JPH04339250A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
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- JPH04339250A JPH04339250A JP13981191A JP13981191A JPH04339250A JP H04339250 A JPH04339250 A JP H04339250A JP 13981191 A JP13981191 A JP 13981191A JP 13981191 A JP13981191 A JP 13981191A JP H04339250 A JPH04339250 A JP H04339250A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、雰囲気中にガスが存在すること
を検知するガスセンサに関する。
を検知するガスセンサに関する。
【０００２】
【従来技術】ガスセンサの方式の一つに、触媒を利用し
た接触燃焼式がある。代表的な構造を図１に示す。白金
線コイル５に触媒６を担持させた担体７をビード状に形
成し、触媒表面での可燃性ガスの燃焼反応熱による温度
上昇を白金線の抵抗値変化として検出する。ガス種によ
り異なるがこの方式のものは原理的に４００℃〜６００
℃程度に加熱する必要があり、消費電力が大きく、かつ
量産性にかけるという欠点を有する。
た接触燃焼式がある。代表的な構造を図１に示す。白金
線コイル５に触媒６を担持させた担体７をビード状に形
成し、触媒表面での可燃性ガスの燃焼反応熱による温度
上昇を白金線の抵抗値変化として検出する。ガス種によ
り異なるがこの方式のものは原理的に４００℃〜６００
℃程度に加熱する必要があり、消費電力が大きく、かつ
量産性にかけるという欠点を有する。
【０００３】
【目的】本発明の目的は、低消費電力でかつ量産性に優
れた高性能なガスセンサの提供にある。
れた高性能なガスセンサの提供にある。
【０００４】
【構成】本発明の第１は、基板、その基板上に空中に張
出して設けられた電気絶縁性材料からなる張出し部、前
記張出し部上に設けられた酸化触媒層および前記酸化触
媒層がガスを燃焼させることにより発生する温度変化を
その抵抗値変化として検知するためのヒーターリードよ
りなることを特徴とするガスセンサに関する。本発明の
第２は、（１）前記酸化触媒層と前記ヒーターリードを
有する前記張り出し部と、（２）ヒーターリードとガス
との接触反応によりその抵抗値変化を検出するための金
属酸化物半導体層と検出リードとを有する第２の張出し
部を備えたことを特徴とする請求項１記載のガスセンサ
に関する。本発明の第３は、基板、その基板上に空中に
張出して設けられた電気絶縁性材料からなる張出し部、
前記張出し部上に設けられた酸化触媒層、前記酸化触媒
層がガスを燃焼させることにより発生する温度変化をそ
の抵抗値変化として検知するためのヒーターリードと、
ガスとの接触反応によりその抵抗値変化を検知するため
の金属酸化物半導体層と前記金属酸化物半導体層に接触
する検出リードを有することを特徴とするガスセンサに
関する。本発明の第４は、さらに温度補償部を有する第
３の張出し部を備えたことを特徴とする請求項１，２ま
たは３記載のガスセンサに関する。本発明の第５は、前
記酸化触媒層がアルミナあるいはシリカを主成分として
含む担体に白金あるいはパラジウムを分散させたものよ
りなることを特徴とする請求項１，２，３または４記載
のガスセンサに関する。本発明の第６は、前記酸化触媒
層がアルミナあるいはシリカを含む担体上に、白金ある
いはパラジウムを堆積させたものよりなることを特徴と
する請求項１，２，３または４記載のガスセンサに関す
る。 本発明の第７は、前記酸化触媒層がアルミナあるいはシ
リカを含む担体と白金あるいはパラジウムを交互に積層
させたものよりなることを特徴とする請求項１，２，３
または４記載のガスセンサに関する。
出して設けられた電気絶縁性材料からなる張出し部、前
記張出し部上に設けられた酸化触媒層および前記酸化触
媒層がガスを燃焼させることにより発生する温度変化を
その抵抗値変化として検知するためのヒーターリードよ
りなることを特徴とするガスセンサに関する。本発明の
第２は、（１）前記酸化触媒層と前記ヒーターリードを
