JP3059556B2 - 多層基板およびその製造方法 - Google Patents
多層基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3059556B2 JP3059556B2 JP33755791A JP33755791A JP3059556B2 JP 3059556 B2 JP3059556 B2 JP 3059556B2 JP 33755791 A JP33755791 A JP 33755791A JP 33755791 A JP33755791 A JP 33755791A JP 3059556 B2 JP3059556 B2 JP 3059556B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide resin
- linear expansion
- resin layer
- thermoplastic polyimide
- coefficient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層基板およびその製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器が軽量化や薄型化、小型
化するのに伴い、配線基板も薄型化や高密度化する必要
がある。一般に配線基板としては銅箔とポリイミド樹脂
層とを接着剤を介するか、もしくは介さずに積層した３
層タイプもしくは２層タイプの基板が上市されている
が、接着剤の特性に左右されない２層タイプの基板が多
く提案されている。さらに、高密度化や高性能化のため
に単層基板から多層基板への開発要求が高まっており、
これに応え種々の構造や製法も提案されている。
化するのに伴い、配線基板も薄型化や高密度化する必要
がある。一般に配線基板としては銅箔とポリイミド樹脂
層とを接着剤を介するか、もしくは介さずに積層した３
層タイプもしくは２層タイプの基板が上市されている
が、接着剤の特性に左右されない２層タイプの基板が多
く提案されている。さらに、高密度化や高性能化のため
に単層基板から多層基板への開発要求が高まっており、
これに応え種々の構造や製法も提案されている。
【０００３】このような多層基板を得る方法としては、
例えば絶縁性基板として熱可塑性ポリイミド樹脂層を用
いて加熱圧着し、多層構造とする方法が考えられるが、
この方法では用いる熱可塑性ポリイミド樹脂は、通常、
絶縁性基板に用いられている熱硬化性ポリイミド樹脂と
比べて、耐熱性や耐薬品性、寸法安定性に劣るので、実
用上問題がある。また、熱可塑性ポリイミド樹脂は、一
般にその線膨張係数が銅箔の線膨張係数の約２〜４倍も
あり、銅箔に配線回路をパターニングした際に基板がカ
ールする恐れがある。
例えば絶縁性基板として熱可塑性ポリイミド樹脂層を用
いて加熱圧着し、多層構造とする方法が考えられるが、
この方法では用いる熱可塑性ポリイミド樹脂は、通常、
絶縁性基板に用いられている熱硬化性ポリイミド樹脂と
比べて、耐熱性や耐薬品性、寸法安定性に劣るので、実
用上問題がある。また、熱可塑性ポリイミド樹脂は、一
般にその線膨張係数が銅箔の線膨張係数の約２〜４倍も
あり、銅箔に配線回路をパターニングした際に基板がカ
ールする恐れがある。
【０００４】一方、上記方法に用いる熱可塑性ポリイミ
ド樹脂層に代えて熱硬化性ポリイミド樹脂層を用いて
も、熱硬化性ポリイミド樹脂層には接着機能がないの
で、多層構造に積層することができない。また、熱硬化
性ポリイミド樹脂層に多層構造に接着するための熱可塑
性ポリイミド樹脂層を形成し、これによって多層化する
方法も考えられる。しかしながら、通常、ポリイミド樹
脂層表面は不活性であるので、熱硬化性ポリイミド樹脂
層と熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面の接着性が乏し
く、接着力向上のためには表面処理を行なう必要があ
り、製造工程が煩雑となる。
ド樹脂層に代えて熱硬化性ポリイミド樹脂層を用いて
も、熱硬化性ポリイミド樹脂層には接着機能がないの
で、多層構造に積層することができない。また、熱硬化
性ポリイミド樹脂層に多層構造に接着するための熱可塑
性ポリイミド樹脂層を形成し、これによって多層化する
方法も考えられる。しかしながら、通常、ポリイミド樹
脂層表面は不活性であるので、熱硬化性ポリイミド樹脂
層と熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面の接着性が乏し
く、接着力向上のためには表面処理を行なう必要があ
り、製造工程が煩雑となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題に鑑みてなされたものであって、実質的にポリイミド
樹脂層からなる絶縁性樹脂層に銅回路パターンを形成
し、多層に積層してなる配線基板であって、耐薬品性や
耐カール性、接着性に優れた両面基板の提供、およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
題に鑑みてなされたものであって、実質的にポリイミド
樹脂層からなる絶縁性樹脂層に銅回路パターンを形成
し、多層に積層してなる配線基板であって、耐薬品性や
耐カール性、接着性に優れた両面基板の提供、およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは上
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、低線膨
張性ポリイミド樹脂層の片面に銅回路パターンを形成し
た配線基板を、熱可塑性ポリイミド樹脂の接着機能を利
用して複数枚積層することによって上記目的を達成した
多層基板が得られることを見い出し、本発明を完成する
に至った。また、このような多層基板を製造するにあた
って、ポリイミド前駆体を用いることによって、極めて
接着性に優れることも見い出した。
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、低線膨
張性ポリイミド樹脂層の片面に銅回路パターンを形成し
た配線基板を、熱可塑性ポリイミド樹脂の接着機能を利
用して複数枚積層することによって上記目的を達成した
多層基板が得られることを見い出し、本発明を完成する
に至った。また、このような多層基板を製造するにあた
って、ポリイミド前駆体を用いることによって、極めて
接着性に優れることも見い出した。
【０００７】即ち、本発明は線膨張係数が２．０×１０
-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下のポリイミド樹脂からなる低線膨
張性ポリイミド樹脂層の片面に回路を積層した配線基板
を、熱可塑性ポリイミド樹脂層を介して複数枚積層して
なる多層基板、特に、回路形成領域内もしくは該領域と
その近傍領域の線膨張係数が２．０×１０-5ｃｍ／ｃｍ
／℃以下のポリイミド樹脂からなる低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層および熱可塑性ポリイミド樹脂層に、少なくと
も一つの貫通孔が厚み方向に形成され、回路形成領域内
に形成された貫通孔には金属物質による導通路およびバ
ンプ状金属突出物が形成され、バンプ状金属突出物を介
して配線基板間の導通がとられている多層基板の提供、
並びに銅箔上に線膨張係数が２．０×１０-5ｃｍ／ｃｍ
／℃以下のポリイミド樹脂からなる低線膨張性ポリイミ
ド前駆体溶液を塗布、乾燥する工程と、該塗布面に熱可
塑性ポリイミド前駆体溶液を塗布、乾燥する工程と、不
活性ガス雰囲気下で４００℃以上の温度にて加熱して前
駆体層をイミド化する工程と、銅箔をパターニングして
回路を形成して配線基板を得る工程と、熱可塑性ポリイ
ミド樹脂層と形成した回路が隣接するように複数枚の配
線基板を加熱圧着する工程とを含むことを特徴とする多
層基板の製造方法を提供するものである。
-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下のポリイミド樹脂からなる低線膨
張性ポリイミド樹脂層の片面に回路を積層した配線基板
を、熱可塑性ポリイミド樹脂層を介して複数枚積層して
なる多層基板、特に、回路形成領域内もしくは該領域と
その近傍領域の線膨張係数が２．０×１０-5ｃｍ／ｃｍ
／℃以下のポリイミド樹脂からなる低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層および熱可塑性ポリイミド樹脂層に、少なくと
も一つの貫通孔が厚み方向に形成され、回路形成領域内
に形成された貫通孔には金属物質による導通路およびバ
ンプ状金属突出物が形成され、バンプ状金属突出物を介
して配線基板間の導通がとられている多層基板の提供、
並びに銅箔上に線膨張係数が２．０×１０-5ｃｍ／ｃｍ
／℃以下のポリイミド樹脂からなる低線膨張性ポリイミ
ド前駆体溶液を塗布、乾燥する工程と、該塗布面に熱可
塑性ポリイミド前駆体溶液を塗布、乾燥する工程と、不
活性ガス雰囲気下で４００℃以上の温度にて加熱して前
駆体層をイミド化する工程と、銅箔をパターニングして
回路を形成して配線基板を得る工程と、熱可塑性ポリイ
ミド樹脂層と形成した回路が隣接するように複数枚の配
線基板を加熱圧着する工程とを含むことを特徴とする多
層基板の製造方法を提供するものである。
