JP3295952B2 - フレキシブル配線基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブル配線基板の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフレキシブル配線基板の
製造方法に関するものであり、さらに詳しくはポリイミ
ド層／アンカー層／金属箔からなるフレキシブル配線基
板の製造方法に関するものである。
製造方法に関するものであり、さらに詳しくはポリイミ
ド層／アンカー層／金属箔からなるフレキシブル配線基
板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フレキシブル配線基板はポリイミ
ドフィルムと金属箔を接着剤で張り合わせて製造されて
いる。このようなフレキシブル配線基板の諸特性は、耐
熱性、電気特性、耐薬品性、機械特性が優れたポリイミ
ドフィルムを用いているにもかかわらず、ポリイミドよ
り劣る接着剤の性能で決まってしまう。例えば、ポリイ
ミドの耐熱性が３５０℃以上であるにもかかわらず、フ
レキシブル配線基板の半田耐熱性は通常３００℃以下で
ある。
ドフィルムと金属箔を接着剤で張り合わせて製造されて
いる。このようなフレキシブル配線基板の諸特性は、耐
熱性、電気特性、耐薬品性、機械特性が優れたポリイミ
ドフィルムを用いているにもかかわらず、ポリイミドよ
り劣る接着剤の性能で決まってしまう。例えば、ポリイ
ミドの耐熱性が３５０℃以上であるにもかかわらず、フ
レキシブル配線基板の半田耐熱性は通常３００℃以下で
ある。
【０００３】そこで、ポリイミド前駆体（ポリアミック
酸）を金属箔に直接塗布した後イミド化する、接着剤を
用いない方法が開発された。この方法では、耐熱性など
の諸特性がポリイミドの特性で決まり、非常に優れたも
のとなる可能性をもっている。また、製造上もフィルム
化すると同時に製品ができるためコストダウンに繋がる
可能性もあり、注目を集めている。
酸）を金属箔に直接塗布した後イミド化する、接着剤を
用いない方法が開発された。この方法では、耐熱性など
の諸特性がポリイミドの特性で決まり、非常に優れたも
のとなる可能性をもっている。また、製造上もフィルム
化すると同時に製品ができるためコストダウンに繋がる
可能性もあり、注目を集めている。
【０００４】しかしながら、接着性に関しては必ずしも
無接着剤タイプの方が優れているとはいえない。この問
題を解決するため、特公昭４７−２６１０６号公報では
アンカー層にポリアミドイミドを用いる方法が提案され
ているが、効果は十分ではない。また、特開昭６０−１
５７２８６号公報などではポリアミック酸ワニスにシラ
ンカップリング剤を添加することが示されているが、こ
の方法は効果が小さいだけでなく、ポリイミドの膜特性
を低下させる。さらに、特開平１−１７４４３９号公報
ではシランカップリング剤層を銅箔とポリイミドの間に
設けているが、膜厚が大きくなると効果がなく、コント
ロールが非常に難しい。いずれの方法にも欠点があり、
また、接着性はポリアミック酸の組成や銅箔表面の状態
に依存しているところが大きいため万能の方法がなく、
それぞれの材料よって異なる方法を採るのが通常であ
る。したがって、適応範囲の広い接着性改良の方法が望
まれている。
無接着剤タイプの方が優れているとはいえない。この問
題を解決するため、特公昭４７−２６１０６号公報では
アンカー層にポリアミドイミドを用いる方法が提案され
ているが、効果は十分ではない。また、特開昭６０−１
５７２８６号公報などではポリアミック酸ワニスにシラ
ンカップリング剤を添加することが示されているが、こ
の方法は効果が小さいだけでなく、ポリイミドの膜特性
を低下させる。さらに、特開平１−１７４４３９号公報
ではシランカップリング剤層を銅箔とポリイミドの間に
設けているが、膜厚が大きくなると効果がなく、コント
ロールが非常に難しい。いずれの方法にも欠点があり、
また、接着性はポリアミック酸の組成や銅箔表面の状態
に依存しているところが大きいため万能の方法がなく、
それぞれの材料よって異なる方法を採るのが通常であ
る。したがって、適応範囲の広い接着性改良の方法が望
まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、かかる
従来技術の諸欠点改良対策について鋭意検討した結果、
特定の耐熱性ポリマーとシランカップリング剤からなる
アンカー層を銅箔とポリイミドの間に設けた場合には、
従来技術に見られるような欠点はなく接着性の著しく優
れしかも実用性能の優れたフレキシブル配線基板が得ら
れることを見出だし、本発明に到達したものである。
従来技術の諸欠点改良対策について鋭意検討した結果、
特定の耐熱性ポリマーとシランカップリング剤からなる
