JP2004522162A - 改良された高速度でマルチレベルの冷却されないボロメータおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

マイクロボロメータユニットセル１０は、実質上平坦な上位レベルの入射放射線吸収および検出構造２４と、上位レベルの入射放射線吸収および検出構造から隔てられてその間に光共振空洞を規定する実質上平坦な中間レベルの放射線反射構造２６と、中間レベルの放射線反射構造から隔てられ、上位レベルの入射放射線吸収および検出構造と、下に位置する読出し回路とに電気的に結合されている実質上平坦な下位レベルの熱隔離脚部構造２０とを含んでいる。下位レベルの熱隔離脚部構造は中間レベルの放射線反射構造内の開口４８を通過する脚部４４により上位レベルの入射放射線吸収および検出構造に電気的に結合されており、脚部はまた構造的な支持部材として機能する。下位レベルの熱隔離脚部構造は下に位置する読出し集積回路１２に配置された電気接触部で終端する別の脚部１８を通って読出し回路に電気的に結合されており、中間レベルの放射線反射構造は脚部の延長部１８Ａ により支持されている。上位レベルの入射放射線吸収および検出構造は上位レベルの入射放射線吸収および検出構造周辺を中心として１つの配置されたフレーム状部材等の強化部材５０を含んでいることは本発明の技術的範囲内である。共振光空洞は入射放射線の波長の関数である間隔により規定され、ユニットセルアレイの隣接して配置されるユニットセルは異なる間隔を有する共振光空洞を具備しており、それによって異なる波長に対する感度を高める。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は熱エネルギの検出器、特に赤外線放射（ＩＲ）に応答する冷却されないボロメータに関する。
【０００２】
【従来の技術】
小型または超小型のボロメータは熱（ＩＲ）検出器の２次元アレイで検出画素素子として使用される。ボロメータの２次元アレイは問題とする情景から到着する赤外線ＩＲを、読出し集積回路（ＲＯＩＣ）に与えられる電気信号へ変換する。増幅および所望の信号成形および処理の後、結果として生じた信号は問題とする情景のイメージを与えるように所望に応じてさらに処理されることができる。
【０００３】
マイクロボロメータは典型的に、温度の関数として変化する電気的抵抗を有する酸化バナジウム（ＶＯ_ｘ ）または酸化チタンのような多結晶の半導体材料を含んでいる。ＳｉＮのようなＩＲの吸収体は、その温度が情景から到着するＩＲ量が変化するときに変化されることができるように多結晶の半導体材料と密接に接触して設けられる。多結晶の半導体／吸収体構造は下に位置するＲＯＩＣから熱的に隔離されることが好ましい。
【０００４】
マイクロボロメータおよびその製造技術に関する参考文献は米国特許第６，１４４，０３０ 号明細書（発明の名称“Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｍａｌｌ Ｐｉｘｅｌ Ｈｉｇｈ Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ Ｕｎｃｏｏｌｅｄ Ｆｏｃａｌ Ｐｌａｎｅ Ａｒｒａｙ”、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｒａｙ 、２０００年１１月７日発行）であり、この説明はその全体においてここで参考文献とされている。
【０００５】
別の問題とする米国特許明細書は２００１年３月１３日出願のＨｕｂｅｒｔ Ｊｅｒｏｍｉｎｅｋの第６，２０１，２４３ 号明細書である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
通常、マルチレベルの冷却されないボロメータユニットセル（画素）寸法が減少され、性能の要求が増加されるので、ボロメータユニットセルの熱質量を減少する必要がある。これを実現する１つの技術はコンポーネント膜の厚さを減少することである。しかしながら、これはアクチブな検出器区域のＩＲ吸収を減少させる悪影響を有し、それによって感度が低下する。構成膜層の厚さが薄くされると、共振空洞効果における依存はさらに強くなる。
