JPS58191962A - ガス検出素子 - Google Patents
ガス検出素子Info
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- JPS58191962A JPS58191962A JP57075096A JP7509682A JPS58191962A JP S58191962 A JPS58191962 A JP S58191962A JP 57075096 A JP57075096 A JP 57075096A JP 7509682 A JP7509682 A JP 7509682A JP S58191962 A JPS58191962 A JP S58191962A
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- Japan
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- gas
- gas detection
- type
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- oxide semiconductor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガスの種類に対して選択的な検出機能を有す
るガス検出素子に関する。
るガス検出素子に関する。
従来、一般に知られているガス検知材料としては、８
ｎ Ｏ＠ 、 Ｆ ｅ 鵞０＠ 、”Ｚ ｎ Ｏ等の酸
化物半導体がある。これらの酸化物半導体は、各種のガ
スの存在によってその抵抗値が大きく変化する特徴を有
しており、この特徴によりガス検知材料として用いられ
ている。従って、これらの酸化物半導体は、種々のガス
の有無を検知する素子としてはすぐれているが、その反
面、ガスの種類を識別することがほとんど不可能である
た゛め、ある特許のガスのみを検知するこ゛とができな
かった。゛その□ため、これらの酸化物半導体をガス検
知材料として用いたガス検出素子は、ある特定のガスの
みを検知しようとする場合に、他のガスの存在による誤
動作を避けることができな゛い“という欠点があった。
ｎ Ｏ＠ 、 Ｆ ｅ 鵞０＠ 、”Ｚ ｎ Ｏ等の酸
化物半導体がある。これらの酸化物半導体は、各種のガ
スの存在によってその抵抗値が大きく変化する特徴を有
しており、この特徴によりガス検知材料として用いられ
ている。従って、これらの酸化物半導体は、種々のガス
の有無を検知する素子としてはすぐれているが、その反
面、ガスの種類を識別することがほとんど不可能である
た゛め、ある特許のガスのみを検知するこ゛とができな
かった。゛その□ため、これらの酸化物半導体をガス検
知材料として用いたガス検出素子は、ある特定のガスの
みを検知しようとする場合に、他のガスの存在による誤
動作を避けることができな゛い“という欠点があった。
このことは、このようなガス検出素子を用いたガス検出
装置への信頼度を低めることに゛なり、ガス′検出装装
置はあるのに、所望のガス以外のガスの検出が頻繁にな
って煩わしくなり、そのスイッチが切られバままにして
不使用状態のままにしてしまうというような事態を招い
てしまう。前述した従来技術によるガス検出素子の欠点
を解決するための一手段として、特開昭５３−３６２９
６号公報による発明゛では、ガス検知材料の表面に酸化
第２銅を被覆することが提案されている。しかしながら
、酸化第２鋼のみをガス検知材料に被覆しても、ガス検
出素子にガス識別機能を持たせるには充分でなかった。
装置への信頼度を低めることに゛なり、ガス′検出装装
置はあるのに、所望のガス以外のガスの検出が頻繁にな
って煩わしくなり、そのスイッチが切られバままにして
不使用状態のままにしてしまうというような事態を招い
てしまう。前述した従来技術によるガス検出素子の欠点
を解決するための一手段として、特開昭５３−３６２９
６号公報による発明゛では、ガス検知材料の表面に酸化
第２銅を被覆することが提案されている。しかしながら
、酸化第２鋼のみをガス検知材料に被覆しても、ガス検
出素子にガス識別機能を持たせるには充分でなかった。
本発明の目的は、前述した従来技術の欠点を除去し、特
定のガスに対してのみ選択的に感応するガス識別機能を
有するガス検出素子を提供するにある。
定のガスに対してのみ選択的に感応するガス識別機能を
有するガス検出素子を提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は、酸化物半導体から
