノジフェニルメタン1
0.91g(0.055モル)をN,N−ジメチルアセ
トアミド162.2gに溶解させた後、3,3’,4,
4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物17.
72g(0.055モル)を加えて50℃で3時間攪拌
して反応させて粘度120ps(25℃)のポリアミッ
ク酸ワニスを得た。
0.91g(0.055モル)をN,N−ジメチルアセ
トアミド162.2gに溶解させた後、3,3’,4,
4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物17.
72g(0.055モル)を加えて50℃で3時間攪拌
して反応させて粘度120ps(25℃)のポリアミッ
ク酸ワニスを得た。
【0034】実施例1で作製したワニスAとワニスFを
混合して実施例1と同様に熱線膨張係数およびカールを
測定したところ、1.83(×10-5℃-1)および4m
mであった。
混合して実施例1と同様に熱線膨張係数およびカールを
測定したところ、1.83(×10-5℃-1)および4m
mであった。
【0035】実施例6 実施例3で混合して得たワニスを18ミクロンの銅箔
(DP−III、三井金属社製)上に塗布し、80℃で3
0分間、80℃から150℃に30分間で昇温、150
℃で30分間、150℃から250℃に30分間で昇
温、250℃で30分間の条件で溶媒の乾燥除去、イミ
ド化を行なった。さらに、同じワニスを塗布し、80℃
で30分間、80℃から150℃に30分間で昇温、1
50℃で30分間、150℃から350℃に30分間で
昇温、350℃で30分間の条件で溶媒の乾燥除去、イ
ミド化を行なった。得られた試料のポリイミド層の膜厚
は1層目が10ミクロン、2層目が20ミクロンであっ
た。熱線膨張係数およびカールを測定したところ、1.
65(×10-5℃-1)および−2mmであった。
(DP−III、三井金属社製)上に塗布し、80℃で3
0分間、80℃から150℃に30分間で昇温、150
℃で30分間、150℃から250℃に30分間で昇
温、250℃で30分間の条件で溶媒の乾燥除去、イミ
ド化を行なった。さらに、同じワニスを塗布し、80℃
で30分間、80℃から150℃に30分間で昇温、1
50℃で30分間、150℃から350℃に30分間で
昇温、350℃で30分間の条件で溶媒の乾燥除去、イ
ミド化を行なった。得られた試料のポリイミド層の膜厚
は1層目が10ミクロン、2層目が20ミクロンであっ
た。熱線膨張係数およびカールを測定したところ、1.
65(×10-5℃-1)および−2mmであった。
【0036】
【発明の効果】本発明は上述のごとく構成したので、熱
線膨張性およびカールが著しく改良されたポリイミドと
金属箔からなるフレキシブル配線基板を確実に得ること
ができる。
線膨張性およびカールが著しく改良されたポリイミドと
金属箔からなるフレキシブル配線基板を確実に得ること
ができる。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 1/03 610
Claims (3)
- 【請求項1】ピロメリット酸二無水物から主としてなる
酸二無水物とp−フェニレンジアミンから主としてなる
ジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸ワ
ニスと該ポリアミック酸ワニスより高熱線膨張性のポリ
アミック酸ワニスとを1:4から4:1の比で混合して
得られるポリアミック酸ワニスを金属箔に直接塗布した
のち、溶媒の乾燥除去、イミド化を行わせることを特徴
とするフレキシブル配線基板の製造方法。 - 【請求項2】高熱線膨張性のポリアミック酸ワニスが、
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物およびピロメリット酸二無水物の群から
選ばれる少なくとも1種の酸二無水物成分と、4,4’
−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフ
ェニルエーテルおよび4,4’−ジアミノジフェニルス
ルフィドの群から選ばれる少なくとも1種のジアミン成
分とを反応させてなるものであることを特徴とする請求
項1記載のフレキシブル配線基板の製造方法。 - 【請求項3】ポリイミド層が多層構造を有することを特
徴とする請求項1記載のフレキシブル配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21559291A JP3293146B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | フレキシブル配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21559291A JP3293146B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | フレキシブル配線基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0555716A JPH0555716A (ja) | 1993-03-05 |
JP3293146B2 true JP3293146B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=16674984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21559291A Expired - Fee Related JP3293146B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | フレキシブル配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3293146B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06283866A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-07 | Nitto Denko Corp | 多層回路基板およびその製造方法 |
JP2006206778A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Ist:Kk | ポリイミド樹脂管状物 |
JP4757575B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-08-24 | 新日鐵化学株式会社 | 配線基板用積層体 |
TWI337131B (en) * | 2006-11-03 | 2011-02-11 | Chang Chun Plastics Co Ltd | Polyimide composite flexible board and its preparation |
JP5196344B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-05-15 | 東レ・デュポン株式会社 | ポリイミドフィルムの接着性を向上させる方法 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21559291A patent/JP3293146B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH0555716A (ja) | 1993-03-05 |
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---|---|---|---|
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