JP2002531821A - 赤外線ボロメーター - Google Patents
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Abstract
(57)【要約】
本発明の3層構造の赤外線吸収ボロメーターは、駆動基板レベル（２１０）と、支持レベル（２２０）と、ポスト（２７０）と吸収レベル（２３０）とを含む。前記駆動基板レベル（２１０）は、集積回路を有する基板（２１２）と、接続端子（２１４）と、基板を覆う保護層（２１６）とを含む。前記支持レベル（２２０）は支持橋脚（２４０）を含み、前記それぞれの支持橋脚はその上部に形成された伝導線を有し、伝導線（２６５）の一端は接続端子（２１４）に電気的に接続されている。前記吸収レベルは、吸収体（２９５）と、吸収体に取囲まれているボロメーター要素（２８５）と、吸収体上に形成されたチタン薄膜（２９７）と、チタン薄膜上に形成され、シリコン酸化窒化物質で作られた赤外線吸収コーティング（２９９）を含む。赤外線吸収コーティングがチタン薄膜表面で安定的に成長できる核生成場所が十分ではないため、赤外線吸収コーティングは粗い表面と多気孔を有する。それぞれのポスト（２７０）は絶縁物質に取囲まれた電管を含み、吸収レベル（２３０）と支持橋脚（２４０）の間に位置することによって、蛇行状のボロメーター要素（２８５）は電管（２７２）と、伝導線と、接続端子とを介して集積回路に電気的に接続する。
Description
【０００１】 （技術分野） 本発明は、赤外線ボロメーターに関し、特に、3層構造の赤外線ボロメーター
に関する。
に関する。
【０００２】 （背景技術） ボロメーターは、放射熱流束に露出された材料(いわゆる、ボロメーター要素)
の抵抗変化に基づいたエネルギー検出器である。前記ボロメーター要素は、金属
や半導体材料から作られる。金属の場合、温度に応じて高くなる典型的な抵抗率
変化は根本的に担体移動度の変化に起因するものである。高い抵抗率の半導体ボ
ロメーター要素では、温度に応じて自由担体密度が指数関数的に変化し、相対的
に大きい敏感度を得ることができる。しかし、ボロメーターに用いられる半導体
の薄膜製造は難しい。
の抵抗変化に基づいたエネルギー検出器である。前記ボロメーター要素は、金属
や半導体材料から作られる。金属の場合、温度に応じて高くなる典型的な抵抗率
変化は根本的に担体移動度の変化に起因するものである。高い抵抗率の半導体ボ
ロメーター要素では、温度に応じて自由担体密度が指数関数的に変化し、相対的
に大きい敏感度を得ることができる。しかし、ボロメーターに用いられる半導体
の薄膜製造は難しい。
【０００３】 図1及び図2は米国特許第5,300,915号で「THERMAL SENSOR」の名称で公開され
ている2層構造のボロメーターの断面図及び透視図で、前記ボロメーター10は高
架検出レベル11と下部レベル12を備えている。前記下部レベル12は平らな表面を
有する単結晶シリコン基板のような半導体基板13を有する。シリコン基板13の表
面14上には、ダイオード、X及びY-母線、接続端子、X-母線及びY-母線の末端部
に位置する接続パッドを含む集積回路15の構成要素が製造されており、その製造
は従来のシリコンIC技術によってなされている。前記集積回路15はシリコン窒化
膜16からなる保護層によって覆われている。線形谷（valley strip）17は高架検
出レベル11によって覆われていない領域である。
ている2層構造のボロメーターの断面図及び透視図で、前記ボロメーター10は高
架検出レベル11と下部レベル12を備えている。前記下部レベル12は平らな表面を
有する単結晶シリコン基板のような半導体基板13を有する。シリコン基板13の表
面14上には、ダイオード、X及びY-母線、接続端子、X-母線及びY-母線の末端部
に位置する接続パッドを含む集積回路15の構成要素が製造されており、その製造
は従来のシリコンIC技術によってなされている。前記集積回路15はシリコン窒化
膜16からなる保護層によって覆われている。線形谷（valley strip）17は高架検
出レベル11によって覆われていない領域である。
【０００４】 高架検出レベル11はシリコン窒化膜層20、蛇行状の抵抗経路21、シリコン窒化
膜層20と蛇行状の抵抗経路21の上に形成されたさらに異なるシリコン窒化膜層22
、シリコン窒化膜層22の上に形成された赤外線吸収コーティング23(以下、IR吸
収コーティング)を含む。製造工程で蒸着される下方に延長するシリコン窒化膜
層20'、22'は高架検出レベル11を支持する４つの傾斜した脚を構成する。支持橋
脚の数は4より多いか、少なくてもいい。2つのレベルの間には空洞26が形成され
て互いに離隔されている。しかし、製造工程の間、シリコン窒化膜層20、20'、2
2、22'が蒸着されるまで、空洞26は溶解性ガラスまたは溶解性材料で満たされて
