JPH06283866A - 多層回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 実質的に銅箔とポリイミド樹脂層とからな
り、耐薬品性や耐カール性、接着性に優れた多層回路基
板およびその製造方法を提供する。また、接続を容易に
して接続信頼性および高密度実装に適した多層回路基板
を得る。 【構成】 低線膨張性ポリイミド樹脂層２の片面に銅回
路１’を形成し、他面にはエッチング処理や荷電処理を
施した片面基板を、熱可塑性ポリイミド樹脂層３を介し
て多層構造に接着、積層する。ポリイミド樹脂層２に貫
通孔を設けて金属４を充填した導通路を形成し、さらに
バンプ状金属突出物５を形成することによって電気的接
続信頼性が高まる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は多層回路基板およびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器が軽量化や薄型化、小型
化するのに伴い、回路基板も薄型化や高密度化する必要
がある。一般に回路基板としては銅箔とポリイミド樹脂
層とを接着剤を介するか、もしくは介さずに積層した３
層タイプもしくは２層タイプの基板が用いられている
が、接着剤の特性に左右されない２層タイプの基板が多
く提案されている。さらに高密度化や高性能化のために
単層基板から多層基板への開発要求が高まっており、こ
れに応え種々の構造や製法も提案されている。

【０００３】このような多層回路基板を得る方法として
は、例えば絶縁性基板として熱可塑性ポリイミド樹脂層
を用いて加熱圧着し、多層構造とする方法が考えられる
が、この方法では用いる熱可塑性ポリイミド樹脂は、通
常、絶縁性基板に用いられている熱硬化性ポリイミド樹
脂と比べて、耐熱性や耐薬品性、寸法安定性に劣るの
で、実用上問題がある。また、熱可塑性ポリイミド樹脂
は、一般にその線膨張係数が銅箔の線膨張係数の約２〜
４倍もあり、銅箔に配線回路をパターニングした際に基
板がカールする恐れがある。

【０００４】一方、上記方法に用いる熱可塑性ポリイミ
ド樹脂層に代えて熱硬化性ポリイミド樹脂層を用いて
も、熱硬化性ポリイミド樹脂層自体には接着機能がない
ので、多層構造に積層しがたく、また、機械的な脆さの
ためにクラックを生じるおそれがある。さらに、低線膨
張性ポリイミド樹脂層は実用的な特性（強度）は満足す
るものの一般に被着体への接着力に乏しいという欠点を
有する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題に鑑みてなされたものであって、実質的にポリイミド
樹脂層からなる絶縁性樹脂層に銅回路パターンを形成
し、多層に積層してなる回路基板であって、耐薬品性や
耐カール性、接着性に優れた多層回路基板の提供、およ
びその製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは上
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、低線膨
張性ポリイミド樹脂層の片面に特定の表面処理を施し、
他面には回路パターンを形成した回路基板を、熱可塑性
ポリイミド樹脂の接着機能を利用して複数枚積層するこ
とによって上記目的を達成した多層回路基板が得られる
ことを見い出し、本発明を完成するに至った。また、こ
のような多層回路基板を製造するにあたって、ポリイミ
ド前駆体を用いることによって極めて接着性に優れるこ
とも見い出した。

【０００７】即ち、本発明は低線膨張性ポリイミド樹脂
層の片面にエッチング処理または荷電処理が施され、他
面には回路が積層された回路基板を、熱可塑性ポリイミ
ド樹脂層を介して複数枚積層してなる多層回路基板、特
に、回路形成領域内もしくは該領域とその近傍領域の低
線膨張性ポリイミド樹脂層および熱可塑性ポリイミド樹
脂層に、少なくとも一つの貫通孔が厚み方向に形成さ
れ、回路形成領域内に形成された貫通孔には金属物質に
よる導通路およびバンプ状金属突出物が形成され、バン
プ状金属突出物を介して回路基板間の導通がとられてい
る多層回路基板の提供、並びに銅箔上に低線膨張性ポリ
イミド前駆体溶液を塗布、乾燥する工程と、該塗布面に
エッチング処理または荷電処理を施す工程と、不活性ガ
ス雰囲気下で４００℃以上の温度にて加熱して前駆体層
をイミド化する工程と、銅箔をパターニングして回路を
形成して回路基板を得る工程と、熱可塑性ポリイミド樹
脂層を介して複数枚の回路基板を加熱圧着する工程とを
含むことを特徴する多層回路基板の製造方法を提供する
ものである。