有する前記張り出し部と、（２）ヒーターリードとガス
との接触反応によりその抵抗値変化を検出するための金
属酸化物半導体層と検出リードとを有する第２の張出し
部を備えたことを特徴とする請求項１記載のガスセンサ
に関する。本発明の第３は、基板、その基板上に空中に
張出して設けられた電気絶縁性材料からなる張出し部、
前記張出し部上に設けられた酸化触媒層、前記酸化触媒
層がガスを燃焼させることにより発生する温度変化をそ
の抵抗値変化として検知するためのヒーターリードと、
ガスとの接触反応によりその抵抗値変化を検知するため
の金属酸化物半導体層と前記金属酸化物半導体層に接触
する検出リードを有することを特徴とするガスセンサに
関する。本発明の第４は、さらに温度補償部を有する第
３の張出し部を備えたことを特徴とする請求項１，２ま
たは３記載のガスセンサに関する。本発明の第５は、前
記酸化触媒層がアルミナあるいはシリカを主成分として
含む担体に白金あるいはパラジウムを分散させたものよ
りなることを特徴とする請求項１，２，３または４記載
のガスセンサに関する。本発明の第６は、前記酸化触媒
層がアルミナあるいはシリカを含む担体上に、白金ある
いはパラジウムを堆積させたものよりなることを特徴と
する請求項１，２，３または４記載のガスセンサに関す
る。 本発明の第７は、前記酸化触媒層がアルミナあるいはシ
リカを含む担体と白金あるいはパラジウムを交互に積層
させたものよりなることを特徴とする請求項１，２，３
または４記載のガスセンサに関する。
【０００５】以下、本発明を添付図を参照しながら説明
する。本発明のガスセンサの一例を図２に示す。このガ
スセンサは、基板１と、基板上に空中に張出して設けら
れた電気絶縁性材料からなる張出し部２と、前記張出し
部２上にヒーターリード１０と酸化触媒層２０を備えて
おり、白金等の耐熱性導電材料からなるヒーターリード
１０に電流を印加し酸化触媒層２０を４００℃〜６００
℃程度に加熱し、その表面で可燃性ガスを燃焼させ、こ
の燃焼反応熱による温度上昇を測定することによりガス
を検知する。この場合、上昇温度検出にはヒーターリー
ド１０の抵抗値変化を利用する。前記酸化触媒層２０は
ヒーターリード１０上にある必要はなく、図３のように
両者が近接していればよく、酸化触媒層２０が有効に加
熱されるように、ヒーターリード１０上を酸化触媒層２
０が覆うか、あるいはヒーターリード１０上に積層され
ている構造が好ましい。また、前記酸化触媒層２０は、
アルミナあるいはシリカを主成分として含む担体８に白
金あるいはパラジウム９を図４のように膜中に均一に分
散させたり、図５のように表面に薄く堆積させたり、図
６のように交互に積層させた構造が好ましい。前記図２
に示す接触燃焼式のガスセンサは半導体式のガスセンサ
に比較して、シリコンや塩素等の化合物による被毒に対
して弱い、可燃性ガスしか検知できない、低濃度の検出
が困難、高温にする必要がある等の欠点を有する。一方
、半導体式は接触燃焼式に比較して、湿度に敏感、初期
安定時間が長い、応答性が悪い等の問題があり、基本的
には両方式を用途により使いわけることがセンサの性能
の向上につながる。又両方式を一つの張出し部上に形成
させればヒーターリードが共有でき、一つのヒーターリ
ードで両者を加熱することができ、さらに低消費電力化
が促進される。前記接触燃焼方式と半導体方式の両方式
を採用した本発明のガスセンサの一例を図７に示す。 このガスセンサは、図２に示すものに金属酸化物を利用
した半導体式用の張出し部４をさらに備えている。この
張り出し部４を利用した金属酸化物半導体式については
既に提案されている（特開昭６１−１９１９５３号公報
、特開平１−１６７６４５号公報）。ヒーターリード１
２に電流を印加し、金属酸化物半導体層２２を加熱し、
ガスの吸脱着による金属酸化物半導体層２２の抵抗値変
化を検出リード３０，３１で検出する。前記両方式を採
用した本発明のガスセンサの他の例を図８に示す。 このガスセンサは、基板１と、その基板１上に空中に張
出して設けられた電気絶縁性材料からなる張出し部２と
、前記張出し部２上にヒーターリード１０と酸化触媒層
２０と金属酸化物半導体層２２と検出リード４０とを備
えている。前記図２に示す接触燃焼式ガスセンサの場合
、燃焼反応熱による抵抗値変化は微少なので、温度補償
部と対にしてブリッジ回路を組み込んでおくとよい。 この温度補償部の張出し部上の構成は、基本的には図２
