JPH051416B2 - - Google Patents
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- JPH051416B2 JPH051416B2 JP57075096A JP7509682A JPH051416B2 JP H051416 B2 JPH051416 B2 JP H051416B2 JP 57075096 A JP57075096 A JP 57075096A JP 7509682 A JP7509682 A JP 7509682A JP H051416 B2 JPH051416 B2 JP H051416B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Description
本発明は、ガスの種類に対して選択的な検出機
能を有するガス検出素子に関する。 従来、一般に知られているガス検知材料として
は、SnO2、Fe2O3、ZnO等の酸化物半導体があ
る。これらの酸化物半導体は、各種のガスの存在
によつてその抵抗値が大きく変化する特徴を有し
ており、この特徴によりガス検知材料として用い
られている。従つて、これらの酸化物半導体は、
種々のガスの有無を検知する素子としてはすぐれ
ているが、その反面、ガスの種類を識別すること
がほとんど不可能であるため、ある特定のガスの
みを検知することができなかつた。そのため、こ
れらの酸化物半導体をガス検知材料として用いた
ガス検出素子は、ある特定のガスのみを検知しよ
うとする場合に、他のガスの存在による誤動作を
避けることができないという欠点があつた。この
ことは、このようなガス検出素子を用いたガス検
出装置への信頼度を低めることになり、ガス検出
装置はあるのに、所望のガス以外のガスの検出が
頻繁になつて煩わしくなり、そのスイツチが切ら
れたままにして不使用状態のままにしてしまうと
いうような事態を招いてしまう。前述した従来技
術によるガス検出素子の欠点を解決するための一
手段として、特開昭53−36296号公報による発明
では、ガス検知材料の表面に酸化第２銅を被覆す
ることが提案されている。しかしながら、酸化第
２銅のみをガス検知材料に被覆しても、ガス検出
素子にガス識別機能を持たせるには充分でなかつ
た。 本発明の目的は、前述した従来技術の欠点を除
去し、特定のガスに対してのみ選択的に感応する
ガス識別機能を有するガス検出素子を提供するに
ある。 この目的を達成するため、本発明は、酸化物半
導体から成るガス検知材料の表面に、ｐ型酸化物
半導体より成る被覆層及びｎ型酸化物半導体より
成る被覆層を、それぞれ少なくとも一層づつ設け
た点を特徴とする。 本発明者等は、特に、SnO2、ZnO等のｎ型酸
化物半導体をガス検知材料として用いたガス検出
素子においては、このガス検知材料の表面に、ま
ず、NiO、LaNiO3、スピネル構造を有する
（Mn，Co，Ni，Al）3O4等のｐ型酸化物半導体の
被覆層を構成し、さらにその上に、SnO2、WO3、
Ta2O5、ZnO、Fe2O3、TiO2、Nb2O5のｎ型酸化
物半導体の被覆層を構成することにより、ガス選
択性に関して著しい効果のあることを見い出し
た。また、前述したｐ型及びｎ型の酸化物半導体
による被覆層は、それぞれ一層のみでなく、ｐ
型、ｎ型、ｐ型、ｎ型，……と交互に重ねて行く
ことにより、さらにガス選択性のよいガス検出素
子が得られることも確かめられた。さらに、本発
明者等は、ガス検出素子がｐ型酸化物半導体、例
えばNiO等によるガス検知材料で構成されている
場合にも、このガス検知材料の表面にｎ型、ｐ
型、ｎ型、ｐ型……の順に前述と同様な酸化物半
導体の被覆層を設けることにより、ガス検出素子
のガス選択性を向上させることができることを見
いだした。 本発明は、前述した新たな発見に基づいてなさ
れたもので、以下、本発明の実施例を図面につい
て説明する。 第１図ａ及びｂは、本発明によるサンドウイツ
チ型のガス検出素子の一実施例を示す平面図及び
断面図であつて、１はアルミナ基板、２は下部電
