JPH11183420A - 薄膜ガスセンサ - Google Patents
薄膜ガスセンサInfo
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- JPH11183420A JPH11183420A JP34790697A JP34790697A JPH11183420A JP H11183420 A JPH11183420 A JP H11183420A JP 34790697 A JP34790697 A JP 34790697A JP 34790697 A JP34790697 A JP 34790697A JP H11183420 A JPH11183420 A JP H11183420A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で消費電力が小さく、従来の素子と同等
以上の感度とガス選択性を有する薄膜ガスセンサを提供
する。 【解決手段】 本発明は、基板１と、前記基板上に間隔
を持って一対に形成された電極３と、前記電極間上に積
層され、被検ガスに反応して電気抵抗値を変化させる酸
化物半導体から成るセンサ薄膜層４と、前記センサ薄膜
層上に積層され、被検ガスの検出感度を高める触媒層５
と、前記触媒層上に積層され、被検ガス以外の媒質を選
択的に燃焼させる選択燃焼層６を備える。
以上の感度とガス選択性を有する薄膜ガスセンサを提供
する。 【解決手段】 本発明は、基板１と、前記基板上に間隔
を持って一対に形成された電極３と、前記電極間上に積
層され、被検ガスに反応して電気抵抗値を変化させる酸
化物半導体から成るセンサ薄膜層４と、前記センサ薄膜
層上に積層され、被検ガスの検出感度を高める触媒層５
と、前記触媒層上に積層され、被検ガス以外の媒質を選
択的に燃焼させる選択燃焼層６を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可燃性ガスを検知
するためのガス検知装置（ガスセンサ）に関し、より詳
細には都市ガス（メタン）や不完全燃焼時に発生するＣ
Ｏガスを検知するためのガス漏れ警報器に搭載するガス
センサに関する。
するためのガス検知装置（ガスセンサ）に関し、より詳
細には都市ガス（メタン）や不完全燃焼時に発生するＣ
Ｏガスを検知するためのガス漏れ警報器に搭載するガス
センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のガス漏れ警報器に搭載される酸化
物半導体を用いたガス検知装置としては、微量な触媒を
添加したＳｎＯ2を主成分とした焼結体内部に電極と加
熱用ヒータコイルを内蔵して作製される焼結体素子や、
同じく触媒を添加したＳｎＯ2ペーストをヒータ付き基
板に印刷して作製される厚膜型素子がある。双方ともヒ
ータで加熱された酸化物半導体表面でのガスの吸脱着に
よる電気抵抗変化を利用してガスを検出するものであ
る。
物半導体を用いたガス検知装置としては、微量な触媒を
添加したＳｎＯ2を主成分とした焼結体内部に電極と加
熱用ヒータコイルを内蔵して作製される焼結体素子や、
同じく触媒を添加したＳｎＯ2ペーストをヒータ付き基
板に印刷して作製される厚膜型素子がある。双方ともヒ
ータで加熱された酸化物半導体表面でのガスの吸脱着に
よる電気抵抗変化を利用してガスを検出するものであ
る。
【０００３】前記焼結体素子は、ＳｎＯ2にＰｔやＰｄ
を微量添加した粉末にバインダーなどを添加して作製し
たペーストを、Ｐｔ線等を用いて作製されたコイルヒー
タ電極に塗布し、焼結して作製される。
を微量添加した粉末にバインダーなどを添加して作製し
たペーストを、Ｐｔ線等を用いて作製されたコイルヒー
タ電極に塗布し、焼結して作製される。
【０００４】前記厚膜型素子は、ＳｎＯ2にＰｔやＰｄ
を微量添加した粉末にバインダーなどを添加して作製し
たペーストを、酸化ルテニウムやＰｔなどで作製された
ヒータが形成してあるアルミナ基板等にスクリーン印刷
して厚膜を形成し、さらに焼結して作製される。
を微量添加した粉末にバインダーなどを添加して作製し
