JPH05322821A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
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- JPH05322821A JPH05322821A JP12783992A JP12783992A JPH05322821A JP H05322821 A JPH05322821 A JP H05322821A JP 12783992 A JP12783992 A JP 12783992A JP 12783992 A JP12783992 A JP 12783992A JP H05322821 A JPH05322821 A JP H05322821A
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- gas sensor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】選択性と感度および耐湿性に優れるガスセンサ
を得る。 【構成】基板の上に酸化物半導体からなる感ガス層６と
貴金属からなる触媒層７とＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜１．
３）からなる窒化シリコン層８を積層する。
を得る。 【構成】基板の上に酸化物半導体からなる感ガス層６と
貴金属からなる触媒層７とＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜１．
３）からなる窒化シリコン層８を積層する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＬＰガス，都市ガス，
水素ガス等を検出するガス漏れ警報器のガスセンサに係
り、特に被検ガスに対する選択性と感度に優れるガスセ
ンサに関する。
水素ガス等を検出するガス漏れ警報器のガスセンサに係
り、特に被検ガスに対する選択性と感度に優れるガスセ
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】ガスセンサの一つとして酸化スズや酸化
亜鉛等の酸化物半導体を用いるものが知られている。こ
れら酸化物半導体の電気抵抗は大気中において３００な
いし５００℃程度に加熱されると粒子表面に大気中の酸
素が活性化吸着し、高抵抗化するが還元性ガスである被
検ガス中で吸着酸素が除去され抵抗値が減少する。この
ような性質を利用して酸化物半導体を利用するガスセン
サがＬＰガスや都市ガス等のガス漏れ警報器用に利用さ
れている。
亜鉛等の酸化物半導体を用いるものが知られている。こ
れら酸化物半導体の電気抵抗は大気中において３００な
いし５００℃程度に加熱されると粒子表面に大気中の酸
素が活性化吸着し、高抵抗化するが還元性ガスである被
検ガス中で吸着酸素が除去され抵抗値が減少する。この
ような性質を利用して酸化物半導体を利用するガスセン
サがＬＰガスや都市ガス等のガス漏れ警報器用に利用さ
れている。
【０００３】図１０は従来のガスセンサを示す断面図で
ある。基板１の一方の主面に感ガス層６がまた他の主面
にはヒータ２が設けられる。感ガス層６の電気抵抗の変
化は電極３を介してリード線５により取り出される。ま
たヒータ２にはリード線５を介してヒータ用の電圧が印
加される。ヒータ２はガスセンサを所定の温度に加熱し
てガスセンサを駆動する。
ある。基板１の一方の主面に感ガス層６がまた他の主面
にはヒータ２が設けられる。感ガス層６の電気抵抗の変
化は電極３を介してリード線５により取り出される。ま
たヒータ２にはリード線５を介してヒータ用の電圧が印
加される。ヒータ２はガスセンサを所定の温度に加熱し
てガスセンサを駆動する。
【０００４】このようなガスセンサにおいては高感度
化、高選択性および検知温度の低温化を達成するために
金属酸化物半導体中に貴金属を増感剤として添加する。
化、高選択性および検知温度の低温化を達成するために
金属酸化物半導体中に貴金属を増感剤として添加する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うな従来のガスセンサにおいては感ガス層に厚膜を使用