極、３はガス検知材料層、４は上部電極、５及び
６は被覆層、７はジグザグ状の加熱ヒータであ
る。 第１図ａ及びｂにおいて、アルミナ基板１上
に、下部電極２、ガス検知材料層３、上部電極
４、及び被覆層５，６がサンドウイツチ状に順次
積み重ねられ、さらにアルミナ基板１の下部に加
熱用ヒータ７が設けられてガス検出素子が構成さ
れている。このガス検出素子は、次のようにして
製造される。 、96％の純度を有するアルミナ基板１の裏面
に白金ペーストを用いて加熱ヒータ７のパターン
を印加し乾燥させる。、アルミナ基板１の表面
に同一の白金ペーストを用いて下部電極２のパタ
ーンを印刷し乾燥させる。、この基板１を電気
炉内に入れ1200℃で２時間焼成し、加熱ヒータ７
及び下部電極２を形成する。、下部電極２上
に、SnO2粉末89重量％（以下wt％と記す）、Pd
粉末1wt％、PbO−TiO2−SiO2系ガラス10wt％
から成るガス検知材料層３を印刷し乾燥させる。
、該材料層３の上に下部電極２に用いたと同じ
白金ペーストで上部電極４を印刷し乾燥させる。
、その後ベルト炉内で最高温度900℃で10分間
焼成し、ガス検知材料層３及び上部電極４を形成
する。、この素子の上にｐ型酸化物半導体
90wt％とPbO−TiO2−SiO2系ガラス10wt％から
成る被覆層５を印刷し乾燥させる。、さらにそ
の上にｎ型酸化物半導体90w％とPbO−TiO2−
SiO2系ガラス10wt％から成る被覆層６を印刷し
乾燥させる。、以上の工程を終了した素子を前
述したベルト炉に入れ、最高温度900℃で10分間
焼成し、ｐ型及びｎ型の酸化物半導体より成る被
覆層５及び６を形成する。また、被覆層５及び６
を３層、４層にさらに多層にする場合、前述した
及びの工程を繰り返えし行なう。 前述したような製造工程によりｎ型の酸化物半
導体であるSnO2をガス検知材料とした第１図ａ，
ｂに示す、、ガス検出素子が作成される。 被覆層５，６の種々の酸化物半導体に対するガ
ス検出素子の特性を第１表に示す。 なお、第１表には資料No1〜No3として示され
ており、資料No1〜No15として示されている各
ガス検出素子は加熱ヒータ７に通電することによ
り400℃に保持され、特性試験のための各ガスの
濃度は1000ppmとした。また、各ガス検出素子
は、夫々５個用意され、ガスに触れる前の抵抗値
とガスに触れた後の抵抗値の変化率が測定され、
その変化率の平均値が表中に示されている。
能を有するガス検出素子に関する。 従来、一般に知られているガス検知材料として
は、SnO2、Fe2O3、ZnO等の酸化物半導体があ
る。これらの酸化物半導体は、各種のガスの存在
によつてその抵抗値が大きく変化する特徴を有し
ており、この特徴によりガス検知材料として用い
られている。従つて、これらの酸化物半導体は、
種々のガスの有無を検知する素子としてはすぐれ
ているが、その反面、ガスの種類を識別すること
がほとんど不可能であるため、ある特定のガスの
みを検知することができなかつた。そのため、こ
れらの酸化物半導体をガス検知材料として用いた
ガス検出素子は、ある特定のガスのみを検知しよ
うとする場合に、他のガスの存在による誤動作を
避けることができないという欠点があつた。この
ことは、このようなガス検出素子を用いたガス検
出装置への信頼度を低めることになり、ガス検出
装置はあるのに、所望のガス以外のガスの検出が
頻繁になつて煩わしくなり、そのスイツチが切ら
れたままにして不使用状態のままにしてしまうと
いうような事態を招いてしまう。前述した従来技
術によるガス検出素子の欠点を解決するための一
手段として、特開昭53−36296号公報による発明
では、ガス検知材料の表面に酸化第２銅を被覆す
ることが提案されている。しかしながら、酸化第
２銅のみをガス検知材料に被覆しても、ガス検出
素子にガス識別機能を持たせるには充分でなかつ
た。 本発明の目的は、前述した従来技術の欠点を除
去し、特定のガスに対してのみ選択的に感応する
ガス識別機能を有するガス検出素子を提供するに
ある。 この目的を達成するため、本発明は、酸化物半