【０００７】
例えば、前述した米国特許第６，１４４，０３０ 号明細書の図１を参照すると、ＶＯ_ｘ 半導体条帯１４を含むＩＲ吸収構造１２と、反射装置としても機能する平面部材２６を含む熱的な隔離構造２０との間に光学的な共振空洞２２が存在する。
【０００８】
米国特許第６，２０１，２４３ Ｂ１号明細書では、ミラー３は基板上に位置され、ＶＯ_ｘ サーミスタを含んでいるマイクロ構造２２から問題とするＩＲスペクトル帯域の中心で１と４分の１波長だけ離されている。これは共振性能を増加すると言われている。
【０００９】
認識されることができるように、膜の厚さが減少されるとき、全体的な構造は頑丈さが低下する傾向があり、それによってマイクロボロメータアレイの製造、処理、使用を複雑にする。減少された膜の厚さはまた固有の応力に対して構成層を敏感にする。
【００１０】
さらに、膜の厚さが減少され、共振光空洞の動作にさらに依存すると、空洞構造はその意図する目的に対して最適にされるべきであることが認識される。しかしながら、空洞境界に蛇行線または他の構造を配置することはその意図する目的の有効性を損なう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前述の、およびその他の問題は本発明の実施形態にしたがった方法および装置により克服される。
【００１２】
マイクロボロメータユニットセルは下位レベルの熱隔離構造と、ＩＲ吸収体／サーミスタの複合層を含む上位レベルの構造とを有するマルチレベル装置として構成される。この装置はさらに、中間レベルの反射層を含んでいる。光共振空洞は反射層と、上に位置する吸収体／サーミスタの複合層との間に形成され、光共振空洞は物理的、電気的および光学的に下に位置する熱隔離構造から隔離される。所望されるならば、強化部材が、好ましくは吸収体／サーミスタ複合層周辺に増加された厚さの層の形態で吸収体／サーミスタ複合層に付加されることができる。
【００１３】
ユニットセルのセットのうちの１つのサブセットにＩＲの１波長に対する感度をもたせ、少なくとも１つの他のサブセットに別のＩＲ波長に対する感度をもたせ、それによって２色または多色のマイクロボロメータアレイを与えることもこれらの考察の技術的範囲内に含まれる。
【００１４】
これらの考察は従来技術の設計と比較して、層の厚さとユニットセルの中心から中心までのピッチとの両者を減少させることを可能にし、それによって光共振空洞が通常の方法よりも改良されるので、感度を劣化せずに熱質量を減少させ、周波数応答を増加し、その意図する目的に対して最適にされる。
【００１５】
マイクロボロメータユニットセルは、実質上平坦な上位レベルの入射放射線吸収および検出構造と、上位レベルの入射放射線吸収および検出構造から隔てられてその間で光共振空洞を規定する実質上平面で好ましくは応力の平衡された中間レベルの放射線反射構造と、中間レベルの放射線反射構造から隔てられ、上位レベルの入射放射線吸収および検出構造と、下に位置する読出し回路とに電気的に結合されている実質上平坦な下位レベルの熱隔離脚部構造とを含んでいる。下位レベルの熱隔離脚部構造は中間レベルの放射線反射構造内の孔を通過する脚部を通って上位レベルの入射放射線吸収および検出構造に電気的に結合されており、脚部は構造的な支持部材としても機能する。下位レベルの熱隔離脚部構造は下に位置する読出し集積回路上に配置された電気接触部で終端する別の脚部を通じて読出し回路に電気的に結合されており、中間レベルの放射線反射構造はこの脚部の延長部により支持されている。上位レベルの入射放射線吸収および検出構造は上位レベルの入射放射線吸収および検出構造の周辺部を中心として１つの配置されたフレーム状部材等の強化部材を含んでいることは本発明の技術的範囲内である。
【００１６】
共振光空洞は入射放射の波長の関数である間隔により規定され、ユニットセルアレイの近接して配置されるユニットセルは異なる間隔を有する共振光空洞を具備しており、それによって異なる波長に対する感度を強化する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明についての前述の説明および他の特徴は添付図面を伴った以下の好ましい実施形態の詳細な説明により明白になるであろう。