しているために熱容量が大きく熱平衡に達するのに時間
がかかり、消費電力も大きいという問題があった。この
ような欠点を克服するために感ガス層を薄膜化したもの
が検討されたが、従来の厚膜型に比し、増感剤の添加量
の制御性が悪く、感度が劣るという問題があった。また
一般に金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用するガス
センサは湿度の影響を受けやすく高湿中では抵抗値が減
少するという問題もあった。
うな従来のガスセンサにおいては感ガス層に厚膜を使用
しているために熱容量が大きく熱平衡に達するのに時間
がかかり、消費電力も大きいという問題があった。この
ような欠点を克服するために感ガス層を薄膜化したもの
が検討されたが、従来の厚膜型に比し、増感剤の添加量
の制御性が悪く、感度が劣るという問題があった。また
一般に金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用するガス
センサは湿度の影響を受けやすく高湿中では抵抗値が減
少するという問題もあった。
【０００６】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は薄膜型の改良を行い、被検ガスに対する選択性が良
好であるうえ高感度であり、高湿中でも安定した出力の
得られるガスセンサを提供することにある。
的は薄膜型の改良を行い、被検ガスに対する選択性が良
好であるうえ高感度であり、高湿中でも安定した出力の
得られるガスセンサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的は第一の発明
によれば、基板と感ガス層と触媒層と窒化シリコン層と
ヒータとを有し、基板の第一の主面には感ガス層と触媒
層と窒化シリコン層が順次積層され、基板の第二の主面
にはヒータが積層され、感ガス層は酸化物半導体の薄膜
であり、触媒層は貴金属の超薄膜であり、窒化シリコン
層はＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜１．３）の組成の薄膜であ
るとすること、また第二の発明によれば、基板と感ガス
層と窒化シリコン層とヒータとを有し、基板の第一の主
面には感ガス層と窒化シリコン層が順次積層され、基板
の第二の主面にはヒータが積層され、感ガス層は酸化物
半導体の薄膜であり、窒化シリコン層はＳｉＮｘ（ｘ＝
１．０〜１．３）の組成の薄膜であるとすることにより
達成される。
によれば、基板と感ガス層と触媒層と窒化シリコン層と
ヒータとを有し、基板の第一の主面には感ガス層と触媒
層と窒化シリコン層が順次積層され、基板の第二の主面
にはヒータが積層され、感ガス層は酸化物半導体の薄膜
であり、触媒層は貴金属の超薄膜であり、窒化シリコン
層はＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜１．３）の組成の薄膜であ
るとすること、また第二の発明によれば、基板と感ガス
層と窒化シリコン層とヒータとを有し、基板の第一の主
面には感ガス層と窒化シリコン層が順次積層され、基板
の第二の主面にはヒータが積層され、感ガス層は酸化物
半導体の薄膜であり、窒化シリコン層はＳｉＮｘ（ｘ＝
１．０〜１．３）の組成の薄膜であるとすることにより
達成される。
【０００８】
【作用】触媒層または窒化シリコン層の膜厚を適切に選
択することにより被検ガスに対する選択性と感度を制御
することができる。触媒層を設けることにより、触媒の
添加量や添加状態を最適値に設定することができ、再現
性の良好なガスセンサが得られる。窒化シリコン層は触
媒層のみのガスセンサに比しガスセンサの感度を一層向
上させるとともに高湿中での抵抗値の変化を防止しガス
センサの動作を安定化する。
択することにより被検ガスに対する選択性と感度を制御
することができる。触媒層を設けることにより、触媒の
添加量や添加状態を最適値に設定することができ、再現
性の良好なガスセンサが得られる。窒化シリコン層は触
媒層のみのガスセンサに比しガスセンサの感度を一層向
上させるとともに高湿中での抵抗値の変化を防止しガス