【０００８】本発明の多層回路基板に用いる絶縁性樹脂
層は実質的にポリイミド樹脂層からなるものである。こ
のような絶縁性樹脂層は低線膨張性ポリイミド樹脂層と
熱可塑性ポリイミド樹脂層との積層構造を有するもので
あって、低線膨張性ポリイミド樹脂層の他面に銅回路が
形成されてなる単層の回路基板を複数枚積層して多層構
造とする。本発明にて用いる上記低線膨張性ポリイミド
樹脂は線膨張係数が２．０×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下
の値を有するものであって、熱可塑性ポリイミド樹脂は
ガラス転移温度が２００℃以上で、しかも３９０℃にお
ける溶融粘度が１０⁹ ポイズ以下の性質を有するものと
定義される。これらのポリイミド樹脂は塗工作業性や各
樹脂層間の接着性を向上させるためにポリイミド前駆体
溶液として塗布工程に供したのち、加熱、脱水閉環して
イミド化することが好ましい。

【０００９】上記低線膨張性ポリイミド樹脂および熱可
塑性ポリイミド樹脂は、上記定義に合致するものであれ
ば特に制限されないが、低線膨張性ポリイミド樹脂とし
てはテトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸
二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スル
ホン二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物の少なくとも一種を用
い、ジアミン成分としてはｐ−フェニレンジアミン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレ
ンジアミン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノビフェニルの少なくとも一種を用いて重合反応さ
せたものを用いることが好ましい。

【００１０】一方、熱可塑性ポリイミド樹脂としてはテ
トラカルボン酸成分としてビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジフルオロメタン二無水物の少なくとも一種を
用い、ジアミン成分としてはビス〔４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’
−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３，３’−ジア
ミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノベンゾフ
ェノンの少なくとも一種を用いて重合反応させたものを
用いることが好ましい。重合には有機溶媒としてＮ−メ
チル−２−ピロリドンや、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどを用いて上記各
成分を略等モル配合して行なう。

【００１１】本発明においては上記のようにして得られ
る低線膨張性ポリイミド前駆体を銅箔上にロールコータ
ーやコンマコーター、ナイフコーター、ドクターブレー
ドなどを用いて塗布乾燥して銅箔／低線膨張性ポリイミ
ド前駆体層の構造を有する片面基板を得る。なお、この
ときの乾燥工程は６０〜１８０℃程度の温度下で行い、
溶剤除去のみを行なうようにしてポリイミド前駆体の脱
水閉環、イミド化が進行しないようにすることが好まし
い。

【００１２】次いで、このようにして得られた銅箔／低
線膨張性ポリイミド前駆体層の構造を有する片面基板
を、不活性ガス雰囲気下で４００℃以上の温度に加熱す
ることによって、ポリイミド前駆体層を脱水、閉環して
イミド化する。加熱には熱風循環式加熱炉、遠赤外線加
熱炉などの装置が用いられる。加熱温度が４００℃以下
であると、充分にイミド化が進行せずにポリイミド特有
の特性が充分に発揮できない。また、イミド化時に酸素
が存在すると銅箔表面が酸化されるだけでなく、熱可塑
性ポリイミド樹脂が熱分解を起こす恐れがあり好ましく
ない。通常、酸素濃度は４％以下、好ましくは２％とす
る。

【００１３】以上のようにしてイミド化処理を施したの
ち、得られた銅箔／低線膨張性ポリイミド樹脂層の構造
を有する片面基板の銅箔を所望のパターンに回路形成す
る。回路の形成には公知の方法、例えばフォトレジスト
を銅箔上に塗工して回路パターンの露光、現像、ウエッ
トエッチングするという方法などが採用される。