の張出し部２上と同じくヒーターリードと酸化触媒層を
存在させるが、この酸化触媒層は可燃性ガスに対して完
全に不活性でなければならない。そのために、触媒であ
る白金の分散工程を削除したり、酸化触媒層表面をガラ
スコーティングしたり、酸化触媒層に鉛を担持させたり
しておくとよい。この接触燃焼式ガスセンサの基本回路
を図９に示す。図９中１３はガス検知部、１４は温度補
償部である。図２に示すガスセンサに温度補償用の張出
し部３をさらに備えた例を図１０に示す。図中１１がヒ
ーターリード、２１が例えばガラスコーティングされた
酸化触媒層である。図７に示すガスセンサに温度補償用
の張出し部３を、さらに備えた例を図１１に示す。図８
に示すガスセンサに温度補償用の張出し部３をさらに備
えた例を図１２に示す。図中２３の金属酸化物半導体層
と４１の検出リードは無くても良いが、あれば検出部の
数が増えるためそれだけ有利になる。張出し部として片
持ち梁構造について述べてきたが、架橋構造等の形状で
も良いことは言うまでもない。図２のものを架橋構造に
した場合の例を図１３に、図８のものを架橋構造にした
場合の例を図１４に示す。
する。本発明のガスセンサの一例を図２に示す。このガ
スセンサは、基板１と、基板上に空中に張出して設けら
れた電気絶縁性材料からなる張出し部２と、前記張出し
部２上にヒーターリード１０と酸化触媒層２０を備えて
おり、白金等の耐熱性導電材料からなるヒーターリード
１０に電流を印加し酸化触媒層２０を４００℃〜６００
℃程度に加熱し、その表面で可燃性ガスを燃焼させ、こ
の燃焼反応熱による温度上昇を測定することによりガス
を検知する。この場合、上昇温度検出にはヒーターリー
ド１０の抵抗値変化を利用する。前記酸化触媒層２０は
ヒーターリード１０上にある必要はなく、図３のように
両者が近接していればよく、酸化触媒層２０が有効に加
熱されるように、ヒーターリード１０上を酸化触媒層２
０が覆うか、あるいはヒーターリード１０上に積層され
ている構造が好ましい。また、前記酸化触媒層２０は、
アルミナあるいはシリカを主成分として含む担体８に白
金あるいはパラジウム９を図４のように膜中に均一に分
散させたり、図５のように表面に薄く堆積させたり、図
６のように交互に積層させた構造が好ましい。前記図２
に示す接触燃焼式のガスセンサは半導体式のガスセンサ
に比較して、シリコンや塩素等の化合物による被毒に対
して弱い、可燃性ガスしか検知できない、低濃度の検出
が困難、高温にする必要がある等の欠点を有する。一方
、半導体式は接触燃焼式に比較して、湿度に敏感、初期
安定時間が長い、応答性が悪い等の問題があり、基本的
には両方式を用途により使いわけることがセンサの性能
の向上につながる。又両方式を一つの張出し部上に形成
させればヒーターリードが共有でき、一つのヒーターリ
ードで両者を加熱することができ、さらに低消費電力化
が促進される。前記接触燃焼方式と半導体方式の両方式
を採用した本発明のガスセンサの一例を図７に示す。 このガスセンサは、図２に示すものに金属酸化物を利用
した半導体式用の張出し部４をさらに備えている。この
張り出し部４を利用した金属酸化物半導体式については
既に提案されている（特開昭６１−１９１９５３号公報
、特開平１−１６７６４５号公報）。ヒーターリード１
２に電流を印加し、金属酸化物半導体層２２を加熱し、
ガスの吸脱着による金属酸化物半導体層２２の抵抗値変
化を検出リード３０，３１で検出する。前記両方式を採
用した本発明のガスセンサの他の例を図８に示す。 このガスセンサは、基板１と、その基板１上に空中に張
出して設けられた電気絶縁性材料からなる張出し部２と
、前記張出し部２上にヒーターリード１０と酸化触媒層
２０と金属酸化物半導体層２２と検出リード４０とを備
えている。前記図２に示す接触燃焼式ガスセンサの場合
、燃焼反応熱による抵抗値変化は微少なので、温度補償
部と対にしてブリッジ回路を組み込んでおくとよい。 この温度補償部の張出し部上の構成は、基本的には図２
の張出し部２上と同じくヒーターリードと酸化触媒層を
存在させるが、この酸化触媒層は可燃性ガスに対して完
全に不活性でなければならない。そのために、触媒であ
る白金の分散工程を削除したり、酸化触媒層表面をガラ
スコーティングしたり、酸化触媒層に鉛を担持させたり
しておくとよい。この接触燃焼式ガスセンサの基本回路
