JPS60203638A - ポリイミドフイルム - Google Patents

ポリイミドフイルム

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JPS60203638A
JPS60203638A JP6257484A JP6257484A JPS60203638A JP S60203638 A JPS60203638 A JP S60203638A JP 6257484 A JP6257484 A JP 6257484A JP 6257484 A JP6257484 A JP 6257484A JP S60203638 A JPS60203638 A JP S60203638A
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JP
Japan
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film
polyimide
polyimide film
diamine
phenylenediamine
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Application number
JP6257484A
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English (en)
Inventor
Ken Noda
謙 野田
Koji Hara
浩二 原
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346Organic insulating material consisting of one material containing N

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、高い伸び率と弾性率を有するとともに低い
吸湿率と線膨張係数を有するポリイミドフィルムに関す
るものである。
一般にポリイミドフィルムは、芳香族テトラカルボン酸
二無水物と芳香族ジアミンとを反応させて得られるポリ
イミドからなる。この芳香族テトラカルボン酸二無水物
としては安価なピロメリット酸二無水物が汎用されてお
り、このピロメリット酸二無水物と種々の芳香族ジアミ
ンとの組み合わせで得られる種々のポリイミドフィルム
が知られている。
これらのポリイミドフィルムの中でも、芳香族ジアミン
として2・2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル]プロパンを使用して得られるフィルムは、伸び
特性がとくに良好で比較的低い吸湿性を有している。
しかしながら、このフィルムは弾性率が低く変形しやす
いため、フレキシブルプリント配線基板などの電気回路
板の用途に使用する場合に銅箔との貼り合わせ作業が困
難である。また、このフィルムは線膨張係数が高いため
、上記の銅箔との貼り合わせを加熱して行うと、冷却し
て得られる積層板にそりが生じたり、回路形成のための
加工時の寸法安定性が悪い。
そこで、この発明者らは、このポリイミドフィルムの有
する良好な伸び特性と比較的低い吸湿性とを大きく損な
うことなく、このフィルムの弾性率を高めるとともに線
膨張係数を低下させることにより電気回路板などの用途
に有用なポリイミドフィルムを提供することを目的とし
て鋭意検討した結果、芳香族ジアミンとして上記の2・
2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プ
ロバントトモにp−フェニレンジアミンを特定割合で用
いることにより、この目的が達成されることを見い出し
、この発明をなすに至った。
すなわち、この発明は、ピロメリット酸二無水物ないし
はその誘導体を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成
分と2・2−ビス[4−(4−アミ/フェノキシ)フェ
ニル〕プロパン30〜70モル%およびp−フェニレン
ジアミン70〜30モル%(このうち10モル%以下を
他のジアミンで置きかえてもよい)からなるジアミン成
分とを反応させて得られる対数粘度(97%硫酸中o、
 !5 y/dlの濃度で30°C下で測定)が05〜
7であるポリイミドからなるポリイミドフィルムに係る
ものである。
この発明のポリイミドフィルムは、上記のピロメリット
酸二無水物と2・2−ビス[4−(4−アミ/フェノキ
シ)フェニル]プロパンとの組み合わせで得られるポリ
イミドフィルム(以下、PDA−BAPP系ポリイミド
フィルムという)にほぼ近い高い伸び率を有して伸び特
性が良好であり、またこのフィルムにほぼ近い低い吸湿
率を有している。
しかも、この発明のポリイミドフィルムは、上記のPD
A−BAPP系ポリイミドフィルムに比べて高い弾性率
と低い線膨張係数を有してこれらが実用的な範囲にあり
