JP2919672B2 - 両面回路基板およびその製造方法 - Google Patents
両面回路基板およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は両面回路基板およびその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器が軽量化や薄型化、小型
化するのに伴い、配線基板も薄型化や高密度化する必要
がある。一般に配線基板としては銅箔とポリイミド樹脂
層とを接着剤を介するか、もしくは介さずに積層した３
層タイプもしくは２層タイプの基板が上市されている
が、接着剤の特性に左右されない２層タイプの基板が多
く提案されている。さらに、高密度化や高性能化のため
に片面に回路パターンを有する片面基板から両面に回路
パターンを有する両面回路基板への開発要求が高まって
おり、これに応え種々の構造や製法も提案されている。
化するのに伴い、配線基板も薄型化や高密度化する必要
がある。一般に配線基板としては銅箔とポリイミド樹脂
層とを接着剤を介するか、もしくは介さずに積層した３
層タイプもしくは２層タイプの基板が上市されている
が、接着剤の特性に左右されない２層タイプの基板が多
く提案されている。さらに、高密度化や高性能化のため
に片面に回路パターンを有する片面基板から両面に回路
パターンを有する両面回路基板への開発要求が高まって
おり、これに応え種々の構造や製法も提案されている。
【０００３】このような両面回路基板を得る方法として
は、例えば絶縁性基板として熱可塑性ポリイミド樹脂を
用いて片面基板同士を加熱圧着し、両面構造とする方法
が考えられるが、この方法では用いる熱可塑性ポリイミ
ド樹脂は、通常、絶縁性基板に用いられている熱硬化性
ポリイミド樹脂と比べて、耐熱性や耐薬品性、寸法安定
性に劣るので、実用上問題がある。また、熱可塑性ポリ
イミド樹脂は、一般にその線膨張係数が銅箔の線膨張係
数の約２〜４倍もあり、銅箔に回路をパターニングした
際に基板がカールする恐れがある。
は、例えば絶縁性基板として熱可塑性ポリイミド樹脂を
用いて片面基板同士を加熱圧着し、両面構造とする方法
が考えられるが、この方法では用いる熱可塑性ポリイミ
ド樹脂は、通常、絶縁性基板に用いられている熱硬化性
ポリイミド樹脂と比べて、耐熱性や耐薬品性、寸法安定
性に劣るので、実用上問題がある。また、熱可塑性ポリ
イミド樹脂は、一般にその線膨張係数が銅箔の線膨張係
数の約２〜４倍もあり、銅箔に回路をパターニングした
際に基板がカールする恐れがある。
【０００４】一方、上記方法に用いる熱可塑性ポリイミ
ド樹脂層に代えて熱硬化性ポリイミド樹脂層を用いて
も、熱硬化性ポリイミド樹脂層には接着機能がないの
で、積層して両面構造とすることができない。また、通
常の両面回路基板はポリイミド樹脂層の両面に回路パタ
ーンを形成しているので、両面の回路を導通させるには
両面基板を作製したのち、回路パターン部にスルーホー
ルを形成し、さらにメッキを施す、所謂スルーホールメ
ッキを施す必要があり工程が煩雑になると。さらに、通
常は回路パターンの保護のためにカバーコートを施す工
程も必要となる。
ド樹脂層に代えて熱硬化性ポリイミド樹脂層を用いて
も、熱硬化性ポリイミド樹脂層には接着機能がないの
で、積層して両面構造とすることができない。また、通
常の両面回路基板はポリイミド樹脂層の両面に回路パタ
ーンを形成しているので、両面の回路を導通させるには
両面基板を作製したのち、回路パターン部にスルーホー
ルを形成し、さらにメッキを施す、所謂スルーホールメ
ッキを施す必要があり工程が煩雑になると。さらに、通
常は回路パターンの保護のためにカバーコートを施す工
程も必要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題に鑑みてなされたものであって、耐薬品性や耐カール
性、接着性に優れ、実質的にポリイミド樹脂層からなる
と共に、回路パターンが表面に露出していない両面回路
基板の提供、および比較的簡単な工程で両面回路基板を
得る製造方法を提供することを目的とする。
題に鑑みてなされたものであって、耐薬品性や耐カール
性、接着性に優れ、実質的にポリイミド樹脂層からなる
と共に、回路パターンが表面に露出していない両面回路
基板の提供、および比較的簡単な工程で両面回路基板を
得る製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは上