センサの動作を安定化する。
【０００９】
【実施例】つぎにこの発明の実施例を図面に基づいて説
明する。 実施例１ 図１はこの発明の実施例に係るガスセンサを示す平面図
である。図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
明する。 実施例１ 図１はこの発明の実施例に係るガスセンサを示す平面図
である。図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００１０】このガスセンサはイソブタンガスに対して
高感度且つ選択的である。基板１は厚さ０．５ｍｍ、３
ｍｍ×３ｍｍの研磨されたアルミナ焼結体が用いられ
る。基板は熱伝導性の良好な絶縁物であればアルミナに
限定されるものではない。基板１の第一の主面にはメタ
ルマスクを用い、公知のＲＦスパッタリング法で厚さ
０，２μｍの白金からなる電極３が形成される。ＲＦス
パッタリングはＡｒ圧力０．５Ｐａ、基板温度３５０
℃、電力４Ｗ／ｃｍ2 の条件で行われた。基板１の他の
主面にはヒータ２が白金を用いＲＦスパッタリング法に
より厚さ１μｍに形成される。本実施例ではヒータ、電
極は白金を用いているがこれに限定されるものではな
く、ＳｉＣ，ＴａＮ2 の化合物やＲｕＯ2 等の酸化物も
使用できる。次に酸化スズからなる感ガス層６がメタル
マスクを用い、ＲＦスパッタリング法により厚さ０．３
ないし０．５μｍ、２ｍｍ×２ｍｍの大きさに形成され
た。ＲＦスパッタリングはガス圧１ないし４Ｐａ、Ａｒ
／Ｏ2 比２：１、基板温度６５０℃、電力４Ｗ／ｃｍ2
の条件で行われた。続いて触媒層７がＰｄを用いＲＦス
パッタリングにより感ガス層６の上に１ｎｍないし１０
ｎｍの厚さに形成された。ＲＦスパッタリングの条件は
ガス圧１Ｐａ、スパッタガスはＡｒまたはＯ2 、基板温
度３５０℃、電力４Ｗ／ｃｍ2 であった。
高感度且つ選択的である。基板１は厚さ０．５ｍｍ、３
ｍｍ×３ｍｍの研磨されたアルミナ焼結体が用いられ
る。基板は熱伝導性の良好な絶縁物であればアルミナに
限定されるものではない。基板１の第一の主面にはメタ
ルマスクを用い、公知のＲＦスパッタリング法で厚さ
０，２μｍの白金からなる電極３が形成される。ＲＦス
パッタリングはＡｒ圧力０．５Ｐａ、基板温度３５０
℃、電力４Ｗ／ｃｍ2 の条件で行われた。基板１の他の
主面にはヒータ２が白金を用いＲＦスパッタリング法に
より厚さ１μｍに形成される。本実施例ではヒータ、電
極は白金を用いているがこれに限定されるものではな
く、ＳｉＣ，ＴａＮ2 の化合物やＲｕＯ2 等の酸化物も
使用できる。次に酸化スズからなる感ガス層６がメタル
マスクを用い、ＲＦスパッタリング法により厚さ０．３
ないし０．５μｍ、２ｍｍ×２ｍｍの大きさに形成され
た。ＲＦスパッタリングはガス圧１ないし４Ｐａ、Ａｒ
／Ｏ2 比２：１、基板温度６５０℃、電力４Ｗ／ｃｍ2
の条件で行われた。続いて触媒層７がＰｄを用いＲＦス
パッタリングにより感ガス層６の上に１ｎｍないし１０
ｎｍの厚さに形成された。ＲＦスパッタリングの条件は
ガス圧１Ｐａ、スパッタガスはＡｒまたはＯ2 、基板温
度３５０℃、電力４Ｗ／ｃｍ2 であった。
【００１１】このようにして形成された感ガス層と触媒
層を６００ないし６５０℃の温度で大気中または酸素中
で熱処理を行った。この熱処理は感ガス層６である酸化
スズの結晶構造と酸化状態を調整する他にセンサの経時
安定性を向上させる。熱処理後に反応性ＲＦスパッタリ
ングによりＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜１．３）からなる窒
化シリコン層を１００ないし３００ｎｍ成膜した。反応
性ＲＦスパッタリングの条件はガス圧１Ｐａ、Ａｒ／Ｎ
2 比２：１、加熱なし、電力４Ｗ／ｃｍ2 であった。電
極３には感ガス層の電気抵抗変化を検出するための白金
リード線５が接続される。同様にヒータ部分にはヒータ
電力供給用のリード線５が接続される。各リード線は外
部の図示しない電気回路に接続される。
層を６００ないし６５０℃の温度で大気中または酸素中
で熱処理を行った。この熱処理は感ガス層６である酸化
スズの結晶構造と酸化状態を調整する他にセンサの経時