、電気回路板などの用途に対して上記のPDA−BAP
P系ポリイミドフィルムに比べてさらに有用なものであ
る。
なお、ピロメリット酸二無水物とp−フェニレンジアミ
ン単独との組み合わせで得られるポリイミドフィルムは
、イミド化の方法によってフィルム特性が異なることが
一般に知られている。すなわち、上記の組み合わせで得
られるポリアミド酸溶液をガラス板などに流延して乾燥
塗膜を形成したのち、この塗膜をピリジンと無水酢酸の
ベンゼン溶液に浸漬して脱溶剤とイミド化反応を行うこ
とにより得られたポリイミドフィルムは高い弾性率を有
するとともに強じんであるが、上記の塗膜を加熱して乾
燥とイミド化反応を行った場合には加熱により分子量低
下が起きるため、得られたポリイミドフィルムはもろい
ものとなり実用的ではない。
これに対して、この発明のポリイミドフィルムは、p−
フェニレンジアミンと2・2−ビス〔4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル]フロパントヲ併用することによ
り、加熱によるイミド化によって得られた場合でもピロ
メリット酸二無水物とp−フェニレンジアミンとの組み
合わせの持つ特性が生かされて高い弾性率を有し強じん
なものである。
この発明における芳香族テトラカルボン酸成分とは、ピ
ロメリット酸二無水物ないしはその酸ハロゲン化物、モ
ノエステル、ジエステルなどの誘導体単独からなるもの
でもよいし、あるいはこれを通常90モル%以上含み、
その他の芳香族テトラカルボン酸二無水物ないしはその
誘導体を通常10モル%以下の割合で含むものでもよい
その他の芳香族テトラカルボン酸二無水物ないしはその
誘導体きしては、例えば3・3′・4・4′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、3・3′・4・4′−ベ
ンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、2・3・6・
7−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物などの酸二無
水物およびこれらの酸ハロゲン化物、モノエステル、ジ
エステルなどの誘導体が挙げられ、これらのうちの1種
または2種以上を用いることができる。
なお、芳香族テトラカルボン酸成分におけるピロメリッ
ト酸二無水物ないしはその誘導体の割合が少なすぎると
、得られるポリイミドフィルムのコストが高くなり、ま
た場合によっては所望のフイルム特性が得られないため
好ましくない。
この発明におけるジアミン成分とは、2・2−ビス[4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン30〜
70モル%とp−フェニレンジアミン70〜30モル%
(このうち10モル%以下を他のジアミンで置きかえて
もよい)とを含むものである。
このジアミン成分において2・2−ビス[4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕プロパンの割合が30モル
%未満となると、得られるポリイミドフィルムの伸び率
が低くなるとともに吸湿率が高くなるため、また、加熱
によりイミド化してポリイミドフィルムを得た場合、こ
のフィルムがもろくなるため不適当である。
また、この割合が70モル%を超えると得られるポリイ
ミドフィルムの弾性率が低くなるとともに線膨張係数が
高くなるため不適当である。
このジアミン成分においては、上記のようにp−フェニ
レンジアミンの使用量のうちの10モル%以内を他のジ
アミンで置きかえてもよい。しかし、他のジアミンの割
合が多すぎると得られるポリイミドフィルムの弾性率が
低くなるとともに線膨張係数が高くなるため好ましくな
い。
上記の他のジアミンとしては、例えば4・4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、4・4−ジアミノジフェニルメ
タン、4・4−ジアミノジフェニルスルホン、3・3−
ジアミノジフェニルスルホン、m−フェニレンジアミン
、4・4−ジアミノジフェニルプロパン、1・5−ジア
ミノナフタリン、2・6−ジアミノナフタリン、4・4
−ジアミノジフェニルスルフィド、4・4′−ジ(m−
アミノフェノキシ)ジフェニルスルホンなどが挙げられ
、これらのうちの1種または2種以上を使用することが
できる。
上記の芳香族テトラカルボン酸成分とジアミン成分とを
使用してこの発明のポリイミドフィルムを得るには、例
えばこれら両成分を略等モル有機極性溶媒中で反応させ
てポリアミド酸などのポリイミド前駆体とし、このポリ
イミド前駆体の溶液をガラス板などの平板上に流延して
皮膜を形成し、この皮膜を加熱して乾燥、イミド化すれ
ばよい。
上記の有機極性溶媒としては、N−メチル−2−ピロリ
ドン、N−N−ジメチルホルムアミド、N・N−ジメチ
ルアセトアミド、フェノール、m−クレゾール、p−ク
レゾール、p−クロロフェノール、0−クロロフェノー