【０００８】本発明の多層基板に用いる絶縁性樹脂層は
実質的にポリイミド樹脂層からなるものである。このよ
うな絶縁性樹脂層は低線膨張性ポリイミド樹脂層と熱可
塑性ポリイミド樹脂層との積層構造を有するものであっ
て、低線膨張性ポリイミド樹脂層の他面に銅回路が形成
されてなる単層の配線基板を複数枚積層して多層構造と
する。本発明にて用いる上記低線膨張性ポリイミド樹脂
は線膨張係数が２．０×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下の値
を有するものであって、熱可塑性ポリイミド樹脂はガラ
ス転移温度が２００℃以上で、しかも３９０℃における
溶融粘度が１０9 ポイズ以下の性質を有するものと定義
される。これらのポリイミド樹脂は塗工作業性や各樹脂
層間の接着性を向上させるためにポリイミド前駆体溶液
として塗布工程に供したのち、加熱、脱水閉環してイミ
ド化することが好ましい。
実質的にポリイミド樹脂層からなるものである。このよ
うな絶縁性樹脂層は低線膨張性ポリイミド樹脂層と熱可
塑性ポリイミド樹脂層との積層構造を有するものであっ
て、低線膨張性ポリイミド樹脂層の他面に銅回路が形成
されてなる単層の配線基板を複数枚積層して多層構造と
する。本発明にて用いる上記低線膨張性ポリイミド樹脂
は線膨張係数が２．０×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下の値
を有するものであって、熱可塑性ポリイミド樹脂はガラ
ス転移温度が２００℃以上で、しかも３９０℃における
溶融粘度が１０9 ポイズ以下の性質を有するものと定義
される。これらのポリイミド樹脂は塗工作業性や各樹脂
層間の接着性を向上させるためにポリイミド前駆体溶液
として塗布工程に供したのち、加熱、脱水閉環してイミ
ド化することが好ましい。
【０００９】上記低線膨張性ポリイミド樹脂および熱可
塑性ポリイミド樹脂は、上記定義に合致するものであれ
ば特に制限されないが、低線膨張性ポリイミド樹脂とし
てはテトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸
二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スル
ホン二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物の少なくとも一種を用
い、ジアミン成分としてはｐ−フェニレンジアミン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレ
ンジアミン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノビフェニルの少なくとも一種を用いて重合反応さ
せたものを用いることが好ましい。
塑性ポリイミド樹脂は、上記定義に合致するものであれ
ば特に制限されないが、低線膨張性ポリイミド樹脂とし
てはテトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸
二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スル
ホン二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物の少なくとも一種を用
い、ジアミン成分としてはｐ−フェニレンジアミン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレ
ンジアミン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノビフェニルの少なくとも一種を用いて重合反応さ
せたものを用いることが好ましい。
【００１０】一方、熱可塑性ポリイミド樹脂としてはテ
トラカルボン酸成分としてビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジフルオロメタン二無水物の少なくとも一種を
用い、ジアミン成分としてはビス〔４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’
−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３，３’−ジア
ミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノベンゾフ
ェノンの少なくとも一種を用いて重合反応させたものを
用いることが好ましい。重合には有機溶媒としてＮ−メ
チル−２−ピロリドンや、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどを用いて上記各
成分を略等モル配合して行なう。
トラカルボン酸成分としてビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジフルオロメタン二無水物の少なくとも一種を
用い、ジアミン成分としてはビス〔４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’
−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３，３’−ジア
ミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノベンゾフ
ェノンの少なくとも一種を用いて重合反応させたものを
用いることが好ましい。重合には有機溶媒としてＮ−メ
チル−２−ピロリドンや、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどを用いて上記各
成分を略等モル配合して行なう。
【００１１】本発明においては上記のようにして得られ
る低線膨張性ポリイミド前駆体を銅箔上にロールコータ
ーやコンマコーター、ナイフコーター、ドクターブレー
ドなどを用いて塗布乾燥する。次いで、該塗布面に熱可
塑性ポリイミド前駆体溶液を塗布乾燥して銅箔／低線膨
張性ポリイミド前駆体層／熱可塑性ポリイミド前駆体層
の構造を有する片面基板を得る。なお、このときの乾燥
工程は６０〜１８０℃程度の温度下で行い、溶剤除去の
みを行なうようにしてポリイミド前駆体の脱水閉環、イ
ミド化が進行しないようにすることが好ましい。また、
このように熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を重ね塗りす
ることによって、先に塗布乾燥した低線膨張性ポリイミ
ド前駆体層の表層部が溶解して各ポリイミド前駆体成分
が混合されることになり、後の工程で加熱イミド化した
場合に充分な界面接着力が得られるのである。
る低線膨張性ポリイミド前駆体を銅箔上にロールコータ
ーやコンマコーター、ナイフコーター、ドクターブレー
ドなどを用いて塗布乾燥する。次いで、該塗布面に熱可
塑性ポリイミド前駆体溶液を塗布乾燥して銅箔／低線膨
張性ポリイミド前駆体層／熱可塑性ポリイミド前駆体層
の構造を有する片面基板を得る。なお、このときの乾燥
工程は６０〜１８０℃程度の温度下で行い、溶剤除去の
みを行なうようにしてポリイミド前駆体の脱水閉環、イ
ミド化が進行しないようにすることが好ましい。また、
このように熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を重ね塗りす
ることによって、先に塗布乾燥した低線膨張性ポリイミ
ド前駆体層の表層部が溶解して各ポリイミド前駆体成分
が混合されることになり、後の工程で加熱イミド化した
場合に充分な界面接着力が得られるのである。
【００１２】上記に重ね塗りに際しては最終的に得られ
る多層基板における熱可塑性ポリイミド樹脂層の線膨張
係数をａ1 、熱可塑性ポリイミド樹脂層の合計厚みをｔ
1 、低線膨張性ポリイミド樹脂層の線膨張係数をａ2 、
低線膨張性ポリイミド樹脂層の合計厚みをｔ2 とした場
合、 ａ1 ・〔ｔ1 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）〕＋ ａ2 ・〔ｔ2 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）〕 の値と銅の線膨張係数との差が、１．０×１０-5ｃｍ／
ｃｍ／℃よりも小さい値に設定することによって、熱収
縮などによる回路パターンのズレや銅箔をエッチングし
た後のカールをさらに防ぐことができて好ましい。
る多層基板における熱可塑性ポリイミド樹脂層の線膨張
係数をａ1 、熱可塑性ポリイミド樹脂層の合計厚みをｔ
1 、低線膨張性ポリイミド樹脂層の線膨張係数をａ2 、
低線膨張性ポリイミド樹脂層の合計厚みをｔ2 とした場
合、 ａ1 ・〔ｔ1 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）〕＋ ａ2 ・〔ｔ2 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）〕 の値と銅の線膨張係数との差が、１．０×１０-5ｃｍ／
ｃｍ／℃よりも小さい値に設定することによって、熱収
縮などによる回路パターンのズレや銅箔をエッチングし
た後のカールをさらに防ぐことができて好ましい。
【００１３】次いで、このようにして得られた銅箔／低
線膨張性ポリイミド前駆体層／熱可塑性ポリイミド前駆
体層の構造を有する片面基板を、不活性ガス雰囲気下で