安定性を向上させる。熱処理後に反応性ＲＦスパッタリ
ングによりＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜１．３）からなる窒
化シリコン層を１００ないし３００ｎｍ成膜した。反応
性ＲＦスパッタリングの条件はガス圧１Ｐａ、Ａｒ／Ｎ
2 比２：１、加熱なし、電力４Ｗ／ｃｍ2 であった。電
極３には感ガス層の電気抵抗変化を検出するための白金
リード線５が接続される。同様にヒータ部分にはヒータ
電力供給用のリード線５が接続される。各リード線は外
部の図示しない電気回路に接続される。
【００１２】図３はこの発明の実施例に係る三層構造の
ガスセンサ（特性線２３）につき、そのガス感度を従来
のセンサ（特性線２１）および二層構造（酸化スズ感ガ
ス層上にＰｄ触媒層を有するが窒化シリコン層を有しな
い）のセンサ（特性線２２）と対比して示す線図であ
る。この発明の実施例に係るガスセンサの触媒層の厚さ
は５ｎｍ、窒化シリコン層の厚さは１５０ｎｍに設定さ
れた。被検ガスは２００ｐｐｍのイソブタンガスであ
る。空気中での抵抗値をＲｏ、被検ガス中での抵抗値を
ＲｇとしＲｏ／Ｒｇをガス感度とした。従来のガスセン
サは感ガス層中にＰｄを添加して調製したものである。
二層構造のガスセンサは従来のもにに比し高感度であ
り、低温動作が可能となっており、三層構造のガスセン
サはさらにそれよりも高感度化、低温化している。この
センサはイソブタンガスに対して選択性が高い。 実施例２ 図４はこの発明の異なる実施例に係るガスセンサを示す
断面図である。
ガスセンサ（特性線２３）につき、そのガス感度を従来
のセンサ（特性線２１）および二層構造（酸化スズ感ガ
ス層上にＰｄ触媒層を有するが窒化シリコン層を有しな
い）のセンサ（特性線２２）と対比して示す線図であ
る。この発明の実施例に係るガスセンサの触媒層の厚さ
は５ｎｍ、窒化シリコン層の厚さは１５０ｎｍに設定さ
れた。被検ガスは２００ｐｐｍのイソブタンガスであ
る。空気中での抵抗値をＲｏ、被検ガス中での抵抗値を
ＲｇとしＲｏ／Ｒｇをガス感度とした。従来のガスセン
サは感ガス層中にＰｄを添加して調製したものである。
二層構造のガスセンサは従来のもにに比し高感度であ
り、低温動作が可能となっており、三層構造のガスセン
サはさらにそれよりも高感度化、低温化している。この
センサはイソブタンガスに対して選択性が高い。 実施例２ 図４はこの発明の異なる実施例に係るガスセンサを示す
断面図である。
【００１３】このガスセンサは水素ガスに対して高感度
且つ選択的である。実施例１とは触媒層７Ａのみが異な
る。即ち触媒層７Ａは白金を用いて形成される。製造条
件は実施例１と同様である。図５はこの発明の異なる実
施例に係るガスセンサの水素ガスに対する感度特性を示
す線図である。水素ガスは２００ｐｐｍ濃度である。窒
化シリコン層は２００ｎｍの厚さである。触媒層は０な
いし１０ｎｍの範囲を変化させ、ガス感度を調べた。特
性線４１（Ｐｔ層なし）、特性線４２（Ｐｔ層１ｎ
ｍ）、特性線４３（Ｐｔ層３ｎｍ）、特性線４４（Ｐｔ
層５ｎｍ）、特性線４５（Ｐｔ層１０ｎｍ）が示す様に
触媒層の白金の膜厚を３ｎｍに制御するときに水素ガス
に対して感度の高いガスセンサが得られる。
且つ選択的である。実施例１とは触媒層７Ａのみが異な
る。即ち触媒層７Ａは白金を用いて形成される。製造条
件は実施例１と同様である。図５はこの発明の異なる実
施例に係るガスセンサの水素ガスに対する感度特性を示
す線図である。水素ガスは２００ｐｐｍ濃度である。窒
化シリコン層は２００ｎｍの厚さである。触媒層は０な
いし１０ｎｍの範囲を変化させ、ガス感度を調べた。特
性線４１（Ｐｔ層なし）、特性線４２（Ｐｔ層１ｎ
ｍ）、特性線４３（Ｐｔ層３ｎｍ）、特性線４４（Ｐｔ
層５ｎｍ）、特性線４５（Ｐｔ層１０ｎｍ）が示す様に
触媒層の白金の膜厚を３ｎｍに制御するときに水素ガス
に対して感度の高いガスセンサが得られる。
【００１４】図６はこの発明の異なる実施例に係るガス
センサのガス選択性を示す線図である。Ｐｔ層は３ｎｍ
である。特性線５１（アルコールガス）、特性線５２
（水素ガス）、特性線５３（イソブタンガス）、特性線