成るガス検知材料の表面に、ｐ型酸化物半導体より成る
被覆層及びｎ型酸化物半導体より成る被覆層を、それぞ
れ少なくとも一層づつ設けた点を特徴とする。
成るガス検知材料の表面に、ｐ型酸化物半導体より成る
被覆層及びｎ型酸化物半導体より成る被覆層を、それぞ
れ少なくとも一層づつ設けた点を特徴とする。
本発明者等は、％［１ＳｎＯ，、ＺｎＯ等のｎ型酸化物
半導体をガス検知材料として用いたガス検出素子におい
ては、このガス検知材料の表面に、する（Ｍｎ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ａｊ）、０４等のｐ型酸化物半導体の被覆層を構
成し、さらにその上に、ＳｎＯ，、ＷＯＩ 、Ｔａｇ
Ｏ＠ 、ＺｎＯ，Ｆｅ。
半導体をガス検知材料として用いたガス検出素子におい
ては、このガス検知材料の表面に、する（Ｍｎ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ａｊ）、０４等のｐ型酸化物半導体の被覆層を構
成し、さらにその上に、ＳｎＯ，、ＷＯＩ 、Ｔａｇ
Ｏ＠ 、ＺｎＯ，Ｆｅ。
Ｏａ、Ｔ１０．、Ｎｂ、Ｏ，等のｎ型酸化物半導体の被
覆層を構成することにより、ガス選択性に関して著しい
効果のあることを見い出した。また、前述したｐ型及び
ｎ型の酸化物半導体による被覆層は、それぞれ一層のみ
でなく、ｐ型、ｎ型、ｐ型、ｎ型、・・・・・・と交互
に重ねて行くことにより、さらにガス選択性のよいガス
検出素子が得られることも確かめられた。さらｆ１本発
明者等は、ガス検出素子がｐ型酸化物半導体、例えばＮ
ｉＯ等によるガス検知材料で構成されている場合にも、
このガス検知材料の表面Ｋｎ型、ｐ型、ｎ型、ｐ型・・
・・・・の順に前述と同様な酸化物半導体の被覆層を設
けることにより、ガス検出素子のガス選択性を向上させ
ることができることを見いだした。
覆層を構成することにより、ガス選択性に関して著しい
効果のあることを見い出した。また、前述したｐ型及び
ｎ型の酸化物半導体による被覆層は、それぞれ一層のみ
でなく、ｐ型、ｎ型、ｐ型、ｎ型、・・・・・・と交互
に重ねて行くことにより、さらにガス選択性のよいガス
検出素子が得られることも確かめられた。さらｆ１本発
明者等は、ガス検出素子がｐ型酸化物半導体、例えばＮ
ｉＯ等によるガス検知材料で構成されている場合にも、
このガス検知材料の表面Ｋｎ型、ｐ型、ｎ型、ｐ型・・
・・・・の順に前述と同様な酸化物半導体の被覆層を設
けることにより、ガス検出素子のガス選択性を向上させ
ることができることを見いだした。
本発明は、前述した新たな発見に基づいてなされたもの
で、以下、本発明の実施例を図面について説明する。
で、以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、本発明によるサンドウィッ
チ型のガス検出素子の一実施例を示す平面図及び断面図
であって、１はアルミナ基板、２は下部電極、３はガス
検知材料層１．４は上部電極、５及び６は被覆層、７は
ジグザグ状の加熱ヒータである。
チ型のガス検出素子の一実施例を示す平面図及び断面図
であって、１はアルミナ基板、２は下部電極、３はガス
検知材料層１．４は上部電極、５及び６は被覆層、７は
ジグザグ状の加熱ヒータである。
第１図（ａ）及び（ｂ）において、アルミナ基板１上Ｋ
、下部電極２、ガス検知材料層３、上部電極４、及び被
覆層５，６がサンドウィッチ状に順次積み重ねられ、さ
らにアルミナ基板１の下部に加熱用ヒータ７が設けられ
てガス検出素子が構成されている。このガス検出素子は
、次のようにして製造される。
、下部電極２、ガス検知材料層３、上部電極４、及び被
覆層５，６がサンドウィッチ状に順次積み重ねられ、さ
らにアルミナ基板１の下部に加熱用ヒータ７が設けられ
てガス検出素子が構成されている。このガス検出素子は
、次のようにして製造される。
■、９６チの純度を有するアルミナ基板１の裏歯ＩＫ白
金ペーストを用いて加熱ヒータ７のノくターンな印刷し
乾燥させろ。■、アルミナ基板１０表面に同一の白金ペ
ーストを用いて下部電極２のノ（ターンを印刷し乾燥さ
せる。■、この基板１を電気炉内ｒ入れ１２００℃で２
時・間焼成し、加熱し一タフ及び下部電極２を形成する
。■、下部電極２上に、８ｎＯ，粉末８９重量％（以下
ｗｔチと記す）、Ｐｄ粉末１ｗｔチ、ＰｂＯ−Ｔｉ０．
−５ｉｏ、系ガラスｌＱｗｔ％から成るガス検知材料層
３を印刷し乾燥させろ。■、核材料層３の上に下部電極
２に用いたと同じ白金ペーストで下部電極４を印刷し乾