４００℃以上の温度に加熱することによって、ポリイミ
ド前駆体層を脱水、閉環してイミド化する。加熱には熱
風循環式加熱炉、遠赤外線加熱炉などの装置が用いられ
る。加熱温度が４００℃以下であると、充分にイミド化
が進行せずにポリイミド特有の特性が充分に発揮できな
い。また、イミド化時に酸素が存在すると銅箔表面が酸
化されるだけでなく、熱可塑性ポリイミド樹脂が熱分解
を起こす恐れがあり好ましくない。通常、酸素濃度は４
％以下、好ましくは２％とする。
線膨張性ポリイミド前駆体層／熱可塑性ポリイミド前駆
体層の構造を有する片面基板を、不活性ガス雰囲気下で
４００℃以上の温度に加熱することによって、ポリイミ
ド前駆体層を脱水、閉環してイミド化する。加熱には熱
風循環式加熱炉、遠赤外線加熱炉などの装置が用いられ
る。加熱温度が４００℃以下であると、充分にイミド化
が進行せずにポリイミド特有の特性が充分に発揮できな
い。また、イミド化時に酸素が存在すると銅箔表面が酸
化されるだけでなく、熱可塑性ポリイミド樹脂が熱分解
を起こす恐れがあり好ましくない。通常、酸素濃度は４
％以下、好ましくは２％とする。
【００１４】以上のようにしてイミド化処理を施したの
ち、得られた銅箔／低線膨張性ポリイミド樹脂層／熱可
塑性ポリイミド樹脂層の構造を有する片面基板の銅箔を
所望のパターンに回路形成する。回路の形成には公知の
方法、例えばフォトレジストを銅箔上に塗工して回路パ
ターンの露光、現像、ウエットエッチングするという方
法などが採用される。
ち、得られた銅箔／低線膨張性ポリイミド樹脂層／熱可
塑性ポリイミド樹脂層の構造を有する片面基板の銅箔を
所望のパターンに回路形成する。回路の形成には公知の
方法、例えばフォトレジストを銅箔上に塗工して回路パ
ターンの露光、現像、ウエットエッチングするという方
法などが採用される。
【００１５】このようにして得られる単層の配線基板を
複数枚重ね合わせ、ラミネートロールや熱圧プレスなど
を用い、熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移温度より
３０〜１５０℃程度高い温度にて１〜５００ｋｇ／ｃｍ
2 の圧力を加えて加熱圧着し、本発明の多層基板を得
る。この加熱圧着の際には熱可塑性ポリイミド樹脂層
が、積層される他の配線基板の低線膨張性ポリイミド樹
脂層と隣接するように積層されるが、先の工程で銅箔を
エッチング処理して回路を形成する際に低線膨張性ポリ
イミド樹脂層の表面も荒れた状態となるので、熱可塑性
樹脂との接着強度が向上する。この工程での、銅箔およ
びポリイミド樹脂層の酸化劣化を防止するために、不活
性雰囲気下もしくは真空中にて圧着を行なうことが好ま
しく、通常、山荘濃度を４％以下、特に２％以下に調整
する。
複数枚重ね合わせ、ラミネートロールや熱圧プレスなど
を用い、熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移温度より
３０〜１５０℃程度高い温度にて１〜５００ｋｇ／ｃｍ
2 の圧力を加えて加熱圧着し、本発明の多層基板を得
る。この加熱圧着の際には熱可塑性ポリイミド樹脂層
が、積層される他の配線基板の低線膨張性ポリイミド樹
脂層と隣接するように積層されるが、先の工程で銅箔を
エッチング処理して回路を形成する際に低線膨張性ポリ
イミド樹脂層の表面も荒れた状態となるので、熱可塑性
樹脂との接着強度が向上する。この工程での、銅箔およ
びポリイミド樹脂層の酸化劣化を防止するために、不活
性雰囲気下もしくは真空中にて圧着を行なうことが好ま
しく、通常、山荘濃度を４％以下、特に２％以下に調整
する。
【００１６】以下に本発明の多層基板およびその製造方
法を図面を用いて説明する。
法を図面を用いて説明する。
【００１７】図１は本発明の多層基板を得る方法を説明
するための各工程の断面図である。本発明ではまず、図
１（ａ）のように銅箔１上に低線膨張性ポリイミド前駆
体溶液を塗布し、これを乾燥して低線膨張性ポリイミド
前駆体層２’を形成し、次いで、図１（ｂ）に示すよう
に、その上から熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を重ね塗
り、乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体層３’を形成す
る。そののち、図１（ｃ）に示すように、銅箔１を所望
の形にして回路１’を形成する。図１（ｃ）のように形
成された単層の配線基板を複数枚重ね合わせ、加熱圧着
して図１（ｄ）に示される本発明の多層基板が得られ
る。
するための各工程の断面図である。本発明ではまず、図
１（ａ）のように銅箔１上に低線膨張性ポリイミド前駆
体溶液を塗布し、これを乾燥して低線膨張性ポリイミド
前駆体層２’を形成し、次いで、図１（ｂ）に示すよう
に、その上から熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を重ね塗
り、乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体層３’を形成す
る。そののち、図１（ｃ）に示すように、銅箔１を所望
の形にして回路１’を形成する。図１（ｃ）のように形
成された単層の配線基板を複数枚重ね合わせ、加熱圧着
して図１（ｄ）に示される本発明の多層基板が得られ
る。
【００１８】図２は本発明の多層基板を得る方法を説明
するための他の製造方法の各工程の断面図である。図２
（ａ）および図２（ｂ）は、上記図１（ａ）および
（ｂ）と同様であり、次いで、図１（ｃ）に示すように
回路１’を形成したのち、回路１’形成領域内の低線膨
張性ポリイミド樹脂層２および熱可塑性ポリイミド樹脂
層３に少なくとも一つの貫通孔を形成し、この貫通孔に
金属４による導通路を形成し、回路１’形成面と反対側
の面にバンプ状金属突出物５を形成する。このように形
成された単層の配線基板を複数枚重ね合わせ、加熱圧着
して図２（ｄ）に示される本発明の多層基板が得られ
る。
するための他の製造方法の各工程の断面図である。図２
（ａ）および図２（ｂ）は、上記図１（ａ）および
（ｂ）と同様であり、次いで、図１（ｃ）に示すように
回路１’を形成したのち、回路１’形成領域内の低線膨
張性ポリイミド樹脂層２および熱可塑性ポリイミド樹脂
層３に少なくとも一つの貫通孔を形成し、この貫通孔に
金属４による導通路を形成し、回路１’形成面と反対側
の面にバンプ状金属突出物５を形成する。このように形
成された単層の配線基板を複数枚重ね合わせ、加熱圧着
して図２（ｄ）に示される本発明の多層基板が得られ
る。
【００１９】図２に示すように、貫通孔を設けて金属４
による導通路を電解メッキなどの方法で形成し、さらに
バンプ状金属突出物５を形成することによって、多層構
造に積層した場合の電気的接続、導通が容易に行なえて
好ましいものである。形成する貫通孔の孔径は、基板を
適用する用途によって随時設定できるが、通常１〜２０
０μｍ程度の大きさが好ましい。また、貫通孔の形成方
法としては、アルカリ溶液などによるウエットエッチン
グ法、レーザーやプラズマなどを照射するドライエッチ
ング法、機械的穿孔加工法などが挙げられるが、加工精
度や加工速度などの点からは４００ｎｍ以下の波長の紫
外レーザー光を用いたアブレーション加工、特にエキシ
マレーザーの照射方法が好ましい。充填する金属種とし
ては導通がとれれば特に制限はなく、例えば金、銀、
銅、ニッケル、錫、半田、クロム、タングステン、ロジ
ウム、インジウムなどの金属、またはこれらの合金を一
種あるいは２種以上積層して用いることができる。バン
プ状金属突出物５は、例えば電解メッキをさらに成長さ
せ、１〜２００μｍ程度の高さに形成する。
による導通路を電解メッキなどの方法で形成し、さらに
バンプ状金属突出物５を形成することによって、多層構
造に積層した場合の電気的接続、導通が容易に行なえて
好ましいものである。形成する貫通孔の孔径は、基板を
適用する用途によって随時設定できるが、通常１〜２０
０μｍ程度の大きさが好ましい。また、貫通孔の形成方
法としては、アルカリ溶液などによるウエットエッチン
グ法、レーザーやプラズマなどを照射するドライエッチ
ング法、機械的穿孔加工法などが挙げられるが、加工精
度や加工速度などの点からは４００ｎｍ以下の波長の紫
外レーザー光を用いたアブレーション加工、特にエキシ
マレーザーの照射方法が好ましい。充填する金属種とし
ては導通がとれれば特に制限はなく、例えば金、銀、
銅、ニッケル、錫、半田、クロム、タングステン、ロジ
ウム、インジウムなどの金属、またはこれらの合金を一
種あるいは２種以上積層して用いることができる。バン
プ状金属突出物５は、例えば電解メッキをさらに成長さ
せ、１〜２００μｍ程度の高さに形成する。
【００２０】本発明の多層基板の製造方法は上記方法に
限定されるものではなく、例えば鏡面金属シート上に低
線膨張性ポリイミド前駆体溶液、熱可塑性ポリイミド前
駆体溶液の順で積層して塗布乾燥したのち、鏡面金属シ
ートから積層されたポリイミド前駆体層を剥離し、これ
を加熱してイミド化、次いで低線膨張性ポリイミド樹脂
層上に金属導体を蒸着法やイオンプレーティング法、ス
パッタ法などによって付着させて得ることもできる。
限定されるものではなく、例えば鏡面金属シート上に低
線膨張性ポリイミド前駆体溶液、熱可塑性ポリイミド前
駆体溶液の順で積層して塗布乾燥したのち、鏡面金属シ
ートから積層されたポリイミド前駆体層を剥離し、これ