いる。工程中にガラスは溶解されて空洞26から流れてくる。
膜層20と蛇行状の抵抗経路21の上に形成されたさらに異なるシリコン窒化膜層22
、シリコン窒化膜層22の上に形成された赤外線吸収コーティング23(以下、IR吸
収コーティング)を含む。製造工程で蒸着される下方に延長するシリコン窒化膜
層20'、22'は高架検出レベル11を支持する４つの傾斜した脚を構成する。支持橋
脚の数は4より多いか、少なくてもいい。2つのレベルの間には空洞26が形成され
て互いに離隔されている。しかし、製造工程の間、シリコン窒化膜層20、20'、2
2、22'が蒸着されるまで、空洞26は溶解性ガラスまたは溶解性材料で満たされて
いる。工程中にガラスは溶解されて空洞26から流れてくる。
【０００５】 図3は図1に示された高架検出レベル11を示す平面図である。この図では蛇行状
の抵抗経路21が見られるように、上部に位置した吸収コーティング23と上部シリ
コン窒化膜層22を透視して示している。抵抗経路21の両端21a、21bは下部レベル
12のパッド31、32に電気的に接続されるように傾斜した領域30に沿って延長され
る。また、図3は検出レベルのシリコン窒化膜層20、22を開放して下方の溶解性
ガラスを除去することができる通路を提供するために形成される窒化膜ウインド
・カット（window cut）35、36、37を示す。除去可能な通路を提供する窒化膜ウ
インド・カット35、36、37は、狭くて側面に隣接するピクセル（pixels）によっ
て共有されるため、充てん比(Fill Factor)と検出するために利用できる領域と
を最大化させる。4つの支持橋脚は適当な支持力と断熱を提供するように必要に
応じて長く、または短くすることができる。
の抵抗経路21が見られるように、上部に位置した吸収コーティング23と上部シリ
コン窒化膜層22を透視して示している。抵抗経路21の両端21a、21bは下部レベル
12のパッド31、32に電気的に接続されるように傾斜した領域30に沿って延長され
る。また、図3は検出レベルのシリコン窒化膜層20、22を開放して下方の溶解性
ガラスを除去することができる通路を提供するために形成される窒化膜ウインド
・カット（window cut）35、36、37を示す。除去可能な通路を提供する窒化膜ウ
インド・カット35、36、37は、狭くて側面に隣接するピクセル（pixels）によっ
て共有されるため、充てん比(Fill Factor)と検出するために利用できる領域と
を最大化させる。4つの支持橋脚は適当な支持力と断熱を提供するように必要に
応じて長く、または短くすることができる。
【０００６】 前記ボロメーターの一つの問題点は、高架検出レベルとこれを支持する支持橋
脚が同一レベル上に存在するため、赤外線を吸収する全体面積が減少して、前記
ボロメーターの充てん比が最適の充てん比より低いことである。
脚が同一レベル上に存在するため、赤外線を吸収する全体面積が減少して、前記
ボロメーターの充てん比が最適の充てん比より低いことである。
【０００７】 （発明の開示） 従って、本発明の目的は、増加した充てん比及び向上した吸収率を有する3層
構造の赤外線ボロメーターを提供することにある。
構造の赤外線ボロメーターを提供することにある。
【０００８】 上記目的を達成するために、本発明は基板及び基板上に形成された少なくとも
一対の接続端子を含む駆動基板レベルと、一端が対応する1つの接続端子に電気
的に接続されている伝導線を有する支持橋脚が少なくとも一対形成されている支
持レベルと、吸収体、吸収体に取囲まれているボロメーター要素、吸収体上部の
薄膜及び薄膜上部に形成された赤外線吸収コーティングを有する吸収レベルと、
前記支持橋脚及び前記吸収レベルの間に位置し、絶縁物質に取囲まれた電管を有
する少なくとも1対のポストとを含み、吸収レベルのボロメーター要素の各端は
それぞれの電管及びそれぞれの伝導線を介してそれぞれの接続端子に電気的に接
続されている。
一対の接続端子を含む駆動基板レベルと、一端が対応する1つの接続端子に電気
的に接続されている伝導線を有する支持橋脚が少なくとも一対形成されている支
持レベルと、吸収体、吸収体に取囲まれているボロメーター要素、吸収体上部の
薄膜及び薄膜上部に形成された赤外線吸収コーティングを有する吸収レベルと、
前記支持橋脚及び前記吸収レベルの間に位置し、絶縁物質に取囲まれた電管を有
する少なくとも1対のポストとを含み、吸収レベルのボロメーター要素の各端は
それぞれの電管及びそれぞれの伝導線を介してそれぞれの接続端子に電気的に接
続されている。
【０００９】 （発明を実施するための最良の形態） 以下、本発明の好適実施例について、図面を参照しながらより詳しく説明する
。
。
【００１０】 図4及び図5は、それぞれ本発明による3層構造の赤外線ボロメーター201を示す