導体から成るガス検知材料の表面に、ｐ型酸化物
半導体より成る被覆層及びｎ型酸化物半導体より
成る被覆層を、それぞれ少なくとも一層づつ設け
た点を特徴とする。 本発明者等は、特に、SnO2、ZnO等のｎ型酸
化物半導体をガス検知材料として用いたガス検出
素子においては、このガス検知材料の表面に、ま
ず、NiO、LaNiO3、スピネル構造を有する
（Mn，Co，Ni，Al）3O4等のｐ型酸化物半導体の
被覆層を構成し、さらにその上に、SnO2、WO3、
Ta2O5、ZnO、Fe2O3、TiO2、Nb2O5のｎ型酸化
物半導体の被覆層を構成することにより、ガス選
択性に関して著しい効果のあることを見い出し
た。また、前述したｐ型及びｎ型の酸化物半導体
による被覆層は、それぞれ一層のみでなく、ｐ
型、ｎ型、ｐ型、ｎ型，……と交互に重ねて行く
ことにより、さらにガス選択性のよいガス検出素
子が得られることも確かめられた。さらに、本発
明者等は、ガス検出素子がｐ型酸化物半導体、例
えばNiO等によるガス検知材料で構成されている
場合にも、このガス検知材料の表面にｎ型、ｐ
型、ｎ型、ｐ型……の順に前述と同様な酸化物半
導体の被覆層を設けることにより、ガス検出素子
のガス選択性を向上させることができることを見
いだした。 本発明は、前述した新たな発見に基づいてなさ
れたもので、以下、本発明の実施例を図面につい
て説明する。 第１図ａ及びｂは、本発明によるサンドウイツ
チ型のガス検出素子の一実施例を示す平面図及び
断面図であつて、１はアルミナ基板、２は下部電
極、３はガス検知材料層、４は上部電極、５及び
６は被覆層、７はジグザグ状の加熱ヒータであ
る。 第１図ａ及びｂにおいて、アルミナ基板１上
に、下部電極２、ガス検知材料層３、上部電極
４、及び被覆層５，６がサンドウイツチ状に順次
積み重ねられ、さらにアルミナ基板１の下部に加
熱用ヒータ７が設けられてガス検出素子が構成さ
れている。このガス検出素子は、次のようにして
製造される。 、96％の純度を有するアルミナ基板１の裏面
に白金ペーストを用いて加熱ヒータ７のパターン
を印加し乾燥させる。、アルミナ基板１の表面
に同一の白金ペーストを用いて下部電極２のパタ
ーンを印刷し乾燥させる。、この基板１を電気
炉内に入れ1200℃で２時間焼成し、加熱ヒータ７
及び下部電極２を形成する。、下部電極２上
に、SnO2粉末89重量％（以下wt％と記す）、Pd
粉末1wt％、PbO−TiO2−SiO2系ガラス10wt％
から成るガス検知材料層３を印刷し乾燥させる。
、該材料層３の上に下部電極２に用いたと同じ
白金ペーストで上部電極４を印刷し乾燥させる。
、その後ベルト炉内で最高温度900℃で10分間
焼成し、ガス検知材料層３及び上部電極４を形成
する。、この素子の上にｐ型酸化物半導体
90wt％とPbO−TiO2−SiO2系ガラス10wt％から
成る被覆層５を印刷し乾燥させる。、さらにそ
の上にｎ型酸化物半導体90w％とPbO−TiO2−
SiO2系ガラス10wt％から成る被覆層６を印刷し
乾燥させる。、以上の工程を終了した素子を前
述したベルト炉に入れ、最高温度900℃で10分間
焼成し、ｐ型及びｎ型の酸化物半導体より成る被
覆層５及び６を形成する。また、被覆層５及び６
を３層、４層にさらに多層にする場合、前述した
及びの工程を繰り返えし行なう。 前述したような製造工程によりｎ型の酸化物半
導体であるSnO2をガス検知材料とした第１図ａ，
ｂに示す、、ガス検出素子が作成される。 被覆層５，６の種々の酸化物半導体に対するガ
ス検出素子の特性を第１表に示す。 なお、第１表には資料No1〜No3として示され
ており、資料No1〜No15として示されている各
ガス検出素子は加熱ヒータ７に通電することによ
り400℃に保持され、特性試験のための各ガスの
濃度は1000ppmとした。また、各ガス検出素子
は、夫々５個用意され、ガスに触れる前の抵抗値
とガスに触れた後の抵抗値の変化率が測定され、
その変化率の平均値が表中に示されている。
【表】
第１表から明らかなように、ｐ型及びｎ型の酸
化物半導体による被覆層５及び６を有する資料No.
