JP6917843B2 - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6917843B2 JP6917843B2 JP2017180093A JP2017180093A JP6917843B2 JP 6917843 B2 JP6917843 B2 JP 6917843B2 JP 2017180093 A JP2017180093 A JP 2017180093A JP 2017180093 A JP2017180093 A JP 2017180093A JP 6917843 B2 JP6917843 B2 JP 6917843B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- gas
- gas sensor
- gas detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
- G01N27/16—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Description
前記ガス検知素子は、前記薄膜絶縁体層上に設けられたヒータ層と、当該ヒータ層上において当該ヒータ層と互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、薄膜サーミスタ部および当該薄膜サーミスタ部に接触する電極部を有するガス検知層とを備えてなり、
前記薄膜サーミスタ部は、Fe 2 O 3 、TiO 2 およびMgOを含有する複合金属酸化物からなり、
前記ガス検知素子にガスが接触することにより生ずる温度変化を、前記薄膜サーミスタ部の抵抗値変化により検出することを特徴とする。
本発明のガスセンサにおいて、前記ガス検知素子は、ガス検知層における薄膜サーミスタ部上に設けられた触媒層を有し、当該触媒層の燃焼熱による温度変化を前記薄膜サーミスタ部の抵抗値変化により検出するものとすることができる。
また、前記ガス検知素子に係る空洞部と離間した位置に形成された他の空洞部上に設けられた薄膜絶縁体層上に、補償素子が配置された構成とすることができる。
また、ヒータ層およびガス検知層を備えたガス検知素子が、空洞部上に設けられた薄膜絶縁体層上に配置された構成によれば、空洞部によって断熱化構造が形成されているので、サーミスタ以外の部材への熱伝導による損失を減少させることができて、高い検出感度が得られると共に、低消費電力化を図ることができる。
この例の接触燃焼式ガスセンサは、空洞部11が形成された例えばシリコンからなる基板10と、基板10における空洞部11の開口の少なくとも一部を覆うよう空洞部11上に架橋支持されて設けられた薄膜絶縁体層15と、薄膜絶縁体層15上に担持されたガス検知素子20とを備えている。
基板10における空洞部11は、例えば厚み方向に延びる貫通孔により構成されている。この例では、ガス検知素子用の空洞部11のみが形成された状態が示されているが、一方をガス検知素子用のものとし、他方を補償素子用のものとする対をなす2つの空洞部11,12が互いに離間した位置に形成された構成とされていてもよい(図8参照。)。
第1の絶縁膜16(薄膜絶縁体層15)は、例えば、第1のSiO2 膜と、Si3 N4 膜と、第2のSiO2 膜からなる積層膜(SiO2 /Si3 N4 /SiO2 積層膜)により構成されている。このような構成とされていることにより、熱応力による薄膜絶縁体層15の歪みを緩和することができる。
ヒータ層21は、第1の絶縁膜16との密着性を向上させるために、第1の絶縁膜16上に例えばCr膜(図示せず)を介して形成されていることが好ましい。また、ヒータ層21上には、第2の絶縁膜24との密着性を向上させるために、例えばCr膜(図示せず)が形成されていることが好ましい。
サーミスタ電極部27は、第2の絶縁膜24との密着性を向上させるために、第2の絶縁膜24上に例えばCr膜(図示せず)を介して形成されていることが好ましい。
薄膜サーミスタ部26は、例えばFe2 O3 、TiO2 およびMgOを含有する複合金属酸化物(Fe2 O3 −TiO2 −MgO系複合金属酸化物)からなる負特性サーミスタにより構成されていることが好ましい。このような負特性サーミスタによれば、MgOが含有されていることにより、接触燃焼式ガスセンサの性能を安定化させることができる。
この負特性サーミスタにおいて、Fe2 O3 に対するTiO2 の割合は、例えば0.1〜10mol%であることが好ましく、より好ましくは、0.5〜7mol%、さらに好ましくは0.5〜5mol%である。また、Fe2 O3 に対するMgOの割合は、例えば0.5〜10mol%であることが好ましく、より好ましくは1〜8mol%である。
Fe2 O3 に対するTiO2 の割合が5mol%、Fe2 O3 に対するMgOの割合が4mol%とされたFe2 O3 −TiO2 −MgO系複合金属酸化物からなる負特性サーミスタの温度対抵抗特性を図6に示す。この図より、この負特性サーミスタにおいては、温度変化に対する抵抗値の変化率が、例えばPtの約5倍程度の大きさであることが確認された。
さらにまた、検出感度がそれほど必要とされない用途では、燃焼触媒の量を減少させることができ、この結果としてコスト低減や低温動作化による更なる低電力消費化が期待できる。
図1乃至図5に示す構成に従って、以下に示す方法により、本発明に係る接触燃焼式ガスセンサを作製した。
基板として、厚さが500μmである結晶方位<100>の面を有するp型シリコンウエハを用い、基板の表面に厚さ4μmのSiO2 膜を形成すると共に基板の裏面に厚さ1μmのSiO2 膜を形成した。次いで、表面側のSiO2 膜上に厚さ2μmのSi3 N4 膜を形成し、さらに、Si3 N4 膜上に厚さ1μmのSiO2 膜を形成し、これにより、第1の絶縁膜を基板の表面上に形成した。SiO2 膜およびSi3 N4 膜は、スパッタリング法によって形成した。
フォトリソグラフィ法により裏面側のSiO2 膜にパターン形成し、裏面側のSiO2 膜をエッチングして窓を開けた後、さらに、基板をエッチングして空洞部を形成する。
次いで、フォトリソグラフィ法により第1の絶縁膜にパターン形成し、第1の絶縁膜をエッチングすることにより、基板に形成された空洞部上に、ベース部が複数の支持用梁部によって架橋支持されてなるマイクロブリッジ構造の薄膜絶縁体層を形成する。