を加熱してイミド化、次いで低線膨張性ポリイミド樹脂
層上に金属導体を蒸着法やイオンプレーティング法、ス
パッタ法などによって付着させて得ることもできる。
【００２１】図３は図２（ｄ）に示す本発明の多層基板
の他の実例を示す断面図である。図３において、貫通孔
が回路１’形成領域だけでなくその近傍にも設けられて
おり、近傍の貫通孔には金属による導通路は形成されて
いない。このように形成された貫通孔は多層構造に積層
した場合、熱可塑性ポリイミド樹脂層３が孔内に溶融流
動して充填され、アンカー効果を発揮して接着強度の向
上に寄与するようになる。
の他の実例を示す断面図である。図３において、貫通孔
が回路１’形成領域だけでなくその近傍にも設けられて
おり、近傍の貫通孔には金属による導通路は形成されて
いない。このように形成された貫通孔は多層構造に積層
した場合、熱可塑性ポリイミド樹脂層３が孔内に溶融流
動して充填され、アンカー効果を発揮して接着強度の向
上に寄与するようになる。
【００２２】図４は図３に示す多層基板に半導体素子６
をバンプ電極を介して接続した状態を示す断面図であ
る。
をバンプ電極を介して接続した状態を示す断面図であ
る。
【００２３】図５は本発明の多層基板に半導体素子６を
搭載し、ワイヤー９によってボンディングしたのち、こ
れを外部基板８上の外部回路７上にバンプ状金属突出物
によって接続した状態を示す断面図である。本発明にお
けるバンプ状金属突出物５は、図２〜図４のように各貫
通孔に対してそれぞれ一つずつ形成する必要はなく、図
５に示すように複数の貫通孔を同時に閉塞して形成する
こともできる。
搭載し、ワイヤー９によってボンディングしたのち、こ
れを外部基板８上の外部回路７上にバンプ状金属突出物
によって接続した状態を示す断面図である。本発明にお
けるバンプ状金属突出物５は、図２〜図４のように各貫
通孔に対してそれぞれ一つずつ形成する必要はなく、図
５に示すように複数の貫通孔を同時に閉塞して形成する
こともできる。
【００２４】
【実施例】以下に、本発明を実施例にて具体的に説明す
る。
る。
【００２５】実施例１ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミンの略等モルを、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイミ
ド前駆体溶液を得、これを圧延銅箔（厚み１８μｍ）上
にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１００℃
で乾燥した。
水物と、ｐ−フェニレンジアミンの略等モルを、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイミ
ド前駆体溶液を得、これを圧延銅箔（厚み１８μｍ）上
にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１００℃
で乾燥した。
【００２６】次に、上記前駆体層の上に、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物とビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンの略等
モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して得た
熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上記と同様の方法にて
流延塗布して１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイミド前
駆体層を形成した。
−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物とビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンの略等
モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して得た
熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上記と同様の方法にて
流延塗布して１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイミド前
駆体層を形成した。
【００２７】このようにして得られた片面基板を、窒素
ガス置換によって酸素濃度を１．５％以下にした連続加
熱炉にて４５０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処
理を行なった。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の
厚みは３０μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは１
０μｍであった。
ガス置換によって酸素濃度を１．５％以下にした連続加
熱炉にて４５０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処
理を行なった。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の
厚みは３０μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは１
０μｍであった。
【００２８】得られた片面基板の断面を走査型電子顕微
鏡にて観察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と
熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面は明瞭に存在せず、
各樹脂成分が混合していることが確認できた。
鏡にて観察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と
熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面は明瞭に存在せず、
各樹脂成分が混合していることが確認できた。
【００２９】また、この片面基板上の銅箔をエッチング
除去して熱機械分析を行なったところ、ポリイミド樹脂
層の積層体である絶縁性樹脂層の線膨張係数は２．２×
１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であり、各ポリイミド樹脂層単独
の線膨張係数は、低線膨張性ポリイミド樹脂層が１．０
×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃、熱可塑性ポリイミド樹脂層が
５．８×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であった。なお、銅の線
膨張係数は１．６×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃である。
除去して熱機械分析を行なったところ、ポリイミド樹脂
層の積層体である絶縁性樹脂層の線膨張係数は２．２×
１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であり、各ポリイミド樹脂層単独
の線膨張係数は、低線膨張性ポリイミド樹脂層が１．０
×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃、熱可塑性ポリイミド樹脂層が
５．８×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であった。なお、銅の線
膨張係数は１．６×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃である。
【００３０】次いで、上記片面基板上の銅箔をエッチン
グして銅回路を形成したのち、真空熱圧プレスにて熱可
塑性ポリイミド樹脂層側と他の基板の銅回路側とを相対
するように積層し、３５０℃、１００ｋｇ／ｃｍ2 の条
件で加熱圧着して本発明の多層基板（３層構造）を得
た。
グして銅回路を形成したのち、真空熱圧プレスにて熱可
塑性ポリイミド樹脂層側と他の基板の銅回路側とを相対
するように積層し、３５０℃、１００ｋｇ／ｃｍ2 の条
件で加熱圧着して本発明の多層基板（３層構造）を得
た。
【００３１】以上のようにして得られた多層基板の引き
剥がし強度は１．５ｋｇ／ｃｍであり、剥離は銅箔との
界面で起こり、ポリイミド樹脂層間では起こらなかっ
た。また、４００℃、３０秒の半田ディップ試験でもボ
イドの発生はなく、耐熱性においても全く問題はなかっ
た。
剥がし強度は１．５ｋｇ／ｃｍであり、剥離は銅箔との
界面で起こり、ポリイミド樹脂層間では起こらなかっ
た。また、４００℃、３０秒の半田ディップ試験でもボ
イドの発生はなく、耐熱性においても全く問題はなかっ
た。
【００３２】実施例２ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミン／４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル（６０：４０モル比）の略等モル
を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張