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、熱硬化
性ポリイミド樹脂層の片面に回路パターンを有する片面
基板を、熱可塑性ポリイミド樹脂層の両面に回路パター
ンが接するように積層して加熱圧着することによって、
回路パターンが熱可塑性ポリイミド樹脂層の両側表面に
埋設された上記目的を達成できる両面回路基板が得られ
ることを見い出し、本発明を完成するに至った。
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、熱硬化
性ポリイミド樹脂層の片面に回路パターンを有する片面
基板を、熱可塑性ポリイミド樹脂層の両面に回路パター
ンが接するように積層して加熱圧着することによって、
回路パターンが熱可塑性ポリイミド樹脂層の両側表面に
埋設された上記目的を達成できる両面回路基板が得られ
ることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】即ち、本発明は片面に回路パターンを有す
る熱硬化性ポリイミド樹脂層が、熱可塑性ポリイミド樹
脂層の両側表面に積層されていると共に、上記回路パタ
ーンが熱可塑性ポリイミド樹脂層の両表面に埋設されて
なり、実質的にポリイミド樹脂層のみからなる両面回路
基板を提供するものである。
る熱硬化性ポリイミド樹脂層が、熱可塑性ポリイミド樹
脂層の両側表面に積層されていると共に、上記回路パタ
ーンが熱可塑性ポリイミド樹脂層の両表面に埋設されて
なり、実質的にポリイミド樹脂層のみからなる両面回路
基板を提供するものである。
【０００８】さらに、本発明は熱硬化性ポリイミド樹脂
層の片面に回路パターンを有する片面回路基板を、回路
パターンが接するように熱可塑性ポリイミド樹脂層の両
面に加熱圧着によって積層して、回路パターンを熱可塑
性ポリイミド樹脂層の両側表面に埋設することを特徴と
する両面回路基板の製造方法を提供するものである。
層の片面に回路パターンを有する片面回路基板を、回路
パターンが接するように熱可塑性ポリイミド樹脂層の両
面に加熱圧着によって積層して、回路パターンを熱可塑
性ポリイミド樹脂層の両側表面に埋設することを特徴と
する両面回路基板の製造方法を提供するものである。
【０００９】本発明の両面回路基板に用いる熱可塑性ポ
リイミド樹脂は、加熱圧着によって接着機能を発揮する
ものであって、ガラス転移温度（以下、Ｔｇという）が
２００℃以上で、しかも３９０℃での溶融粘度が１×１
０9 ポイズ以下の性質を有するものと定義できる。一
方、熱硬化性ポリイミド樹脂は上記熱可塑性ポリイミド
樹脂層の両面に積層し、回路パターンのカバーコートと
しての作用と、本発明の基板全体のカールを防止する作
用を有し、耐薬品性などを有するものである。用いるこ
とができる熱硬化性ポリイミド樹脂としては、カール防
止性の点から線膨張係数が２×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃以
下のものが好ましく採用できる。
リイミド樹脂は、加熱圧着によって接着機能を発揮する
ものであって、ガラス転移温度（以下、Ｔｇという）が
２００℃以上で、しかも３９０℃での溶融粘度が１×１
０9 ポイズ以下の性質を有するものと定義できる。一
方、熱硬化性ポリイミド樹脂は上記熱可塑性ポリイミド
樹脂層の両面に積層し、回路パターンのカバーコートと
しての作用と、本発明の基板全体のカールを防止する作
用を有し、耐薬品性などを有するものである。用いるこ
とができる熱硬化性ポリイミド樹脂としては、カール防
止性の点から線膨張係数が２×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃以
下のものが好ましく採用できる。
【００１０】また、本発明の両面回路基板における熱可
塑性ポリイミド樹脂層の厚みをｔ1、線膨張係数をａ1
とし、熱硬化性ポリイミド樹脂層の総厚みをｔ2 、線膨
張係数をａ1 とした場合、 ａ1 ・〔ｔ1 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）〕＋ａ2 ・〔ｔ2 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）〕 の値が、０．５×１０-5〜２．５×１０-5ｃｍ／ｃｍ／
℃の範囲内となるようにすると、熱収縮などによる回路
パターンのズレや銅箔を所望の回路パターンにエッチン
