JPS6326451B2 - - Google Patents
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- JPS6326451B2 JPS6326451B2 JP16458080A JP16458080A JPS6326451B2 JP S6326451 B2 JPS6326451 B2 JP S6326451B2 JP 16458080 A JP16458080 A JP 16458080A JP 16458080 A JP16458080 A JP 16458080A JP S6326451 B2 JPS6326451 B2 JP S6326451B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
- G11B5/3961—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement
- G11B5/3964—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement for transducing on a single track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果ヘツド（以下MRヘツド
と称す）の構造に関するものである。
と称す）の構造に関するものである。
MRヘツドには応答の線型性を得る為バイアス
磁界をかけて電流Ｉの方向と磁化Ｍの方向を約
45゜に傾むけるものと、バイアス磁界をかけずに
MRヘツドの構造によつてそれを達成するものと
がある。
磁界をかけて電流Ｉの方向と磁化Ｍの方向を約
45゜に傾むけるものと、バイアス磁界をかけずに
MRヘツドの構造によつてそれを達成するものと
がある。
第１図は無バイアス方式の代表的従来例でバー
バーポール型MRヘツドと称するものである。同
図において１０はリード電極、１１はバーバーポ
ール電極である。２０はパーマロイ等からなる磁
気抵抗効果薄膜（以下MR膜と称す）、１００は
磁気テープである（基板は省略）。斯る構成にお
いてバーバーポール電極１１が形成されたMR膜
２０での電流Ｉの向きは矢印方向に流れ磁化Ｍの
方向と抵抗変化の直線性のよい角度すなわちほぼ
45゜の角度をなすことができる。磁化Ｍの方向は
テープ１００から発する磁界によつて変化する。
その結果MRヘツドの抵抗が変化し、検出電流Ｉ
によつて電圧変化として検出される。しかし斯る
バーバーポール型MRヘツドは無バイアスの利点
があるが感度が低いと言う欠点がある。
バーポール型MRヘツドと称するものである。同
図において１０はリード電極、１１はバーバーポ
ール電極である。２０はパーマロイ等からなる磁
気抵抗効果薄膜（以下MR膜と称す）、１００は
磁気テープである（基板は省略）。斯る構成にお
いてバーバーポール電極１１が形成されたMR膜
２０での電流Ｉの向きは矢印方向に流れ磁化Ｍの
方向と抵抗変化の直線性のよい角度すなわちほぼ
45゜の角度をなすことができる。磁化Ｍの方向は
テープ１００から発する磁界によつて変化する。
その結果MRヘツドの抵抗が変化し、検出電流Ｉ
によつて電圧変化として検出される。しかし斯る
バーバーポール型MRヘツドは無バイアスの利点
があるが感度が低いと言う欠点がある。
MRヘツド感度を上げる方法として例えば第２
図に示す如くMR膜を分割しMRの電極間の長さ
を長くする方法がある。同図において２１，２２
は分割されたMR膜、１２はMR膜２１，２２を
電気的に接続するリード線、１３は通電用端子で
ある。しかし斯る方法によれば、電流Ｉの方向と
磁化Ｍの方向を45゜傾むけるためにバイアス磁界
をかけなければならない欠点がある。
図に示す如くMR膜を分割しMRの電極間の長さ
を長くする方法がある。同図において２１，２２
は分割されたMR膜、１２はMR膜２１，２２を
電気的に接続するリード線、１３は通電用端子で
ある。しかし斯る方法によれば、電流Ｉの方向と
磁化Ｍの方向を45゜傾むけるためにバイアス磁界
をかけなければならない欠点がある。
本発明の目的は従来技術の欠点をなくし、無バ
イアスでかつ感度の高いMRヘツドを提供するに
ある。
イアスでかつ感度の高いMRヘツドを提供するに
ある。
本発明の要点はMR膜をテープ摺動面に対し傾
きをもたせて配置すると共に複数個に分割しその
一部を電気的に接続し、分割したすきまを非導電
性又は電気抵抗の高い材料で埋め込んだことであ
る。
きをもたせて配置すると共に複数個に分割しその
一部を電気的に接続し、分割したすきまを非導電
性又は電気抵抗の高い材料で埋め込んだことであ
る。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第３図は本発明の一実施例を示す構成図、第４