【００１４】本発明において低線膨張性ポリイミド樹脂
層の片面（回路形成面と反対の面）には、熱可塑性ポリ
イミド樹脂層との接着性を向上させる目的で、エッチン
グ処理や荷電処理などの表面処理が施される。エッチン
グ処理としては具体的にはアルカリ溶液などによるウエ
ットエッチングやスパッタエッチングなどのドライエッ
チングなどが挙げられ、荷電処理としてはプラズマ放電
処理などが挙げられる。なお、このような表面処理を施
す工程は後述する熱可塑性ポリイミド樹脂層を介して多
層化する前であれば特に制限されないので、低線膨張性
ポリイミド前駆体層の形成後や、これを加熱イミド化し
た後、回路パターン形成後のいずれに行ってもよいもの
である。

【００１５】このようにして得られる単層の回路基板を
熱可塑性ポリイミド樹脂層を介して複数枚重ね合わせ、
ラミネートロールや熱圧プレスなどを用い、熱可塑性ポ
リイミド樹脂のガラス転移温度より３０〜１５０℃程度
高い温度にて１〜５００ｋｇ／ｃｍ² の圧力を加えて加
熱圧着し、本発明の多層回路基板を得る。この加熱圧着
の際には熱可塑性ポリイミド樹脂層が、積層される他の
回路基板の低線膨張性ポリイミド樹脂層と隣接するよう
に積層されるが、先の工程で銅箔をエッチング処理して
回路を形成する際に低線膨張性ポリイミド樹脂層の表面
も荒れた状態となるので、熱可塑性樹脂との接着強度が
さらに向上する。この工程での、銅箔およびポリイミド
樹脂層の酸化劣化を防止するために、不活性雰囲気下も
しくは真空中にて圧着を行なうことが好ましく、通常、
酸素濃度を４％以下、特に２％以下に調整する。

【００１６】また、最終的に得られる多層回路基板にお
いて、熱可塑性ポリイミド樹脂層の線膨張係数をａ₁ 、
熱可塑性ポリイミド樹脂層の合計厚みをｔ₁ 、低線膨張
性ポリイミド樹脂層の線膨張係数をａ₂ 、低線膨張性ポ
リイミド樹脂層の合計厚みをｔ₂ とした場合、 ａ₁ ・〔ｔ₁ ／（ｔ₁ ＋ｔ₂ ）〕＋ ａ₂ ・〔ｔ₂ ／（ｔ₁ ＋ｔ₂ ）〕 の値と銅の線膨張係数との差が、１．０×１０^-5ｃｍ／
ｃｍ／℃よりも小さい値に設定することによって、熱収
縮などによる回路パターンのズレや銅箔をエッチングし
た後のカールをさらに防ぐことができて好ましい。

【００１７】以下に本発明の多層回路基板およびその製
造方法を図面を用いて説明する。

【００１８】図１は本発明の多層回路基板を得る方法を
説明するための各工程の断面図である。

【００１９】本発明ではまず、図１（ａ）のように銅箔
１上に低線膨張性ポリイミド前駆体溶液を塗布し、これ
を乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体層２’を形成す
る。そののち、これを高温加熱してイミド化し、さらに
図１（ｂ）に示すように、銅箔１を所望の形にして回路
１’を形成する。次いで、回路１’形成面と反対面の低
線膨張性ポリイミド樹脂層２の表面を処理し、図１
（ｂ）のように形成された単層の回路基板を熱可塑性ポ
リイミド樹脂層３を介して複数枚重ね合わせ、加熱圧着
して図１（ｃ）に示される本発明の多層回路基板が得ら
れる。

【００２０】図２は本発明の多層基板を得る方法を説明
するための他の製造方法の各工程の断面図である。図２
（ａ）は上記図１（ａ）と同様であり、次いで、図１
（ｂ）に示すように回路１’を形成したのち、回路１’
形成領域内の低線膨張性ポリイミド樹脂層２に少なくと
も一つの貫通孔を形成し、この貫通孔に金属４による導
通路を形成し、回路１’形成面と反対側の面にバンプ状
金属突出物５を形成する。このように形成された単層の
回路基板の表面を図１と同様に表面処理し、次いで、熱
可塑性ポリイミド樹脂層３を介して複数枚重ね合わせ、
加熱圧着することによって図２（ｃ）に示される本発明
の多層回路基板が得られる。