を図９に示す。図９中１３はガス検知部、１４は温度補
償部である。図２に示すガスセンサに温度補償用の張出
し部３をさらに備えた例を図１０に示す。図中１１がヒ
ーターリード、２１が例えばガラスコーティングされた
酸化触媒層である。図７に示すガスセンサに温度補償用
の張出し部３を、さらに備えた例を図１１に示す。図８
に示すガスセンサに温度補償用の張出し部３をさらに備
えた例を図１２に示す。図中２３の金属酸化物半導体層
と４１の検出リードは無くても良いが、あれば検出部の
数が増えるためそれだけ有利になる。張出し部として片
持ち梁構造について述べてきたが、架橋構造等の形状で
も良いことは言うまでもない。図２のものを架橋構造に
した場合の例を図１３に、図８のものを架橋構造にした
場合の例を図１４に示す。
【０００６】
実施例１（図１１参照）
図１１は本発明に係るガスセンサのうち、張出し部とし
て片持ち梁構造が採用されたものの例である。ここでは
ほぼ正方形の形状をした基板１上に電気絶縁性材料から
なる三本の張出し部２，３，４が空中に浮いた格好の片
持ち梁構造として設けられている。基板１にはアンダー
カットエッチングが容易で高温でも変形しない材料、例
えばＳｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等が使用され、好ま
しくはＳｉ（１００）が用いられる。（１００）面を使
用する理由は、アンダーカットエッチングする際公知の
異方性エッチング液を使用するためである。基板１の外
形寸法は１〜４ｍｍ角程度で、その厚さは０．１〜１ｍ
ｍが適当である。この基板１のアンダーカットエッチン
グにより形成された三本の張出し部２，３，４上には、
各々ヒーターリード１０，１１，１２と酸化触媒層２０
，２１と金属酸化物半導体層２２とこの金属酸化物半導
体層２２に接続した検出リード３０，３１が形成されて
いる。ヒーターリードと検出リードの材料としては白金
が好ましい。酸化触媒としてはアルミナあるいはシリカ
を主成分とする担体に触媒として白金やパラジウムが分
散されたものが使用される。金属酸化物半導体としては
ズズ、亜鉛、鉄、チタン、インジウム、ニッケル、タン
グステン、バナジウム等の酸化物があげられ、中でもス
ズの使用が最も好ましい。ヒーターリード、検出リード
は通常のスパッタリング法で形成でき、酸化触媒層はア
ルミナ、シリカを主成分とするスパッタターゲット表面
に白金あるいはパラジウムを貼付たものをターゲットと
して使用すれば膜中に均一に分散され、またアルミナ、
シリカを主成分とする膜を形成後、その表面に白金ある
いはパラジウムを薄く堆積することにより形成すること
ができる。温度補償用の酸化触媒層を形成するには白金
あるいはパラジウムの貼り付いていないアルミナ、シリ
カを主成分とするスパッタターゲットを用いたり、鉛を
貼付けたターゲットを用いたりすればよい。金属酸化物
半導体層もスパッタリングや真空蒸着で形成できるが、
本発明者の一人である太田が先に提案した「薄膜蒸着装
置」（特許第１５７１２０３号）を用いるのが有利であ
る。なお、酸化触媒層と金属酸化物半導体層とボンディ
ングパッド部以外は、絶縁膜で覆い表面を保護すること
が望ましい。実施例２（図１２参照）図１２に示すガス
センサは２本の張出し部２，３が空中に浮いた格好の片
持ち梁構造が採用されたものの例であって、前記２本の
張出し部２，３上には、各々ヒーターリード１０，１１
と酸化触媒層２０，２１と金属酸化物半導体層２２，２
３とこの金属酸化物半導体層に接続した検出リード４０
，４１が形成されている。基板１、その他については実
施例１と同様である。
て片持ち梁構造が採用されたものの例である。ここでは
ほぼ正方形の形状をした基板１上に電気絶縁性材料から
なる三本の張出し部２，３，４が空中に浮いた格好の片
持ち梁構造として設けられている。基板１にはアンダー
カットエッチングが容易で高温でも変形しない材料、例
えばＳｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等が使用され、好ま
しくはＳｉ（１００）が用いられる。（１００）面を使
用する理由は、アンダーカットエッチングする際公知の
異方性エッチング液を使用するためである。基板１の外
形寸法は１〜４ｍｍ角程度で、その厚さは０．１〜１ｍ
ｍが適当である。この基板１のアンダーカットエッチン