アンカー層を銅箔とポリイミドの間に設けた場合には、
従来技術に見られるような欠点はなく接着性の著しく優
れしかも実用性能の優れたフレキシブル配線基板が得ら
れることを見出だし、本発明に到達したものである。
【０００６】かかる本発明の目的は、ガラス転移点（Ｔ
ｇ）が１７０℃以上の耐熱性ポリマーとシランカップリ
ング剤からなる厚さ０．０１〜５μｍのアンカー層を銅
箔上に形成した後、ポリアミック酸ワニスを塗布し、溶
媒の乾燥除去、イミド化を行わせることを特徴とするフ
レキシブル配線基板の製造方法により達成される。
ｇ）が１７０℃以上の耐熱性ポリマーとシランカップリ
ング剤からなる厚さ０．０１〜５μｍのアンカー層を銅
箔上に形成した後、ポリアミック酸ワニスを塗布し、溶
媒の乾燥除去、イミド化を行わせることを特徴とするフ
レキシブル配線基板の製造方法により達成される。
【０００７】すなわち、本発明におけるフレキシブル配
線基板は、ポリイミド層を形成する前に特定の耐熱性を
有するアンカー層を形成することによって接着性改良が
可能となる。
線基板は、ポリイミド層を形成する前に特定の耐熱性を
有するアンカー層を形成することによって接着性改良が
可能となる。
【０００８】本発明における耐熱性ポリマーとしてはガ
ラス移転点（Ｔｇ）が１７０℃以上で溶剤に可溶なもの
であればいずれであってもよい。たとえば、ポリキノリ
ン、変性ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンオ
キサイド、ポリパラバン酸、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリエーテル
エーテルケトンなどが挙げられ、特に好ましくはポリエ
ーテルスルホン、ポリスルホンが挙げられる。塗工など
の点で問題が生じなければ、これらのポリマーをブレン
ドして用いることもできる。
ラス移転点（Ｔｇ）が１７０℃以上で溶剤に可溶なもの
であればいずれであってもよい。たとえば、ポリキノリ
ン、変性ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンオ
キサイド、ポリパラバン酸、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリエーテル
エーテルケトンなどが挙げられ、特に好ましくはポリエ
ーテルスルホン、ポリスルホンが挙げられる。塗工など
の点で問題が生じなければ、これらのポリマーをブレン
ドして用いることもできる。
【０００９】本発明におけるシランカップリング剤とし
ては、メルカプトシラン、イソシアナートシラン、アク
リルシラン、エポキシシラン、アミノシランなどの市販
のものが用いられる。特に好ましいのはアミノシランと
エポキシシランである。例えば、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−
アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノ
エチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、２−（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリ
メトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシ
シランなどである。これらのシランカップリング剤は単
独で使用しても良いが、２種類以上混合して使用するこ
ともできる。シランカップリング剤の添加量は耐熱性ポ
リマー１００部に対して０．２〜３０部の範囲で使用す
るのがよいが、特に好ましくは１〜１０部である。
ては、メルカプトシラン、イソシアナートシラン、アク
リルシラン、エポキシシラン、アミノシランなどの市販
のものが用いられる。特に好ましいのはアミノシランと
エポキシシランである。例えば、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−
アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノ
エチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、２−（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリ
メトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシ
シランなどである。これらのシランカップリング剤は単
独で使用しても良いが、２種類以上混合して使用するこ
ともできる。シランカップリング剤の添加量は耐熱性ポ
