JPS58108025A - 磁気低抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気低抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS58108025A JPS58108025A JP20356881A JP20356881A JPS58108025A JP S58108025 A JPS58108025 A JP S58108025A JP 20356881 A JP20356881 A JP 20356881A JP 20356881 A JP20356881 A JP 20356881A JP S58108025 A JPS58108025 A JP S58108025A
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- film
- magnetoresistive
- magnetoresistive element
- resistance
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G—PHYSICS
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- G11B5/3964—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement for transducing on a single track
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- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係り、磁気抵抗素
子が磁気回路的には並列作動を、かつ検−市電流に対し
ては直列作動をするよう磁気抵抗素子を例えば蛇行形状
に構成しそおくことにより、磁気抵抗を小さくして充分
な磁束を通すことができ、又電気抵抗を高くでき、出力
電圧の大きなものとなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
子が磁気回路的には並列作動を、かつ検−市電流に対し
ては直列作動をするよう磁気抵抗素子を例えば蛇行形状
に構成しそおくことにより、磁気抵抗を小さくして充分
な磁束を通すことができ、又電気抵抗を高くでき、出力
電圧の大きなものとなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
従来、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、第１図に示す
如く、基板１上に磁性膜２．２′を設け、この磁性膜２
と２′とを磁気抵抗素子３で接続し、絶縁膜４を磁性膜
２上に設け、これらの上に磁性膜２′を設けた構成のも
のであるとか、又は第２図に示す如く、基板５上に磁性
膜６を設け、この上に絶縁膜７を介して磁性膜６′を設
け、磁性、膜６と６′とを磁気抵抗素子８で接続した構
成のものである。伺、９．１０は電極端子である。
如く、基板１上に磁性膜２．２′を設け、この磁性膜２
と２′とを磁気抵抗素子３で接続し、絶縁膜４を磁性膜
２上に設け、これらの上に磁性膜２′を設けた構成のも
のであるとか、又は第２図に示す如く、基板５上に磁性
膜６を設け、この上に絶縁膜７を介して磁性膜６′を設
け、磁性、膜６と６′とを磁気抵抗素子８で接続した構
成のものである。伺、９．１０は電極端子である。
このような磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、例えば第
１図の構成のものは、磁気抵抗素子の幅が広くかつ長さ
が短いので、磁気抵抗素子の磁気抵抗は低く、磁路を流
れる磁束は多くなるものの、磁気抵抗素子の電気抵抗は
小さいので出力電圧は小さくなるといった欠点があり、
又第２図の構成のものは、磁気抵抗素子の幅が狭くかつ
長さも長い細長状のものであるので、第１図の構成のも
のとは逆に磁気抵抗素子の磁気抵抗は高く、磁路を流れ
る磁束は少ないといった欠点がある。
１図の構成のものは、磁気抵抗素子の幅が広くかつ長さ
が短いので、磁気抵抗素子の磁気抵抗は低く、磁路を流
れる磁束は多くなるものの、磁気抵抗素子の電気抵抗は
小さいので出力電圧は小さくなるといった欠点があり、
又第２図の構成のものは、磁気抵抗素子の幅が狭くかつ
長さも長い細長状のものであるので、第１図の構成のも
のとは逆に磁気抵抗素子の磁気抵抗は高く、磁路を流れ
る磁束は少ないといった欠点がある。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下その実施
例について説明する。
例について説明する。
まず、本発明の具体的実施例を述べる前に、例えば基板
上に磁極となる厚さ１μｍ１幅１００μｍ、 −辺の長
さ３００μｍの口形状の先端部が絶縁層を介して重なり
合うよう設けた口形状磁性膜の後部に、厚さ０．１μｍ
の絶縁膜を設け、この絶縁膜を介して口形状磁性膜の後
部同士を厚さ０．１μｍ１幅１５０μｍ１長さ３００μ
ｍの磁気抵抗素子で接続した構成の磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの各部の磁気抵抗は、磁性膜及び磁気抵抗素
子の透磁率を１０００とすると、磁性膜各片においてそ
の磁気抵抗は約２３ｇ１１ｂｅｒｔ／Ｍｘ 、磁気抵抗
素子の磁気抵抗は約２００ｇ１ｌｂｅｒｔ／Ｍｘ １磁
性膜と磁気抵抗素子の接続部、すなわち絶縁膜各部にお
いてその磁気抵抗は約０．０７ ｇｉ １ｂｅｒｔ ／
Ｍｘとなり、磁性膜同士を磁気抵抗素子で接続する場合
