JP5495497B2 - 放射センサ素子、センサフィールドおよび放射センサ素子の製造方法 - Google Patents
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Claims (7)
- 絶縁層(2)により被覆された基板(1)と、該基板(1)の上方において、第1の平面(20)に配置されている面状のセンサ構造(7)とを有する放射センサ素子(10)において、
少なくとも1つの給電線構造(6)が前記基板(1)と前記センサ構造(7)との間の第2の平面(30)に配置され、
前記給電線構造(6)は、一方の端部領域に設けられた第1のコンタクト(5)を介して片持ちされて前記基板(1)と接続され、他方の端部領域に設けられた第2のコンタクト(8)を介して片持ちされた前記センサ構造(7)と接続されて、前記第1のコンタクト(5)と前記第2のコンタクト(8)との間の前記第2の平面(30)に延在し、
前記絶縁層(2)と前記給電線構造(6)との間には前記第1のコンタクト(5)のみが存在し、前記給電線構造(6)と前記センサ構造(7)との間には前記第2のコンタクト(8)のみが存在し、
前記給電線構造(6)は、多結晶シリコンまたはシリコンカーバイドからなり、
前記センサ構造(7)は、pドープされた多結晶シリコンまたはpドープされたシリコンカーバイドからなり、少なくとも部分的に多孔化されている、
ことを特徴とする、放射センサ素子(10)。 - 前記給電線構造(6)は、pドープされた多結晶シリコンまたはシリコンカーバイドからなることを特徴とする、請求項1記載の放射センサ素子(10)。
- 前記センサ構造(7)は前記給電線構造(6)を介して電気的に前記基板(1)と接触している、請求項1または2記載の放射センサ素子(10)。
- 前記給電線構造(6)は前記第2の平面(30)においてメアンダ状に延びている、請求項1から3までのいずれか1項記載の放射センサ素子(10)。
- 請求項1から4までのいずれか1項記載の放射センサ素子(10)を複数有し、該放射センサ素子(10)が共通の基板(1)上に配置されていることを特徴とする、センサフィールド(100)。
- 前記放射センサ素子(10)は前記基板(1)内の複数の導体路(13)を介して接続されており、該導体路(13)はマトリクス制御部を形成する、請求項5記載のセンサフィールド(100)。
- 請求項1から4までのいずれか1項記載の放射センサ素子(10)の製造方法において、
基板(1)の上に絶縁層(2)を析出し、
前記絶縁層(2)の上に第1の犠牲層(3)を析出し、
前記第1の犠牲層(3)の構造化により第1のコンタクト(5)を形成し、
前記第1の犠牲層(3)および前記第1のコンタクト(5)の上に給電線構造(6)を設け、
前記第1の犠牲層(3)および前記給電線構造(6)の上に第2の犠牲層(4)を析出し、
前記第2の犠牲層(4)の構造化により第2のコンタクト(8)を形成し、
前記第2の犠牲層(4)および前記第2のコンタクト(8)の上にセンサ構造(7)を設け、
前記絶縁層(2)と前記給電線構造(6)との間には前記第1のコンタクト(5)のみが存在し、前記給電線構造(6)と前記センサ構造(7)との間には前記第2のコンタクト(8)のみが存在することとなるように、前記第1の犠牲層(3)および前記第2の犠牲層(4)を除去し、
電気化学的なエッチングにより前記センサ構造(7)を少なくとも部分的に多孔化することを特徴とする、放射センサ素子(10)の製造方法。
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