リマー１００部に対して０．２〜３０部の範囲で使用す
るのがよいが、特に好ましくは１〜１０部である。
【００１０】本発明におけるアンカー層は上記耐熱性ポ
リマーとシランカップリング剤を組み合わせたものであ
ればいずれであってもよいが、耐熱性ポリマーとしてス
ルホン基を有するポリマー、例えば、ポリエーテルスル
ホン、ポリスルホンと、シランカップリング剤としてア
ミノシランおよび／またはエポキシシランを組み合わせ
た場合に特に高い接着性が得られる。また、アンカー層
の膜厚は０．０１〜５μｍであればよいが、特に０．１
〜１μｍの場合に効果が大きい。
リマーとシランカップリング剤を組み合わせたものであ
ればいずれであってもよいが、耐熱性ポリマーとしてス
ルホン基を有するポリマー、例えば、ポリエーテルスル
ホン、ポリスルホンと、シランカップリング剤としてア
ミノシランおよび／またはエポキシシランを組み合わせ
た場合に特に高い接着性が得られる。また、アンカー層
の膜厚は０．０１〜５μｍであればよいが、特に０．１
〜１μｍの場合に効果が大きい。
【００１１】さらに、アンカー層用ワニスの溶剤として
は耐熱性ポリマーおよびシランカップリング剤を溶解で
きるものであればいずれであってもよい。たとえば、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルホルムアミド、クロロホルム、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、ジメチルスルホキシド、
ブチルラクトン、スルホラン、メチルスルホランなどが
挙げられるが、それぞれの材料の溶解性によって選択さ
れるものである。また、これらの溶剤は単独でも混合し
てでも用いられる。本発明におけるポリアミック酸ワニ
スは、テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分と
を重合させることによって得られる。テトラカルボン酸
二無水物成分としては、３，３´，４，４´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，３´，４，４´−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二
無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物が好ましく、３，３´，４，４´−ジ
フェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，
６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，
４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、シ
クロペンタンテトラカルボン酸二無水物なども用いられ
る。テトラカルボン酸二無水物成分は単一でも複数でも
良い。ジアミン成分としては、ｐ−フェニレンジアミ
ン、４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−
ジアミノジフェニルエーテル、４，４´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、ｍ−フェニレンジアミン、３，３´
−ジアミノジフェニルスルホン、９，９´−ビス（４−
アミノフェニル）フルオレン、１，３−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、４，４´−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、２，２´−［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、１，５−ジアミノナフ
タレン、ベンジジン、２，７−ジアミノジフェニルフル
オレン、３，３´−ジメチルベンジジン、３，３´−ジ
メトキシベンジジン、４，４´−ジアミノベンズアニリ
ド、２−メトキシ−４，４´−ジアミノベンズアニリ
ド、２，２´−メトキシ−４，４´−ジアミノベンズア
ニリドなどの芳香族ジアミン、あるいは、ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなどのジアミ
ノシロキサンなどが用いられる。ジアミン成分も単一で
も複数でも用いられる。
は耐熱性ポリマーおよびシランカップリング剤を溶解で
きるものであればいずれであってもよい。たとえば、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルホルムアミド、クロロホルム、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、ジメチルスルホキシド、