【００２１】図２に示すように、貫通孔を設けて金属４
による導通路を電解メッキなどの方法で形成し、さらに
バンプ状金属突出物５を形成することによって、多層構
造に積層した場合の電気的接続、導通が容易に行なえて
好ましいものである。形成する貫通孔の孔径は、基板を
適用する用途によって随時設定できるが、通常１〜２０
０μｍ程度の大きさが好ましい。また、貫通孔の形成方
法としては、アルカリ溶液などによるウエットエッチン
グ法、レーザーやプラズマなどを照射するドライエッチ
ング法、機械的穿孔加工法などが挙げられるが、特に、
加工精度や加工速度、製造コストなどの点からは低線膨
張性の感光性ポリイミド樹脂を用い、４５０ｎｍ以下の
波長の紫外光を用いたフォトリソ加工を行うことが好ま
しい。但し、このときの穿孔加工は一般的にアミド酸の
状態で行い、孔を開けてから加熱イミド化する。

【００２２】充填する金属種としては導通がとれれば特
に制限はなく、例えば金、銀、銅、ニッケル、錫、半
田、クロム、タングステン、ロジウム、インジウムなど
の金属、またはこれらの合金を一種あるいは２種以上積
層して用いることができる。バンプ状金属突出物５は、
例えば電解メッキをさらに成長させ、１〜２００μｍ程
度の高さに形成する。

【００２３】本発明の多層回路基板の製造方法は上記方
法に限定されるものではなく、例えば鏡面金属シート上
に低線膨張性ポリイミド前駆体溶液を塗布乾燥したの
ち、鏡面金属シートから低線膨張性ポリイミド前駆体層
を剥離し、これを加熱してイミド化、次いで形成した低
線膨張性ポリイミド樹脂層に表面処理を施したのち、金
属導体を蒸着法やイオンプレーティング法、スパッタ法
などによって付着させて片面基板を得ることもできる。
多層化するには前記したように、熱可塑性ポリイミド樹
脂層を介して前記片面基板を積層すればよいのである。

【００２４】図３は図２（ｃ）に示す本発明の多層回路
基板の他の実例を示す断面図である。図３において、貫
通孔が回路１’形成領域だけでなくその近傍にも設けら
れており、近傍の貫通孔には金属による導通路は形成さ
れていない。このように形成された貫通孔は多層構造に
積層した場合、熱可塑性ポリイミド樹脂層３が孔内に溶
融流動して充填され、アンカー効果を発揮して接着強度
の向上に寄与するようになる。

【００２５】図４は図３に示す多層回路基板に半導体素
子６をバンプ電極を介して接続した状態を示す断面図で
ある。

【００２６】図５は本発明の多層回路基板に半導体素子
６を搭載し、ワイヤー９によってボンディングしたの
ち、これを外部基板８上の外部回路７上にバンプ状金属
突出物５によって接続した状態を示す断面図である。本
発明におけるバンプ状金属突出物５は、図２〜図４のよ
うに各貫通孔に対してそれぞれ一つずつ形成する必要は
なく、図５に示すように複数の貫通孔を同時に閉塞して
形成することもできるのである。

【００２７】

【実施例】以下に、本発明を実施例にて具体的に説明す
る。

【００２８】実施例１ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミンの略等モルを、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイミ
ド前駆体溶液を得、これを圧延銅箔（厚み１８μｍ）上
にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１００℃
で乾燥して片面基板を作製した。

【００２９】このようにして作製した片面基板を、窒素
ガス置換によって酸素濃度を１．５％以下にした連続加
熱炉にて４５０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処
理を行なった。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の
厚みは３０μｍであった。