グにより形成された三本の張出し部２，３，４上には、
各々ヒーターリード１０，１１，１２と酸化触媒層２０
，２１と金属酸化物半導体層２２とこの金属酸化物半導
体層２２に接続した検出リード３０，３１が形成されて
いる。ヒーターリードと検出リードの材料としては白金
が好ましい。酸化触媒としてはアルミナあるいはシリカ
を主成分とする担体に触媒として白金やパラジウムが分
散されたものが使用される。金属酸化物半導体としては
ズズ、亜鉛、鉄、チタン、インジウム、ニッケル、タン
グステン、バナジウム等の酸化物があげられ、中でもス
ズの使用が最も好ましい。ヒーターリード、検出リード
は通常のスパッタリング法で形成でき、酸化触媒層はア
ルミナ、シリカを主成分とするスパッタターゲット表面
に白金あるいはパラジウムを貼付たものをターゲットと
して使用すれば膜中に均一に分散され、またアルミナ、
シリカを主成分とする膜を形成後、その表面に白金ある
いはパラジウムを薄く堆積することにより形成すること
ができる。温度補償用の酸化触媒層を形成するには白金
あるいはパラジウムの貼り付いていないアルミナ、シリ
カを主成分とするスパッタターゲットを用いたり、鉛を
貼付けたターゲットを用いたりすればよい。金属酸化物
半導体層もスパッタリングや真空蒸着で形成できるが、
本発明者の一人である太田が先に提案した「薄膜蒸着装
置」（特許第１５７１２０３号）を用いるのが有利であ
る。なお、酸化触媒層と金属酸化物半導体層とボンディ
ングパッド部以外は、絶縁膜で覆い表面を保護すること
が望ましい。実施例２（図１２参照）図１２に示すガス
センサは２本の張出し部２，３が空中に浮いた格好の片
持ち梁構造が採用されたものの例であって、前記２本の
張出し部２，３上には、各々ヒーターリード１０，１１
と酸化触媒層２０，２１と金属酸化物半導体層２２，２
３とこの金属酸化物半導体層に接続した検出リード４０
，４１が形成されている。基板１、その他については実
施例１と同様である。
【０００７】
【効果】本発明による張出し部は微細であり、かつ空中
に浮いた格好をしているため、消費電力を例えば従来の
ものに較べ約１／５０というほど非常に小さくすること
ができる。また、基本的にはＩＣプロセスを用いるので
量産性に富んでおり、大量生産による低価格化が期待で
きる。さらに接触燃焼式と半導体式を用途により使いわ
けることにより、高性能なガスセンサを実現できる。本
発明のガスセンサにおいて、酸化触媒層と金属酸化物半
導体層を一つの張出し部上に設けたものは、さらに低消
費電力化が促進される。
に浮いた格好をしているため、消費電力を例えば従来の
ものに較べ約１／５０というほど非常に小さくすること
ができる。また、基本的にはＩＣプロセスを用いるので
量産性に富んでおり、大量生産による低価格化が期待で
きる。さらに接触燃焼式と半導体式を用途により使いわ
けることにより、高性能なガスセンサを実現できる。本
発明のガスセンサにおいて、酸化触媒層と金属酸化物半
導体層を一つの張出し部上に設けたものは、さらに低消
費電力化が促進される。
【図１】従来の触媒を利用した接触燃焼式のガスセンサ
の一例を示す斜視図である。
の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明のガスセンサの一例を示すものであって
、（ａ）はその平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断
面図である。
、（ａ）はその平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断
面図である。
【図３】本発明のガスセンサの他の一例を示すものであ
って、（ａ）はその平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′
線断面図である。
って、（ａ）はその平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′
線断面図である。
【図４】本発明のガスセンサで用いる酸化触媒層の一例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図５】酸化触媒層の他の例を示す斜視図である。
【図６】酸化触媒層のさらに他の例を示す斜視図である
。
。
【図７】接触燃焼方式と半導体方式の両方式を採用した