本発明にしたがったマイクロボロメータ検出器素子またはユニットセル１０の実物大ではない拡大された断面図を示している図１と、図１のマイクロボロメータユニットセル１０の簡単化された斜視図を示している図２とを参照する。
【００１８】
マイクロボロメータユニットセル１０はＲＯＩＣ１２上に形成され、これはシリコンであってもよく、最上部の表面上に配置された平坦な酸化物（ＳｉＯ_２ ）層１４を有していてもよい。ユニットセルの金属接触部１６はマイクロボロメータをＲＯＩＣ電子装置（図示せず）へ電気的に接続すると想定されている。第１の直立した脚部１８は実質的に平坦な下位レベル熱隔離脚部構造２０を接合部１６Ａ において接触部１６に接続する。図２で最良に示されているように、下位レベルの熱隔離脚部構造２０は蛇行形状を有し、ユニットセル１０の全体を通じて蛇行している。脚部１８は下位レベルの熱隔離脚部構造２０の“熱沈め”端部を規定すると考えられる。好ましい実施形態では、熱隔離脚部構造２０はＳｉＮ／ＮｉＣｒ／ＳｉＮの複合体であり、ここでＮｉＣｒ層１９はそれぞれ窒化シリコン（ＳｉＮ）層２１Ａ と２１Ｂ との間に挟まれている。
【００１９】
本発明の１特徴によれば、上位レベルのＩＲ吸収および検出層／共振空洞構造２２が下位レベルの熱隔離脚部構造２０の上にそこから隔てられて配置され、それは実質上平面の上位レベルのＳｉＮ／ＶＯ_ｘ ／ＳｉＮ複合ＩＲ吸収薄膜２４と、その下に位置する実質上平面の中間レベルのＮｉＣｒ／ＳｉＮ／ＮｉＣｒ複合反射構造２６とを含んでいる。ＩＲ吸収薄膜２４はここに示されている好ましい実施形態では、アクチブ抵抗またはサーミスタとして機能するＶＯ_ｘ （または等価の熱抵抗材料）層２８で構成されている。ＶＯ_ｘ サーミスタ層２８はそれぞれ上部および下部ＩＲ吸収窒化シリコン（ＳｉＮ）層３０Ａ と３０Ｂ との間に挟まれている。中間レベルの複合反射構造２６はそれぞれ上部ＮｉＣｒ層３４Ａ と下部ＮｉＣｒ層３４Ｂ との間に挟まれている窒化シリコン層３２から構成され、窒化シリコンの延長部１８Ａ により支持されて第１の直立する脚部１８に結合されている。ＮｉＣｒ層３４Ａ とＶＯ_ｘ 層２８／ＳｉＮ層３０Ｂ との間の間隔は問題とするＩＲ波長で公称４分の１波長であり、それによってＩＲ吸収薄膜２４で吸収されずに通過したＩＲをＩＲ吸収薄膜２４へ反射して戻すための共振光空洞構造３６を形成する。
【００２０】
中間の窒化シリコン層３２は基本的に反射層３４Ａ の構造的な支持体および基板として機能し、したがって任意の適切な材料から構成することができることに注意すべきである。さらに、最下部のＮｉＣｒ層３４Ｂ は吸収されていないＩＲを反射することには関係せず、理論上除去されてもよいことに注意すべきである。しかしながら、下部のＮｉＣｒ層３４Ｂ の存在は層３２／３４Ａ における固有の応力を平衡させる傾向があり、それによって中間レベルの複合反射構造２６の屈曲およびねじれを抑制するので望ましい。別の材料または金属システムが反射層３４Ａ に選択されるならば、好ましくは下部層３４Ｂ は反射構造２６の所望の応力平衡を実現するために同一または類似の材料または金属システムであるように選択される。
【００２１】
電気接触部３８は金属被覆４０によりＶＯ_ｘ 層２８に形成され、これはまた下位レベルの熱隔離脚部構造２０のＮｉＣｒ層１９との接触部４２を形成する。金属被覆４０は第２の直立する脚部構造３３を通って支持され、窒化シリコンスリーブ４６により包囲される。第２の脚部構造４４はＮｉＣｒ／ＳｉＮ／ＮｉＣｒを複合反射構造２６内で作られたそれより大きい開口を通過し、したがって複合反射構造２６から構造的に分離されている。
【００２２】