ブチルラクトン、スルホラン、メチルスルホランなどが
挙げられるが、それぞれの材料の溶解性によって選択さ
れるものである。また、これらの溶剤は単独でも混合し
てでも用いられる。本発明におけるポリアミック酸ワニ
スは、テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分と
を重合させることによって得られる。テトラカルボン酸
二無水物成分としては、３，３´，４，４´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，３´，４，４´−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二
無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物が好ましく、３，３´，４，４´−ジ
フェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，
６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，
４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、シ
クロペンタンテトラカルボン酸二無水物なども用いられ
る。テトラカルボン酸二無水物成分は単一でも複数でも
良い。ジアミン成分としては、ｐ−フェニレンジアミ
ン、４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−
ジアミノジフェニルエーテル、４，４´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、ｍ−フェニレンジアミン、３，３´
−ジアミノジフェニルスルホン、９，９´−ビス（４−
アミノフェニル）フルオレン、１，３−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、４，４´−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、２，２´−［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、１，５−ジアミノナフ
タレン、ベンジジン、２，７−ジアミノジフェニルフル
オレン、３，３´−ジメチルベンジジン、３，３´−ジ
メトキシベンジジン、４，４´−ジアミノベンズアニリ
ド、２−メトキシ−４，４´−ジアミノベンズアニリ
ド、２，２´−メトキシ−４，４´−ジアミノベンズア
ニリドなどの芳香族ジアミン、あるいは、ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなどのジアミ
ノシロキサンなどが用いられる。ジアミン成分も単一で
も複数でも用いられる。
【００１２】ポリアミック酸の重合溶媒は、テトラカル
ボン酸二無水物成分、ジアミン成分および生成物のポリ
アミック酸がそれぞれ可溶な非プロトン性の溶媒であれ
ばいずれであってもよい。このような溶媒としては、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルホルムアミドが特に好ましく、その他、ジメチルス
ルホキシド、ブチルラクトン、スルホラン、メチルスル
ホランなどが好ましい。これらの溶媒は単独あるいは２
種以上混合して用いられ、ポリアミック酸が析出しない
程度であれば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロ
ヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチル
エチルケトンなども加えてよい。
ボン酸二無水物成分、ジアミン成分および生成物のポリ
アミック酸がそれぞれ可溶な非プロトン性の溶媒であれ
ばいずれであってもよい。このような溶媒としては、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルホルムアミドが特に好ましく、その他、ジメチルス
ルホキシド、ブチルラクトン、スルホラン、メチルスル
ホランなどが好ましい。これらの溶媒は単独あるいは２
種以上混合して用いられ、ポリアミック酸が析出しない
程度であれば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロ
ヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチル
エチルケトンなども加えてよい。
【００１３】ポリアミック酸ワニスの濃度は５〜６０重
量％が好ましく、１０〜３０重量％が特に好ましい。