グした際のカールを防止できて好ましいものである。
塑性ポリイミド樹脂層の厚みをｔ1、線膨張係数をａ1
とし、熱硬化性ポリイミド樹脂層の総厚みをｔ2 、線膨
張係数をａ1 とした場合、 ａ1 ・〔ｔ1 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）〕＋ａ2 ・〔ｔ2 ／（ｔ1 ＋ｔ2 ）〕 の値が、０．５×１０-5〜２．５×１０-5ｃｍ／ｃｍ／
℃の範囲内となるようにすると、熱収縮などによる回路
パターンのズレや銅箔を所望の回路パターンにエッチン
グした際のカールを防止できて好ましいものである。
【００１１】本発明に用いる上記熱可塑性ポリイミド樹
脂および熱硬化性ポリイミド樹脂は上記定義に合致する
ものであれば特に制限されないが、熱可塑性ポリイミド
樹脂としてはテトラカルボン酸成分として、例えばビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフルオロメタン二
無水物の少なくとも一種を用い、また、ジアミン成分と
しては、例えばビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、３，３’
−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスル
ホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、３，３’−ジアミノジフェニ
ルプロパン、３，３’−ジアミノベンゾフェノンの少な
くとも一種を用いて重合反応させたものを用いることが
好ましい。なお、熱可塑性ポリイミド樹脂として上記テ
トラカルボン酸成分およびジアミン成分の少なくとも一
方にフッ素原子を導入したフッ素化熱可塑性ポリイミド
樹脂を用いると、回路基板の誘電率を低下させることが
できるので、信号伝達速度の高速性を要求されるコンピ
ュータ用途には特に有用である。
脂および熱硬化性ポリイミド樹脂は上記定義に合致する
ものであれば特に制限されないが、熱可塑性ポリイミド
樹脂としてはテトラカルボン酸成分として、例えばビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフルオロメタン二
無水物の少なくとも一種を用い、また、ジアミン成分と
しては、例えばビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、３，３’
−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスル
ホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、３，３’−ジアミノジフェニ
ルプロパン、３，３’−ジアミノベンゾフェノンの少な
くとも一種を用いて重合反応させたものを用いることが
好ましい。なお、熱可塑性ポリイミド樹脂として上記テ
トラカルボン酸成分およびジアミン成分の少なくとも一
方にフッ素原子を導入したフッ素化熱可塑性ポリイミド
樹脂を用いると、回路基板の誘電率を低下させることが
できるので、信号伝達速度の高速性を要求されるコンピ
ュータ用途には特に有用である。
【００１２】一方、熱硬化性ポリイミド樹脂としてはテ
トラカルボン酸成分として、例えば３，３’，４，４’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット
酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ス
ルホン二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物の少なくとも一種を用
い、ジアミン成分としてはｐ−フェニレンジアミン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレ
ンジアミン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノビフェニルの少なくとも一種を用いて重合反応さ
せたものを用いることが好ましい。
トラカルボン酸成分として、例えば３，３’，４，４’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット
酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ス