本発明のこれらの特徴にしたがって、光共振空洞３６は、その低い反射表面面積が最大にされ、即ち蛇行する熱隔離構造２０により支持されないために大きく連続的な表面を有するように製造されることができる点で従来技術の方法に比較して改善されている。換言すると、中間レベルの複合反射構造２６を下位レベルの熱隔離脚部構造２０から分離することにより、反射構造２６の構造はその意図する使用法において最適にされることができる。したがって、この改良は感度の実質的な減少を招かずに、その上に位置するＩＲ吸収薄膜２４がその周波数応答特性を改良するように薄くされることを可能にする。例えば、通常のマイクロボロメータ装置がＩＲ吸収薄膜部分で０．５ミクロンの厚さの窒化シリコン層を使用し、ＶＯ_ｘ 層が約０．０５ミクロンの厚さであるならば、本発明によるマイクロボロメータ１０は１０００オングストローム以下の厚さを有する窒化シリコン層３０Ａ 、３０Ｂ を特徴とし、ＶＯ_ｘ 層は約３００−５００オングストロームの範囲の厚さを有する。改良された光共振空洞３６はまた各画素の面積が減少されることを可能にし、したがって、より密のＩＲセンサアレイを与える。例えば、通常の中心から中心のユニットセルの間隔（ピッチ）が約５０ミクロン乃至約２５ミクロンの範囲であるのに比較して、本発明のマイクロボロメータユニットセルの中心から中心の間隔は２５ミクロンより小さく、例えば約１５ミクロン以下に減少される。それに関連して、ユニットセルの面積の減少は複数のさらに小さいユニットセルが通常のマイクロボロメータユニットセルにより典型的に占有される区域内で構成されることを可能にする。この場合に、通常のユニットセルのピッチが偶然に特定の応用に適切であるならば、複数のさらに小さいユニットセルはＩＲスペクトル帯域の異なる部分に対して感度があるように構成されてもよく、それによって単一のユニットセルにより通常占有されている区域内に２色または多色の検出能力を与える。複数のさらに小さいユニットセルを使用することによって、非均一性の補正（ＮＵＣ）およびその他の信号処理アルゴリズムを容易に実行する能力等の他の利点も与えられる。
【００２３】
本発明のさらに別の特徴は薄くされたＩＲ吸収薄膜２４と共に使用する強化部材を設けることである。本発明の好ましい実施形態では、強化部材５０は吸収薄膜２４の窒化シリコン層３０Ａ の厚くされた周辺部により設けられる。周辺部を厚くすることは、強化部材５０が所望される層３０Ａ の上部表面をマスキングし、例えばドライまたはウェットエッチングを使用してマスクされない部分を薄くすることにより製造中に実現される。層３０Ａ を薄くした後、マスクは除去され、隆起した周辺部を残し、これはユニットセルのアクチブ区域を囲む強化フレームと考えることができる。硬化フレームの適切な幅は約０．５ミクロンである。マイクロボロメータの感度における全体的な影響はさらに明白であるが、他の実施形態では、１以上の中心に配置されたリブ部材は類似の方法で形成される。
【００２４】
強化部材５０はＩＲ吸収部材２４が薄くされてもされなくても使用されてもよいことに注意すべきである。
【００２５】
検出器の熱質量の減少はＩＲ吸収部材２４だけを薄くすることに限定されない。例えば下位レベルの熱隔離脚部構造２０も同様に薄く作られることができる。例えば窒化シリコン層２１Ａ 、２１Ｂ は約１０００オングストローム乃至約４０００オングストロームの範囲の全体的に結合された厚さを有し、埋設されたＮｉＣｒ層は約１００オングストローム乃至約３００オングストロームの厚さであってもよい。蛇行する熱隔離脚部構造２０の幅は約０．５乃至約０．７５ミクロンの範囲であってもよい。中間レベルのＮｉＣｒ／ＳｉＮ／ＮｉＣｒの複合された反射構造２６は薄くされる必要はなく、例えば５００オングストロームの厚さのＮｉＣｒ金属被覆３４Ａ 、３４Ｂ を有する窒化シリコンの０．５ミクロンの厚さの層を使用してもよい。
【００２６】