たペーストを、酸化ルテニウムやＰｔなどで作製された
ヒータが形成してあるアルミナ基板等にスクリーン印刷
して厚膜を形成し、さらに焼結して作製される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般的
にガスセンサはメタンやＣＯよりアルコールや水素に高
い感度を示すという不都合があり、動作温度、触媒添加
の工夫、活性炭フィルタなどを用いてある程度の選択性
を改善して実用化しているが、現状では不十分である。
また、従来の焼結体素子や厚膜型素子は、比較的素子サ
イズが大きいため熱容量が大きくなり、ヒータ加熱の消
費電力が大きいという不都合もある。この点から薄膜セ
ンサも検討されているが、焼結体素子や厚膜型素子に比
べ、感度やガス選択性等の点で劣るという不都合があ
る。
にガスセンサはメタンやＣＯよりアルコールや水素に高
い感度を示すという不都合があり、動作温度、触媒添加
の工夫、活性炭フィルタなどを用いてある程度の選択性
を改善して実用化しているが、現状では不十分である。
また、従来の焼結体素子や厚膜型素子は、比較的素子サ
イズが大きいため熱容量が大きくなり、ヒータ加熱の消
費電力が大きいという不都合もある。この点から薄膜セ
ンサも検討されているが、焼結体素子や厚膜型素子に比
べ、感度やガス選択性等の点で劣るという不都合があ
る。
【０００６】そこで本発明は、上記不都合を解決し、小
型で消費電力が小さく、従来の素子と同等以上の感度と
ガス選択性を有する薄膜ガスセンサを提供しようとする
ものである。
型で消費電力が小さく、従来の素子と同等以上の感度と
ガス選択性を有する薄膜ガスセンサを提供しようとする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、基板と、前記基板上に間隔
を持って一対に形成された電極と、前記電極間上に積層
され、被検ガスに反応して電気抵抗値を変化させる酸化
物半導体から成るセンサ薄膜層と、前記センサ薄膜層上
に積層され、被検ガスの検出感度を高める触媒層と、前
記触媒層上に積層され、被検ガス以外の媒質を選択的に
燃焼させる選択燃焼層を備えることを特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、基板と、前記基板上に間隔
を持って一対に形成された電極と、前記電極間上に積層
され、被検ガスに反応して電気抵抗値を変化させる酸化
物半導体から成るセンサ薄膜層と、前記センサ薄膜層上
に積層され、被検ガスの検出感度を高める触媒層と、前
記触媒層上に積層され、被検ガス以外の媒質を選択的に
燃焼させる選択燃焼層を備えることを特徴とする。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の薄
膜ガスセンサにおいて、前記センサ薄膜層は、膜厚０．
２〜１．０μｍの酸化スズから構成されることを特徴と
する。
膜ガスセンサにおいて、前記センサ薄膜層は、膜厚０．
２〜１．０μｍの酸化スズから構成されることを特徴と
する。
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載の薄膜ガスセンサにおいて、前記触媒層は、Ｐｔ又
はＰｄＯから構成され、膜厚１．５〜５ｎｍであること
を特徴とする。
記載の薄膜ガスセンサにおいて、前記触媒層は、Ｐｔ又
はＰｄＯから構成され、膜厚１．５〜５ｎｍであること
を特徴とする。
【００１０】請求項４記載の発明は、請求項１、２、ま
たは３記載の薄膜ガスセンサにおいて、前記選択燃焼層
は、Ｎ型若しくはＰ型の酸化物半導体から構成され、膜
厚０．０５〜０．５μｍであることを特徴とする。
たは３記載の薄膜ガスセンサにおいて、前記選択燃焼層
は、Ｎ型若しくはＰ型の酸化物半導体から構成され、膜
厚０．０５〜０．５μｍであることを特徴とする。
【００１１】請求項５記載の発明は、請求項４記載の薄
膜ガスセンサにおいて、前記Ｎ型若しくはＰ型の酸化物
半導体は、ＺｎＯ、ＮｉＯ、またはＦｅ2Ｏ3であること
を特徴とする。
膜ガスセンサにおいて、前記Ｎ型若しくはＰ型の酸化物