【００３０】次に、得られた低線膨張性ポリイミド樹脂
層の表面（銅箔面と反対面）に、Ｏ ₂ プラズマを照射
（照射条件：３００Ｗ、６．５Ｐａ、１０分間）して表
面処理を施した。

【００３１】この片面基板上の銅箔をエッチング除去し
て熱機械分析を行なったところ、低線膨張性ポリイミド
樹脂層の線膨張係数は１．０×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃、
銅の線膨張係数は１．６×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃であっ
た。

【００３２】一方、ガラス板上にビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）エーテル二無水物とビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンの略等モルを、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して得た熱可塑性
ポリイミド前駆体溶液を上記と同様の方法にて流延塗布
し、１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体フィ
ルムを形成した。形成した熱可塑性ポリイミド前駆体フ
ィルムをガラス板から剥離して２００℃で１時間加熱し
てイミド化し、熱可塑性ポリイミド樹脂フィルム（１０
μｍ厚、線膨張係数５．８×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃）を
作製した。

【００３３】次いで、上記片面基板上の銅箔をエッチン
グして銅回路を形成したのち、真空熱圧プレスにて熱可
塑性ポリイミド樹脂フィルムを各基板間に介して積層
し、３５０℃、１００ｋｇ／ｃｍ² の条件で加熱圧着し
て本発明の多層回路基板（３層構造）を得た。

【００３４】以上のようにして得られた多層回路基板の
引き剥がし強度は１．５ｋｇ／ｃｍであり、剥離は銅箔
との界面で起こり、ポリイミド樹脂層間では起こらなか
った。また、４００℃、３０秒の半田ディップ試験でも
ボイドの発生はなく、耐熱性においても全く問題はなか
った。

【００３５】実施例２ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミン／４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル（６０：４０モル比）の略等モル
を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張
性ポリイミド前駆体溶液を得、これを圧延銅箔（厚み３
５μｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布
し、１００℃で乾燥して片面基板を作製した。

【００３６】このようにして作製した片面基板を、窒素
ガス置換によって酸素濃度を１．０％以下にした連続加
熱炉にて４２０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処
理を行なった。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の
厚みは２０μｍであった。

【００３７】次に、得られた低線膨張性ポリイミド樹脂
層の表面（銅箔面と反対面）に、Ｎ ₂ プラズマを照射
（照射条件：３００Ｗ、６．５Ｐａ、１０分間）して表
面処理を施した。

【００３８】この片面基板上の銅箔をエッチング除去し
て熱機械分析を行なったところ、低線膨張性ポリイミド
樹脂層の線膨張係数は１．７×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃、
銅の線膨張係数は１．６×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃であっ
た。

【００３９】一方、ガラス板上にビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物とビ
ス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン
の略等モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合し
て得た熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上記と同様の方
法にて流延塗布して１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイ
ミド前駆体フィルムを形成した。形成した熱可塑性ポリ
イミド前駆体フィルムをガラス板から剥離して２５０℃
で３０分間加熱してイミド化し、熱可塑性ポリイミド樹
脂フィルム（５μｍ厚、線膨張係数５．５×１０^-5ｃｍ
／ｃｍ／℃）を作製した。

【００４０】次いで、上記片面基板上の銅箔を実施例１
と同様にしてエッチングしたのち、窒素ガス置換して酸
素濃度を１．５％以下にしたラミネートロールにて熱可
塑性ポリイミド樹脂フィルムを各基板間に介して積層
し、３７０℃、５０ｋｇ／ｃｍ ² の条件で加熱圧着して
本発明の多層回路基板（５層構造）を得た。

【００４１】以上のようにして得られた多層回路基板の
引き剥がし強度は２．４ｋｇ／ｃｍであり、剥離は銅箔
との界面で起こり、ポリイミド樹脂層間では起こらなか
った。また、４００℃、３０秒の半田ディップ試験でも
ボイドの発生はなく、耐熱性においても全く問題はなか
った。