性ポリイミド前駆体溶液を得、これを圧延銅箔（厚み３
５μｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布
し、１００℃で乾燥した。
水物と、ｐ−フェニレンジアミン／４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル（６０：４０モル比）の略等モル
を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張
性ポリイミド前駆体溶液を得、これを圧延銅箔（厚み３
５μｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布
し、１００℃で乾燥した。
【００３３】次に、上記前駆体層の上に、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無
水物とビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
スルホンの略等モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中
で重合して得た熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上記と
同様の方法にて流延塗布して１００℃で乾燥して熱可塑
性ポリイミド前駆体層を形成した。
−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無
水物とビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
スルホンの略等モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中
で重合して得た熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上記と
同様の方法にて流延塗布して１００℃で乾燥して熱可塑
性ポリイミド前駆体層を形成した。
【００３４】このようにして得られた片面基板を、窒素
ガス置換によって酸素濃度を１．０％にした連続加熱炉
にて４２０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処理を
行なった。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の厚み
は２０μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは５μｍ
であった。
ガス置換によって酸素濃度を１．０％にした連続加熱炉
にて４２０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処理を
行なった。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の厚み
は２０μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは５μｍ
であった。
【００３５】得られた片面基板の断面を走査型電子顕微
鏡にて観察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と
熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面は明瞭に存在せず、
各樹脂成分が混合していることが確認できた。
鏡にて観察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と
熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面は明瞭に存在せず、
各樹脂成分が混合していることが確認できた。
【００３６】また、この片面基板上の銅箔をエッチング
除去して熱機械分析を行なったところ、ポリイミド樹脂
層の積層体である絶縁性樹脂層の線膨張係数は２．５×
１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であり、各ポリイミド樹脂層単独
の線膨張係数は、低線膨張性ポリイミド樹脂層が１．７
×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃、熱可塑性ポリイミド樹脂層が
５．５×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であった。
除去して熱機械分析を行なったところ、ポリイミド樹脂
層の積層体である絶縁性樹脂層の線膨張係数は２．５×
１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であり、各ポリイミド樹脂層単独
の線膨張係数は、低線膨張性ポリイミド樹脂層が１．７
×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃、熱可塑性ポリイミド樹脂層が
５．５×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であった。
【００３７】次いで、上記片面基板上の銅箔を実施例１
と同様にして形成したのち、窒素ガス置換して酸素濃度
を１．５％以下にしたラミネーターにて熱可塑性ポリイ
ミド樹脂層側と他の基板の銅回路側とを相対するように
積層し、３７０℃、５０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で加熱圧着
して本発明の多層基板（５層構造）を得た。
と同様にして形成したのち、窒素ガス置換して酸素濃度
を１．５％以下にしたラミネーターにて熱可塑性ポリイ
ミド樹脂層側と他の基板の銅回路側とを相対するように
積層し、３７０℃、５０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で加熱圧着
して本発明の多層基板（５層構造）を得た。
【００３８】以上のようにして得られた多層基板の引き
剥がし強度は２．４ｋｇ／ｃｍであり、剥離は銅箔との
界面で起こり、ポリイミド樹脂層間では起こらなかっ
た。また、４００℃、３０秒の半田ディップ試験でもボ
イドの発生はなく、耐熱性においても全く問題はなかっ
た。
剥がし強度は２．４ｋｇ／ｃｍであり、剥離は銅箔との
界面で起こり、ポリイミド樹脂層間では起こらなかっ
た。また、４００℃、３０秒の半田ディップ試験でもボ
イドの発生はなく、耐熱性においても全く問題はなかっ
た。
【００３９】実施例３ ピロメリット酸二無水物と、ｐ−フェニレンジアミン／
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（５０／５０モ
ル比）の略等モルを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中
で重合して低線膨張性ポリイミド前駆体溶液を得、これ
を電解銅箔（厚み１２μｍ）上にロールコーターを用い
て均一に流延塗布し、１２０℃で乾燥した。
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（５０／５０モ
ル比）の略等モルを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中
で重合して低線膨張性ポリイミド前駆体溶液を得、これ
を電解銅箔（厚み１２μｍ）上にロールコーターを用い
て均一に流延塗布し、１２０℃で乾燥した。
【００４０】次に、上記前駆体層の上に、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物と、ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンの
略等モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して
得た熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上記と同様の方法
にて流延塗布して１２０℃で乾燥して熱可塑性ポリイミ
ド前駆体層を形成した。
−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物と、ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンの
略等モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して
得た熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上記と同様の方法
にて流延塗布して１２０℃で乾燥して熱可塑性ポリイミ
ド前駆体層を形成した。
【００４１】このようにして得られた片面基板を、窒素
ガス置換によって酸素濃度を１．０％にした連続加熱炉
にて５００℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処理を
行なった。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の厚み
は１５μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは３μｍ
であった。