燥させる。■、その後ベルト炉内で最高温度９００℃で
１０分間焼成し、ガス検知材料層３及び上部電極４を形
成する。■、この素子の上にｐ型酸化物牛導体９０ｗｔ
％とＰｂ０−Ｔ ｉ Ｏ＠ −８ｉ ＯＨ系ガラス１０
Ｗｔｓから成る被覆層５を印刷し乾燥させる。■、さら
にその上にｎ型酸化物半導体９ＱｗｔチとＰｂＯ−Ｔｉ
０．−Ｓ凰Ｏ３系ガラス１０ｗｔ％から成る被覆層６を
印刷し乾燥させる。■、以上の工程を終了した素子を前
述したベルト炉に入れ、最高温度９００℃で１０分間焼
成し、ｐ型及びｎ型の酸化物半導体より成る被覆層５及
び６を形成する。また、被覆層５及び６を３層、４層に
さらに多１ｍ Ｋする場合、前述した■及び迫）の工程
を繰り返えし行なう。
金ペーストを用いて加熱ヒータ７のノくターンな印刷し
乾燥させろ。■、アルミナ基板１０表面に同一の白金ペ
ーストを用いて下部電極２のノ（ターンを印刷し乾燥さ
せる。■、この基板１を電気炉内ｒ入れ１２００℃で２
時・間焼成し、加熱し一タフ及び下部電極２を形成する
。■、下部電極２上に、８ｎＯ，粉末８９重量％（以下
ｗｔチと記す）、Ｐｄ粉末１ｗｔチ、ＰｂＯ−Ｔｉ０．
−５ｉｏ、系ガラスｌＱｗｔ％から成るガス検知材料層
３を印刷し乾燥させろ。■、核材料層３の上に下部電極
２に用いたと同じ白金ペーストで下部電極４を印刷し乾
燥させる。■、その後ベルト炉内で最高温度９００℃で
１０分間焼成し、ガス検知材料層３及び上部電極４を形
成する。■、この素子の上にｐ型酸化物牛導体９０ｗｔ
％とＰｂ０−Ｔ ｉ Ｏ＠ −８ｉ ＯＨ系ガラス１０
Ｗｔｓから成る被覆層５を印刷し乾燥させる。■、さら
にその上にｎ型酸化物半導体９ＱｗｔチとＰｂＯ−Ｔｉ
０．−Ｓ凰Ｏ３系ガラス１０ｗｔ％から成る被覆層６を
印刷し乾燥させる。■、以上の工程を終了した素子を前
述したベルト炉に入れ、最高温度９００℃で１０分間焼
成し、ｐ型及びｎ型の酸化物半導体より成る被覆層５及
び６を形成する。また、被覆層５及び６を３層、４層に
さらに多１ｍ Ｋする場合、前述した■及び迫）の工程
を繰り返えし行なう。
前述したような製造工程によりｎ型の酸化物半導体であ
るＳ ｎ Ｏ，をガス検知材料とした第１図（ａ）、（
ｂ）に示す、ガス検出素子が作成される。
るＳ ｎ Ｏ，をガス検知材料とした第１図（ａ）、（
ｂ）に示す、ガス検出素子が作成される。
被覆層５，６の攬々の酸化物半導体に対するガス検出素
子の特性を第１表に示す。
子の特性を第１表に示す。
なお、第１表には比較のため従来のガス検出素子の特性
も資料Ｎｏｌ〜Ｎｏ３として示されており、資料Ｎｏ１
−Ｎｏ１５として示されている各ガス検出素子を１加熱
ヒータ７に通電することにより４００℃に保持され、特
性試験のための各ガスの濃度は１１０００１）ｐとした
。また、各ガス検出素子は、夫々５個用意され、ガスに
触れろ前の抵抗値とガスに触れた後の抵抗値の変化率が
測定され、その変化率の平均値が表中に示されている。
も資料Ｎｏｌ〜Ｎｏ３として示されており、資料Ｎｏ１
−Ｎｏ１５として示されている各ガス検出素子を１加熱
ヒータ７に通電することにより４００℃に保持され、特
性試験のための各ガスの濃度は１１０００１）ｐとした
。また、各ガス検出素子は、夫々５個用意され、ガスに
触れろ前の抵抗値とガスに触れた後の抵抗値の変化率が
測定され、その変化率の平均値が表中に示されている。
第１表から明らかなように、ｐ型及びｎ型の酸化物半導
体による被覆層５及び６を有する資料Ｎｏ、４〜Ｎｏ、
１５に示す本発明によるガス検出素子は、資料Ｎｏ。１
〜Ｎｏ、３に示す被覆層のない、あるいは１層のみの被
覆層を有する従来のガス検出素子と比較して、水素及び
エタノールガスに対するガス検出感度が大＠に減少しく
抵抗変化率の値が減少）、逆にメタンガスに対するガス
検出感度が太幅に増加し、メタンガスに対するガス選択
性が大幅に向上していることがわかる。
体による被覆層５及び６を有する資料Ｎｏ、４〜Ｎｏ、
１５に示す本発明によるガス検出素子は、資料Ｎｏ。１
〜Ｎｏ、３に示す被覆層のない、あるいは１層のみの被
覆層を有する従来のガス検出素子と比較して、水素及び
エタノールガスに対するガス検出感度が大＠に減少しく
抵抗変化率の値が減少）、逆にメタンガスに対するガス
検出感度が太幅に増加し、メタンガスに対するガス選択
性が大幅に向上していることがわかる。
このような本発明によるガス検出素子な、例えば、都市
ガス検出警報装置として使用した場合、一般に都市ガス
における水素やエタノールガスによる妨害ガスの濃度は
、せいぜい１０００〜２０００ｐｐｍであるので、メタ