４〜No.15に示す本発明によるガス検出素子は、資
料No.１〜No.３に示す被覆層のない、あるいは１層
のみの被覆層を有する従来のガス検出素子と比較
して、水素及びエタノールガスに対するガス検出
感度が大幅に減少し（抵抗変化率の値が減少）、
逆にメタンガスに対するガス検出感度が大幅に増
加し、メタンガスに対するガス選択性が大幅に向
上していることがわかる。 このような本発明によるガス検出素子を、例え
ば、都市ガス検出警報装置として使用した場合、
一般に都市ガスにおける水素やエタノールガスに
よる防害ガスの濃度は、せいぜい1000〜2000ppm
であるので、メタンガスの警報レベルを2000ppm
以上に設定しておけば、前記都市ガス検出警報装
置は、水素やエタノールガスによる誤動作を起す
ことのないものとなる。一般に、都市ガスでは、
メタンガスの濃度が12500ppm以下で警報を発す
ればよいことになつているので、前述の都市ガス
検出警報装置は、その警報レベルをさらに高レベ
ルにまで上げることもできる。 以上、ガス検知材料としてｎ型の酸化物半導体
であるSnO2を用いた、メタンガスに対して選択
性の高いガス検出素子の実施例を説明したが、次
に、別のｎ型酸化物半導体であるZnOをガス検知
材料として用いた本発明の実施例について説明す
る。 この実施例によるガス検出素子は、第１図に示
した実施例と同じ構造であり、第１図の実施例の
製造工程と同様に製造されるが、前述の製造工程
において、ZnO粉末89wt％、Pd粉末1wt％、
PbO−TiO2−SiO2系ガラス10vt％から成るガス
検知材料を用いる点でのみ相違する。ガス検知材
料層３の表面に設けられる被覆層５及び６を種々
の異なる酸化物半導体により形成して得たガス検
出素子について、第１表に示したと同一の条件で
試験を行なつて得た結果、比較のため被覆層を設
けなかつたガス検出素子の特性とともに第２表に
示す。
化物半導体による被覆層５及び６を有する資料No.