長い波長ＩＲ（ＬＷＩＲ）による使用で最適化されるとき、光共振空洞３６の適切な幅は約１．８ミクロンから約２．０ミクロンの範囲である。中間波長ＩＲ（ＭＷＩＲ）による使用で最適化されるとき、光共振空洞３６の適切な幅は約１．０ミクロンである。複数の構成要素を含む２色または多色の大きいユニットセルと、小さいユニットセルを構成するとき、隣接する小さいマイクロボロメータユニットセル１０の光共振空洞の幅はしたがって調節される。このことに関しては図３を参照し、これは例えば１つの小さい構成要素のマイクロボロメータユニットセル１０の側面寸法の約２倍に等しい寸法と、そのセル１０の面積の約４倍に等しい面積を有する大きいユニットセル１０Ａ を示している。図示された例では２つのマイクロボロメータユニットセル１０がＬＷＩＲ（λ_１ ）に応答し、２つのマイクロボロメータユニットセル１０がＭＷＩＲ（λ_２ ）に応答する。他の実施形態では、４個より多くの、または４個より少ないマイクロボロメータユニットセル１０が大きいユニットセル１０Ａ を構成してもよく、２よりも多くの異なるＩＲ波長が感知されてもよい。この実施形態では、少なくとも光共振空洞３６の間隔は、例えばそれぞれ１ミクロン対約１．９ミクロン等、ＭＷＩＲ応答とＬＷＩＲ応答のマイクロボロメータユニットセル間で異なることが想定される。
【００２７】
示された構造では、層３４Ｂ と層２１Ａ との間の適切な間隔は約１．０ミクロン乃至約２．０ミクロンであり、層２１Ｂ と層１４の上部表面との間の適切な間隔も約１．０ミクロン乃至約２．０ミクロンである。
【００２８】
マイクロボロメータユニットセル１０の構成は、好ましくは通常の集積回路製造技術にしたがって実現され、先に参照した米国特許第６，１４４，０３０ 号明細書で説明されている過程にしたがい、前述のこれらの考察の特徴に適合するように変更が行われている。例えば米国特許第６，１４４，０３０ 号の明細書のマイクロボロメータ検出素子はシリコンＲＯＩＣと熱隔離構造間の間隔と、熱隔離構造と光学的に吸収性の材料構造との間の間隔を設定するために最小の２つの犠牲（ポリイミド）層を使用するが、本発明によるマイクロボロメータユニットセル１０は最小の３つの犠牲層を使用し、１つの層はＲＯＩＣ１２／酸化物１４と下位レベルの熱隔離脚部構造２０との間に間隔を設定するための層であり、１つの層は下位レベルの熱隔離脚部構造２０と中間レベルの複合反射構造２６との間に間隔を設定するための層であり、１つの層は中間レベルの複合反射構造２６と上位レベルのＩＲ吸収薄膜２４との間に間隔（即ち光空洞３６の幅）を設定するための層である。他の変更は中間レベルの複合反射構造２６自体と、関連する脚部延長部１８Ａ と開口４８の製造を含んでいる。強化部材５０が使用される場合には、最上部の窒化シリコン層３０Ａ の製造は前述したように変更されることができる。２以上の波長に感応する多色アレイを製造する場合には、光共振空洞３６を規定する犠牲層（例えばポリイミド）は最も広い所望の空洞（例えば１．９ミクロン）に等しい厚さを有するように付着されることができ、その後、最も広い空洞が所望されるこれらのユニットセルの区域をマスクし、その後、所望の厚さ（例えば１．０ミクロン）を得るためにマスクされていないユニットセル区域の犠牲層材料を選択的に除去する。犠牲層材料の選択的な除去はドライプラズマエッチング、または任意の適切な技術により行われることができる。犠牲層材料の所望の厚さが得られた後、処理はマスクを除去し、代わりに最上部のＩＲ吸収／サーミスタ薄膜２４を形成するＳｉＮ／ＶＯ_ｘ ／ＳｉＮの多層構造を付着することにより継続する。最終的に、ドライプラズマエッチング等により３つの犠牲層は除去され、図１の断面図で示されている結果的に生じた構造が残る。
【００２９】
本発明を種々の寸法、材料のタイプ、波長等の文脈で説明したが、これらは好ましい実施形態の例示であり、本発明に対する限定事項として理解されることを意図していないことが認識されよう。例えば窒化シリコン以外の他のタイプのＩＲ吸収体材料が使用されることができ、ＮｉＣｒ以外の他のタイプの金属システムが使用されることができ、ＶＯ_ｘ 以外の他のタイプの熱抵抗体が使用されることができる。他の実施形態では、マイクロボロメータユニットセルはＩＲ波長以外の波長に応答するように構成されることができる。
【００３０】
したがって、本発明はその好ましい実施形態に関して特別に示され説明されているが、形態と詳細の変化が本発明の技術的範囲を逸脱せずに行われてもよいことが当業者により理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明にしたがったマイクロボロメータユニットセルの実物大ではない拡大された断面図。