ンガスの警報レベル＆２０００ｐｐｍ以上に設定してお
けば、前記都市ガス検出警報装置は、水素やエタノール
ガスによる誤動作を起すこと″のないものとなる。一般
に、都市ガスでは、メタンガスの濃度が１２５００ｐｐ
ｍ以下で警報を発すればよいことになっているので、前
述の都市ガス検出警報装置は、その警報レベルをさらに
高レベルにまで上げることもできる。
ガス検出警報装置として使用した場合、一般に都市ガス
における水素やエタノールガスによる妨害ガスの濃度は
、せいぜい１０００〜２０００ｐｐｍであるので、メタ
ンガスの警報レベル＆２０００ｐｐｍ以上に設定してお
けば、前記都市ガス検出警報装置は、水素やエタノール
ガスによる誤動作を起すこと″のないものとなる。一般
に、都市ガスでは、メタンガスの濃度が１２５００ｐｐ
ｍ以下で警報を発すればよいことになっているので、前
述の都市ガス検出警報装置は、その警報レベルをさらに
高レベルにまで上げることもできる。
以上、ガス検知材料としてｎ型の酸化物半導体である８
ｎ Ｏ，を用いた、メタンガスに対して選択性の高い
ガス検出素子の実施例を説明したが、次に、別のｎ型酸
化物半導体であるＺｎＯをガス検知材料として用いた本
発明の実施例について説明する。
ｎ Ｏ，を用いた、メタンガスに対して選択性の高い
ガス検出素子の実施例を説明したが、次に、別のｎ型酸
化物半導体であるＺｎＯをガス検知材料として用いた本
発明の実施例について説明する。
この実施例によるガス検出素子は、第１図に示した実施
例と同じ構造であ′す、第１図の実施例の製造工程と同
様に製造されるが、前述の製造工程■において、ＺｎＯ
粉末８９ｗ１％、Ｐｄ粉末１ｗｔチ、Ｐ ｂ Ｏ−Ｔ
ｉ Ｏ，−８ｉ ０．系ガラス１０ｗｔ％から成るガス
検知材料を用いる点での）み相違する。ガス検知材料層
３の表面に設けられる被覆層５及び６を種々の異なる酸
化物半導体ｒより形成して得たガス検出素子について、
第１表に示したと同一の条件で試験を行なって得た結果
を、比較のため被覆層を設けなかったガス検出素子の特
性とともに第２表に示す。
例と同じ構造であ′す、第１図の実施例の製造工程と同
様に製造されるが、前述の製造工程■において、ＺｎＯ
粉末８９ｗ１％、Ｐｄ粉末１ｗｔチ、Ｐ ｂ Ｏ−Ｔ
ｉ Ｏ，−８ｉ ０．系ガラス１０ｗｔ％から成るガス
検知材料を用いる点での）み相違する。ガス検知材料層
３の表面に設けられる被覆層５及び６を種々の異なる酸
化物半導体ｒより形成して得たガス検出素子について、
第１表に示したと同一の条件で試験を行なって得た結果
を、比較のため被覆層を設けなかったガス検出素子の特
性とともに第２表に示す。
第 ２ 表
第２表から明らかなように、ｐ型及びｎ型の酸化物半導
体による被覆層を有する資料Ｎ００２〜Ｎｏ、９に示す
本発明ＶＣよるガス検出素子は、資料Ｎｏ、１に示す被
覆層のない従来のガス検出素子に比較して、水素及びエ
タノールガス圧対するガスするガス検出感度が大幅に増
加し、プロパンガスに対するガス選択性が向上している
ことがわかる、このことから、第２表に示す実施例によ
るガス検出素子は、プロパンガス検出素子として適（７
て（・ることかわかる。
体による被覆層を有する資料Ｎ００２〜Ｎｏ、９に示す
本発明ＶＣよるガス検出素子は、資料Ｎｏ、１に示す被
覆層のない従来のガス検出素子に比較して、水素及びエ
タノールガス圧対するガスするガス検出感度が大幅に増
加し、プロパンガスに対するガス選択性が向上している
ことがわかる、このことから、第２表に示す実施例によ
るガス検出素子は、プロパンガス検出素子として適（７
て（・ることかわかる。
次に、本発明によるガス検出素子のさらに他の実施例を
図面について説明する。
図面について説明する。
第２図（ａ）及び（ｂ）は、本発明によるシート型のガ
ス検出素子の一実施例を示す平面図及び断面図であり、
第１図（ａ）、Ｃｂ）ＶＣ対応する部分には同一符号を
つけている。
ス検出素子の一実施例を示す平面図及び断面図であり、
第１図（ａ）、Ｃｂ）ＶＣ対応する部分には同一符号を
つけている。
第２図（ａ）及び（ｂ）Ｋ示すシート型のガス検出素子
は、下部電極２を対向して２個設け、上部電極４を不必
要とし、２個の対向する下部ｗ袷２の間にガス検知材料
層３を設けた点で、第１図に示すサンドウィッチ型のガ
ス検知素子と相違″ｆ ′る。従って、その製造方
法は、第１図に示すガス検知素子の製造工程において、
上部電檜４を形成する工程が不必要となる代りに下部電
極２を形成ｆる工程で２個の下部電極２を対向して形成
する点で第１図に示すガス検出素子の製造方法と相違−