５４（メタンガス）が示すように触媒層の白金の膜厚を
３ｎｍに制御するときに水素ガスに対して選択性の高い
ガスセンサが得られる。 実施例３ 図７はこの発明のさらに異なる実施例に係るガスセンサ
を示す断面図である。このガスセンサはアルコールガス
に対して高感度且つ選択的である。感ガス層６Ｂと窒化
シリコン層８Ｂの二層構造である。感ガス層６Ｂの上に
窒化シリコン層８Ｂが積層される。触媒層は設けられな
いので、実施例２の白金触媒層の膜厚が０ｎｍの場合に
相当する。製造条件は実施例１と同様である。
センサのガス選択性を示す線図である。Ｐｔ層は３ｎｍ
である。特性線５１（アルコールガス）、特性線５２
（水素ガス）、特性線５３（イソブタンガス）、特性線
５４（メタンガス）が示すように触媒層の白金の膜厚を
３ｎｍに制御するときに水素ガスに対して選択性の高い
ガスセンサが得られる。 実施例３ 図７はこの発明のさらに異なる実施例に係るガスセンサ
を示す断面図である。このガスセンサはアルコールガス
に対して高感度且つ選択的である。感ガス層６Ｂと窒化
シリコン層８Ｂの二層構造である。感ガス層６Ｂの上に
窒化シリコン層８Ｂが積層される。触媒層は設けられな
いので、実施例２の白金触媒層の膜厚が０ｎｍの場合に
相当する。製造条件は実施例１と同様である。
【００１５】図８はこの発明のさらに異なる実施例に係
るガスセンサにつき、そのガス選択性を示す線図であ
る。窒化シリコン層は膜厚３００ｎｍである。特性線７
１（アルコールガス）、特性線７２（水素ガス）、特性
線７３（メタンガス）、特性線７４（イソブタンガス）
が示すように窒化シリコン層の膜厚を制御することによ
り被検ガスに対する選択性を得ることができる。なお各
被検ガスの濃度はそれぞれ２００ｐｐｍである。
るガスセンサにつき、そのガス選択性を示す線図であ
る。窒化シリコン層は膜厚３００ｎｍである。特性線７
１（アルコールガス）、特性線７２（水素ガス）、特性
線７３（メタンガス）、特性線７４（イソブタンガス）
が示すように窒化シリコン層の膜厚を制御することによ
り被検ガスに対する選択性を得ることができる。なお各
被検ガスの濃度はそれぞれ２００ｐｐｍである。
【００１６】図９はこの発明のさらに異なる実施例に係
るガスセンサの湿度特性を従来のものと対比して示す線
図である。湿度８０％のときの抵抗値を基準値の１，０
としている。特性線８１（窒化シリコン層あり）、特性
線８２（窒化シリコン層なし）が示すように窒化シリコ
ン層が存在すると湿度の影響を受けないことがわかる。
窒化シリコン層が存在しないと湿度４０％位から湿度の
影響がでてくる。
るガスセンサの湿度特性を従来のものと対比して示す線
図である。湿度８０％のときの抵抗値を基準値の１，０
としている。特性線８１（窒化シリコン層あり）、特性
線８２（窒化シリコン層なし）が示すように窒化シリコ
ン層が存在すると湿度の影響を受けないことがわかる。
窒化シリコン層が存在しないと湿度４０％位から湿度の
影響がでてくる。
【００１７】
【発明の効果】第一の発明によれば、基板と感ガス層と
触媒層と窒化シリコン層とヒータとを有し、基板の第一
の主面には感ガス層と触媒層と窒化シリコン層が順次積
層され、基板の第二の主面にはヒータが積層され、感ガ
ス層は酸化物半導体の薄膜であり、触媒層は貴金属の超
薄膜であり、窒化シリコン層はＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜
１．３）の組成の薄膜であるとすること、また第二の発
明によれば 基板と感ガス層と窒化シリコン層とヒータ
とを有し、基板の第一の主面には感ガス層と窒化シリコ
ン層が順次積層され、基板の第二の主面にはヒータが積
層され、感ガス層は酸化物半導体の薄膜であり、窒化シ
リコン層はＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜１．３）の組成の薄
膜であるとするので、触媒層または窒化シリコン層の膜
厚を適切に選択することにより被検ガスに対する選択性
と感度を制御することができる。また触媒層を設けるこ
とにより、触媒の添加量や添加状態を最適値に設定する
ことができ、再現性の良好なガスセンサが得られる。さ
らに窒化シリコン層は触媒層を有するガスセンサに比し