ル、ジメチルスルホキサイドなどの1種を単独で使用し
てもよいし2種以上を混合して使用してもよい。また、
場合によりキシレン、トルエン、ナフサ、ベンゼンなど
の非極性溶媒を上記の極性溶媒と混合して用いてもよい
この有機極性溶媒の使用量は、上記の両成分の濃度が通
常10〜25重量%となるようにするのがよい。
上記のポリイミド前駆体は、この有機極性溶媒中に上記
の両成分を略等モル加え、通常、0〜80℃で1〜24
時間程時間部させることにより得られる。このポリイミ
ド前駆体は、その対数粘度(N−メチル−2−ピロリド
ン中0.5 f//dlの濃度で30°C下で測定)が
04〜7の範囲にあることが好ましい。この対数粘度が
低すきると、得られるポリイミドフィルムの機械的強度
が低くなるため好ましくない。また、この対数粘度が高
すぎると、このポリイミド前駆体の溶液をガラス板など
に流延させにくく皮膜形成のための作業が困難となるた
め好ましくない。
なお、この対数粘度とは次の式で計算されるものであり
、式中の粘度は毛細管粘度計により測定溶液中の重合体
の濃度 このポリイミド前駆体の溶液から上記のようにして皮膜
を形成し、この皮膜を通常100〜200°Cで30分
〜6時間程度加熱して溶剤を除去し、さらに200〜3
00℃で30分〜6時間程度加熱してポリイミド前駆体
をイミド化してポリイミドとすることによりこの発明の
ポリイミドフィルムを得ることができる。
上記のポリイミドは、その対数粘度(97%硫酸中0,
5 p/dlの濃度で30°C下で測定)が0.5〜7
、好ましくは1〜3となるようにする。この対数粘度が
05未満ではポリイミドフィルムの機械的強度が低くな
り好ましくない。また、この対数粘度が7を超えるポリ
イミドを得るには、上記のポリイミド前駆体の対数粘度
をかなり高くしなければならず、この前駆体の溶液から
なる皮膜形成のための作業が困難となるため好ましくな
い。
また、上記のポリイミドフィルムの厚みとしては通常1
0〜5.Opn程度とするのがよい。
なお、この発明のポリイミドフィルムを得るには、上記
の方法以外によってもよく、例えば上記の方法と同様に
して得られたポリイミド前駆体の溶液をガラス板などの
平板上に流延し100〜150°Cで30分〜120分
加熱乾燥して皮膜を形成し、この皮膜をピリジンと無水
酢酸のベンゼン溶液などに浸漬して脱溶剤とイミド化反
応を行い、上記のポリイミド前駆体を対数粘度(97%
硫酸中0、’5P/dlの濃度で30℃下で測定)が0
.5〜7のポリイミドとすることにより得られる。
上記のようにして得られるこの発明のポリイミドフィル
ムは、例えばその厚みが25pnのものでは、通常、2
3°Cにおける伸び率が60〜110%程度、同温度で
の引張弾性率が250〜400Kg/ma程度、25℃
で80%RHO界囲気下に24時間放置後の吸湿率力月
、5%以下であり、30〜200℃における平均線膨張
係数が1.4X10〜4.0×10J々程度である。
なお、上記の線膨張係数とは、温度Tにおいて長さlの
材料カ月℃の温度変化によって△lだけ長さが変化した
とすると、△l/lで示される。また平均線膨張係数と
は、測定温度が30〜200°Cの間の線膨張係数の平
均値で示される。
一方、25μの厚みのPDA−BAPP系ポリイミドフ
ィルムは、通常、23°Cにおける伸び率が70〜11
0%程度、同温度での引張弾性率が170〜240Kg
/mtl程度、上記と同条件下での吸湿率が0.9%以
下であり、30〜200°Cにおける平均線膨張係数が
5×10〜7 X 10 1/C程度である。
すなわち、この発明のポリイミドフィルムは、PDA−
BAPP系ポリイミドフィルムにほぼ近い高い伸び率と
低い吸湿率を有し、しかもPDA−BAPP系ポリイミ
ドフィルムに比べて高く実用的な弾性率とこのフィルム
に比べて低く実用的な線膨張係数を有するものである。
このようなフィルム特性を有するこの発明のポリイミド
フィルムは、フレキシブルプリント配線基板などの電気
回路板の用途に使用する場合に、弾性率が高いため銅箔
との貼り合わせ作業に困難をきたすことなく、また、線
膨張係数が低いため、加熱による銅箔との貼り合わせに
よって得られた積層物のそりの問題や回路形成のための
加工時の寸法安定性にも好結果を与えることが−でき、
しかも上記の高い伸び率と低い吸湿率とにより回路板の
機械的強度や耐湿性にも好結果を与えることができる。
以下にこの発明の実施例を記載する。
実施例1〜5 11のセパラブルフラスコにN−メチル−2−ピロリド
ンと下記の表に示すジアミン成分とを入れてジアミン成
分が完全に溶解するまで室温でよく混合した。なお、N
−メチル−2−ピロリドンの使用量はジアミン成分およ
び芳香族テトラカルボン酸成分のモノマー仕込み濃度が
12重量%となるようにした。
次に、このフラスコ中に同表に示す芳香族テトラカルボ
ン酸成分を発熱をおさえながら徐々に添加した。このあ
と室温で5時間撹拌しながら反応させて同表に示す対数
粘度(N−メチル−2−ピロリドン中0.5y/dl!