量％が好ましく、１０〜３０重量％が特に好ましい。
【００１４】反応温度は−１０〜１００℃が好ましく、
０〜８０℃が特に好ましい。重合度を上げるためには低
温の方が好ましいが、反応速度、あるいは、原料の溶解
性ではイミド化が進行しない限り高温の方が良く、上記
の温度が好ましい。
０〜８０℃が特に好ましい。重合度を上げるためには低
温の方が好ましいが、反応速度、あるいは、原料の溶解
性ではイミド化が進行しない限り高温の方が良く、上記
の温度が好ましい。
【００１５】アンカー層用ワニスおよびポリアミック酸
ワニスを塗布する基板としては、銅、アルミ、鉄などの
金属箔が挙げられる。一般的には防錆処理、粗面化処理
した銅箔が用いられる。塗布方法としては、ダイコータ
ー、リバースコーターなどの通常の塗布装置が用いられ
る。
ワニスを塗布する基板としては、銅、アルミ、鉄などの
金属箔が挙げられる。一般的には防錆処理、粗面化処理
した銅箔が用いられる。塗布方法としては、ダイコータ
ー、リバースコーターなどの通常の塗布装置が用いられ
る。
【００１６】ポリイミド層は１回の塗工で形成されて
も、複数回の塗工で形成されてもよい。１回塗工の場
合、溶媒の加熱乾燥、イミド化は５０〜４００℃で行わ
れる。これらの工程は段階的に行っても連続的に行って
も良い。複数回の塗工の場合、最終層以外の層を形成す
るときには溶媒の加熱乾燥・イミド化は５０〜２８０℃
で行われ、最終層を形成するときには５０〜４００℃で
行われる。また、空気中でもあるいは窒素などの不活性
ガス中でも良いが、基板の金属箔の酸化を避けるには不
活性ガス中が好ましい。また、イミド化の際、アミンと
無水酢酸などからなる脱水剤を用いても良い。
も、複数回の塗工で形成されてもよい。１回塗工の場
合、溶媒の加熱乾燥、イミド化は５０〜４００℃で行わ
れる。これらの工程は段階的に行っても連続的に行って
も良い。複数回の塗工の場合、最終層以外の層を形成す
るときには溶媒の加熱乾燥・イミド化は５０〜２８０℃
で行われ、最終層を形成するときには５０〜４００℃で
行われる。また、空気中でもあるいは窒素などの不活性
ガス中でも良いが、基板の金属箔の酸化を避けるには不
活性ガス中が好ましい。また、イミド化の際、アミンと
無水酢酸などからなる脱水剤を用いても良い。
【００１７】さらに、ポリアミック酸ワニスには、必要
に応じて少量の塗工性改良剤、接着性改良剤、充填剤な
どを配合して用いることもできる。
に応じて少量の塗工性改良剤、接着性改良剤、充填剤な
どを配合して用いることもできる。
【００１８】本発明によれば、接着性、耐熱性、電気特
性、耐薬品性および機械特性などが優れた、ポリイミド
層／アンカー層／金属箔からなるフレキシブル配線基板
を得ることができる。
性、耐薬品性および機械特性などが優れた、ポリイミド
層／アンカー層／金属箔からなるフレキシブル配線基板
を得ることができる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例に基づいてさらに詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２０】（接着力の測定）ＪＩＳ Ｃ６４７１の９
０度方向引き剥がし方法に従い測定した。
０度方向引き剥がし方法に従い測定した。
【００２１】実施例１ 反応は窒素気流下で行なった。
【００２２】（アンカー用ワニスＡ）ポリエーテルスル
ホン（三井東圧（株）製、４１００Ｇ）１０ｇをＮ−メ
チル−２−ピロリドン９０ｇ中で加熱溶解させた後、Ｎ
−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメト
キシシラン（信越シリコーン（株）製、ＫＢＭ６０３）
０．５ｇを加えてワニスを得た。
ホン（三井東圧（株）製、４１００Ｇ）１０ｇをＮ−メ
チル−２−ピロリドン９０ｇ中で加熱溶解させた後、Ｎ
−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメト
キシシラン（信越シリコーン（株）製、ＫＢＭ６０３）
０．５ｇを加えてワニスを得た。
【００２３】（ポリアミック酸ワニスＡ）ｐ−フェニレ
ンジアミン１１．６８ｇ（０．１０８モル）、４，４´
−ジアミノジフェニルエーテル１９．２２ｇ（０．０９
６モル）、４，４´−ジアミノジフェニルメタン７．１
４（０．０３６モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン３
６５．２ｇに溶解した後、ピロメリット酸二無水物４
９．７３（０．２２８モル）および３，３´，４，４´
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物３．５３ｇ
（０．０１２モル）を添加して５０℃で３時間反応さ