半導体は、ＺｎＯ、ＮｉＯ、またはＦｅ2Ｏ3であること
を特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図に沿って本発明の実施形
態を説明する。図１は実施形態の平面図、図２は実施形
態の縦断面図である。図１、図２に基づいて、実施形態
の構成を説明する。基板１は、Ｓｉ基板であり、表面に
ＳｉＯ2酸化膜２が形成されている。基板１上には間隔
をもって一対に形成されたＰｔ電極３が形成され、当該
電極間には酸化スズからなるセンサ薄膜層４が形成され
る。センサ薄膜層４上には被検ガスの感度を向上させる
ための触媒層５が形成される。さらに、触媒層５上に
は、アルコールや水素を選択的に燃焼する選択燃焼層６
が形成される。
態を説明する。図１は実施形態の平面図、図２は実施形
態の縦断面図である。図１、図２に基づいて、実施形態
の構成を説明する。基板１は、Ｓｉ基板であり、表面に
ＳｉＯ2酸化膜２が形成されている。基板１上には間隔
をもって一対に形成されたＰｔ電極３が形成され、当該
電極間には酸化スズからなるセンサ薄膜層４が形成され
る。センサ薄膜層４上には被検ガスの感度を向上させる
ための触媒層５が形成される。さらに、触媒層５上に
は、アルコールや水素を選択的に燃焼する選択燃焼層６
が形成される。
【００１３】次に、実施形態の製造方法について説明す
る。基板１は、表面に厚さ０．５μｍのＳｉＯ2酸化膜
２が形成された厚さ４００μｍのＳｉ基板である。基板
１を有機溶剤などでよく洗浄後、ＲＦマグネトロンスパ
ッタリング装置でＰｔ電極３を成膜する。Ｐｔ電極３の
成膜条件は、Ａｒガス圧力１Ｐａ、基板温度３００℃、
ＲＦパワー２Ｗ／ｃｍ2、膜厚２００ｎｍである。Ｐｔ
電極成膜後、酸化スズからなるセンサ薄膜層４を成膜す
る。成膜は、マグネトロンスパッタリング装置で反応性
スパッタリングを行う。成膜条件は、Ａｒ＋Ｏ2ガス圧
力２Ｐａ、基板温度３００℃、ＲＦパワー２Ｗ／ｃ
ｍ2、膜厚４００ｎｍである。この条件で成膜すると、
柱状構造を有するＳｎＯ2薄膜が形成される。次に触媒
層５としてＰｔ薄膜を形成する。触媒層５の成膜条件
は、Ａｒガス圧力２Ｐａ、基板温度３００℃、ＲＦパワ
ー０．５Ｗ／ｃｍ2、膜厚３ｎｍである。この条件で成
膜すると、酸化スズ薄膜上にＰｔの粒子が分散して成膜
され、膜状にはならず、島状にＰｔ粒子が存在するよう
になる。
る。基板１は、表面に厚さ０．５μｍのＳｉＯ2酸化膜
２が形成された厚さ４００μｍのＳｉ基板である。基板
１を有機溶剤などでよく洗浄後、ＲＦマグネトロンスパ
ッタリング装置でＰｔ電極３を成膜する。Ｐｔ電極３の
成膜条件は、Ａｒガス圧力１Ｐａ、基板温度３００℃、
ＲＦパワー２Ｗ／ｃｍ2、膜厚２００ｎｍである。Ｐｔ
電極成膜後、酸化スズからなるセンサ薄膜層４を成膜す
る。成膜は、マグネトロンスパッタリング装置で反応性
スパッタリングを行う。成膜条件は、Ａｒ＋Ｏ2ガス圧
力２Ｐａ、基板温度３００℃、ＲＦパワー２Ｗ／ｃ
ｍ2、膜厚４００ｎｍである。この条件で成膜すると、
柱状構造を有するＳｎＯ2薄膜が形成される。次に触媒
層５としてＰｔ薄膜を形成する。触媒層５の成膜条件
は、Ａｒガス圧力２Ｐａ、基板温度３００℃、ＲＦパワ
ー０．５Ｗ／ｃｍ2、膜厚３ｎｍである。この条件で成
膜すると、酸化スズ薄膜上にＰｔの粒子が分散して成膜
され、膜状にはならず、島状にＰｔ粒子が存在するよう
になる。
【００１４】Ｐｔ薄膜から成る触媒層５の有無によるガ
スセンサとしての特性比較を図３に示す。図中縦軸のガ
ス感度は、空気中でのＰｔ電極３間の抵抗値をＲｏと
し、メタン、ＣＯ、水素中での各抵抗値をＲｇとしたと
き、Ｒｏ／Ｒｇで評価した。評価したガス濃度は、メタ
ン２０００ｐｐｍ，ＣＯ１００ｐｐｍ、水素１０００ｐ
ｐｍである。図中横軸のセンサ温度は３００〜５００℃
の範囲で測定した。
スセンサとしての特性比較を図３に示す。図中縦軸のガ
ス感度は、空気中でのＰｔ電極３間の抵抗値をＲｏと
し、メタン、ＣＯ、水素中での各抵抗値をＲｇとしたと
き、Ｒｏ／Ｒｇで評価した。評価したガス濃度は、メタ
ン２０００ｐｐｍ，ＣＯ１００ｐｐｍ、水素１０００ｐ