（るがその他の点では同じである。また、この実施例に
おいては、ガス検知材料として、ＮｉＯ粉木８９ｗｔ％
、Ｐｄ粉末１ｗ１％、Ｐｂ０−ＴｉＱ、−８ｉ０．系ガ
ラス１０ ｗ ｔ ％から成るｐ型の酸化物半導体を用
いた。ガス検知材料層３の表面に設けられる被覆層５及
び６を種々の異なる酸化物半導体より形成した第２図に
示すガス検出素子について、素子の温度を約３００℃と
し、その他の条件を第１表及び絽２表の場合と同じにし
て試験を行なって得た結果を、比較のため被覆層を設け
なかったガス検出素子の特性とともに第３表第３表から
明らかなように、ｎ型及びｐ型の酸化物半導体による被
覆層５及び６を有する資料Ｎ００２〜Ｎｏ、４に示す本
発明のガス検出素子は、資料Ｎｏ、１に示す被覆層のな
い従来のガス検出素子に比較して、エタノールガスに対
するガス検出感度が大幅に減少し、水素ガスに対するガ
ス検出感度がほとんど変化していないため、水素ガスに
対する選択性が向上していることがわかる。このことか
ら、第３表に示す本発明の実施例によるガス検出素子は
、還元炉尋における水素ガスのもれを検出するためのガ
ス検出素子として適していることがわかる。
は、下部電極２を対向して２個設け、上部電極４を不必
要とし、２個の対向する下部ｗ袷２の間にガス検知材料
層３を設けた点で、第１図に示すサンドウィッチ型のガ
ス検知素子と相違″ｆ ′る。従って、その製造方
法は、第１図に示すガス検知素子の製造工程において、
上部電檜４を形成する工程が不必要となる代りに下部電
極２を形成ｆる工程で２個の下部電極２を対向して形成
する点で第１図に示すガス検出素子の製造方法と相違−
（るがその他の点では同じである。また、この実施例に
おいては、ガス検知材料として、ＮｉＯ粉木８９ｗｔ％
、Ｐｄ粉末１ｗ１％、Ｐｂ０−ＴｉＱ、−８ｉ０．系ガ
ラス１０ ｗ ｔ ％から成るｐ型の酸化物半導体を用
いた。ガス検知材料層３の表面に設けられる被覆層５及
び６を種々の異なる酸化物半導体より形成した第２図に
示すガス検出素子について、素子の温度を約３００℃と
し、その他の条件を第１表及び絽２表の場合と同じにし
て試験を行なって得た結果を、比較のため被覆層を設け
なかったガス検出素子の特性とともに第３表第３表から
明らかなように、ｎ型及びｐ型の酸化物半導体による被
覆層５及び６を有する資料Ｎ００２〜Ｎｏ、４に示す本
発明のガス検出素子は、資料Ｎｏ、１に示す被覆層のな
い従来のガス検出素子に比較して、エタノールガスに対
するガス検出感度が大幅に減少し、水素ガスに対するガ
ス検出感度がほとんど変化していないため、水素ガスに
対する選択性が向上していることがわかる。このことか
ら、第３表に示す本発明の実施例によるガス検出素子は
、還元炉尋における水素ガスのもれを検出するためのガ
ス検出素子として適していることがわかる。
以上説明したように、本発明によれば、ガス検出材料の
表面Ｋｐ型及びｎ型の酸化物半導体より成る被覆層を少
なくとも１層づつ設けることＫより、所定のガスに対す
る感応が著しく増大してガス識別機能が向上し、上記従
来技術の欠点を餘いて優れた機能のガス検出素子を提供
することができろ。
表面Ｋｐ型及びｎ型の酸化物半導体より成る被覆層を少
なくとも１層づつ設けることＫより、所定のガスに対す
る感応が著しく増大してガス識別機能が向上し、上記従
来技術の欠点を餘いて優れた機能のガス検出素子を提供
することができろ。
第１図（１）及び（ｂ）は、本発明によるガス検出素子
の一実施例を示す平面図及び断面図、第２図（ａ）及び
（ｂ）は、本発明によるガス検出素子の他の実施例を示
す平面図及び断面図である。 ｌ・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・下部電極
、３・・・・・・ガス検知材料層、４・・・・・・上部
電極、５，６・・・・・・被覆層、７・・・・・・加熱
ヒータ。
の一実施例を示す平面図及び断面図、第２図（ａ）及び
（ｂ）は、本発明によるガス検出素子の他の実施例を示
す平面図及び断面図である。 ｌ・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・下部電極
、３・・・・・・ガス検知材料層、４・・・・・・上部
電極、５，６・・・・・・被覆層、７・・・・・・加熱
ヒータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 酸化物半導体からなるガス検知材料層を備え
たガス検出素子において、前記ガス検知材料！のガスと