せ、ワニスを得た。
ンジアミン１１．６８ｇ（０．１０８モル）、４，４´
−ジアミノジフェニルエーテル１９．２２ｇ（０．０９
６モル）、４，４´−ジアミノジフェニルメタン７．１
４（０．０３６モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン３
６５．２ｇに溶解した後、ピロメリット酸二無水物４
９．７３（０．２２８モル）および３，３´，４，４´
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物３．５３ｇ
（０．０１２モル）を添加して５０℃で３時間反応さ
せ、ワニスを得た。
【００２４】（膜形成）アンカー用ワニスＡを１８ミク
ロンの銅箔（ＤＰ−ＩＩＩ、三井金属（株）製）上に塗
布し、８０℃で３０分間乾燥した。重量法で測定したと
ころ平均膜厚０．２μｍのアンカー層が形成されてい
た。さらに、ポリアミック酸ワニスＡをこの上に塗布
し、８０℃で３０分間、８０℃から１５０℃に３０分間
で昇温、１５０℃で３０分間、１５０℃から３５０℃に
３０分間で昇温、３５０℃で３０分間の条件で溶媒の乾
燥除去、イミド化を行ない、膜厚３０μｍの絶縁層を形
成した。得られたフレキシブル配線基板について絶縁層
の接着力を測定したところ、２．０Ｋｇ／ｃｍであっ
た。
ロンの銅箔（ＤＰ−ＩＩＩ、三井金属（株）製）上に塗
布し、８０℃で３０分間乾燥した。重量法で測定したと
ころ平均膜厚０．２μｍのアンカー層が形成されてい
た。さらに、ポリアミック酸ワニスＡをこの上に塗布
し、８０℃で３０分間、８０℃から１５０℃に３０分間
で昇温、１５０℃で３０分間、１５０℃から３５０℃に
３０分間で昇温、３５０℃で３０分間の条件で溶媒の乾
燥除去、イミド化を行ない、膜厚３０μｍの絶縁層を形
成した。得られたフレキシブル配線基板について絶縁層
の接着力を測定したところ、２．０Ｋｇ／ｃｍであっ
た。
【００２５】実施例２ （アンカー用ワニスＢ）ポリスルホン（アモコジャパン
リミティド社製、Ｐ−３５００）１０ｇをＮ−メチル−
２−ピロリドン９０ｇ中で加熱溶解させた後、Ｎ−（２
−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン（信越シリコーン（株）製、ＫＢＭ６０３）０．５
ｇを加えてワニスを得た。
リミティド社製、Ｐ−３５００）１０ｇをＮ−メチル−
２−ピロリドン９０ｇ中で加熱溶解させた後、Ｎ−（２
−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン（信越シリコーン（株）製、ＫＢＭ６０３）０．５
ｇを加えてワニスを得た。
【００２６】（膜形成）実施例１と同様にしてアンカー
用ワニスＢを１８ミクロンの銅箔上に同様に塗布し、８
０℃で３０分間乾燥した後、ポリアミック酸ワニスＡを
塗布し、同様に乾燥、イミド化して膜厚３０μｍの絶縁
層を有する配線基板を得た。接着力を測定したところ、
１．９Ｋｇ／ｃｍであった。
用ワニスＢを１８ミクロンの銅箔上に同様に塗布し、８
０℃で３０分間乾燥した後、ポリアミック酸ワニスＡを
塗布し、同様に乾燥、イミド化して膜厚３０μｍの絶縁
層を有する配線基板を得た。接着力を測定したところ、
１．９Ｋｇ／ｃｍであった。
【００２７】実施例３ （アンカー用ワニスＣ）ポリエーテルスルホン（三井東
圧（株）製、４１００Ｇ）１０ｇをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン９０ｇ中で加熱溶解させた後、Ｎ−（２−アミ
ノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン
（信越シリコーン社製、ＫＢＭ６０３）０．５ｇおよび
３−グリシドキプロピルトリメトキシシラン（信越シリ
コーン（株）製、ＫＢＭ４０３）０．５ｇを加えてワニ
スを得た。 （膜形成）実施例１と同様にしてアンカー用ワニスＣを
１８ミクロンの銅箔上に塗布し、８０℃で３０分間乾燥
した後、ポリアミック酸ワニスＡを塗布し、同様に乾
燥、イミド化して絶縁層を有する配線基板を得た。接着
力を測定したところ、２．２Ｋｇ／ｃｍであった。
圧（株）製、４１００Ｇ）１０ｇをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン９０ｇ中で加熱溶解させた後、Ｎ−（２−アミ
ノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン
（信越シリコーン社製、ＫＢＭ６０３）０．５ｇおよび
３−グリシドキプロピルトリメトキシシラン（信越シリ
コーン（株）製、ＫＢＭ４０３）０．５ｇを加えてワニ
スを得た。 （膜形成）実施例１と同様にしてアンカー用ワニスＣを
１８ミクロンの銅箔上に塗布し、８０℃で３０分間乾燥