に磁性膜と磁気抵抗素子との間に１００ＯＡ程度の絶縁
膜を挾んでいても、この絶縁膜による磁気抵抗はほとん
ど無視できるものとなり、又磁気回路の磁気抵抗は磁気
抵抗素子部の磁気抵抗が支配的なものであるので、磁気
抵抗素子部の磁気抵抗を小さくすることにより、多くの
磁束を通すことができるようになり、検出感度の向上に
つながる。従って、磁極を接続する磁気抵抗素子は、幅
広なものであることが望ましい。
上に磁極となる厚さ１μｍ１幅１００μｍ、 −辺の長
さ３００μｍの口形状の先端部が絶縁層を介して重なり
合うよう設けた口形状磁性膜の後部に、厚さ０．１μｍ
の絶縁膜を設け、この絶縁膜を介して口形状磁性膜の後
部同士を厚さ０．１μｍ１幅１５０μｍ１長さ３００μ
ｍの磁気抵抗素子で接続した構成の磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの各部の磁気抵抗は、磁性膜及び磁気抵抗素
子の透磁率を１０００とすると、磁性膜各片においてそ
の磁気抵抗は約２３ｇ１１ｂｅｒｔ／Ｍｘ 、磁気抵抗
素子の磁気抵抗は約２００ｇ１ｌｂｅｒｔ／Ｍｘ １磁
性膜と磁気抵抗素子の接続部、すなわち絶縁膜各部にお
いてその磁気抵抗は約０．０７ ｇｉ １ｂｅｒｔ ／
Ｍｘとなり、磁性膜同士を磁気抵抗素子で接続する場合
に磁性膜と磁気抵抗素子との間に１００ＯＡ程度の絶縁
膜を挾んでいても、この絶縁膜による磁気抵抗はほとん
ど無視できるものとなり、又磁気回路の磁気抵抗は磁気
抵抗素子部の磁気抵抗が支配的なものであるので、磁気
抵抗素子部の磁気抵抗を小さくすることにより、多くの
磁束を通すことができるようになり、検出感度の向上に
つながる。従って、磁極を接続する磁気抵抗素子は、幅
広なものであることが望ましい。
又、磁気抵抗素子を検出素子として使用する場合には、
磁気抵抗素子部を通る磁束を多くするのみでなく、磁気
抵抗素子部における電気抵抗の高い方が検出感度を高く
できる。そこで、磁気抵抗素子の幅がｔのものをＮ等分
し、この等分されたＮ個の磁気抵抗素子を電気的に切り
離して横に並列して並べ、かつＮ個の各磁気抵抗素子の
両端部をそれぞれ交替に電気的に接続すると、各磁気抵
抗素子を合わせた幅はｔであるので磁気抵抗はＮ等分し
ない磁気抵抗素子の磁気抵抗と同じであるにもかかわら
ず、等分した磁気抵抗素子１個当りの電気抵抗は等分し
ない磁気抵抗素子の電気抵抗のＮ倍となり、そして直列
に電気的接続すると磁気抵抗素子の長さはＮ倍となるの
で、電気抵抗はＮ２倍となる。しかし、等分された磁気
抵抗素子は電気的に直列に接続されていても、その全体
の形状は一直線状でなく蛇行形状になっているので、隣
り合う磁気抵抗素子部による抵抗変化が逆になり、全体
として相殺し合うかとも思われるが、例えば第３図に示
す如く、等分された磁気抵抗素子部１５とその隣りの磁
気抵抗素子部１６とにおいては、磁気抵抗素子部１５．
１６の異方性による磁化をＡとすると、この磁化Ａは、
その向きが同方向であり、そしてバイアス磁場Ｂによっ
て磁化Ａに対しｆ例えば４５°方向に向けられてＣとな
り、又磁気抵抗素子部１５と１６とを流れる電流Ｅは逆
向きであるので、電流Ｅと磁気抵抗素子部１５の磁化Ｃ
とは４５゜の角度をなし、電流Ｅと磁気抵抗素子！１６
の磁化Ｃとは１３５°の角度をなし、この状態で記録媒
体よりの磁化Ｆが加えられると、この磁化Ｆは同じ向き
であるので、磁化ＣはＣ′の方向に向く。この磁化Ｃ′
の変化は、磁気抵抗素子部１５においては４５°から減
少方向に、磁気抵抗素子部１６においては１３５°から
増加方向になるので、第４図に示すように、記録磁化に
よる抵抗値変化は磁気抵抗素子部１５．１６においてそ
れぞれ増加する側に変化する。又、逆に、記録媒体から
の記録磁化が逆向きに加わる場合には、抵抗値変化は磁
気抵抗素子部１５．１６においてそれぞれ減少する側に
変化する。
磁気抵抗素子部を通る磁束を多くするのみでなく、磁気
抵抗素子部における電気抵抗の高い方が検出感度を高く
できる。そこで、磁気抵抗素子の幅がｔのものをＮ等分
し、この等分されたＮ個の磁気抵抗素子を電気的に切り
離して横に並列して並べ、かつＮ個の各磁気抵抗素子の
両端部をそれぞれ交替に電気的に接続すると、各磁気抵
抗素子を合わせた幅はｔであるので磁気抵抗はＮ等分し
ない磁気抵抗素子の磁気抵抗と同じであるにもかかわら
ず、等分した磁気抵抗素子１個当りの電気抵抗は等分し
ない磁気抵抗素子の電気抵抗のＮ倍となり、そして直列
に電気的接続すると磁気抵抗素子の長さはＮ倍となるの
で、電気抵抗はＮ２倍となる。しかし、等分された磁気
抵抗素子は電気的に直列に接続されていても、その全体
の形状は一直線状でなく蛇行形状になっているので、隣
り合う磁気抵抗素子部による抵抗変化が逆になり、全体
として相殺し合うかとも思われるが、例えば第３図に示
す如く、等分された磁気抵抗素子部１５とその隣りの磁
気抵抗素子部１６とにおいては、磁気抵抗素子部１５．
１６の異方性による磁化をＡとすると、この磁化Ａは、
その向きが同方向であり、そしてバイアス磁場Ｂによっ
て磁化Ａに対しｆ例えば４５°方向に向けられてＣとな
り、又磁気抵抗素子部１５と１６とを流れる電流Ｅは逆
向きであるので、電流Ｅと磁気抵抗素子部１５の磁化Ｃ
とは４５゜の角度をなし、電流Ｅと磁気抵抗素子！１６
の磁化Ｃとは１３５°の角度をなし、この状態で記録媒
体よりの磁化Ｆが加えられると、この磁化Ｆは同じ向き
であるので、磁化ＣはＣ′の方向に向く。この磁化Ｃ′
の変化は、磁気抵抗素子部１５においては４５°から減
少方向に、磁気抵抗素子部１６においては１３５°から
増加方向になるので、第４図に示すように、記録磁化に
よる抵抗値変化は磁気抵抗素子部１５．１６においてそ