４〜No.15に示す本発明によるガス検出素子は、資
料No.１〜No.３に示す被覆層のない、あるいは１層
のみの被覆層を有する従来のガス検出素子と比較
して、水素及びエタノールガスに対するガス検出
感度が大幅に減少し（抵抗変化率の値が減少）、
逆にメタンガスに対するガス検出感度が大幅に増
加し、メタンガスに対するガス選択性が大幅に向
上していることがわかる。 このような本発明によるガス検出素子を、例え
ば、都市ガス検出警報装置として使用した場合、
一般に都市ガスにおける水素やエタノールガスに
よる防害ガスの濃度は、せいぜい1000〜2000ppm
であるので、メタンガスの警報レベルを2000ppm
以上に設定しておけば、前記都市ガス検出警報装
置は、水素やエタノールガスによる誤動作を起す
ことのないものとなる。一般に、都市ガスでは、
メタンガスの濃度が12500ppm以下で警報を発す
ればよいことになつているので、前述の都市ガス
検出警報装置は、その警報レベルをさらに高レベ
ルにまで上げることもできる。 以上、ガス検知材料としてｎ型の酸化物半導体
であるSnO2を用いた、メタンガスに対して選択
性の高いガス検出素子の実施例を説明したが、次
に、別のｎ型酸化物半導体であるZnOをガス検知
材料として用いた本発明の実施例について説明す
る。 この実施例によるガス検出素子は、第１図に示
した実施例と同じ構造であり、第１図の実施例の
製造工程と同様に製造されるが、前述の製造工程
において、ZnO粉末89wt％、Pd粉末1wt％、
PbO−TiO2−SiO2系ガラス10vt％から成るガス
検知材料を用いる点でのみ相違する。ガス検知材
料層３の表面に設けられる被覆層５及び６を種々
の異なる酸化物半導体により形成して得たガス検
出素子について、第１表に示したと同一の条件で
試験を行なつて得た結果、比較のため被覆層を設
けなかつたガス検出素子の特性とともに第２表に
示す。
【表】
第２表から明らかなように、ｐ型及びｎ型の酸
化物半導体による被覆層を有する資料No.２〜No.９
に示す本発明によるガス検出素子は、資料No.１に
示す被覆層のない従来のガス検出素子に比較し
て、水素及びエタノールガスに対するガス検出感
度が大幅に減少し、逆にプロパンガスに対するガ
ス検出感度が大幅に増加し、プロパンガスに対す
るガス選択性が向上していることがわかる。この
ことから、第２表に示す実施例によるガス検出素
子は、プロパンガス検出素子として適しているこ
とがわかる。 次に、本発明によるガス検出素子のさらに他の
実施例を図面について説明する。 第２図ａ及びｂは、本発明によるシート型のガ
ス検出素子の一実施例を示す平面図及び断面図で
あり、第１図ａ，ｂに対応する部分には同一符号
をつけている。 第２図ａ及びｂに示すシート型のガス検出素子
は、下部電極２を対向して２個設け、上部電圧４
を不必要とし、２個の対向する下部電極２の間に
ガス検知材料層３を設けた点で、第１図に示すサ
ンドウイツチ型のガス検知素子と相違する。従つ
て、その製造方法は、第１図に示すガス検知素子
の製造工程において、上部電極４を形成する工程
が不必要となる代わりに下部電極２を形成する工
程で２個の下部電極２を対向して形成する点で第
１図に示すガス検出素子の製造方法と相違するが
その他の点では同じである。また、この実施例に
おいては、ガス検知材料として、NiO粉末89wt
％、Pd粉末1wt％、PbO−TiO2−SiO2系ガラス
10wt％から成るｐ型の酸化物半導体を用いた。
ガス検知材料層３の表面に設けられる被覆層５及
び６を種々の異なる酸化物半導体より形成した第
２図に示すガス検出素子について、素子の温度を
約300℃とし、その他の条件を第１表及び第２表
の場合と同じにして試験を行なつて得た結果を、
比較のため被覆層を設けなかつたガス検出素子の
特性とともに第３表に示す。
化物半導体による被覆層を有する資料No.２〜No.９
に示す本発明によるガス検出素子は、資料No.１に
示す被覆層のない従来のガス検出素子に比較し
て、水素及びエタノールガスに対するガス検出感
度が大幅に減少し、逆にプロパンガスに対するガ
ス検出感度が大幅に増加し、プロパンガスに対す
るガス選択性が向上していることがわかる。この
ことから、第２表に示す実施例によるガス検出素
子は、プロパンガス検出素子として適しているこ
とがわかる。 次に、本発明によるガス検出素子のさらに他の
実施例を図面について説明する。 第２図ａ及びｂは、本発明によるシート型のガ
ス検出素子の一実施例を示す平面図及び断面図で
あり、第１図ａ，ｂに対応する部分には同一符号
をつけている。 第２図ａ及びｂに示すシート型のガス検出素子
は、下部電極２を対向して２個設け、上部電圧４
を不必要とし、２個の対向する下部電極２の間に
ガス検知材料層３を設けた点で、第１図に示すサ
ンドウイツチ型のガス検知素子と相違する。従つ
て、その製造方法は、第１図に示すガス検知素子
の製造工程において、上部電極４を形成する工程
が不必要となる代わりに下部電極２を形成する工
程で２個の下部電極２を対向して形成する点で第
１図に示すガス検出素子の製造方法と相違するが
その他の点では同じである。また、この実施例に
おいては、ガス検知材料として、NiO粉末89wt
％、Pd粉末1wt％、PbO−TiO2−SiO2系ガラス
10wt％から成るｐ型の酸化物半導体を用いた。
ガス検知材料層３の表面に設けられる被覆層５及
び６を種々の異なる酸化物半導体より形成した第
２図に示すガス検出素子について、素子の温度を
約300℃とし、その他の条件を第１表及び第２表
の場合と同じにして試験を行なつて得た結果を、
比較のため被覆層を設けなかつたガス検出素子の
特性とともに第３表に示す。
【表】
第３表から明らかなように、ｎ型及びｐ型の酸
化物半導体による被覆層５及び６を有する資料No.