ｐｍである。図中横軸のセンサ温度は３００〜５００℃
の範囲で測定した。
【００１５】図３（ａ）はメタンに対する感度比較であ
る。Ｐｔ薄膜から成る触媒層５のないもの（図１、２に
おいて、触媒層５及び選択燃焼層６を除いたもの）は、
最高感度を示す温度が５００℃と高く、感度も１３程度
と低いのに対して、触媒層５を積層したもの（図１、２
において、選択燃焼層６を除いたもの）は、センサ温度
３５０℃において感度２００以上を示す。このように触
媒層５の積層は、メタンガスに対しての最高感度の大幅
な向上と検知可能温度の低温化を達成することができ
る。
る。Ｐｔ薄膜から成る触媒層５のないもの（図１、２に
おいて、触媒層５及び選択燃焼層６を除いたもの）は、
最高感度を示す温度が５００℃と高く、感度も１３程度
と低いのに対して、触媒層５を積層したもの（図１、２
において、選択燃焼層６を除いたもの）は、センサ温度
３５０℃において感度２００以上を示す。このように触
媒層５の積層は、メタンガスに対しての最高感度の大幅
な向上と検知可能温度の低温化を達成することができ
る。
【００１６】図３（ｂ）は、ＣＯガスに対する感度比較
を示す。触媒層５の積層効果は、低温での多少の感度向
上は認められるが、特に大きな効果はない。
を示す。触媒層５の積層効果は、低温での多少の感度向
上は認められるが、特に大きな効果はない。
【００１７】図３（ｃ）は、水素ガスに対する感度比較
を示す。触媒層５のないものは、最高感度を示す温度が
５００℃と高く、感度も５０程度なのに対して、触媒層
５を積層したものは、センサ温度４００℃で感度２００
以上を示す。このように触媒層５の積層は、水素ガスに
対しての最高感度の大幅な向上と検知可能温度の低温化
を達成することができる。上述したように、メタンに対
する感度を向上させようとすると水素に対する感度も向
上してしまうという不都合があり、これを解決する手段
が後述する選択燃焼層６である。
を示す。触媒層５のないものは、最高感度を示す温度が
５００℃と高く、感度も５０程度なのに対して、触媒層
５を積層したものは、センサ温度４００℃で感度２００
以上を示す。このように触媒層５の積層は、水素ガスに
対しての最高感度の大幅な向上と検知可能温度の低温化
を達成することができる。上述したように、メタンに対
する感度を向上させようとすると水素に対する感度も向
上してしまうという不都合があり、これを解決する手段
が後述する選択燃焼層６である。
【００１８】ＺｎＯはｎ型酸化物半導体であり、ガスセ
ンサ材料として機能するものである。このＺｎＯは、上
記Ｐｔ薄膜から成る触媒層５を積層したＳｎＯ2センサ
薄膜層４の抵抗率より高い抵抗率を示す。図４は、Ａｒ
＋Ｏ2ガス圧力１Ｐａ、基板温度３００℃、ＲＦパワー
４Ｗ／ｃｍ2、膜厚１００ｎｍの条件で成膜したＺｎＯ
膜と、Ｐｔ薄膜から成る触媒層５を積層したＳｎＯ2セ
ンサ薄膜層４の抵抗率の温度変化を示したものである。
上記条件で成膜すると、容易に柱状構造を有するＺｎＯ
薄膜が形成される。図４から、センサの使用温度である
３５０℃程度でも、Ｐｔ薄膜から成る触媒層５を積層し
たＳｎＯ2センサ薄膜層４に比べ、１桁以上高い抵抗率
を示すことがわかる。したがって、ＺｎＯ膜を、Ｐｔ薄
膜から成る触媒層５を積層したＳｎＯ2センサ薄膜層４
に積層しても、当該ＺｎＯ膜に電流が流れることはな
い。
ンサ材料として機能するものである。このＺｎＯは、上
記Ｐｔ薄膜から成る触媒層５を積層したＳｎＯ2センサ
薄膜層４の抵抗率より高い抵抗率を示す。図４は、Ａｒ
＋Ｏ2ガス圧力１Ｐａ、基板温度３００℃、ＲＦパワー
４Ｗ／ｃｍ2、膜厚１００ｎｍの条件で成膜したＺｎＯ
膜と、Ｐｔ薄膜から成る触媒層５を積層したＳｎＯ2セ
ンサ薄膜層４の抵抗率の温度変化を示したものである。
上記条件で成膜すると、容易に柱状構造を有するＺｎＯ
薄膜が形成される。図４から、センサの使用温度である
３５０℃程度でも、Ｐｔ薄膜から成る触媒層５を積層し
たＳｎＯ2センサ薄膜層４に比べ、１桁以上高い抵抗率
を示すことがわかる。したがって、ＺｎＯ膜を、Ｐｔ薄
膜から成る触媒層５を積層したＳｎＯ2センサ薄膜層４