れぞれ増加する側に変化する。又、逆に、記録媒体から
の記録磁化が逆向きに加わる場合には、抵抗値変化は磁
気抵抗素子部１５．１６においてそれぞれ減少する側に
変化する。
すなわち、等分した磁気抵抗素子を蛇行状のように直列
接続した構成のものでも、記録媒体の記録磁化による抵
抗値変化は相殺になることなく、全体として大きな抵抗
値変化のものとなる。
接続した構成のものでも、記録媒体の記録磁化による抵
抗値変化は相殺になることなく、全体として大きな抵抗
値変化のものとなる。
すなわち、磁極間を接続する磁気抵抗素子を略蛇行形状
に構成しておくと、磁気回路的には蛇行形状にしていな
い幅広のものと同じになり、かつ電気抵抗を大きくでき
、従って検出電圧を大きくできる。本発明はこのような
原理に基いてなされたものであり、以下その具体的実施
例について述べる。
に構成しておくと、磁気回路的には蛇行形状にしていな
い幅広のものと同じになり、かつ電気抵抗を大きくでき
、従って検出電圧を大きくできる。本発明はこのような
原理に基いてなされたものであり、以下その具体的実施
例について述べる。
第５図ａ、ｂは、本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの１実施例の説明図である。
ヘッドの１実施例の説明図である。
同図中、２０は基板であり、この基板２０上に略［形状
の磁性膜２１が設けられており、この磁性膜２１の先端
部に絶縁層を介して先端部が重なるよう略コ形状の磁性
膜２２が設けられている。
の磁性膜２１が設けられており、この磁性膜２１の先端
部に絶縁層を介して先端部が重なるよう略コ形状の磁性
膜２２が設けられている。
２３は、略蛇行形状に構成された磁気抵抗素子であり、
この磁気抵抗素子２３の左側端部は電気的絶縁薄膜２４
を介して磁性膜２１の後部に接続されており、又、磁気
抵抗素子２３の右側端部は電気的絶縁薄膜２５を介して
磁性膜２２の後部に接続されており、すなわち磁性膜２
１と２２とは、磁気回路的、には複数個の磁気抵抗素子
によって並列状に接続され、かつ電気的には複数個の磁
気抵抗素子が直列状に接続されたように構成されている
。ｔ？ｉ１、この磁気抵抗素子２３は、矢印す方向に異
方性をつけられている。
この磁気抵抗素子２３の左側端部は電気的絶縁薄膜２４
を介して磁性膜２１の後部に接続されており、又、磁気
抵抗素子２３の右側端部は電気的絶縁薄膜２５を介して
磁性膜２２の後部に接続されており、すなわち磁性膜２
１と２２とは、磁気回路的、には複数個の磁気抵抗素子
によって並列状に接続され、かつ電気的には複数個の磁
気抵抗素子が直列状に接続されたように構成されている
。ｔ？ｉ１、この磁気抵抗素子２３は、矢印す方向に異
方性をつけられている。
２６．２７は、磁気抵抗素子２３に信号検出電流を矢印
ａ方向又は逆方向に流す為の電極であす、四は、バイア
ス電流を矢印Ｃ方向又は逆方向に流す為のバイアス導線
である。
ａ方向又は逆方向に流す為の電極であす、四は、バイア
ス電流を矢印Ｃ方向又は逆方向に流す為のバイアス導線
である。
上述の如く、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは
、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁極間を電気的に絶縁し
て接続した磁気抵抗素子を、この磁気抵抗素子が磁気回
路的には並列作動を、かつ検出電流に対しては直列作動
をするような形状に構成したので、磁気抵抗素子部には
複数個の並列状に磁束が流れるようになり、多くの磁束
を流すことができ、又、磁気抵抗素子部の電気抵抗は高
くなり、従って出力電圧を高くでき、再生用磁気ヘッド
として用いた場合には高感度なものとなる等の特長を有
する♂
、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁極間を電気的に絶縁し
て接続した磁気抵抗素子を、この磁気抵抗素子が磁気回
路的には並列作動を、かつ検出電流に対しては直列作動
をするような形状に構成したので、磁気抵抗素子部には
複数個の並列状に磁束が流れるようになり、多くの磁束
を流すことができ、又、磁気抵抗素子部の電気抵抗は高
くなり、従って出力電圧を高くでき、再生用磁気ヘッド
として用いた場合には高感度なものとなる等の特長を有
する♂
第１図及び第２図は従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの説明図、第３図及び第４図は本発明に係る磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドの動作原理 ′及び磁化と
電流のなす角度と抵抗値変化との関係を示す説明図、第
５図ａ、ｂは本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの１実施例を示す説明図である。 ２０・・・基板、２１．２２・・・磁性膜、２３・・・
磁気抵抗素子、２４．２５・・・電気的絶縁薄膜、２６
、２７・・・電極、２８・・・バイアス用導線。 特許出願人 日本ビクター株式会社
ドの説明図、第３図及び第４図は本発明に係る磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドの動作原理 ′及び磁化と
電流のなす角度と抵抗値変化との関係を示す説明図、第
５図ａ、ｂは本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの１実施例を示す説明図である。 ２０・・・基板、２１．２２・・・磁性膜、２３・・・
磁気抵抗素子、２４．２５・・・電気的絶縁薄膜、２６