２〜No.４に示す本発明のガス検出素子は、資料No.
１に示す被覆層のない従来のガス検出素子に比較
して、エタノールガスに対するガス検出感度が大
幅に減少し、水素ガスに対するガス検出感度がほ
とんど変化していないため、水素ガスに対する選
択性が向上しているとがわかる。このことから、
第３表に示す本発明の実施例によるガス検出素子
は、還元炉等における水素ガスのもれを検出する
ためのガス検出素子として適していることがわか
る。 以上説明したように、本発明によれば、ガス検
出材料の表面にｐ型及びｎ型の酸化物半導体より
成る被覆層を少なくとも１層づつ設けることによ
り、所定のガスに対する感応が著しく増大してガ
ス識別機能が向上し、上記従来技術の欠点を除い
て優れた機能のガス検出素子を提供することがで
きる。
化物半導体による被覆層５及び６を有する資料No.
２〜No.４に示す本発明のガス検出素子は、資料No.
１に示す被覆層のない従来のガス検出素子に比較
して、エタノールガスに対するガス検出感度が大
幅に減少し、水素ガスに対するガス検出感度がほ
とんど変化していないため、水素ガスに対する選
択性が向上しているとがわかる。このことから、
第３表に示す本発明の実施例によるガス検出素子
は、還元炉等における水素ガスのもれを検出する
ためのガス検出素子として適していることがわか
る。 以上説明したように、本発明によれば、ガス検
出材料の表面にｐ型及びｎ型の酸化物半導体より
成る被覆層を少なくとも１層づつ設けることによ
り、所定のガスに対する感応が著しく増大してガ
ス識別機能が向上し、上記従来技術の欠点を除い
て優れた機能のガス検出素子を提供することがで
きる。
第１図ａ及びｂは、本発明によるガス検出素子
の一実施例を示す平面図及び断面図、第２図ａ及
びｂは、本発明によるガス検出素子の他の実施例
を示す平面図及び断面図である。 １……アルミナ基板、２……下部電極、３……
ガス検知材料層、４……上部電極、５，６……被
覆層、７……加熱ヒータ。
の一実施例を示す平面図及び断面図、第２図ａ及
びｂは、本発明によるガス検出素子の他の実施例
を示す平面図及び断面図である。 １……アルミナ基板、２……下部電極、３……
ガス検知材料層、４……上部電極、５，６……被
覆層、７……加熱ヒータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に酸化物半導体からなるガス検知
材料相を備えたガス検出素子において、 該ガス検知材料層の面上に、ｐ型酸化物半導体
よりなる被覆層とｎ型酸化物半導体よりなる被覆
層との少なくも１層ずつの積層体を設けたことを
特徴とするガス検出素子。 ２ 特許請求の範囲第１項において、ｐ型酸化物
半導体として、NiO、LaNiO3またはスピネル型
材料である（Mn，Co，Ni，Al）3O4を用いるこ
とを特徴とするガス検出素子。 ３ 特許請求の範囲第１項において、ｎ型酸化物
半導体として、SnO2、WO3、Ta2O3、ZnO、
Fe2O3、TiO2、Nb2O5を用いることを特徴とする
ガス検出素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075096A JPS58191962A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | ガス検出素子 |
| US06/489,179 US4481499A (en) | 1982-05-07 | 1983-04-27 | Gas detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075096A JPS58191962A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | ガス検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58191962A JPS58191962A (ja) | 1983-11-09 |
| JPH051416B2 true JPH051416B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=13566290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075096A Granted JPS58191962A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | ガス検出素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4481499A (ja) |
| JP (1) | JPS58191962A (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58162851A (ja) * | 1982-03-24 | 1983-09-27 | Hitachi Ltd | ガス検出装置 |
| DE3377738D1 (en) * | 1982-08-27 | 1988-09-22 | Toshiba Kk | Co gas detecting device and circuit for driving the same |
| JPS6165151A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Shinkosumosu Denki Kk | ガス検知素子 |
| JPS6193944A (ja) * | 1984-10-13 | 1986-05-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガス検出素子 |
| JPH0643979B2 (ja) * | 1985-05-15 | 1994-06-08 | 博明 柳田 | 湿度センサー |