図はそのＡ―A′線に沿う断面図である。同図に
おいて１４，１４′はリード電極、２３，２４，
２５はMR膜を示し、該MR膜はパーマロイ等の
材料でテープ摺動面に対し傾きをもつて形成され
ている。MR膜のブロツク２３，２４，２５は接
続電極１５，１６によつて電気的に接続され、電
流Ｉはリード電極１４，１４′からジグザグ型に
流れることになる。これによりMR膜の電極間長
さを長くすることができる。３１，３２は非導電
性又は高抵抗の磁性薄膜（第２磁性膜と称す）を
示し、該第２磁性膜は図示の如くMR膜２３，２
４，２５の隙間をうめるように形成されている。
第二磁性膜３１，３２が形成される前はMR膜の
磁化容易軸は長手方向と電流Ｉと同一方向にある
が第二磁性膜３１，３２を形成することにより、
全体の磁性膜の長手方向はテープ摺動面と同一方
向になるようにする。これにより磁化Ｍの方向を
テープ摺動面と同一方向にできる。第二磁性膜形
成時に外部磁場をかけるのも有効である。この結
果電流Ｉと磁化Ｍの方向とを傾むかせることがで
きるので本発明のMRヘツドは無バイアスとする
ことができる。
図はそのＡ―A′線に沿う断面図である。同図に
おいて１４，１４′はリード電極、２３，２４，
２５はMR膜を示し、該MR膜はパーマロイ等の
材料でテープ摺動面に対し傾きをもつて形成され
ている。MR膜のブロツク２３，２４，２５は接
続電極１５，１６によつて電気的に接続され、電
流Ｉはリード電極１４，１４′からジグザグ型に
流れることになる。これによりMR膜の電極間長
さを長くすることができる。３１，３２は非導電
性又は高抵抗の磁性薄膜（第２磁性膜と称す）を
示し、該第２磁性膜は図示の如くMR膜２３，２
４，２５の隙間をうめるように形成されている。
第二磁性膜３１，３２が形成される前はMR膜の
磁化容易軸は長手方向と電流Ｉと同一方向にある
が第二磁性膜３１，３２を形成することにより、
全体の磁性膜の長手方向はテープ摺動面と同一方
向になるようにする。これにより磁化Ｍの方向を
テープ摺動面と同一方向にできる。第二磁性膜形
成時に外部磁場をかけるのも有効である。この結
果電流Ｉと磁化Ｍの方向とを傾むかせることがで
きるので本発明のMRヘツドは無バイアスとする
ことができる。
次に本発明のMRヘツドの製造方法について説
明する。まず基板（図示せず）上にパーマロイ等
のMR膜を蒸着、スパツタ等の方法で形成し、次
いでホトエツチングによりMR膜２３，２４，２
５を所定の形状に形成する。次にリード電極１
４，１４′及び接続電極１５，１６を成膜及びホ
トエツチング技術により形成する。電極材料は
Al，Auその他の金属材料が使われる。第２磁性
膜３１，３２はフエライト等の材料をスパツタ又
は溶射等により形成する。パターンニングはマス
ク法又はホトエツチングによる。第２磁性膜形成
時又は形成後のアニール時に外部磁場をかけると
磁化Ｍの方向を確実に目的の方向にコントロール
できる。
明する。まず基板（図示せず）上にパーマロイ等
のMR膜を蒸着、スパツタ等の方法で形成し、次
いでホトエツチングによりMR膜２３，２４，２
５を所定の形状に形成する。次にリード電極１
４，１４′及び接続電極１５，１６を成膜及びホ
トエツチング技術により形成する。電極材料は
Al，Auその他の金属材料が使われる。第２磁性
膜３１，３２はフエライト等の材料をスパツタ又
は溶射等により形成する。パターンニングはマス
ク法又はホトエツチングによる。第２磁性膜形成
時又は形成後のアニール時に外部磁場をかけると
磁化Ｍの方向を確実に目的の方向にコントロール
できる。
上記したプロセスによりつくられたMRヘツド
は作動時にバイアス磁界をかけることなく感度の
高いMRヘツドがえられる。
は作動時にバイアス磁界をかけることなく感度の
高いMRヘツドがえられる。
第５図は本発明の他の実施例で第２磁性膜を形
成する前の平面図であり、（基板は図示せず）
MR膜２６をテープ摺動面に傾きをもたせてジグ
ザグ模様に形成し、第３図に示す実施例の接続電
極１５，１６を第２磁性膜のパターンニングで共
用した構造である。図示してないがMR膜間には
夫々第２磁性膜が形成される。
成する前の平面図であり、（基板は図示せず）
MR膜２６をテープ摺動面に傾きをもたせてジグ
ザグ模様に形成し、第３図に示す実施例の接続電
極１５，１６を第２磁性膜のパターンニングで共
用した構造である。図示してないがMR膜間には
夫々第２磁性膜が形成される。
斯る構成においても上記実施例と同様の効果を
得ることができる。
得ることができる。
以上述べた本発明によればその実験結果無バイ
アスのMRヘツドの感度を３〜5dB向上すること
ができた。
アスのMRヘツドの感度を３〜5dB向上すること
ができた。
