JP2008082972A - 水素センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、該基板上に形成された希土類金属からなる検知膜と、該検知膜上に形成された保護膜であって前記保護膜はセラミックス材料中に水素透過性金属粒子を分散してなる保護膜と、該保護膜上に離間して形成され該保護膜を介して検知膜と電気的に接続される一対の電極と、を有する水素センサ。前記水素透過性金属粒子は、Pd、Pt、Nb、V、Taであり、その好ましい含有量は20〜70質量%である。保護膜の電極間方向の抵抗値は10〜100000Ω、検知膜の電極間方向の抵抗値は保護膜の電極間方向の抵抗値より小さい値であることが好ましい。
【選択図】図1
Description
上記検知膜3は、水素検知機能を有する希土類金属を主成分とする。希土類金属はイットリウム、セリウム及びランタンより成る群から選ばれる少なくとも1種であることが、水素検知能力に優れるので好ましい。検知膜は、例えば、真空雰囲気下で基板上に希土類金属を気相成長法又はアルゴン雰囲気下でスパッタリング法で成膜することができる。
図1中の保護膜5は水素透過性金属粒子13がセラミックス材料15中に分散した薄膜である。
図1中の水素透過性金属粒子を分散しているマトリックス層を構成するセラミックス材料15には、アルミニウム(Al)又は珪素(Si)の窒化物、及び/又は酸化物を用いることができる。或いは希土類金属の珪化物を用いることができる。これらのセラミックス材料のうち、AlNx1、AlOx2、SiNx3、SiOx4(但し、0.5≦x1≦1、0.8≦x2≦1.5、0.7≦x3≦1.3、1≦x4≦2)が好ましい。
電極には、金、白金、パラジウム、チタン、アルミニウム、銅、銀等の導電性材料を用いることができる。好ましい電極材料は、金、銅、白金等である。
本発明の水素センサは、例えば以下の方法により製造することができる。最初に基板の少なくとも片面に気相成長法又はスパッタリング法により検知膜を形成させる。次いで該検知膜の上に気相成長法又はスパッタリング法により保護膜を成膜する。その後、保護膜上に気相成長法又はスパッタリング法により電極を形成する。
高周波マグネトロンスパッタリング装置を用い、セラミックス基板上に、図1に示す水素センサーを作製した。
Y薄膜の厚みを100nmとし、その上に厚み20nmの保護膜(マトリックスとしてSiNx3(x3=1.0)を使用)を形成した以外は、実施例1と同様にして水素センサを得た。Y薄膜の抵抗値は160Ω、保護膜の抵抗値は300Ωである。この水素センサについても実施例1と同様に水素ガスの濃度を測定したところ、1%未満の低濃度の水素ガスを良く検知するものであった。
電極を基板と検知膜との間に形成した図7(b)に示す構造のセンサとした以外は、実施例2と同様の水素センサを得た。
2 基板
3 検知膜
5 保護膜
7、9 電極
13 水素透過性金属粒子
15 セラミックスマトリックス
d 電極の間隔
t3 検知膜の厚み
t5 保護膜の厚み
Claims (11)
- 基板と、該基板上に形成された希土類金属からなる検知膜と、該検知膜上に形成された保護膜であって前記保護膜はセラミックス材料中に水素透過性金属粒子を分散してなる保護膜と、該保護膜上に離間して形成され該保護膜を介して検知膜と電気的に接続される一対の電極と、を有する水素センサ。
- 保護膜の電極間方向の抵抗値が10〜100000Ωである請求項1に記載の水素センサ。
- 検知膜の電極間方向の抵抗値が保護膜の電極間方向の抵抗値より小さい値である請求項1に記載の水素センサ。
- 検知膜の電極間方向の抵抗値が0.1〜1000Ωである請求項1に記載の水素センサ。
- 検知膜の厚さが5〜1000nmであり、保護膜の厚さが5〜100nmである請求項1に記載の水素センサ。
- 保護膜中の水素透過性金属粒子の含有量が20〜70質量%である請求項1に記載の水素センサ。
- 検知膜がイットリウム、セリウム及びランタンよりなる群から選ばれる少なくとも1種で構成される請求項1に記載の水素センサ。
- 水素透過性金属粒子が、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、ニオブ(Nb)、バナジウム(V)及びタンタル(Ta)よりなる群から選ばれる少なくとも1種からなる請求項1に記載の水素センサ。
- セラミックス材料が、AlNx1、AlOx2、SiNx3 及びSiOx4(但し、0.5≦x1≦1、0.8≦x2≦1.5、0.7≦x3≦1.3、1≦x4≦2)よりなる群から選ばれる少なくとも1種で構成される請求項1に記載の水素センサ。
- 基板が、ガラス板、セラミックス板、単結晶板の少なくともいずれか1つからなる請求項1に記載の水素センサ。
- 電極が、金、白金、パラジウム、チタン、アルミニウム、銅及び銀から選ばれる少なくとも1種で形成された請求項1に記載の水素センサ。
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