| GB8521628D0 (en) * | 1985-08-30 | 1985-10-02 | Atomic Energy Authority Uk | Sensor |
| GB8602544D0 (en) * | 1986-02-03 | 1986-03-12 | Atomic Energy Authority Uk | Sensor |
| US4782302A (en) * | 1986-10-31 | 1988-11-01 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Detector and energy analyzer for energetic-hydrogen in beams and plasmas |
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| US4992244A (en) * | 1988-09-27 | 1991-02-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Films of dithiolene complexes in gas-detecting microsensors |
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| US8485983B2 (en) | 2003-04-21 | 2013-07-16 | The Research Foundation Of State University Of New York | Selective nanoprobe for olfactory medicine |
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| US20120237968A1 (en) | 2011-03-14 | 2012-09-20 | Anastasia Rigas | Detector and Method for Detection of H. Pylori |
| EP3145403A4 (en) | 2012-03-14 | 2018-01-24 | Anastasia Rigas | Breath analyzer and breath test methods |
| JP6061111B2 (ja) | 2013-08-22 | 2017-01-18 | 株式会社村田製作所 | 酸化物セラミックス、及びセラミック電子部品 |
| CN108195907B (zh) * | 2017-11-16 | 2019-11-15 | 宁波大学 | 一种基于光电耦合效应的电化学传感器及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023317B1 (ja) * | 1969-12-19 | 1975-08-06 | ||
| US3695848A (en) * | 1970-04-07 | 1972-10-03 | Naoyoshi Taguchi | Gas detecting device |
| US3951603A (en) * | 1972-07-08 | 1976-04-20 | Hitachi, Ltd. | Gas-sensor element and method for detecting reducing gas or oxygen gas |
| JPS5119592A (en) * | 1974-08-09 | 1976-02-16 | Nissan Motor | Gasunodo kenshutsuki |
| NL7411044A (nl) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Philips Nv | Meetcel voor het bepalen van zuurstofconcen- traties in een gasmengsel. |
| US4039941A (en) * | 1975-05-09 | 1977-08-02 | Stanford Research Institute | Gas sensor |
| US4224280A (en) * | 1977-07-18 | 1980-09-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Carbon monoxide detecting device |
| JPS5424096A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-23 | Fuji Electric Co Ltd | Carbon monoxide detector |
| JPS6123790Y2 (ja) * | 1979-02-23 | 1986-07-16 | ||
| DE2916178C2 (de) * | 1979-04-21 | 1982-04-22 | Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen | Sonde zur Messung des Sauerstoffpartialdrucks in Gasen |
-
1982
- 1982-05-07 JP JP57075096A patent/JPS58191962A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-27 US US06/489,179 patent/US4481499A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58191962A (ja) | 1983-11-09 |
| US4481499A (en) | 1984-11-06 |
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