斜視図及び図4のI−I線の概略的断面図である。図4及び図5において、同一部品
には同一参照番号を付与し説明する。
斜視図及び図4のI−I線の概略的断面図である。図4及び図5において、同一部品
には同一参照番号を付与し説明する。
【００１１】 図4と図5の本発明によるボロメーター201は駆動基板レベル210、支持レベル22
0、少なくとも1対のポスト270及び吸収レベル230を含む。
0、少なくとも1対のポスト270及び吸収レベル230を含む。
【００１２】 駆動基板レベル210は集積回路(図示せず)が形成されている基板212、1対の接
続端子214及び保護層216を含む。金属で作られる接続端子214は、それぞれ基板2
12上部に形成される。例えば、シリコン窒化膜からなる保護層216は基板212を覆
うように形成される。1対の接続端子214は集積回路と電気的に接続されている。
続端子214及び保護層216を含む。金属で作られる接続端子214は、それぞれ基板2
12上部に形成される。例えば、シリコン窒化膜からなる保護層216は基板212を覆
うように形成される。1対の接続端子214は集積回路と電気的に接続されている。
【００１３】 支持レベル220はシリコン窒化膜(SiNX)で作られる1対の支持橋脚240を含み、
それぞれの支持橋脚240はその上部に伝導線265が形成されている。それぞれの支
持橋脚240はアンカー部242、脚部244及び高架部246を有し、アンカー部にはビア
ホール252が形成され、このビアホールを介して伝導線265の末端部が接続端子21
4に電気的に接続される。そして、脚部244は高架部246を支持する。
それぞれの支持橋脚240はその上部に伝導線265が形成されている。それぞれの支
持橋脚240はアンカー部242、脚部244及び高架部246を有し、アンカー部にはビア
ホール252が形成され、このビアホールを介して伝導線265の末端部が接続端子21
4に電気的に接続される。そして、脚部244は高架部246を支持する。
【００１４】 吸収レベル230は熱吸収材料、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)で作られる吸収
体295と、吸収体295に取囲まれた、例えば、チタン(Ti)で作られた蛇行状のボロ
メーター要素285と、吸収体295の上部に形成された、例えば、チタンで作られた
薄膜297と、チタン薄膜の上部に形成されたIR吸収コーティング299とを備えてい
る。
体295と、吸収体295に取囲まれた、例えば、チタン(Ti)で作られた蛇行状のボロ
メーター要素285と、吸収体295の上部に形成された、例えば、チタンで作られた
薄膜297と、チタン薄膜の上部に形成されたIR吸収コーティング299とを備えてい
る。
【００１５】 それぞれのポスト270は吸収レベル230と支持レベル220との間に位置する。そ
れぞれのポスト270は絶縁物質によって取囲まれており、チタン(Ti)のような金
属で作られた電管272を含む。電管272の上端は蛇行状のボロメーター要素285の
一端に電気的に接続されており、下端は支持橋脚240の伝導線265に電気的に接続
されることにより、吸収レベル230の蛇行状ボロメーター要素285の両端は電管27
2、伝導線265、接続端子214を介して駆動基板レベル210の集積回路に電気的に接
続されている。
れぞれのポスト270は絶縁物質によって取囲まれており、チタン(Ti)のような金
属で作られた電管272を含む。電管272の上端は蛇行状のボロメーター要素285の
一端に電気的に接続されており、下端は支持橋脚240の伝導線265に電気的に接続
されることにより、吸収レベル230の蛇行状ボロメーター要素285の両端は電管27
2、伝導線265、接続端子214を介して駆動基板レベル210の集積回路に電気的に接
続されている。
【００１６】 このような構成によって、赤外線エネルギーが吸収されると、蛇行状ボロメー
ター要素285の抵抗率が変化し、変化した抵抗率によって電圧及び電流が変化す
る。変化した電流、または電圧が集積回路によって増幅され、増幅された電流と
電圧は検出回路(図示せず)によって読み取られる。
ター要素285の抵抗率が変化し、変化した抵抗率によって電圧及び電流が変化す
る。変化した電流、または電圧が集積回路によって増幅され、増幅された電流と
電圧は検出回路(図示せず)によって読み取られる。
【００１７】 以下、図6A〜6Lを参照として、本発明による赤外線ボロメーターの製造方法を
説明する。
説明する。
【００１８】 ボロメーター201の製造工程は、集積回路及び1対の接続端子214を含む基板212
を備えることから始まる。
を備えることから始まる。
【００１９】 次に、例えば、シリコン窒化膜(Si3N4)で作られた保護層216がPECVD(plasma e