に積層しても、当該ＺｎＯ膜に電流が流れることはな
い。
【００１９】図５にＺｎＯ膜のガスセンサとしての特性
を示す。図中縦軸のガス感度の定義は、図３と同様であ
る。評価したガス濃度は、メタン２０００ｐｐｍ、ＣＯ
１００ｐｐｍ、水素１０００ｐｐｍである。図中横軸の
センサ温度は、３００〜５００℃の範囲で測定した。図
５から、ＺｎＯ膜は水素ガスに対してはある程度の感度
を示すが、メタンにはほとんど反応しないことがわか
る。
を示す。図中縦軸のガス感度の定義は、図３と同様であ
る。評価したガス濃度は、メタン２０００ｐｐｍ、ＣＯ
１００ｐｐｍ、水素１０００ｐｐｍである。図中横軸の
センサ温度は、３００〜５００℃の範囲で測定した。図
５から、ＺｎＯ膜は水素ガスに対してはある程度の感度
を示すが、メタンにはほとんど反応しないことがわか
る。
【００２０】上記ＺｎＯ膜を、前記Ｐｔ薄膜から成る触
媒層５の上に選択燃焼層６として積層する（図２参
照）。水素ガスは、ＺｎＯ膜から成る選択燃焼層６によ
りある程度燃焼されるが、メタンは燃焼されることはな
い。また、ＺｎＯ膜は、前述したように柱状構造に形成
されているため、多くの細孔があり、容易にメタンガス
を透過する性質を示す。
媒層５の上に選択燃焼層６として積層する（図２参
照）。水素ガスは、ＺｎＯ膜から成る選択燃焼層６によ
りある程度燃焼されるが、メタンは燃焼されることはな
い。また、ＺｎＯ膜は、前述したように柱状構造に形成
されているため、多くの細孔があり、容易にメタンガス
を透過する性質を示す。
【００２１】図６は、ＺｎＯ膜から成る選択燃焼層６を
積層し、３層構造の構成にした本実施形態（図１、図２
に示す）のガス検知特性である。図６から、メタン感度
の多少の低下は認められるが、水素感度は大きく低下
し、結果的にメタンに対して高い選択性を有する薄膜ガ
スセンサであることがわかる。水素ガスが存在する場合
は、ＺｎＯ膜から成る選択燃焼層６である程度反応し、
選択燃焼層６の抵抗値は変化するが、当該選択燃焼層６
の抵抗値は、下部の触媒層５を積層したセンサ薄膜層４
より高いため、Ｐｔ電極３により検出されるセンサ抵抗
値としてはほとんど変化しない。一方、メタンガスが存
在する場合には、選択燃焼層６を透過したメタンガスは
触媒層５を積層したセンサ薄膜層４で反応し、抵抗値が
低下するため、Ｐｔ電極３により検出されるセンサ抵抗
値は変化し、メタンガスの存在を検出することができ
る。
積層し、３層構造の構成にした本実施形態（図１、図２
に示す）のガス検知特性である。図６から、メタン感度
の多少の低下は認められるが、水素感度は大きく低下
し、結果的にメタンに対して高い選択性を有する薄膜ガ
スセンサであることがわかる。水素ガスが存在する場合
は、ＺｎＯ膜から成る選択燃焼層６である程度反応し、
選択燃焼層６の抵抗値は変化するが、当該選択燃焼層６
の抵抗値は、下部の触媒層５を積層したセンサ薄膜層４
より高いため、Ｐｔ電極３により検出されるセンサ抵抗
値としてはほとんど変化しない。一方、メタンガスが存
在する場合には、選択燃焼層６を透過したメタンガスは
触媒層５を積層したセンサ薄膜層４で反応し、抵抗値が
低下するため、Ｐｔ電極３により検出されるセンサ抵抗
値は変化し、メタンガスの存在を検出することができ
る。
【００２２】なお、選択燃焼層６は、ＺｎＯ膜に限定さ
れることはなく、たとえばＮｉＯ，Ｆｅ２Ｏ３などのＮ
型又はＰ型の酸化物半導体薄膜を使用することもでき
る。但し、選択燃焼層６の抵抗値は、触媒層５を積層し
たセンサ薄膜層４の抵抗値より高くなければならない。
れることはなく、たとえばＮｉＯ，Ｆｅ２Ｏ３などのＮ
型又はＰ型の酸化物半導体薄膜を使用することもでき
る。但し、選択燃焼層６の抵抗値は、触媒層５を積層し
たセンサ薄膜層４の抵抗値より高くなければならない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように請求項１、２、３、４、ま
たは５記載の発明によれば、従来の焼結体素子、厚膜型
素子と同等以上の感度を有し、選択燃焼層の作用により
特定のガス（例えばメタン）に高い選択性を有する薄膜