した後、ポリアミック酸ワニスＡを塗布し、同様に乾
燥、イミド化して絶縁層を有する配線基板を得た。接着
力を測定したところ、２．２Ｋｇ／ｃｍであった。
【００２８】実施例４ （アンカー用ワニスＤ）変性ポリフェニレンオキサイド
（ジェネラルエレクトリック社製、ノリスＳＥ１）１０
ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン９０ｇ中で加熱溶解さ
せた後、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン（信越シリコーン（株）製、ＫＢ
Ｍ６０３）０．５ｇを加えてワニスを得た。
（ジェネラルエレクトリック社製、ノリスＳＥ１）１０
ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン９０ｇ中で加熱溶解さ
せた後、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン（信越シリコーン（株）製、ＫＢ
Ｍ６０３）０．５ｇを加えてワニスを得た。
【００２９】（膜形成）実施例１と同様にしてアンカー
用ワニスＤを１８ミクロンの銅箔上に塗布し、８０℃で
３０分間乾燥した後、ポリアミック酸ワニスＡを塗布
し、同様に乾燥、イミド化して絶縁層を有する配線基板
を得た。接着力を測定したところ、１．３Ｋｇ／ｃｍで
あった。
用ワニスＤを１８ミクロンの銅箔上に塗布し、８０℃で
３０分間乾燥した後、ポリアミック酸ワニスＡを塗布
し、同様に乾燥、イミド化して絶縁層を有する配線基板
を得た。接着力を測定したところ、１．３Ｋｇ／ｃｍで
あった。
【００３０】実施例５ （アンカー用ワニスＥ）ポリエーテルスルホン（三井東
圧（株）製、４１００Ｇ）１０ｇをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン９０ｇ中で加熱溶解させた後、Ｎ−（２−アミ
ノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン
（信越シリコーン社製、ＫＢＭ６０３）０．１ｇを加え
てワニスを得た。
圧（株）製、４１００Ｇ）１０ｇをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン９０ｇ中で加熱溶解させた後、Ｎ−（２−アミ
ノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン
（信越シリコーン社製、ＫＢＭ６０３）０．１ｇを加え
てワニスを得た。
【００３１】（膜形成）実施例１と同様にしてアンカー
用ワニスＥを１８ミクロンの銅箔上に同様に塗布し、８
０℃で３０分間乾燥した後、ポリアミック酸ワニスＡを
塗布し、同様に乾燥、イミド化して絶縁層を有する配線
基板を得た。接着力を測定したところ、１．４Ｋｇ／ｃ
ｍであった。
用ワニスＥを１８ミクロンの銅箔上に同様に塗布し、８
０℃で３０分間乾燥した後、ポリアミック酸ワニスＡを
塗布し、同様に乾燥、イミド化して絶縁層を有する配線
基板を得た。接着力を測定したところ、１．４Ｋｇ／ｃ
ｍであった。
【００３２】比較例１ アンカー層を形成することなく、実施例１で調製したポ
リアミック酸ワニスＡを１８ミクロンの銅箔に塗布し、
８０℃で３０分間、、８０℃から１５０℃に３０分間で
昇温、１５０℃で３０分間、１５０℃から３５０℃に３
０分間で昇温、３５０℃で３０分間の条件で溶媒の乾燥
除去、イミド化を行なって、膜厚３０μｍの絶縁層を有
する配線基板を得た。接着力を測定したところ、０．５
Ｋｇ／ｃｍであった。
リアミック酸ワニスＡを１８ミクロンの銅箔に塗布し、
８０℃で３０分間、、８０℃から１５０℃に３０分間で
昇温、１５０℃で３０分間、１５０℃から３５０℃に３
０分間で昇温、３５０℃で３０分間の条件で溶媒の乾燥
除去、イミド化を行なって、膜厚３０μｍの絶縁層を有
する配線基板を得た。接着力を測定したところ、０．５
Ｋｇ／ｃｍであった。
【００３３】比較例２ （アンカー用ワニスＦ）ポリエーテルスルホン（三井東
圧（株）製、４１００Ｇ）１０ｇをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン９０ｇ中で加熱溶解させてワニスを得た。
圧（株）製、４１００Ｇ）１０ｇをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン９０ｇ中で加熱溶解させてワニスを得た。
【００３４】（膜形成）実施例１と同様にしてアンカー
用ワニスＦを１８ミクロンの銅箔上に塗布し、８０℃で
３０分間乾燥した後、ポリアミック酸ワニスＡを同様に
塗布、乾燥、イミド化して絶縁層を有する配線基板を得
た。接着力を測定したところ、０．５Ｋｇ／ｃｍであっ