【００４２】比較例１ 低線膨張性ポリイミド樹脂層の表面を処理しなかった以
外は実施例１と同様の方法にて多層回路基板を作製し
た。

【００４３】得られた多層回路基板における二種類のポ
リイミド樹脂層間の接着力は１００ｇ／ｃｍ以下であ
り、プレス後、積層界面の一部で剥離現象が観察され
た。

【００４４】

【発明の効果】本発明の多層回路基板は低線膨張性ポリ
イミド樹脂層における回路形成面と反対面に特定の表面
処理を施し、熱可塑性ポリイミド樹脂層を介して多層構
造に積層しているので、各ポリイミド樹脂層間の界面接
着力が高く剥離現象が見られないものである。また、絶
縁性基板を実質的にポリイミド樹脂から形成しているの
で、耐熱性や耐薬品性、耐カール性に優れるという効果
を有するものであり、近年の電子機器の高密度化や高性
能化に充分に耐え得るものである。

【００４５】また、ポリイミド樹脂層にバンプ状金属突
出物および導通路を有する貫通孔を形成して基板の厚み
方向に導通させることによって、半導体素子との接続は
バンプを介して行なえるので接続が容易であると共に、
接続信頼性や実装密度が向上する。また、本発明の多層
回路基板は多層化する前に、各基板ごとに良不良の検査
を行なうことができるので、製造時の歩留り向上が望め
るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の多層回路基板を得る方法を説明する
ための各工程の断面図である。

【図２】 本発明の多層回路基板を得る方法を説明する
ための他の製造方法の各工程の断面図である。

【図３】 図２（ｃ）に示す本発明の多層回路基板の他
の実例を示す断面図である。

【図４】 図３に示す多層回路基板に半導体素子をバン
プ電極を介して接続した状態を示す断面図である。

【図５】 半導体素子を搭載した本発明の多層回路基板
を外部基板上に実装した状態を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 銅箔 １’ 回路 ２ 低線膨張性ポリイミド樹脂層 ２’ 低線膨張性ポリイミド前駆体層 ３ 熱可塑性ポリイミド樹脂層 ４ 金属 ５ バンプ状金属突出物

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 俊一 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 低線膨張性ポリイミド樹脂層の片面にエ
   ッチング処理または荷電処理が施され、他面には回路が
   積層された回路基板を、熱可塑性ポリイミド樹脂層を介
   して複数枚積層してなる多層回路基板。
2. 【請求項２】 熱可塑性ポリイミド樹脂層の線膨張係数
   をａ₁ 、熱可塑性ポリイミド樹脂層の合計厚みをｔ₁ 、
   低線膨張性ポリイミド樹脂層の線膨張係数をａ ₂ 、低線
   膨張性ポリイミド樹脂層の合計厚みをｔ₂ とした場合、 ａ₁ ・〔ｔ₁ ／（ｔ₁ ＋ｔ₂ ）〕＋ ａ₂ ・〔ｔ₂ ／（ｔ₁ ＋ｔ₂ ）〕 の値と銅の線膨張係数との差が、１．０×１０^-5ｃｍ／
   ｃｍ／℃よりも小さい請求項１記載の多層回路基板。
3. 【請求項３】 回路形成領域内もしくは該領域とその近
   傍領域の低線膨張性ポリイミド樹脂層および熱可塑性ポ
   リイミド樹脂層に、少なくとも一つの貫通孔が厚み方向
   に形成され、回路形成領域内に形成された貫通孔には金
   属物質による導通路およびバンプ状金属突出物が形成さ
   れ、バンプ状金属突出物を介して回路基板間の導通がと
   られている請求項１記載の多層回路基板。
4. 【請求項４】 銅箔上に低線膨張性ポリイミド前駆体溶
   液を塗布、乾燥する工程と、該塗布面にエッチング処理
   または荷電処理を施す工程と、不活性ガス雰囲気下で４
   ００℃以上の温度にて加熱して前駆体層をイミド化する
   工程と、銅箔をパターニングして回路を形成して回路基
   板を得る工程と、熱可塑性ポリイミド樹脂層を介して複
   数枚の回路基板を加熱圧着する工程とを含むことを特徴
   する多層回路基板の製造方法。