ルホン二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物の少なくとも一種を用
い、ジアミン成分としてはｐ−フェニレンジアミン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレ
ンジアミン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノビフェニルの少なくとも一種を用いて重合反応さ
せたものを用いることが好ましい。
【００１３】上記ポリイミド樹脂を調製する際のテトラ
カルボン酸成分とジアミン成分との重合には、有機溶媒
としてＮ−メチル−２−ピロリドンや、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどを
用いて上記各成分を略等モル配合して行なう。
カルボン酸成分とジアミン成分との重合には、有機溶媒
としてＮ−メチル−２−ピロリドンや、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどを
用いて上記各成分を略等モル配合して行なう。
【００１４】本発明においては上記のようにして得られ
る熱硬化性ポリイミド前駆体を銅箔上にロールコーター
やコンマコーター、ナイフコーター、ドクターブレード
などを用いて塗布乾燥して銅箔／熱硬化性ポリイミド樹
脂層との２層基板を作製する。次いで、銅箔をパターニ
ングして所望の回路パターンを有する片面基板を作製す
る。
る熱硬化性ポリイミド前駆体を銅箔上にロールコーター
やコンマコーター、ナイフコーター、ドクターブレード
などを用いて塗布乾燥して銅箔／熱硬化性ポリイミド樹
脂層との２層基板を作製する。次いで、銅箔をパターニ
ングして所望の回路パターンを有する片面基板を作製す
る。
【００１５】一方、熱可塑性ポリイミド樹脂層は、その
前駆体溶液を金属ベルトや金属板などの支持板上に塗布
乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体フィルムとし、次い
でフィルムを剥離して加熱することによって熱可塑性ポ
リイミドフィルムとする。なお、熱可塑性ポリイミド溶
液を支持体上に直接塗布乾燥することによって得ること
もできる。
前駆体溶液を金属ベルトや金属板などの支持板上に塗布
乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体フィルムとし、次い
でフィルムを剥離して加熱することによって熱可塑性ポ
リイミドフィルムとする。なお、熱可塑性ポリイミド溶
液を支持体上に直接塗布乾燥することによって得ること
もできる。
【００１６】本発明の両面回路基板は前記のように作製
した片面基板の回路パターンを、熱可塑性ポリイミドフ
ィルムの両面に接するようにそれぞれ積層し、通常、熱
可塑性ポリイミド樹脂のＴｇよりも３０〜１５０℃程度
高い温度で、１〜５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力をかけて加
熱圧着して得ることができる。加熱圧着することによっ
て熱硬化性ポリイミド樹脂層の間に介在する熱可塑性ポ
リイミド樹脂層が溶融するので、熱硬化性ポリイミド樹
脂層上に形成された回路パターンが熱可塑性ポリイミド
樹脂層表面に埋設されるのである。
した片面基板の回路パターンを、熱可塑性ポリイミドフ
ィルムの両面に接するようにそれぞれ積層し、通常、熱
可塑性ポリイミド樹脂のＴｇよりも３０〜１５０℃程度
高い温度で、１〜５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力をかけて加
熱圧着して得ることができる。加熱圧着することによっ
て熱硬化性ポリイミド樹脂層の間に介在する熱可塑性ポ
リイミド樹脂層が溶融するので、熱硬化性ポリイミド樹
脂層上に形成された回路パターンが熱可塑性ポリイミド
樹脂層表面に埋設されるのである。
【００１７】また、両面に形成する回路パターンを導通
させるには、例えば支持板に熱可塑性ポリイミド樹脂層
を形成後、熱可塑性ポリイミド樹脂層の所定位置の厚み
方向に貫通孔を形成し、次いで金属物質をメッキ充填し
て導通路を有する熱可塑性ポリイミド樹脂層を剥離する
方法や、熱可塑性ポリイミド樹脂層にスルホールメッキ
を施す方法などが挙げられる。このようにして導通路を
形成した熱可塑性ポリイミド樹脂層（フィルム）と、導
通させるべき回路パターンとを位置合わせし、前記のよ