ガス置換によって酸素濃度を１．０％にした連続加熱炉
にて５００℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処理を
行なった。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の厚み
は１５μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは３μｍ
であった。
【００４２】得られた片面基板の断面を走査型電子顕微
鏡にて観察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と
熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面は明瞭に存在せず、
各樹脂成分が混合していることが確認できた。
鏡にて観察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と
熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面は明瞭に存在せず、
各樹脂成分が混合していることが確認できた。
【００４３】また、この片面基板上の銅箔をエッチング
除去して熱機械分析を行なったところ、ポリイミド樹脂
層の積層体である絶縁性樹脂層の線膨張係数は２．２×
１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であり、各ポリイミド樹脂層単独
の線膨張係数は、低線膨張性ポリイミド樹脂層が１．６
×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃、熱可塑性ポリイミド樹脂層が
５．４×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であった。
除去して熱機械分析を行なったところ、ポリイミド樹脂
層の積層体である絶縁性樹脂層の線膨張係数は２．２×
１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であり、各ポリイミド樹脂層単独
の線膨張係数は、低線膨張性ポリイミド樹脂層が１．６
×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃、熱可塑性ポリイミド樹脂層が
５．４×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃であった。
【００４４】次いで、上記片面基板上の銅箔を実施例１
と同様にして形成したのち、熱圧プレスにて熱可塑性ポ
リイミド樹脂層側と他の基板の熱可塑性ポリイミド樹脂
層側とを相対するように２枚積層し、３２０℃、２５０
ｋｇ／ｃｍ2 の条件で加熱圧着して本発明の多層基板を
得た。
と同様にして形成したのち、熱圧プレスにて熱可塑性ポ
リイミド樹脂層側と他の基板の熱可塑性ポリイミド樹脂
層側とを相対するように２枚積層し、３２０℃、２５０
ｋｇ／ｃｍ2 の条件で加熱圧着して本発明の多層基板を
得た。
【００４５】以上のようにして得られた多層基板の引き
剥がし強度は１．５ｋｇ／ｃｍであり、剥離は銅箔との
界面で起こり、ポリイミド樹脂層間では起こらなかっ
た。また、４００℃、３０秒の半田ディップ試験でもボ
イドの発生はなく、耐熱性においても全く問題はなかっ
た。
剥がし強度は１．５ｋｇ／ｃｍであり、剥離は銅箔との
界面で起こり、ポリイミド樹脂層間では起こらなかっ
た。また、４００℃、３０秒の半田ディップ試験でもボ
イドの発生はなく、耐熱性においても全く問題はなかっ
た。
【００４６】比較例１ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミンの略等モルを、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド中で重合して低線膨張性ポリイ
ミド前駆体溶液を得、これを圧延銅箔（厚み１８μｍ）
上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１００
℃で乾燥した。次いで窒素ガス雰囲気下で４５０℃に加
熱して脱水閉環してイミド化処理を行なった。
水物と、ｐ−フェニレンジアミンの略等モルを、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド中で重合して低線膨張性ポリイ
ミド前駆体溶液を得、これを圧延銅箔（厚み１８μｍ）
上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１００
℃で乾燥した。次いで窒素ガス雰囲気下で４５０℃に加
熱して脱水閉環してイミド化処理を行なった。
【００４７】次に、上記低線膨張性ポリイミド樹脂層の
上に、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル
二無水物とビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルホンの略等モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン中で重合して得た熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上
記と同様の方法にて流延塗布して１００℃で乾燥しての
熱可塑性ポリイミド前駆体層を形成した。
上に、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル
二無水物とビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルホンの略等モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン中で重合して得た熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上
記と同様の方法にて流延塗布して１００℃で乾燥しての
熱可塑性ポリイミド前駆体層を形成した。
【００４８】このようにして得られた片面基板を、窒素
ガス置換によって酸素濃度を２．０％にした連続加熱炉
にて４５０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処理を
行なった。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の厚み
は２０μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは５μｍ
であった。なお、片面基板の断面を走査型電子顕微鏡に
て観察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と熱可
塑性ポリイミド樹脂層との界面は明瞭に存在し、各樹脂
成分が混合されていないことが確認できた。
ガス置換によって酸素濃度を２．０％にした連続加熱炉
にて４５０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処理を
行なった。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の厚み
は２０μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは５μｍ
であった。なお、片面基板の断面を走査型電子顕微鏡に
て観察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と熱可
塑性ポリイミド樹脂層との界面は明瞭に存在し、各樹脂
成分が混合されていないことが確認できた。
【００４９】次いで、上記片面基板上の銅箔を実施例１
と同様にして形成したのち、熱圧プレスにて実施例１と
同様に積層し、３５０℃、１００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で
加熱圧着して多層基板（３層構造）を得た。
と同様にして形成したのち、熱圧プレスにて実施例１と
同様に積層し、３５０℃、１００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で
加熱圧着して多層基板（３層構造）を得た。
【００５０】また、以上のようにして得られた多層基板
の引き剥がし強度は０．１ｋｇ／ｃｍであり、ポリイミ
ド樹脂層間で容易に剥離し、ほとんど接着性はなかっ
た。
の引き剥がし強度は０．１ｋｇ／ｃｍであり、ポリイミ
ド樹脂層間で容易に剥離し、ほとんど接着性はなかっ
た。
【００５１】比較例２ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミンの略等モルを、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイミ
ド前駆体溶液を得、これを圧延銅箔（厚み３５μｍ）上
にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１００℃
で乾燥した。次いで窒素ガス雰囲気下で４５０℃に加熱
して脱水閉環してイミド化処理を行なった。次いで、銅
箔にエッチング処理して回路形成を行ない片面配線基板
を作成した。なお、低線膨張性ポリイミド樹脂層の厚み
は２０μｍであった。