の濃度で30℃下で測定)を有するポリアミド酸の溶液
を得た。
このポリアミド酸の溶液をガラス板上に流延して皮膜を
形成し、この皮膜を熱風乾燥機中120°Cで30分間
加熱して乾燥させ、さらに250°Cで4時間加熱して
イミド化させることにより厚み25戸で同表に示す対数
粘度(97%硫酸中0:5y/diの濃度で30℃下で
測定)を有するポリイミドとし、この発明のポリイミド
フィルムを得た。なお、このフィルムについてIRスペ
クトルを測定したところ、アミド酸の特性吸収はみられ
ず、1780σ−1付近にイミド基の特性吸収がみられ
た。
比較例1〜3 下記の表に示すジアミン成分および芳香族テトラカルボ
ン酸成分を使用して実施例1〜5と同様にしてポリイミ
ドフィルムを得た。このフィルムについてIRスペクト
ルを測定したところ、比較例2,3ではアミド酸の特性
吸収はみられず、17801 cm 付近にイミド基の特性吸収がみられたが、比較例
1にはフィルム形成能がなく一部アミド酸の特性吸収が
残っていた。
上記の実施例および比較例で得られたポリイミドフィル
ムについて下記のようにして特性を調べ、これらの結果
を下記の表に示した。
〈引張弾性率、伸び率〉 ASTM−D−882−80の引張試験の方法に準拠し
て23℃で測定した。
〈吸 湿 率〉 ポリイミドフィルムを50°Cの熱風乾燥機中で24時
間乾燥させたのち、I Ocm×I 0cynの大きさ
に切断して秤量し、次いで25℃、80%RHに湿度調
整したデシケータ−内に24時間放置したのち再び秤量
して重量変化から吸湿率をめた。
〈平均線膨張係数〉 熱機械的分析装置(TMA;精工電子工業社製)を用い
、荷重22の条件で30〜2oo′cでの線膨張係数の
平均値をめた。
なお、下記の表においてPDAはピロメリット酸二無水
物、5−BPDAは3・3′・4・4′−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、BAPPは2・2−ビス[4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、p−
PDAはp−フェニレンジアミン、DADEは4・4′
−ジアミノジフ−エニルエーテルを示す。
上記の結果から明らかなように、この発明のポリイミド
フィルムは、PDA−BAPP系ポリイミドフィルムに
ほぼ近い高い伸び率と低い吸湿率を有し、しかもPDA
−BAPP系ポリイミドフィルムに比べて高く実用的な
弾性率と低(実用的な線膨張係数を有することがわかる
特許出願人 日東電気工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 f、l’lピロメリット酸二無水物ないしはその誘導体
    を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と2・2−
    ビスC4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパ
    ン30〜70モル%およびp−フェニレンジアミン70
    〜30モル%(このうち10モル%以下を他のジアミン
    で置きかえてもよい)からなるジアミン成分とを反応さ
    せて得られる対数粘度(97%硫酸中0.5y/dlの
    濃度で30℃下で測定)が05〜7であるポリイミドか
    らなるポリイミドフィルム。 (2)芳香族テトラカルボン酸成分がピロメリット酸二
    無水物ないしはその誘導体を90モル%以上含む特許請
    求の範囲第(1)項記載のポリイミドフィルム。
JP6257484A 1984-03-29 1984-03-29 ポリイミドフイルム Pending JPS60203638A (ja)

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