うに熱硬化性ポリイミド樹脂層と加熱圧着することによ
って作製することができる。
させるには、例えば支持板に熱可塑性ポリイミド樹脂層
を形成後、熱可塑性ポリイミド樹脂層の所定位置の厚み
方向に貫通孔を形成し、次いで金属物質をメッキ充填し
て導通路を有する熱可塑性ポリイミド樹脂層を剥離する
方法や、熱可塑性ポリイミド樹脂層にスルホールメッキ
を施す方法などが挙げられる。このようにして導通路を
形成した熱可塑性ポリイミド樹脂層（フィルム）と、導
通させるべき回路パターンとを位置合わせし、前記のよ
うに熱硬化性ポリイミド樹脂層と加熱圧着することによ
って作製することができる。
【００１８】なお、上記のような加熱圧着に際しては通
常、熱硬化性ポリイミド樹脂層の表面は化学的に不活性
であるので、単なる加熱圧着操作では充分に接着しない
ことがある。しかしながら、前記のような方法によって
銅箔／熱硬化性ポリイミド樹脂層の２層基板の銅箔をエ
ッチングして回路パターンを作製した場合、エッチング
除去された銅箔に接触していた熱硬化性ポリイミド樹脂
層表面は、除去された銅箔表面の凹凸が転写され適度な
粗さを有した状態となる。このように熱硬化性ポリイミ
ド樹脂層表面が適度な表面粗さを有するために、熱可塑
性ポリイミド樹脂層と加熱圧着するとアンカー効果によ
り接着性が向上するのである。好ましい表面粗さとして
は、中心線表面粗さが０．１〜８μｍ、好ましくは０．
４〜５μｍ程度である。中心線表面粗さが０．１μｍに
満たない場合は充分に接着性の向上が期待できず、ま
た、８μｍを超える表面粗さでは凹凸の程度が大きすぎ
て熱可塑性ポリイミド樹脂層と加熱圧着しても充分に密
着しないことがある。
常、熱硬化性ポリイミド樹脂層の表面は化学的に不活性
であるので、単なる加熱圧着操作では充分に接着しない
ことがある。しかしながら、前記のような方法によって
銅箔／熱硬化性ポリイミド樹脂層の２層基板の銅箔をエ
ッチングして回路パターンを作製した場合、エッチング
除去された銅箔に接触していた熱硬化性ポリイミド樹脂
層表面は、除去された銅箔表面の凹凸が転写され適度な
粗さを有した状態となる。このように熱硬化性ポリイミ
ド樹脂層表面が適度な表面粗さを有するために、熱可塑
性ポリイミド樹脂層と加熱圧着するとアンカー効果によ
り接着性が向上するのである。好ましい表面粗さとして
は、中心線表面粗さが０．１〜８μｍ、好ましくは０．
４〜５μｍ程度である。中心線表面粗さが０．１μｍに
満たない場合は充分に接着性の向上が期待できず、ま
た、８μｍを超える表面粗さでは凹凸の程度が大きすぎ
て熱可塑性ポリイミド樹脂層と加熱圧着しても充分に密
着しないことがある。
【００１９】また、本発明の両面回路基板は外部回路と
の接続や、チップ部品などの搭載用途などに用いること
もできる。この場合、熱硬化性ポリイミド樹脂層の厚み
方向に導通路を形成して内層部に埋設している回路パタ
ーンを導通路によって表面に外部接続端子として取り出
すのである。熱硬化性ポリイミド樹脂層に導通路を形成
する方法としては、回路パターン／熱硬化性ポリイミド
樹脂層からなる片面基板を作製後、回路パターンが接す
る熱硬化性ポリイミド樹脂層のみに貫通孔を形成し、回
路パターンを陰極として金属物質を貫通孔内にメッキ充
填する方法がある。また、上記導通路の形成は本発明の
両面回路基板を形成後に行うこともできる。なお、この
ように熱硬化性ポリイミド樹脂層表面に形成する外部接
続端子は、接続操作の容易性や確実な接続のために、熱
硬化性ポリイミド樹脂層表面から突出させてバンプ状に
しておくことが好ましい。バンプ状に突出した外部接続
端子を形成するには、上記金属物質のメッキ充填時間を
調製することによって行うことができる。
の接続や、チップ部品などの搭載用途などに用いること
もできる。この場合、熱硬化性ポリイミド樹脂層の厚み
方向に導通路を形成して内層部に埋設している回路パタ
ーンを導通路によって表面に外部接続端子として取り出
すのである。熱硬化性ポリイミド樹脂層に導通路を形成
する方法としては、回路パターン／熱硬化性ポリイミド
樹脂層からなる片面基板を作製後、回路パターンが接す
る熱硬化性ポリイミド樹脂層のみに貫通孔を形成し、回
路パターンを陰極として金属物質を貫通孔内にメッキ充
填する方法がある。また、上記導通路の形成は本発明の
両面回路基板を形成後に行うこともできる。なお、この
ように熱硬化性ポリイミド樹脂層表面に形成する外部接
続端子は、接続操作の容易性や確実な接続のために、熱