本発明ガスセンサの一例を示すものであって、（ａ）は
その平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断面図である
。
本発明ガスセンサの一例を示すものであって、（ａ）は
その平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断面図である
。
【図８】接触燃焼方式と半導体方式の両方式を採用した
本発明ガスセンサの他の例を示すものであって、（ａ）
はその平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断面図であ
る。
本発明ガスセンサの他の例を示すものであって、（ａ）
はその平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断面図であ
る。
【図９】接触燃焼式ガスセンサの基本回路図である。
【図１０】図２に示すガスセンサに温度補償用の張出し
部を、さらに備えた例を示すものであって、（ａ）はそ
の平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断面図、（ｃ）
は平面図のＹ−Ｙ′線断面図である。
部を、さらに備えた例を示すものであって、（ａ）はそ
の平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断面図、（ｃ）
は平面図のＹ−Ｙ′線断面図である。
【図１１】図７に示すガスセンサに温度補償用の張出し
部を、さらに備えた例を示すものであって、（ａ）はそ
の平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断面図、（ｃ）
は平面図のＹ−Ｙ′線断面図である。
部を、さらに備えた例を示すものであって、（ａ）はそ
の平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断面図、（ｃ）
は平面図のＹ−Ｙ′線断面図である。
【図１２】図８に示すガスセンサに温度補償用の張出し
部を、さらに備えた例を示すものであって、（ａ）はそ
の平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断面図、（ｃ）
は平面図のＹ−Ｙ′線断面図である。
部を、さらに備えた例を示すものであって、（ａ）はそ
の平面図、（ｂ）は平面図のＸ−Ｘ′線断面図、（ｃ）
は平面図のＹ−Ｙ′線断面図である。
【図１３】図２に示す片持ち梁構造を架橋構造にした例
を示すものであって、（ａ）はその平面図、（ｂ）は平
面図のＸ−Ｘ′線断面図である。
を示すものであって、（ａ）はその平面図、（ｂ）は平
面図のＸ−Ｘ′線断面図である。
【図１４】図８に示す片持ち梁構造を架橋構造にした例
を示すものであって、（ａ）はその平面図、（ｂ）は平
面図のＸ−Ｘ′線断面図である。
を示すものであって、（ａ）はその平面図、（ｂ）は平
面図のＸ−Ｘ′線断面図である。
１ 基板
２ 張出し部
３ 張出し部
４ 張出し部
５ 白金線コイル
６ 触媒
７ 担体
８ アルミナあるいはシリカを主成分として含む担体
９ 白金あるいはパラジウム １０ ヒーターリード １１ ヒーターリード １２ ヒーターリード １３ ガス検知部 １４ 温度補償部 ２０ 酸化触媒層 ２１ 酸化触媒層 ２２ 金属酸化物半導体層 ２３ 金属酸化物半導体層 ３０ 検出リード ３１ 検出リード ４０ 検出リード ４１ 検出リード
９ 白金あるいはパラジウム １０ ヒーターリード １１ ヒーターリード １２ ヒーターリード １３ ガス検知部 １４ 温度補償部 ２０ 酸化触媒層 ２１ 酸化触媒層 ２２ 金属酸化物半導体層 ２３ 金属酸化物半導体層 ３０ 検出リード ３１ 検出リード ４０ 検出リード ４１ 検出リード
Claims (7)
- 【請求項１】 基板、その基板上に空中に張出して設
けられた電気絶縁性材料からなる張出し部、前記張出し
部上に設けられた酸化触媒層および前記酸化触媒層がガ
スを燃焼させることにより発生する温度変化をその抵抗
値変化として検知するためのヒーターリードよりなるこ
とを特徴とするガスセンサ。 - 【請求項２】 （１）前記酸化触媒層と前記ヒーター
リードを有する前記張り出し部と、（２）ヒーターリー
ドとガスとの接触反応によりその抵抗値変化を検出する