nhanced chemical vapor deposition)方法を用いて基板212上に蒸着されること
によって、図6Aに示す駆動基板レベル210が形成される。
nhanced chemical vapor deposition)方法を用いて基板212上に蒸着されること
によって、図6Aに示す駆動基板レベル210が形成される。
【００２０】 次の段階で、例えば、多結晶シリコン(poly-Si)のような材料から構成される
第1犠牲材料(図示せず)がLPCVD(low pressure chemical vapor deposition)を用
いて保護層216上に平らな上部表面を有するように蒸着される。その後、図6Bに
示すように、第1犠牲材料はエッチングによって選択的に除去され、1対の空洞30
5を含む第1犠牲層300を形成する。
第1犠牲材料(図示せず)がLPCVD(low pressure chemical vapor deposition)を用
いて保護層216上に平らな上部表面を有するように蒸着される。その後、図6Bに
示すように、第1犠牲材料はエッチングによって選択的に除去され、1対の空洞30
5を含む第1犠牲層300を形成する。
【００２１】 次に、シリコン窒化物(SiNX)のような材料で作られた支持層250が空洞305を含
む第1犠牲層300の上部にPECVD法を用いて蒸着される。
む第1犠牲層300の上部にPECVD法を用いて蒸着される。
【００２２】 図6Cに示すように、接続端子214が露出するように支持層250に1対のビアホー
ル(via hole)252が形成される。
ル(via hole)252が形成される。
【００２３】 その後、図6Dに示すように、金属、例えばチタンで作られた伝導性層260がビ
アホール252を含む支持層250上にスパッタリング法を用いて蒸着され、ビアホー
ル252内部に金属で作られた伝導性層260が満たされ、伝導性層260が接続端子214
と電気的に接続される。
アホール252を含む支持層250上にスパッタリング法を用いて蒸着され、ビアホー
ル252内部に金属で作られた伝導性層260が満たされ、伝導性層260が接続端子214
と電気的に接続される。
【００２４】 次に、図6Eに示すように、伝導性層260及び支持層250はそれぞれ金属エッチン
グ法と窒化エッチング法を用いてパターンされて1対の伝導線265及び1対の支持
橋脚240を形成することによって、支持レベル220が形成される。
グ法と窒化エッチング法を用いてパターンされて1対の伝導線265及び1対の支持
橋脚240を形成することによって、支持レベル220が形成される。
【００２５】 その次の段階で、多結晶シリコン等で作られる第2犠牲材料(図示せず)が支持
橋脚240と第1犠牲層300の上部に平らな上部表面を有するようにLPCVD法を用いて
蒸着される。その後、第2犠牲材料が選択的にエッチングされて、図6Fに示すよ
うに、1対のホール315を含む第2犠牲層を形成する。
橋脚240と第1犠牲層300の上部に平らな上部表面を有するようにLPCVD法を用いて
蒸着される。その後、第2犠牲材料が選択的にエッチングされて、図6Fに示すよ
うに、1対のホール315を含む第2犠牲層を形成する。
【００２６】 次に、例えば、SiO2のような第1熱吸収物質292がホール315を含む第2犠牲層31
0の上部にPECVD法を用いて蒸着される。
0の上部にPECVD法を用いて蒸着される。
【００２７】 次に、第1熱吸収物質292は、1対の開口296を有するように部分的にエッチング
され、図6Gに示すように、伝導線265が部分的に露出する。
され、図6Gに示すように、伝導線265が部分的に露出する。
【００２８】 その後、チタン等で作られるボロメーター要素層(図示せず)が開口296を含む
第1熱吸収物質292の上部にスパッタリング法によって蒸着され、開口296はボロ
メーター要素層で充填されて1対の電管272を形成する。次に、ボロメーター要素
層は、図6Hに示すように、金属エッチング法を用いて蛇行状のボロメーター要素
285にパターンされる。
第1熱吸収物質292の上部にスパッタリング法によって蒸着され、開口296はボロ
メーター要素層で充填されて1対の電管272を形成する。次に、ボロメーター要素
層は、図6Hに示すように、金属エッチング法を用いて蛇行状のボロメーター要素
285にパターンされる。
【００２９】 次に、図6Iに示すように、第1吸収物質292と同一材料で作られた第2吸収物質2
94が蛇行状のボロメーター要素285の上部に蒸着されて吸収体295を形成し、ここ
で吸収体295は蛇行状のボロメーター要素285を取囲んでいる。次に、例えば、チ
タンで作られた薄膜297がスパッタリング法によってその厚さが10〜10000nmにな
るように吸収体295の上部に蒸着される。
94が蛇行状のボロメーター要素285の上部に蒸着されて吸収体295を形成し、ここ