硬化性ポリイミド樹脂層表面から突出させてバンプ状に
しておくことが好ましい。バンプ状に突出した外部接続
端子を形成するには、上記金属物質のメッキ充填時間を
調製することによって行うことができる。
【００２０】
【実施例】
【００２１】以下に本発明の両面回路基板およびその製
造方法を図面を用いて説明する。
造方法を図面を用いて説明する。
【００２２】図１は本発明の両面回路基板の断面図であ
る。図１（Ａ）は回路パターン３を有する熱硬化性ポリ
イミド樹脂層１と熱可塑性ポリイミド樹脂層２からなる
本発明の両面回路基板の断面図、図１（Ｂ）は両面の回
路パターン３間を導通路４によって導通させた両面回路
基板の断面図、図１（Ｃ）は本発明の両面回路基板にお
ける熱硬化性ポリイミド樹脂層１に導通路４を形成して
外部接続端子５を設け、この端子５を用いて外部基板６
のランド部と接続した状態を示す断面図、図１（Ｄ）は
本発明の両面回路基板における熱硬化性ポリイミド樹脂
層１に導通路４を形成して外部接続端子５を設け、この
端子５を用いて半導体素子７の電極パッドと接続した状
態を示す断面図である。
る。図１（Ａ）は回路パターン３を有する熱硬化性ポリ
イミド樹脂層１と熱可塑性ポリイミド樹脂層２からなる
本発明の両面回路基板の断面図、図１（Ｂ）は両面の回
路パターン３間を導通路４によって導通させた両面回路
基板の断面図、図１（Ｃ）は本発明の両面回路基板にお
ける熱硬化性ポリイミド樹脂層１に導通路４を形成して
外部接続端子５を設け、この端子５を用いて外部基板６
のランド部と接続した状態を示す断面図、図１（Ｄ）は
本発明の両面回路基板における熱硬化性ポリイミド樹脂
層１に導通路４を形成して外部接続端子５を設け、この
端子５を用いて半導体素子７の電極パッドと接続した状
態を示す断面図である。
【００２３】図２〜図５は本発明の両面回路基板の製造
方法を説明する断面図である。
方法を説明する断面図である。
【００２４】図２は図１（Ａ）に示す本発明の両面回路
基板を得る方法を示し、熱可塑性ポリイミド樹脂層２の
両面から、回路パターン３を片面に有する熱硬化性樹脂
層１を回路パターン３が接するようにして挟着し、加熱
圧着することによって得られる。
基板を得る方法を示し、熱可塑性ポリイミド樹脂層２の
両面から、回路パターン３を片面に有する熱硬化性樹脂
層１を回路パターン３が接するようにして挟着し、加熱
圧着することによって得られる。
【００２５】図３は図１（Ｂ）に示す本発明の両面回路
基板を得る方法を示し、熱可塑性ポリイミド樹脂層２の
厚み方向に予め導通路４を形成しておき、その両面から
回路パターン３を片面に有する熱硬化性樹脂層１を回路
パターン３と導通路４が接するようにして挟着し、加熱
圧着することによって得られる。
基板を得る方法を示し、熱可塑性ポリイミド樹脂層２の
厚み方向に予め導通路４を形成しておき、その両面から
回路パターン３を片面に有する熱硬化性樹脂層１を回路
パターン３と導通路４が接するようにして挟着し、加熱
圧着することによって得られる。
【００２６】図４は図１（Ｃ）に示す本発明の両面回路
基板を得る方法を示し、回路パターン３を有する熱硬化
性ポリイミド樹脂層１の回路パターン３形成領域に予め
導通路４を形成しておき、これを熱可塑性ポリイミド樹
脂層２の両面から回路パターン３が熱可塑性ポリイミド
樹脂層２と接するようにして挟着し、加熱圧着すること
によって得られる。
基板を得る方法を示し、回路パターン３を有する熱硬化
性ポリイミド樹脂層１の回路パターン３形成領域に予め
導通路４を形成しておき、これを熱可塑性ポリイミド樹
脂層２の両面から回路パターン３が熱可塑性ポリイミド
樹脂層２と接するようにして挟着し、加熱圧着すること
によって得られる。
【００２７】図５は熱可塑性ポリイミド樹脂層２に両面
の回路パターン３が導通する導通路４を形成し、さらに
熱硬化性ポリイミド樹脂層１には導通路４を形成して外
部接続端子５を形成した両面回路基板の製造方法を示す
ものであり、図３によって得た両面回路基板における熱
硬化性ポリイミド樹脂層１の回路パターン３形成領域に
貫通孔８を形成後、該貫通孔８に金属物質をメッキ充填
することによって得ることができる。
の回路パターン３が導通する導通路４を形成し、さらに
熱硬化性ポリイミド樹脂層１には導通路４を形成して外
部接続端子５を形成した両面回路基板の製造方法を示す
ものであり、図３によって得た両面回路基板における熱
硬化性ポリイミド樹脂層１の回路パターン３形成領域に