水物と、ｐ−フェニレンジアミンの略等モルを、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイミ
ド前駆体溶液を得、これを圧延銅箔（厚み３５μｍ）上
にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１００℃
で乾燥した。次いで窒素ガス雰囲気下で４５０℃に加熱
して脱水閉環してイミド化処理を行なった。次いで、銅
箔にエッチング処理して回路形成を行ない片面配線基板
を作成した。なお、低線膨張性ポリイミド樹脂層の厚み
は２０μｍであった。
【００５２】一方、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）スルホン二無水物とビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕スルホンの略等モルを、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン中で重合して得た熱可塑性ポリイミド前
駆体溶液をガラス板上に流延塗布して１００℃で乾燥し
て熱可塑性ポリイミド前駆体層を形成し、さらにこれを
窒素ガス置換した加熱炉にて４５０℃に加熱して脱水閉
環を行いイミド化処理を行なった。得られた熱可塑性ポ
リイミド樹脂層の厚みは１５μｍであった。
ル）スルホン二無水物とビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕スルホンの略等モルを、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン中で重合して得た熱可塑性ポリイミド前
駆体溶液をガラス板上に流延塗布して１００℃で乾燥し
て熱可塑性ポリイミド前駆体層を形成し、さらにこれを
窒素ガス置換した加熱炉にて４５０℃に加熱して脱水閉
環を行いイミド化処理を行なった。得られた熱可塑性ポ
リイミド樹脂層の厚みは１５μｍであった。
【００５３】次いで、得られた熱可塑性ポリイミド樹脂
層を間に挟着して上記片面配線基板２枚の低線膨張性ポ
リイミド樹脂層と銅回路形成面とを積層し、熱圧プレス
にて３５０℃、１００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で加熱圧着し
て多層基板を得た。
層を間に挟着して上記片面配線基板２枚の低線膨張性ポ
リイミド樹脂層と銅回路形成面とを積層し、熱圧プレス
にて３５０℃、１００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で加熱圧着し
て多層基板を得た。
【００５４】また、得られた多層基板の引き剥がし強度
は０．４ｋｇ／ｃｍであり、ポリイミド樹脂層間で容易
に剥離し、ほとんど接着性はなかった。また、４００℃
の半田ディップを行なったところ、全面に発泡を生じ
た。
は０．４ｋｇ／ｃｍであり、ポリイミド樹脂層間で容易
に剥離し、ほとんど接着性はなかった。また、４００℃
の半田ディップを行なったところ、全面に発泡を生じ
た。
【００５５】比較例３ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミンの略等モルを、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイミ
ド前駆体溶液を得、これを電解銅箔（厚み１２μｍ）上
にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１００℃
で乾燥した。
水物と、ｐ−フェニレンジアミンの略等モルを、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイミ
ド前駆体溶液を得、これを電解銅箔（厚み１２μｍ）上
にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１００℃
で乾燥した。
【００５６】次に、上記前駆体層の上に、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物とビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンの略等
モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して得た
熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上記と同様の方法にて
流延塗布して１００℃で乾燥しての熱可塑性ポリイミド
前駆体層を形成した。
−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物とビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンの略等
モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して得た
熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を上記と同様の方法にて
流延塗布して１００℃で乾燥しての熱可塑性ポリイミド
前駆体層を形成した。
【００５７】このようにして得られた片面基板を、窒素
ガス置換していない（酸素濃度が１８％）連続加熱炉中
にて４５０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処理を
行なったところ、銅箔表面が酸化して真っ黒になり、し
かも熱可塑性ポリイミド樹脂層も熱分解によって黒く変
色劣化した。従って、上記実施例および比較例のような
検討ができなかった。
ガス置換していない（酸素濃度が１８％）連続加熱炉中
にて４５０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処理を
行なったところ、銅箔表面が酸化して真っ黒になり、し
かも熱可塑性ポリイミド樹脂層も熱分解によって黒く変
色劣化した。従って、上記実施例および比較例のような
検討ができなかった。
【００５８】
【発明の効果】本発明の多層基板は低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層および熱可塑性ポリイミド樹脂層からなる特定
の構造の絶縁性樹脂層に銅箔が形成されてなるものであ
り、各ポリイミド樹脂層の接着性がよく、しかも耐熱性
や耐薬品性、耐カール性に優れるという効果を有するも
のであり、近年の電子機器の高密度化や高性能化に充分
に耐え得るものである。
ド樹脂層および熱可塑性ポリイミド樹脂層からなる特定
の構造の絶縁性樹脂層に銅箔が形成されてなるものであ
り、各ポリイミド樹脂層の接着性がよく、しかも耐熱性
や耐薬品性、耐カール性に優れるという効果を有するも
のであり、近年の電子機器の高密度化や高性能化に充分
に耐え得るものである。
【００５９】また、ポリイミド樹脂層にバンプ状金属突
出物および導通路を有する貫通孔を形成して基板の厚み
方向に導通させることによって、半導体素子との接続は
バンプを介して行なえるので接続が容易であると共に、
接続信頼性や実装密度が向上する。また、本発明の多層
基板は多層化する前に、各基板ごとに良不良の検査を行
なうことができるので、製造時の歩留り向上が望めるも
のである。
出物および導通路を有する貫通孔を形成して基板の厚み
方向に導通させることによって、半導体素子との接続は
バンプを介して行なえるので接続が容易であると共に、
接続信頼性や実装密度が向上する。また、本発明の多層
基板は多層化する前に、各基板ごとに良不良の検査を行
なうことができるので、製造時の歩留り向上が望めるも
のである。
【図１】 本発明の多層基板を得る方法を説明するため
の各工程の断面図である。
の各工程の断面図である。
【図２】 本発明の多層基板を得る方法を説明するため
の他の製造方法の各工程の断面図である。
の他の製造方法の各工程の断面図である。
【図３】 図２（ｄ）に示す本発明の多層基板の他の実
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図４】 図３に示す多層基板に半導体素子をバンプ電
極を介して接続した状態を示す断面図である。
極を介して接続した状態を示す断面図である。
【図５】 半導体素子を搭載した本発明の多層基板を外
部基板上に実装した状態を示す断面図である。
部基板上に実装した状態を示す断面図である。
１ 銅箔 １’ 回路 ２ 低線膨張性ポリイミド樹脂層 ２’ 低線膨張性ポリイミド前駆体層 ３ 熱可塑性ポリイミド樹脂層 ３’ 熱可塑性ポリイミド前駆体層 ４ 金属 ５ バンプ状金属突出物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−262593（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/46
Claims (5)
- 【請求項１】 線膨張係数が２．０×１０ -5 ｃｍ／ｃｍ
／℃以下のポリイミド樹脂からなる低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層の片面に回路を積層した配線基板を、熱可塑性
ポリイミド樹脂層を介して複数枚積層してなる多層基
板。 - 【請求項２】 線膨張係数が２．０×１０ -5 ｃｍ／ｃｍ