で吸収体295は蛇行状のボロメーター要素285を取囲んでいる。次に、例えば、チ
タンで作られた薄膜297がスパッタリング法によってその厚さが10〜10000nmにな
るように吸収体295の上部に蒸着される。
【００３０】 その後、図6Jを参照すると、シリコン酸化窒化膜(SiOXNY、ここでX＝0.1〜2.5
、Y＝0.0〜2.0)のような物質からなる赤外線吸収コーティング299がチタン薄膜2
97の上部に形成される。周知のように、シリコン酸化窒化膜からなる層がチタン
からなる薄膜上で生じる時、シリコン酸化窒化膜層はその内部に多気孔(図示せ
ず)を有し、その上部は粗い表面になる。その理由は、チタン薄膜表面はシリコ
ン酸化窒化膜が安定的に成長できる核生成場所を提供しないからである。従って
、本発明による赤外線吸収コーティング299は多気孔と粗い上部表面を有する。
赤外線吸収コーティング299の粗い上部表面は、赤外線吸収コーティング299がよ
り効率的に赤外線エネルギーを吸収できるようにする。さらに詳述すると、粗い
上部表面が、反射された赤外線エネルギーの一部を再び赤外線吸収コーティング
299に吸収できるようにするため、平らな上部表面より多い赤外線エネルギーを
吸収することができる。
、Y＝0.0〜2.0)のような物質からなる赤外線吸収コーティング299がチタン薄膜2
97の上部に形成される。周知のように、シリコン酸化窒化膜からなる層がチタン
からなる薄膜上で生じる時、シリコン酸化窒化膜層はその内部に多気孔(図示せ
ず)を有し、その上部は粗い表面になる。その理由は、チタン薄膜表面はシリコ
ン酸化窒化膜が安定的に成長できる核生成場所を提供しないからである。従って
、本発明による赤外線吸収コーティング299は多気孔と粗い上部表面を有する。
赤外線吸収コーティング299の粗い上部表面は、赤外線吸収コーティング299がよ
り効率的に赤外線エネルギーを吸収できるようにする。さらに詳述すると、粗い
上部表面が、反射された赤外線エネルギーの一部を再び赤外線吸収コーティング
299に吸収できるようにするため、平らな上部表面より多い赤外線エネルギーを
吸収することができる。
【００３１】 次に、図6Kに示すように、赤外線吸収コーティング299は部分エッチング法に
よってチタン薄膜297の一部が露出されるようにパターンされる。
よってチタン薄膜297の一部が露出されるようにパターンされる。
【００３２】 その後、図6Lに示すように、露出されたチタン薄膜297と吸収体295がエッチン
グされて吸収レベル230を形成する。
グされて吸収レベル230を形成する。
【００３３】 最後に、第2犠牲層310と第1犠牲層300がエッチング法を用いて除去されること
によって、図5に示すように3層構造の赤外線ボロメーター201を形成するように
なる。
によって、図5に示すように3層構造の赤外線ボロメーター201を形成するように
なる。
【００３４】 本発明の3層赤外線ボロメーターにおいて、支持橋脚は吸収レベルの下方に位
置し、全吸収レベルが赤外線吸収に用いられるため、赤外線ボロメーターの全体
的な充てん比を増加させることができるだけではなく、赤外線吸収コーティング
が粗い上部表面を有するため、赤外線エネルギーの吸収率を向上させることがで
きる。
置し、全吸収レベルが赤外線吸収に用いられるため、赤外線ボロメーターの全体
的な充てん比を増加させることができるだけではなく、赤外線吸収コーティング
が粗い上部表面を有するため、赤外線エネルギーの吸収率を向上させることがで
きる。
【００３５】 上記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求
範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【図１】 従来の2層構造のボロメーターを説明する概略的な断面図である。
【図２】 図1に示した2層構造のボロメーターを示す斜視図である。
【図３】 図1に示した2層構造ボロメーターの高架検出レベルを示す平面図である。
【図４】 本発明による３層構造の赤外線ボロメーターを示す斜視図である。
【図５】 図4のI−I線の3層構造の赤外線ボロメーターの概略的な断面図である。