接触する面に、ｐ型酸化物半導１体よ、りなる被覆層及
びｎ型酸化物半導体よりなる竺１、種層を、それぞれ少
、なくとも一層づつ積層５して設けたこと１、を％徴と
するガス検出素子。 （２、特許請求の範囲第（１＞項において、ｐ型酸化物
半導体トシテ、Ｎ ｊ Ｏ，Ｌ ａ ？ｊｉ、、、０．
またはスピネル型材料である（ Ｍｎ、 Ｃｏ、、、
、Ｎ ｔ、 λｊ ）ｓ０４を用いることを特徴と
、するガス検出素子。 （３）特許請求の範囲第（１）項において、ｎ型、酸化
物半導体トシテ、８ｎＯ，、ＷＯ，、Ｔａ、０．、Ｚｎ
ｏ、Ｆｅ、０．、Ｔ ｉｏ、 、Ｎｂ、０．を用いるこ
とを４１）徴ζするガス検出素子。 、
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075096A JPS58191962A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | ガス検出素子 |
| US06/489,179 US4481499A (en) | 1982-05-07 | 1983-04-27 | Gas detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075096A JPS58191962A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | ガス検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58191962A true JPS58191962A (ja) | 1983-11-09 |
| JPH051416B2 JPH051416B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=13566290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075096A Granted JPS58191962A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | ガス検出素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4481499A (ja) |
| JP (1) | JPS58191962A (ja) |
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| JPS6165151A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Shinkosumosu Denki Kk | ガス検知素子 |
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| US9947460B2 (en) | 2013-08-22 | 2018-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oxide ceramic and ceramic electronic component |
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| WO2015179751A1 (en) | 2012-03-14 | 2015-11-26 | Anastasia Rigas | Breath analyzer and breath test methods |
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- 1982-05-07 JP JP57075096A patent/JPS58191962A/ja active Granted
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1983
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Also Published As
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|---|---|
| JPH051416B2 (ja) | 1993-01-08 |
| US4481499A (en) | 1984-11-06 |
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