ガスセンサの感度を一層向上させるとともに高湿中での
抵抗値の変化を防止しガスセンサの動作を安定化するこ
とができる。
触媒層と窒化シリコン層とヒータとを有し、基板の第一
の主面には感ガス層と触媒層と窒化シリコン層が順次積
層され、基板の第二の主面にはヒータが積層され、感ガ
ス層は酸化物半導体の薄膜であり、触媒層は貴金属の超
薄膜であり、窒化シリコン層はＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜
１．３）の組成の薄膜であるとすること、また第二の発
明によれば 基板と感ガス層と窒化シリコン層とヒータ
とを有し、基板の第一の主面には感ガス層と窒化シリコ
ン層が順次積層され、基板の第二の主面にはヒータが積
層され、感ガス層は酸化物半導体の薄膜であり、窒化シ
リコン層はＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜１．３）の組成の薄
膜であるとするので、触媒層または窒化シリコン層の膜
厚を適切に選択することにより被検ガスに対する選択性
と感度を制御することができる。また触媒層を設けるこ
とにより、触媒の添加量や添加状態を最適値に設定する
ことができ、再現性の良好なガスセンサが得られる。さ
らに窒化シリコン層は触媒層を有するガスセンサに比し
ガスセンサの感度を一層向上させるとともに高湿中での
抵抗値の変化を防止しガスセンサの動作を安定化するこ
とができる。
【図１】この発明の実施例に係るガスセンサを示す平面
図
図
【図２】この発明の実施例に係るガスセンサを示す図１
のＡ−Ａ矢視断面図
のＡ−Ａ矢視断面図
【図３】この発明の実施例に係る三層構造のガスセンサ
（特性線２３）につき、そのガス感度を従来のセンサ
（特性線２１）および二層構造（酸化スズ感ガス層上に
Ｐｄ触媒層を有するが窒化シリコン層を有しない）のセ
ンサ（特性線２２）と対比して示す線図
（特性線２３）につき、そのガス感度を従来のセンサ
（特性線２１）および二層構造（酸化スズ感ガス層上に
Ｐｄ触媒層を有するが窒化シリコン層を有しない）のセ
ンサ（特性線２２）と対比して示す線図
【図４】この発明の異なる実施例に係るガスセンサを示
す断面図
す断面図
【図５】この発明の異なる実施例に係るガスセンサの水
素ガスに対する感度特性を示す線図
素ガスに対する感度特性を示す線図
【図６】この発明の異なる実施例に係るガスセンサのガ
ス選択性を示す線図
ス選択性を示す線図
【図７】この発明のさらに異なる実施例に係るガスセン
サを示す断面図
サを示す断面図
【図８】この発明のさらに異なる実施例に係るガスセン
サにつきそのガス選択性を示す線図
サにつきそのガス選択性を示す線図
【図９】この発明のさらに異なる実施例に係るガスセン
サの湿度特性を従来のものと対比して示す線図
サの湿度特性を従来のものと対比して示す線図
【図１０】従来のガスセンサを示す断面図
１ 基板 ２ ヒータ ３ 電極 ５ リード線 ６ 感ガス層 ７ 触媒層（Ｐｄ） ８ 窒化シリコン層 ６Ａ 感ガス層 ７Ａ 触媒層（ｐｔ） ８Ａ 窒化シリコン層 ６Ｂ 感ガス層 ８Ｂ 窒化シリコン層 ６Ｃ 感ガス層
Claims (6)
- 【請求項１】基板と感ガス層と触媒層と窒化シリコン層
とヒータとを有し、 基板の第一の主面には感ガス層と触媒層と窒化シリコン
層が順次積層され、 基板の第二の主面にはヒータが積層され、 感ガス層は酸化物半導体の薄膜であり、 触媒層は貴金属の超薄膜であり、 窒化シリコン層はＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜１．３）の組
成の薄膜であることを特徴とするガスセンサ。 - 【請求項２】基板と感ガス層と窒化シリコン層とヒータ
とを有し、 基板の第一の主面には感ガス層と窒化シリコン層が順次
積層され、 基板の第二の主面にはヒータが積層され、 感ガス層は酸化物半導体の薄膜であり、 窒化シリコン層はＳｉＮｘ（ｘ＝１．０〜１．３）の組
成の薄膜であることを特徴とするガスセンサ。 - 【請求項３】請求項１または２記載のガスセンサにおい
て、酸化物半導体は酸化スズまたは酸化亜鉛であること