貫通孔８を形成後、該貫通孔８に金属物質をメッキ充填
することによって得ることができる。
【００２８】以上のようにな製造方法において導通路４
を設けるために形成する貫通孔８は、１〜２００μｍ、
好ましくは３〜１００μｍ程度の孔径で形成する。貫通
孔８の形成方法としてはアルカリ溶液などによるウエッ
トエッチング法や、レーザーやプラズマなどによるドラ
イエッチング法、パンチングなどによる機械的穿孔法な
どの種々の方法を用いることができる。これらの方法の
うち微小径の貫通孔を形成するには、加工精度や加工速
度などの点からドライエッチング法、特に発振波長が紫
外領域にあるようなレーザー光を用いたアブレーション
が好ましい。
を設けるために形成する貫通孔８は、１〜２００μｍ、
好ましくは３〜１００μｍ程度の孔径で形成する。貫通
孔８の形成方法としてはアルカリ溶液などによるウエッ
トエッチング法や、レーザーやプラズマなどによるドラ
イエッチング法、パンチングなどによる機械的穿孔法な
どの種々の方法を用いることができる。これらの方法の
うち微小径の貫通孔を形成するには、加工精度や加工速
度などの点からドライエッチング法、特に発振波長が紫
外領域にあるようなレーザー光を用いたアブレーション
が好ましい。
【００２９】導通路４にメッキなどによって充填する金
属物質としては導通がとれれば特に制限はなく、例えば
金、銀、銅、ニッケル、錫、半田、クロム、タングステ
ン、ロジウム、インジウムなどの金属、またはこれらの
合金を一種あるいは２種以上積層して用いることができ
る。また外部接続端子５を熱硬化性ポリイミド樹脂層１
からバンプ状に突出させた場合の突出高さは、接続の確
実性などの点から１〜２００μｍ程度の高さに形成す
る。
属物質としては導通がとれれば特に制限はなく、例えば
金、銀、銅、ニッケル、錫、半田、クロム、タングステ
ン、ロジウム、インジウムなどの金属、またはこれらの
合金を一種あるいは２種以上積層して用いることができ
る。また外部接続端子５を熱硬化性ポリイミド樹脂層１
からバンプ状に突出させた場合の突出高さは、接続の確
実性などの点から１〜２００μｍ程度の高さに形成す
る。
【００３０】
【発明の効果】本発明の両面回路基板は以上のように実
質的にポリイミド樹脂からなる構成であるので、耐熱性
や耐薬品性が良好である。また、両面からカバーコート
としての熱硬化性ポリイミド樹脂層を積層しているので
耐カール性や寸法安定性にも優れた両面回路基板であ
る。さらに、熱可塑性ポリイミド樹脂層を内層に積層し
ているので、両面回路基板を作製するにおいて接着性が
良好であり、また、両面に積層する工程とカバーコート
の被覆工程とを一度にできるので、製造工程の簡略化も
図れるものである。
質的にポリイミド樹脂からなる構成であるので、耐熱性
や耐薬品性が良好である。また、両面からカバーコート
としての熱硬化性ポリイミド樹脂層を積層しているので
耐カール性や寸法安定性にも優れた両面回路基板であ
る。さらに、熱可塑性ポリイミド樹脂層を内層に積層し
ているので、両面回路基板を作製するにおいて接着性が
良好であり、また、両面に積層する工程とカバーコート
の被覆工程とを一度にできるので、製造工程の簡略化も
図れるものである。
【図１】 （Ａ）〜（Ｄ）は本発明の両面回路基板の断
面図である。
面図である。
【図２】 本発明の両面回路基板の製造方法を説明する
断面図である。
断面図である。
【図３】 本発明の両面回路基板の製造方法を説明する
断面図である。
断面図である。
【図４】 本発明の両面回路基板の製造方法を説明する
断面図である。
断面図である。
【図５】 本発明の両面回路基板の製造方法を説明する
断面図である。
断面図である。
１ 熱硬化性ポリイミド樹脂層 ２ 熱可塑性ポリイミド樹脂層 ３ 回路パターン ４ 導通路 ５ 外部接続端子 ６ 外部基板 ７ 半導体素子 ８ 貫通孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−22937（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−291986（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−27194（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−167677（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 1/03 630 H05K 1/11 H05K 3/28