【図２】
マイクロボロメータユニットセルの部分的に切取られた透明な形態の簡単化された正面図。
【図３】
本発明にしたがって構成された複数のマイクロボロメータユニットセルを含んでいるユニットセルの拡大された平面図。

Claims (10)

1. マイクロボロメータユニットセル（１０）において、
   実質上平坦な上位レベルの入射放射線吸収および検出構造（２４）と、
   前記上位レベルの入射放射線吸収および検出構造から隔てられてその間で光共振空洞（３６）を規定する実質上平坦な中間レベルの放射線反射構造（２６）と、
   中間レベルの放射線反射構造から隔てられ、前記上位レベルの入射放射線吸収および検出構造と、下に位置する読出し回路（１２、１６）とに電気的に結合されている実質上平坦な下位レベルの熱隔離脚部構造（２０）とを具備しているマイクロボロメータユニットセル。
2. 前記下位レベルの熱隔離脚部構造は、多層の電気的誘電体、導体、電気的誘電体の複合構造（２１Ａ 、１９、 ２１Ｂ）から構成されている請求項１記載のマイクロボロメータユニットセル。
3. 前記上位レベルの放射線吸収および検出構造は多層の放射線吸収、感熱性の電気抵抗、放射線吸収の複合構造（３０Ａ 、２８、 ３０Ｂ）から構成されている請求項１記載のマイクロボロメータユニットセル。
4. 前記中間レベルの放射線反射構造は基板層（３２）により支持されている放射線反射層（３４Ａ ）を有する多層の構造から構成されている請求項１記載のマイクロボロメータユニットセル。
5. 前記下位レベルの熱隔離脚部構造は前記中間レベルの放射線反射構造内の開口（４８）を通過する脚部（４４）により前記上位レベルの入射放射線吸収および検出構造に電気的に結合されており、前記上位レベルの入射放射線吸収および検出構造はまた前記脚部により支持され、前記脚部は前記下位レベルの熱隔離脚部構造上で終端し、前記下位レベルの熱隔離脚部構造はその下に位置する読出し集積回路（１２）上に配置された電気接触部（１６、 １６Ａ）で終端する第２の脚部（１８）を通って前記読出し回路に電気的に結合されており、前記中間レベルの放射線反射構造は前記第２の脚部の延長部（１８Ａ ）により支持されている請求項１記載のマイクロボロメータユニットセル。
6. 前記上位レベルの入射放射線吸収および検出構造は強化部材（５０）をさらに具備している請求項１記載のマイクロボロメータユニットセル。
7. 前記共振光空洞は前記入射放射の波長の関数である間隔によって規定され、隣接して配置されているユニットセルのアレイのユニットセルは異なる間隔を有する共振光空洞を具備している請求項１記載のマイクロボロメータユニットセル。
8. マイクロボロメータユニットセル（１０）を製造する方法において、
   読出し回路（１２、１４）の表面上に第１の犠牲層を付着し、
   下位レベルの熱隔離脚部構造を規定するために第１の犠牲層上に複数の第１の層（１９、２１Ａ 、２１Ｂ ）を付着し、
   第１の複数の層上に第２の犠牲層を付着し、
   中間レベルの放射線反射構造（２６）を規定するために第２の犠牲層上に複数の第２の層（３２、３４Ａ 、３４Ｂ ）を付着し、
   第２の複数の層上に第３の犠牲層を付着し、
   上位レベルの入射放射線吸収および検出構造（２４）を規定するために第３の犠牲層上に複数の第３の層（２８、３０Ａ 、３０Ｂ ）を付着し、第３の犠牲層の厚さは中間レベルの放射線反射構造と上位レベルの入射放射線吸収および検出構造との間に形成される光共振空洞（３６）の間隔に対応しており、
   第１、第２、第３の犠牲層を除去する工程を含んでいる製造方法。
9. 複数の第３の層の付着は、上位レベルの入射放射線吸収および検出構造に対する強化部材（５０）を形成する工程を含んでいる請求項８記載の方法。
10. 複数の第２の層を通って形成された開口（４８）を通過する導電体（４０）により、第３の複数の層のサーミスタ層（２８）を第１の複数の層の導電性の層（１９）に電気的に接続する工程をさらに含んでいる請求項８記載の方法。

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