マイクロブリッジ構造形成工程によって形成された薄膜絶縁体層上に、厚さ0.035μmのCr膜を形成した後、Cr膜上に厚さ0.2μmのPtW膜を形成し、さらに、PtW膜上に、厚さ0.035μmのCr膜を形成し、厚さ0.27μmのCr/PtW/Crの積層膜を薄膜絶縁体層上に形成した。Cr膜およびPtW膜は、スパッタリング法によって形成した。
次いで、フォトリソグラフィ法により積層膜にパターン形成し、積層膜をエッチングすることによりヒータ層を形成した。
ヒータ層形成工程によって形成されたヒータ層上に、厚さ2〜4μmのSiO2 膜(第2の絶縁膜)を形成した後、SiO2 膜上に、厚さ0.035μmのCr膜を形成し、さらに、厚さ0.2μmのPtW膜を形成した。SiO2 膜、Cr膜およびPtW膜は、スパッタリング法によって形成した。
次いで、フォトリソグラフィ法によりPtW膜にパターン形成した後、PtW膜をエッチングすることによりサーミスタ電極部を形成した。
その後、リフトオフ法およびスパッタリング法によって、サーミスタ電極部における櫛型電極(櫛歯部分)が形成された領域に、Fe2 O3 −TiO2 −MgO系複合金属酸化物(Fe2 O3 /TiO2 (5mol%)/MgO(4mol%))からなる薄膜を堆積させることにより薄膜サーミスタ部を形成し、これによりガス検知層を形成した。
スパッタリング法によって、ガス検知層上に厚さ2〜4μmのSiO2 膜(第3の絶縁膜)を形成した後、SnO2 ナノパーティクル、PVA溶液、Pdコロイド溶液を混合したものをSiO2 膜上に載せ、熱処理(焼成)することにより、Pd/SnO2 からなる触媒層を薄膜サーミスタ部の上方に位置されるよう作製した。
また、上述したように、本発明のガスセンサにおいては、温度補償素子を備えた構成とされていてもよい。このような構成のものにおいては、図8に示すように、ガス検知素子20に係る空洞部11と離間した位置に形成された空洞部12上に設けられた薄膜絶縁体層15a上に、温度補償素子40が配置された構成とされる。温度補償素子40は、触媒を有さない構成、あるいは、ガス検知素子20に係る触媒と異なる他の触媒が用いられた構成とされることの他は、ガス検知素子20と同様の構成を有する。
11 空洞部
11a 開口縁
12 空洞部
15 薄膜絶縁体層
15a 薄膜絶縁体層
16 第1の絶縁膜
17 ベース部
18a 支持用梁部
18b 支持用梁部
20 ガス検知素子
21 ヒータ層
22 薄膜ヒータ
23a 発熱部
23b リード部
23c ヒータ電極部
24 第2の絶縁膜
25 ガス検知層
26 薄膜サーミスタ部
27 サーミスタ電極部
28a 櫛型電極
28b リード部
28c 端子部
29 第3の絶縁膜
30 触媒層
40 温度補償素子
Claims (5)
- 薄膜絶縁体層上にガス検知素子が配置されてなるガスセンサであって、
前記ガス検知素子は、前記薄膜絶縁体層上に設けられたヒータ層と、当該ヒータ層上において当該ヒータ層と互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、薄膜サーミスタ部および当該薄膜サーミスタ部に接触する電極部を有するガス検知層とを備えてなり、
前記薄膜サーミスタ部は、Fe 2 O 3 、TiO 2 およびMgOを含有する複合金属酸化物からなり、
前記ガス検知素子にガスが接触することにより生ずる温度変化を、前記薄膜サーミスタ部の抵抗値変化により検出することを特徴とするガスセンサ。 - 前記ガス検知素子は、ガス検知層における薄膜サーミスタ部上に設けられた触媒層を有し、当該触媒層の燃焼熱による温度変化を前記薄膜サーミスタ部の抵抗値変化により検出することを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。
- 前記複合金属酸化物は、Fe 2 O 3 に対するTiO 2 の割合が0.1〜10mol%であり、Fe 2 O 3 に対するMgOの割合が0.5〜10mol%であるものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガスセンサ。
- 前記ガス検知素子が、空洞部上に設けられた薄膜絶縁体層上に配置されてなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のガスセンサ。
- 前記ガス検知素子に係る空洞部と離間した位置に形成された他の空洞部上に設けられた薄膜絶縁体層上に、補償素子が配置されていることを特徴とする請求項4に記載のガスセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016201573 | 2016-10-13 | ||
JP2016201573 | 2016-10-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018063241A JP2018063241A (ja) | 2018-04-19 |
JP6917843B2 true JP6917843B2 (ja) | 2021-08-11 |
Family
ID=61904374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017180093A Active JP6917843B2 (ja) | 2016-10-13 | 2017-09-20 | ガスセンサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10697920B2 (ja) |
JP (1) | JP6917843B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11002700B2 (en) | 2017-11-21 | 2021-05-11 | Honeywell International Inc. | High temperature gas sensor |
US20210255131A1 (en) * | 2018-12-03 | 2021-08-19 | Carrier Corporation | Combustible gas sensor |