ための金属酸化物半導体層と検出リードとを有する第２
の張出し部を備えたことを特徴とする請求項１記載のガ
スセンサ。 - 【請求項３】 基板、その基板上に空中に張出して設
けられた電気絶縁性材料からなる張出し部、前記張出し
部上に設けられた酸化触媒層、前記酸化触媒層がガスを
燃焼させることにより発生する温度変化をその抵抗値変
化として検知するためのヒーターリードと、ガスとの接
触反応によりその抵抗値変化を検知するための金属酸化
物半導体層と前記金属酸化物半導体層に接触する検出リ
ードを有することを特徴とするガスセンサ。 - 【請求項４】 さらに温度補償部を有する第３の張出
し部を備えたことを特徴とする請求項１，２または３記
載のガスセンサ。 - 【請求項５】 前記酸化触媒層がアルミナあるいはシ
リカを主成分として含む担体に白金あるいはパラジウム
を分散させたものよりなることを特徴とする請求項１，
２，３または４記載のガスセンサ。 - 【請求項６】 前記酸化触媒層がアルミナあるいはシ
リカを含む担体上に、白金あるいはパラジウムを堆積さ
せたものよりなることを特徴とする請求項１，２，３ま
たは４記載のガスセンサ。 - 【請求項７】 前記酸化触媒層がアルミナあるいはシ
リカを含む担体と白金あるいはパラジウムを交互に積層
させたものよりなることを特徴とする請求項１，２，３
または４記載のガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13981191A JPH04339250A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13981191A JPH04339250A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04339250A true JPH04339250A (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=15254001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13981191A Pending JPH04339250A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04339250A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286674A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサおよびその製造方法 |
| JP2007248458A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-09-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 接触燃焼式ガス検出装置 |
| JP2009079908A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Citizen Holdings Co Ltd | 接触燃焼式ガスセンサ |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP13981191A patent/JPH04339250A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286674A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサおよびその製造方法 |
| JP2007248458A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-09-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 接触燃焼式ガス検出装置 |
| JP2009079908A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Citizen Holdings Co Ltd | 接触燃焼式ガスセンサ |
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