た。
用ワニスＦを１８ミクロンの銅箔上に塗布し、８０℃で
３０分間乾燥した後、ポリアミック酸ワニスＡを同様に
塗布、乾燥、イミド化して絶縁層を有する配線基板を得
た。接着力を測定したところ、０．５Ｋｇ／ｃｍであっ
た。
【００３５】これらの結果から明らかなごとく、本発明
の構成の場合には接着性を著しく向上させることができ
ることがわかる。
の構成の場合には接着性を著しく向上させることができ
ることがわかる。
【００３６】
【発明の効果】本発明は上述のごとく構成したので、接
着性が著しく優れるとともに実用性能の向上したフレキ
シブル配線基板を確実に得ることができる。
着性が著しく優れるとともに実用性能の向上したフレキ
シブル配線基板を確実に得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 康男 滋賀県大津市園山１丁目１番１号 東レ 株式会社滋賀事業場内 審査官 中川 隆司 (56)参考文献 特開 平２−280396（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−278890（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/38 H05K 1/03
Claims (3)
- 【請求項１】ガラス転移点（Ｔｇ）が１７０℃以上の耐
熱性ポリマーとシランカップリング剤からなる厚さ０．
０１〜５μｍのアンカー層を銅箔上に形成した後、ポリ
アミック酸ワニスを塗布し、溶媒の乾燥除去、イミド化
を行わせることを特徴とするフレキシブル配線基板の製
造方法。 - 【請求項２】耐熱性ポリマーがスルホン基を有する請求
項１に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。 - 【請求項３】シランカップリング剤がアミノシランおよ
び／またはエポキシシランである請求項１に記載のフレ
キシブル配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29149591A JP3295952B2 (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | フレキシブル配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29149591A JP3295952B2 (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | フレキシブル配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129774A JPH05129774A (ja) | 1993-05-25 |
| JP3295952B2 true JP3295952B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=17769616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29149591A Expired - Fee Related JP3295952B2 (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | フレキシブル配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3295952B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4892834B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2012-03-07 | 宇部興産株式会社 | 接着性の改良されたポリイミドフィルム、その製法および積層体 |
| JP6554516B2 (ja) | 2017-08-31 | 2019-07-31 | 東京応化工業株式会社 | 基板加熱装置、基板処理システム及び基板加熱方法 |
| JP7178823B2 (ja) | 2018-08-17 | 2022-11-28 | 東京応化工業株式会社 | 基板加熱装置および基板処理システム |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP29149591A patent/JP3295952B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05129774A (ja) | 1993-05-25 |
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