【図６Ａ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｂ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｃ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｄ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｅ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｆ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｇ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｈ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｉ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｊ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｋ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
【図６Ｌ】 図5の3層構造の赤外線ボロメーターの製造方法を説明するための概略的断面図
である。
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G065 AB02 BA12 DA20 2G066 BA09 BA55 4M118 AA01 AB01 BA30 CA14 CB14 GA10 GD20 【要約の続き】 ボロメーター要素（２８５）は電管（２７２）と、伝導 線と、接続端子とを介して集積回路に電気的に接続す る。
Claims (7)
- 【請求項１】 3層構造の赤外線ボロメーターであって、 基板及び前記基板上に形成された少なくとも1対の接続端子を含む駆動基板レ
ベルと、 一端が対応する1つの前記接続端子に電気的に接続されている伝導線を有する
支持橋脚が少なくとも1対形成されている支持レベルと、 吸収体、前記吸収体に取囲まれているボロメーター要素、前記吸収体上部の薄
膜、及び前記薄膜上部に形成された内部に多気孔を有し粗い上部表面を有する赤
外線吸収コーティングを有する吸収レベルと、 前記支持橋脚と前記吸収レベルの間に位置し、絶縁物質によって取囲まれた電
菅を有する少なくとも1対のポストとを含み、 前記吸収レベルのボロメーター要素の各端は前記それぞれの電菅及び前記それ
ぞれの伝導線を介して前記それぞれの接続端子に電気的に接続されることを特徴
とする3層構造の赤外線ボロメーター。 - 【請求項２】 前記薄膜はチタンからなり、前記赤外線吸収コーティング
はシリコン酸化窒化物からなることを特徴とする請求項1に記載の3層構造の赤外
線ボロメーター。 - 【請求項３】 前記支持橋脚のそれぞれはアンカー部、脚部、高架部を含
み、前記アンカー部は前記伝導線の一端が前記接続端子と電気的に接続できるよ
うなビアホールを有することを特徴とする請求項1に記載の3層構造の赤外線ボロ
メーター。 - 【請求項４】 前記伝導線は前記支持橋脚の上部に位置することを特徴と
する請求項1に記載の3層構造の赤外線ボロメーター。 - 【請求項５】 前記電菅の上端は前記ボロメーター要素の一端に電気的に
接続され、その下端は前記伝導線の他端に電気的に接続されることを特徴とする
請求項1に記載の3層構造の赤外線ボロメーター。 - 【請求項６】 前記伝導線、前記電菅及び前記ボロメーター要素は同一金
属で作られることを特徴とする請求項1に記載の3層構造の赤外線ボロメーター。 - 【請求項７】 前記伝導線、前記電菅及び前記ボロメーター要素はチタン
で作られることを特徴とする請求項6に記載の3層構造の赤外線ボロメーター。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/KR1998/000386 WO2000033041A1 (en) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | Infrared bolometer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002531821A true JP2002531821A (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=19531173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000585631A Pending JP2002531821A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 赤外線ボロメーター |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1137918B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002531821A (ja) |
| CN (1) | CN1177203C (ja) |
| DE (1) | DE69834753T2 (ja) |