第１図、第２図は従来のMRヘツドを示す構成
図、第３図は本発明の一実施例のMRヘツドを示
す構成図、第４図は第３図のＡ―A′線に沿う断
面図、第５図は本発明の他の実施例を示すMRヘ
ツドの構成図である。 １０，１４，１４′……リード電極、１１……
バーバーポール電極、２０，２１，２２，２３，
２４，２５，２６……MR膜、３１，３２……第
二磁性膜。
図、第３図は本発明の一実施例のMRヘツドを示
す構成図、第４図は第３図のＡ―A′線に沿う断
面図、第５図は本発明の他の実施例を示すMRヘ
ツドの構成図である。 １０，１４，１４′……リード電極、１１……
バーバーポール電極、２０，２１，２２，２３，
２４，２５，２６……MR膜、３１，３２……第
二磁性膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気抵抗効果ヘツドにおいて複数の磁気抵抗
効果膜（以下MR膜と称す）をテープ摺動面に対
して傾きを持たせて形成しそれらの磁気抵抗効果
膜の一部を電気的に接続し、電流がジグザグ型に
流れる構造とし上記磁気抵抗効果膜の膜間には非
導電性又は高抵抗材料の磁性膜を形成したことを
特徴とする磁気抵抗効果ヘツド。 ２ 上記磁気抵抗効果膜の傾向きをテープ摺動面
からみて45゜前後にしたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果ヘツド。 ３ 上記磁気抵抗効果膜に流れる電流がジグザグ
型にあるように一体形成された特許請求の範囲第
１項記載の磁気抵抗効果ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16458080A JPS5788521A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Magnetic resistance effect head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16458080A JPS5788521A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Magnetic resistance effect head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5788521A JPS5788521A (en) | 1982-06-02 |
| JPS6326451B2 true JPS6326451B2 (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=15795865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16458080A Granted JPS5788521A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Magnetic resistance effect head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5788521A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01161834U (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-10 | ||
| JPH0521481Y2 (ja) * | 1988-03-18 | 1993-06-02 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5737156A (en) * | 1993-11-08 | 1998-04-07 | Seagate Technology, Inc. | Barberpole MR sensor having interleaved permanent magnet and magnetoresistive segments |
-
1980
- 1980-11-25 JP JP16458080A patent/JPS5788521A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521481Y2 (ja) * | 1988-03-18 | 1993-06-02 | ||
| JPH01161834U (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5788521A (en) | 1982-06-02 |
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