Claims (5)
- 【請求項１】 片面に回路パターンを有する熱硬化性ポ
リイミド樹脂層が、熱可塑性ポリイミド樹脂層の両側表
面に積層されていると共に、上記回路パターンが熱可塑
性ポリイミド樹脂層の両表面に埋設されてなり、実質的
にポリイミド樹脂層のみからなる両面回路基板。 - 【請求項２】 熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚み方向に
形成された導通路によって両面回路パターンが導通して
いる請求項１記載の両面回路基板。 - 【請求項３】 熱硬化性ポリイミド樹脂層の厚み方向に
形成された導通路によって外部接続端子が形成されてい
る請求項１または２記載の両面回路基板。 - 【請求項４】 熱可塑性ポリイミド樹脂層と熱硬化性ポ
リイミド樹脂層との界面の中心線平均粗さが、０．１〜
８μｍである請求項１記載の両面回路基板。 - 【請求項５】 熱硬化性ポリイミド樹脂層の片面に回路
パターンを有する片面回路基板を、回路パターンが接す
るように熱可塑性ポリイミド樹脂層の両面に加熱圧着に
よって積層して、回路パターンを熱可塑性ポリイミド樹
脂層の両側表面に埋設することを特徴とする両面回路基
板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17470892A JP2919672B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 両面回路基板およびその製造方法 |
| US07/945,929 US5374469A (en) | 1991-09-19 | 1992-09-17 | Flexible printed substrate |
| EP19920116025 EP0533198A3 (en) | 1991-09-19 | 1992-09-18 | Flexible printed substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17470892A JP2919672B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 両面回路基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343822A JPH05343822A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2919672B2 true JP2919672B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=15983269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17470892A Expired - Fee Related JP2919672B2 (ja) | 1991-09-19 | 1992-06-08 | 両面回路基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2919672B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312468A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Yamaichi Electron Co Ltd | フレキシブル回路基板 |
| CN1994030A (zh) * | 2004-04-27 | 2007-07-04 | 钟渊得克萨斯公司 | 多层印刷电路板 |
| JP2009302581A (ja) * | 2009-09-28 | 2009-12-24 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
-
1992
- 1992-06-08 JP JP17470892A patent/JP2919672B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05343822A (ja) | 1993-12-24 |
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