を特徴とするガスセンサ。 - 【請求項４】請求項１記載のガスセンサにおいて、貴金
属は白金またはパラジウムであることを特徴とするガス
センサ。 - 【請求項５】請求項１記載のガスセンサにおいて、貴金
属はその膜厚が１ないし１０ｎｍであることを特徴とす
るガスセンサ。 - 【請求項６】請求項１または２記載のガスセンサにおい
て、窒化シリコン層はその膜厚が１００ないし３００ｎ
ｍであることを特徴とするガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12783992A JPH05322821A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12783992A JPH05322821A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05322821A true JPH05322821A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=14969944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12783992A Pending JPH05322821A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05322821A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09269306A (ja) * | 1996-04-02 | 1997-10-14 | New Cosmos Electric Corp | 熱線型半導体式ガス検知素子及びガス検知装置 |
| JP2002323467A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Denso Corp | 薄膜型ガスセンサ及びその製造方法 |
| JP2005265545A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Tdk Corp | ガスセンサ |
| US7276745B2 (en) | 2005-02-22 | 2007-10-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Gas sensor |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP12783992A patent/JPH05322821A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09269306A (ja) * | 1996-04-02 | 1997-10-14 | New Cosmos Electric Corp | 熱線型半導体式ガス検知素子及びガス検知装置 |
| JP2002323467A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Denso Corp | 薄膜型ガスセンサ及びその製造方法 |
| JP2005265545A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Tdk Corp | ガスセンサ |
| JP4639618B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2011-02-23 | Ｔｄｋ株式会社 | ガスセンサ |
| US7276745B2 (en) | 2005-02-22 | 2007-10-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Gas sensor |
| KR100895361B1 (ko) * | 2005-02-22 | 2009-04-29 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 가스센서 |
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