ガスセンサを提供することができる。さらに、小型化が
可能であり、従来の焼結体素子、厚膜型素子に比べ格段
に熱容量を小さくでき、消費電力を低減することができ
る。
たは５記載の発明によれば、従来の焼結体素子、厚膜型
素子と同等以上の感度を有し、選択燃焼層の作用により
特定のガス（例えばメタン）に高い選択性を有する薄膜
ガスセンサを提供することができる。さらに、小型化が
可能であり、従来の焼結体素子、厚膜型素子に比べ格段
に熱容量を小さくでき、消費電力を低減することができ
る。
【図１】実施形態の平面図である。
【図２】実施形態の断面図である。
【図３】触媒層の有無によるガスセンサとしての特性比
較図である。
較図である。
【図４】ＺｎＯの抵抗率の温度変化図である。
【図５】ＺｎＯ膜のガスセンサとしての特性図である。
【図６】実施形態のガス感度特性図である。
１ 基板 ２ ＳｉＯ2酸化膜 ３ Ｐｔ電極 ４ センサ薄膜層 ５ 触媒層 ６ 選択燃焼層
フロントページの続き (72)発明者 津田 孝一 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 被検ガスの有無を検出する薄膜ガスセン
サにおいて、 基板と、 前記基板上に間隔を持って一対に形成された電極と、 前記電極間上に積層され、被検ガスに反応して電気抵抗
値を変化させる酸化物半導体から成るセンサ薄膜層と、 前記センサ薄膜層上に積層され、被検ガスの検出感度を
高める触媒層と、 前記触媒層上に積層され、被検ガス以外の媒質を選択的
に燃焼させる選択燃焼層を備えることを特徴とする薄膜
ガスセンサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜ガスセンサにおい
て、 前記センサ薄膜層は、膜厚０．２〜１．０μｍの酸化ス
ズから構成されることを特徴とする薄膜ガスセンサ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の薄膜ガスセンサ
において、 前記触媒層は、Ｐｔ又はＰｄＯから構成され、膜厚１．
５〜５ｎｍであることを特徴とする薄膜ガスセンサ。 - 【請求項４】 請求項１、２、または３記載の薄膜ガス
センサにおいて、 前記選択燃焼層は、Ｎ型若しくはＰ型の酸化物半導体か
ら構成され、膜厚０．０５〜０．５μｍであることを特
徴とする薄膜ガスセンサ。 - 【請求項５】 請求項４記載の薄膜ガスセンサにおい
て、 前記Ｎ型若しくはＰ型の酸化物半導体は、ＺｎＯ、Ｎｉ
Ｏ、またはＦｅ2Ｏ3であることを特徴とする薄膜ガスセ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34790697A JPH11183420A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 薄膜ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34790697A JPH11183420A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 薄膜ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11183420A true JPH11183420A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18393416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34790697A Withdrawn JPH11183420A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 薄膜ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11183420A (ja) |
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