、２７・・・電極、２８・・・バイアス用導線。 特許出願人 日本ビクター株式会社
Claims (1)
- 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁極間を電気的に絶縁して
接続した磁気抵抗素子を、この磁気抵抗素子が磁気回路
的には並列作動を、かつ検出電流に対しては直列作動を
するような形状に構成したことを特徴とする磁気抵抗効
果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20356881A JPS58108025A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 磁気低抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20356881A JPS58108025A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 磁気低抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108025A true JPS58108025A (ja) | 1983-06-28 |
Family
ID=16476277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20356881A Pending JPS58108025A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 磁気低抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108025A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01291182A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-22 | Sharp Corp | 磁気検出装置 |
| US4885649A (en) * | 1987-04-01 | 1989-12-05 | Digital Equipment Corporation | Thin film head having a magneto-restrictive read element |
| FR2645315A1 (fr) * | 1989-03-29 | 1990-10-05 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique de lecture a magnetoresistance pour enregistrement perpendiculaire et procede de realisation d'une telle tete |
| US5159511A (en) * | 1987-04-01 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110918A (ja) * | 1974-07-17 | 1976-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jikihetsudo |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP20356881A patent/JPS58108025A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110918A (ja) * | 1974-07-17 | 1976-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jikihetsudo |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4885649A (en) * | 1987-04-01 | 1989-12-05 | Digital Equipment Corporation | Thin film head having a magneto-restrictive read element |
| US5159511A (en) * | 1987-04-01 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
| JPH01291182A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-22 | Sharp Corp | 磁気検出装置 |
| FR2645315A1 (fr) * | 1989-03-29 | 1990-10-05 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique de lecture a magnetoresistance pour enregistrement perpendiculaire et procede de realisation d'une telle tete |
| US5196976A (en) * | 1989-03-29 | 1993-03-23 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetoresistance magnetic head for perpendicular recording on a magnetic support |
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