／℃以下のポリイミド樹脂からなる低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層と熱可塑性ポリイミド樹脂層との接着界面にお
いて、それぞれのポリイミド樹脂成分が混合している請
求項１記載の多層基板。 - 【請求項３】 熱可塑性ポリイミド樹脂層の線膨張係数
をａ1 、熱可塑性ポリイミド樹脂層の合計厚みをｔ1 、
低線膨張性ポリイミド樹脂層の線膨張係数をａ2 、低線
膨張性ポリイミド樹脂層の合計厚みをｔ2 とした場合、 ａ1 ・〔ｔ1 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）〕＋ ａ2 ・〔ｔ2 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）〕 の値と銅の線膨張係数との差が、１．０×１０-5ｃｍ／
ｃｍ／℃よりも小さい請求項１または２記載の多層基
板。 - 【請求項４】 回路形成領域内もしくは該領域とその近
傍領域の線膨張係数が２．０×１０ -5 ｃｍ／ｃｍ／℃以
下のポリイミド樹脂からなる低線膨張性ポリイミド樹脂
層および熱可塑性ポリイミド樹脂層に、少なくとも一つ
の貫通孔が厚み方向に形成され、回路形成領域内に形成
された貫通孔には金属物質による導通路およびバンプ状
金属突出物が形成され、バンプ状金属突出物を介して配
線基板間の導通がとられている請求項１または２記載の
多層基板。 - 【請求項５】 銅箔上に線膨張係数が２．０×１０ -5 ｃ
ｍ／ｃｍ／℃以下のポリイミド樹脂からなる低線膨張性
ポリイミド前駆体溶液を塗布、乾燥する工程と、該塗布
面に熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を塗布、乾燥する工
程と、不活性ガス雰囲気下で４００℃以上の温度にて加
熱して前駆体層をイミド化する工程と、銅箔をパターニ
ングして回路を形成して配線基板を得る工程と、熱可塑
性ポリイミド樹脂層と形成した回路が隣接するように複
数枚の配線基板を加熱圧着する工程とを含むことを特徴
とする多層基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33755791A JP3059556B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 多層基板およびその製造方法 |
| US07/945,929 US5374469A (en) | 1991-09-19 | 1992-09-17 | Flexible printed substrate |
| EP19920116025 EP0533198A3 (en) | 1991-09-19 | 1992-09-18 | Flexible printed substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33755791A JP3059556B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 多層基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152755A JPH05152755A (ja) | 1993-06-18 |
| JP3059556B2 true JP3059556B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=18309770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33755791A Expired - Lifetime JP3059556B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-11-26 | 多層基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3059556B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3587884B2 (ja) * | 1994-07-21 | 2004-11-10 | 富士通株式会社 | 多層回路基板の製造方法 |
| US6016598A (en) * | 1995-02-13 | 2000-01-25 | Akzo Nobel N.V. | Method of manufacturing a multilayer printed wire board |
| JP3935480B2 (ja) * | 1998-07-29 | 2007-06-20 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | フレキシブル基板製造方法 |
| JP3541697B2 (ja) * | 1998-11-20 | 2004-07-14 | ソニーケミカル株式会社 | フレキシブル配線板の製造方法 |
| JP3701807B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2005-10-05 | ソニーケミカル株式会社 | 基板製造方法、及び基板 |
| JP2001043961A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Keihin Sokki Kk | 半導体ウエハーにおけるヒータ装置およびその製造方法 |
| JP3205548B2 (ja) | 1999-10-01 | 2001-09-04 | ソニーケミカル株式会社 | 多層フレキシブル配線板 |
| JP2001244630A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Kuraray Co Ltd | 多層配線回路基板およびその製造方法 |
| KR101319468B1 (ko) * | 2005-12-02 | 2013-10-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP33755791A patent/JP3059556B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05152755A (ja) | 1993-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4528093B2 (ja) | 少なくとも２つの異種のポリアミド層と導電層とを有し、エレクトロニクスタイプの用途に有用な多層基板、およびそれに関連する組成物 | |
| US6591491B2 (en) | Method for producing multilayer circuit board | |
| JP3788917B2 (ja) | フレキシブル多層配線回路基板の製造方法 | |
| JP2002280684A (ja) | フレキシブル銅張回路基板とその製造方法 | |
| JP3059556B2 (ja) | 多層基板およびその製造方法 | |
| KR101245791B1 (ko) | 플렉시블 동장 적층기판의 제조방법 및 다층 적층체 | |
| JP2783389B2 (ja) | フレキシブル金属箔積層板の製造方法 | |
| JP4757645B2 (ja) | 両面金属張積層板の製造方法 | |
| JPH06283866A (ja) | 多層回路基板およびその製造方法 | |
| JP2000196206A (ja) | 両面フレキシブルプリント基板の製造方法 | |
| JP3356298B2 (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
| KR20060129081A (ko) | 가요성 프린트 배선용 기판과 그의 제조방법 | |
| JPH0955568A (ja) | 薄膜配線シート、多層配線基板、およびそれらの製造方法 | |
| JP3142951B2 (ja) | 両面基板の製造方法 | |
| JP3076060B2 (ja) | フレキシブルプリント基板及びその製造方法 | |
| JPH0730212A (ja) | 導体−絶縁性樹脂複合体、その複合体からなる単層回路基板およびその単層回路基板を用いてなる多層配線基板 | |
| JPH03104185A (ja) | 両面導体ポリイミド積層体の製造方法 | |
| JPH09116254A (ja) | フレキシブルプリント回路用基板の製造方法 | |
| JPH05267810A (ja) | 両面基板およびその製造方法 | |
| JPH05152699A (ja) | 両面基板およびその製造方法 | |
| JP2919672B2 (ja) | 両面回路基板およびその製造方法 | |
| JPH06283865A (ja) | 多層回路基板 | |
| JP2005135985A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2905331B2 (ja) | 両面基板 | |
| JPH10335834A (ja) | 多層配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 Year of fee payment: 12 |