JP7156014B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-10-19 | Tdk株式会社 | サーミスタ及びこれを備えるガスセンサ |
KR20220032363A (ko) * | 2020-09-07 | 2022-03-15 | 현대자동차주식회사 | Mems 수소 센서 및 그를 포함한 시스템 |
JP2022065302A (ja) * | 2020-10-15 | 2022-04-27 | ローム株式会社 | センサ及びその製造方法 |
KR20230108615A (ko) * | 2022-01-11 | 2023-07-18 | 현대자동차주식회사 | 접촉 연소식 수소센서 및 그 제조방법 |
KR20240006109A (ko) * | 2022-07-05 | 2024-01-15 | (주)센텍코리아 | 가스 센서 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5989398A (en) * | 1997-11-14 | 1999-11-23 | Motorola, Inc. | Calorimetric hydrocarbon gas sensor |
JP3911345B2 (ja) * | 1998-06-18 | 2007-05-09 | Tdk株式会社 | 有機質正特性サーミスタ |
JP2001099801A (ja) | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサ |
WO2010084916A1 (ja) * | 2009-01-21 | 2010-07-29 | 北陸電気工業株式会社 | ガスセンサ用基体及びその製造方法 |
EP2481703B1 (en) * | 2011-01-27 | 2020-07-01 | Sensirion AG | Sensor protection |
-
2017
- 2017-09-20 JP JP2017180093A patent/JP6917843B2/ja active Active
- 2017-10-04 US US15/724,971 patent/US10697920B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180106745A1 (en) | 2018-04-19 |
US10697920B2 (en) | 2020-06-30 |
JP2018063241A (ja) | 2018-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6917843B2 (ja) | ガスセンサ | |
JPS6323500B2 (ja) | ||
KR102210634B1 (ko) | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 | |
EP1340067B1 (en) | Thin film ppb oxygen sensor | |
JP6804173B2 (ja) | 片持ち梁型ガスセンサ、センサアレイ及びセンサの製造方法 | |
JPH0510901A (ja) | 触媒燃焼式ガスセンサ | |
JPS6136616B2 (ja) | ||
JP5495497B2 (ja) | 放射センサ素子、センサフィールドおよび放射センサ素子の製造方法 | |
JP5359985B2 (ja) | ガスセンサ | |
JP2009079907A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
JP5672339B2 (ja) | ガスセンサ | |
JP4798961B2 (ja) | ヒータデバイス及びこれを用いた気体センサ装置 | |
JP4891582B2 (ja) | 半導体式薄膜ガスセンサ | |
JP2011196896A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
JP2004037402A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JPH1151893A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
JP5278086B2 (ja) | 薄膜ガスセンサおよびその製造方法 | |
JP4371772B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
KR101992022B1 (ko) | 반도체식 가스센서 | |
KR101756357B1 (ko) | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 | |
JPS61191953A (ja) | ガス検出装置 | |
JP5724005B2 (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
JP2008298617A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサおよび接触燃焼式ガスセンサの製造方法 | |
JP3724443B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JP7187139B2 (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20190131 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200515 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20200713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210706 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210720 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6917843 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |