JPS6110979B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6110979B2 JPS6110979B2 JP5127277A JP5127277A JPS6110979B2 JP S6110979 B2 JPS6110979 B2 JP S6110979B2 JP 5127277 A JP5127277 A JP 5127277A JP 5127277 A JP5127277 A JP 5127277A JP S6110979 B2 JPS6110979 B2 JP S6110979B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- header
- layer
- iron
- oxide film
- gold plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 22
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 21
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置に用いるステムの製造方
法に関する。
法に関する。
半導体装置に用いるステムは、一般に鉄ヘツダ
にリード線をガラスで絶縁封着したステムが多
い。このステムの半導体素子載置面にニツケルメ
ツキおよび金メツキを施し、半導体素子をマウン
トし、封止して半導体装置を製造する。
にリード線をガラスで絶縁封着したステムが多
い。このステムの半導体素子載置面にニツケルメ
ツキおよび金メツキを施し、半導体素子をマウン
トし、封止して半導体装置を製造する。
次に従来のステムの製造方法を説明する。
鉄ヘツダに0.5〜1.0μの薄いニツケルメツキを
金面に施す。この薄いニツケル層に酸化膜を被覆
し、ヘツダにガラス介してリードを固着する。こ
の薄いニツケル層上に薄い金メツキ層を施こす
と、鉄などが薄いニツケル層を通して金メツキ層
中に拡散して薄い金メツキ層に影響を与える。
金面に施す。この薄いニツケル層に酸化膜を被覆
し、ヘツダにガラス介してリードを固着する。こ
の薄いニツケル層上に薄い金メツキ層を施こす
と、鉄などが薄いニツケル層を通して金メツキ層
中に拡散して薄い金メツキ層に影響を与える。
即ち、半導体素子のマウントおよび金細線の熱
圧着時の加熱により鉄が金メツキ層に拡散し、金
メツキ層を変色させる。高価な金を出来る丈少な
く使用し、薄い金メツキ層を用いる様にするため
鉄ヘツダ上の薄いニツケル層上に厚いニツケル層
を無電解メツキまたは電解メツキにより約５μ形
成する。そして近年開発された部分メツキ技術を
用いて、必要な部分のみに薄い金メツキ層を施こ
している。この様に薄いニツケル層と厚いニツケ
ル層との二層を用いることにより、鉄の金メツキ
層への拡散が防止され金メツキ層の変色が無くな
るが、ニツケル層を二層にするため、製造工程が
複雑化する。
圧着時の加熱により鉄が金メツキ層に拡散し、金
メツキ層を変色させる。高価な金を出来る丈少な
く使用し、薄い金メツキ層を用いる様にするため
鉄ヘツダ上の薄いニツケル層上に厚いニツケル層
を無電解メツキまたは電解メツキにより約５μ形
成する。そして近年開発された部分メツキ技術を
用いて、必要な部分のみに薄い金メツキ層を施こ
している。この様に薄いニツケル層と厚いニツケ
ル層との二層を用いることにより、鉄の金メツキ
層への拡散が防止され金メツキ層の変色が無くな
るが、ニツケル層を二層にするため、製造工程が
複雑化する。
本発明は、半導体装置に用いられるステムを安
価に、信頼性を高く、然も簡単に製造することを
目的としている。
価に、信頼性を高く、然も簡単に製造することを
目的としている。
本発明は、鉄ヘツダの全面に厚いニツケル層を
被着した後、このヘツダを中性ガス雰囲気中で昇
温し、その後酸化性雰囲気中で熱処理し、鉄ヘツ
ダに被着したニツケル層にFe3O4の酸化膜を被覆
する。厚いニツケル層と酸化膜を被着した鉄ヘツ
ダに、粉末ガラスをプレス成形したガラスブロツ
クおよびリード線を治具で保持した後、加熱炉を
通しガラスブロツクを溶融してリード線をヘツダ
に固着し、鉄ヘツダの所望酸化膜上に薄い金メツ
キ層を形成してステムを得る。
被着した後、このヘツダを中性ガス雰囲気中で昇
温し、その後酸化性雰囲気中で熱処理し、鉄ヘツ
ダに被着したニツケル層にFe3O4の酸化膜を被覆
する。厚いニツケル層と酸化膜を被着した鉄ヘツ
ダに、粉末ガラスをプレス成形したガラスブロツ
クおよびリード線を治具で保持した後、加熱炉を
通しガラスブロツクを溶融してリード線をヘツダ
に固着し、鉄ヘツダの所望酸化膜上に薄い金メツ
キ層を形成してステムを得る。
次に第１図を参照して本発明を説明する。本発
明の製造方法により得られたステム１を第１図に
示すアースリード７を電気的に接続した鉄ヘツダ
２の全面に無電解メツキまたは電解メツキにより
３〜７μの厚さの厚いニツケル層３を被着する。
この厚いニツケル層を被着した鉄ヘツダ２をN2
の中性ガス雰囲気中で600〜700℃まで昇温し、次
いで酸化性雰囲気に切替えて、この温度で温数10
分熱処理し0.2〜３mg/cm2の酸化膜４を被覆す
る。
明の製造方法により得られたステム１を第１図に
示すアースリード７を電気的に接続した鉄ヘツダ
２の全面に無電解メツキまたは電解メツキにより
３〜７μの厚さの厚いニツケル層３を被着する。
この厚いニツケル層を被着した鉄ヘツダ２をN2
の中性ガス雰囲気中で600〜700℃まで昇温し、次
いで酸化性雰囲気に切替えて、この温度で温数10
分熱処理し0.2〜３mg/cm2の酸化膜４を被覆す
る。
この酸化膜４はニツケル層３のNiとの酸化
物・NiOとニツケル層３を通してニツケル層３の
表面に表われたヘツダ２の鉄との酸化物・Fe3O4
などからなり、酸化膜Fe3O4は約400℃の耐熱性
を有する半導体装置のガラス封着には必要であ
る。この鉄ヘツダ２に粉末ガラスをプレス成形し
たガラスブロツクおよびリード線８，９をカーボ
ン治具等で保持した後、若干の酸化性またはN2
の中性雰囲気950〜1050℃で加熱し、ガラスブロ
ツクを溶融し、ガラス層６により鉄ヘツダ２とリ
ード線８，９を夫々電気的に絶縁したまま固着す
る。然る後部分メツキ技術を用いて、必要な場所
のみ例えば鉄ヘツダ２の半導体素子載置面などに
0.05〜0.5μの厚さの金メツキ層５を形成する。
物・NiOとニツケル層３を通してニツケル層３の
表面に表われたヘツダ２の鉄との酸化物・Fe3O4
などからなり、酸化膜Fe3O4は約400℃の耐熱性
を有する半導体装置のガラス封着には必要であ
る。この鉄ヘツダ２に粉末ガラスをプレス成形し
たガラスブロツクおよびリード線８，９をカーボ
ン治具等で保持した後、若干の酸化性またはN2
の中性雰囲気950〜1050℃で加熱し、ガラスブロ
ツクを溶融し、ガラス層６により鉄ヘツダ２とリ
ード線８，９を夫々電気的に絶縁したまま固着す
る。然る後部分メツキ技術を用いて、必要な場所
のみ例えば鉄ヘツダ２の半導体素子載置面などに
0.05〜0.5μの厚さの金メツキ層５を形成する。
本発明により製造されたステムは、ガラス層と
鉄ヘツダとが溶着され、気密性が充分保たれる。
鉄ヘツダに被着したニツケル層が厚いので、この
ニツケル層により防錆、防蝕効果が期待され、ニ
ツケル層を通過して起る鉄の拡散による金メツキ
層の変色が認められなかつた。ガラス溶着前に酸
化性雰囲気で高温処理しているため、ニツケル層
表面に酸化膜が形成され、不活性化しており、金
メツキ層を非常に薄く例えば0.05μとしてもマウ
ントやボンデイング工程の加熱による金メツキ層
の変色が全くみられず、鉄ヘツダと半導体素子と
のマウント性および金やアルミ細線とのボンデン
グ性は良好であつた。
鉄ヘツダとが溶着され、気密性が充分保たれる。
鉄ヘツダに被着したニツケル層が厚いので、この
ニツケル層により防錆、防蝕効果が期待され、ニ
ツケル層を通過して起る鉄の拡散による金メツキ
層の変色が認められなかつた。ガラス溶着前に酸
化性雰囲気で高温処理しているため、ニツケル層
表面に酸化膜が形成され、不活性化しており、金
メツキ層を非常に薄く例えば0.05μとしてもマウ
ントやボンデイング工程の加熱による金メツキ層
の変色が全くみられず、鉄ヘツダと半導体素子と
のマウント性および金やアルミ細線とのボンデン
グ性は良好であつた。
またヘツダに一層のニツケル層と酸化膜と金メ
ツキ層とを設けることにより、本発明の製造工程
が簡単になるという効果が得られる。
ツキ層とを設けることにより、本発明の製造工程
が簡単になるという効果が得られる。
図面は本発明により製造されたステムの断面図
である。 １…ステム、２…鉄ヘツダ、３…ニツケル層、
４…酸化膜、５…金メツキ層、６…ガラス層、７
…アースリード、８，９…リード。
である。 １…ステム、２…鉄ヘツダ、３…ニツケル層、
４…酸化膜、５…金メツキ層、６…ガラス層、７
…アースリード、８，９…リード。
Claims (1)
- １ 厚いニツケル層を被着した鉄ヘツダを中性雰
囲気で昇温し、その後酸化性雰囲気で熱処理して
Fe3O4の酸化膜を形成する工程と、ガラスを溶融
してリード線を上記ヘツダに固着する工程と、上
記ヘツダの所望酸化膜に薄い金メツキ層を形成す
る工程とを具備することを特徴とするステムの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5127277A JPS53136960A (en) | 1977-05-06 | 1977-05-06 | Manufacture of stem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5127277A JPS53136960A (en) | 1977-05-06 | 1977-05-06 | Manufacture of stem |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53136960A JPS53136960A (en) | 1978-11-29 |
| JPS6110979B2 true JPS6110979B2 (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=12882304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5127277A Granted JPS53136960A (en) | 1977-05-06 | 1977-05-06 | Manufacture of stem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53136960A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273648A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 気密ガラス端子 |
| JP2550309Y2 (ja) * | 1995-04-21 | 1997-10-08 | 鐘淵化学工業株式会社 | 気密容器 |
-
1977
- 1977-05-06 JP JP5127277A patent/JPS53136960A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53136960A (en) | 1978-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3323956A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices | |
| JPH0332912B2 (ja) | ||
| JP2003086265A (ja) | 超電導線の接続部及びその接続方法 | |
| JPS6110979B2 (ja) | ||
| US4375008A (en) | Method for encapsulating components with cases and an encapsulation provided by the method | |
| US3985515A (en) | Metallization system for semiconductor devices, devices utilizing such metallization system and method for making devices and metallization system | |
| US4077045A (en) | Metallization system for semiconductive devices, devices utilizing such metallization system and method for making devices and metallization system | |
| GB2074793A (en) | Thin film circuit assembly | |
| JPS6026292B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0214465A1 (en) | Plating process for an electronic part | |
| JPS6010674A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS588586B2 (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
| JPH02144864A (ja) | 気密端子の製造方法 | |
| JPS6353693B2 (ja) | ||
| JPS6032774Y2 (ja) | 半導体装置用ステム | |
| JPS5965476A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6041860B2 (ja) | 気密端子の製造方法 | |
| JPH0693466B2 (ja) | シリコン半導体装置の製造方法 | |
| JP2918676B2 (ja) | 気密封止用ステムの製造方法 | |
| JPH0157063B2 (ja) | ||
| JPS58102556A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62234322A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5842764A (ja) | メツキ方法 | |
| JPS60195953A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6057219B2 (ja) | 半導体装置 |