| WO (1) | WO2000033041A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004522162A (ja) * | 2001-06-01 | 2004-07-22 | レイセオン・カンパニー | 改良された高速度でマルチレベルの冷却されないボロメータおよびその製造方法 |
| JP2008203263A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Robert Bosch Gmbh | 放射センサ素子、センサフィールドおよび放射センサ素子の製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7491938B2 (en) | 2004-03-23 | 2009-02-17 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Multi-spectral uncooled microbolometer detectors |
| US7633065B2 (en) * | 2006-10-19 | 2009-12-15 | Sensormatic Electronics, LLC | Conduction structure for infrared microbolometer sensors |
| CN101718587B (zh) * | 2009-12-07 | 2011-05-25 | 北京广微积电科技有限公司 | 非致冷式红外微测热辐射计 |
| US10168349B2 (en) * | 2016-09-08 | 2019-01-01 | Robert Bosch Gmbh | Bolometer fluid flow sensor |
| JP7232978B2 (ja) * | 2017-12-11 | 2023-03-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 赤外線センサおよび赤外線センサのボロメータ赤外線受光部を冷却する方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300915A (en) * | 1986-07-16 | 1994-04-05 | Honeywell Inc. | Thermal sensor |
| US5286976A (en) * | 1988-11-07 | 1994-02-15 | Honeywell Inc. | Microstructure design for high IR sensitivity |
-
1998
- 1998-11-30 WO PCT/KR1998/000386 patent/WO2000033041A1/en active IP Right Grant
- 1998-11-30 DE DE69834753T patent/DE69834753T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-30 EP EP98959240A patent/EP1137918B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-30 JP JP2000585631A patent/JP2002531821A/ja active Pending
- 1998-11-30 CN CNB988143402A patent/CN1177203C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004522162A (ja) * | 2001-06-01 | 2004-07-22 | レイセオン・カンパニー | 改良された高速度でマルチレベルの冷却されないボロメータおよびその製造方法 |
| JP2008203263A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Robert Bosch Gmbh | 放射センサ素子、センサフィールドおよび放射センサ素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP1137918B1 (en) | 2006-05-31 |
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| DE69834753D1 (de) | 2006-07-06 |
| DE69834753T2 (de) | 2007-05-31 |
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| WO2000033041A1 (en) | 2000-06-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050111 |