JPS584992A - 磁気電気変換素子 - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体に記録された情報を読み出すため
の磁気電気変換素子の改良に関する。
の磁気電気変換素子の改良に関する。
磁気抵抗効果を利用した磁気電気変換素子はパーマロイ
等の金属薄膜で実現でき、ホール効果を利用した素子に
比べ製造が容易、動作温度が広い特徴を有する。したが
って、ホール効果を利用した素子に比べ安価で信頼性の
高い素子を実現できる。
等の金属薄膜で実現でき、ホール効果を利用した素子に
比べ製造が容易、動作温度が広い特徴を有する。したが
って、ホール効果を利用した素子に比べ安価で信頼性の
高い素子を実現できる。
ところで、磁気抵抗効果（以下ＦＭＲ効果と略す）は磁
化ベクトルＭと電流ベクトルＪのなす角度θにより次式
で表わせる。
化ベクトルＭと電流ベクトルＪのなす角度θにより次式
で表わせる。
ＲＭ ＝ Ｒｏ−ΔＲＸＣＯ５２θ ・・・・・・・・
・（１）但し、Ｒｏは初期抵抗、−ΔＲは抵抗値の変化
幅である。（１）式から明らかなごとく、θが零付近で
は抵抗値ＲＭの変化率（ｄＲＭ／ｄθ）が小さいため、
θが４５°の近辺で動作するととく該Ｍあるいは該Ｊに
偏倚を与える必要がある。偏倚を与える方法としては、
次の２種が知られている。
・（１）但し、Ｒｏは初期抵抗、−ΔＲは抵抗値の変化
幅である。（１）式から明らかなごとく、θが零付近で
は抵抗値ＲＭの変化率（ｄＲＭ／ｄθ）が小さいため、
θが４５°の近辺で動作するととく該Ｍあるいは該Ｊに
偏倚を与える必要がある。偏倚を与える方法としては、
次の２種が知られている。
＋ｌ） ＭＲ効果を利用した素子の近傍に薄膜永久磁
石、あるいは電流により磁界源を設ける方法。
石、あるいは電流により磁界源を設ける方法。
（２）ＭＲ効果全利用した素子に電流を与える電極の形
状を適当に定め、電流の方向を偏倚させる方法。この方
法は、前者の方法に比較して製造工程数を著しく低減で
きる利点を有する。
状を適当に定め、電流の方向を偏倚させる方法。この方
法は、前者の方法に比較して製造工程数を著しく低減で
きる利点を有する。
後者の方法による磁気電気変換素子は、第１図に示すよ
うに、単一磁区構造？有するＭＲ効果素片１の両端に電
流源に接続するための接点２，３を設け、かつ素片の両
接点間に素片の長手方向に対し一定の傾斜角をなす偏倚
電極４を設けた構造が知られている。かかる構造の磁気
電気変換素子は、自発磁化の方向が素片内で同一（この
場合長手方向）であるいわゆる単一磁区構造を前提とし
たものであるが、単一磁区構造の素片の端部には磁極が
存在するため不安定で、素片の厚み、形状或いは磁気的
な履歴によって、第１図に点線で示すようなより安定な
還流磁区構造となり易い。素片が単一磁区構造から還流
磁区構造に変わると、磁気電気変換素子の感度は著しく
低下する。
うに、単一磁区構造？有するＭＲ効果素片１の両端に電
流源に接続するための接点２，３を設け、かつ素片の両
接点間に素片の長手方向に対し一定の傾斜角をなす偏倚
電極４を設けた構造が知られている。かかる構造の磁気
電気変換素子は、自発磁化の方向が素片内で同一（この
場合長手方向）であるいわゆる単一磁区構造を前提とし
たものであるが、単一磁区構造の素片の端部には磁極が
存在するため不安定で、素片の厚み、形状或いは磁気的
な履歴によって、第１図に点線で示すようなより安定な
還流磁区構造となり易い。素片が単一磁区構造から還流
磁区構造に変わると、磁気電気変換素子の感度は著しく
低下する。
すなわち、接点２から接点３に向うごとく電流を与える
と、接点２．３と偏倚電極４により電流ベクトルＪけ接
点及び偏倚電極の辺にほぼ直角に向く。自発磁化ベクト
ルＭｏば素片１の長手方向とほぼ平行をなす方向に向き
、外部磁界Ｌ ｘ ｔが零のときは該ＪとＭｏはθ０な
る角度で交わる。外部磁界Ｈａ ｘ ｌが第１図矢印に
示すごとき向に与えられると磁化ベクトルはそれに応じ
てＭｏＯ向から度は左半分で（θ。＋θＩ ）、右半分
では（θ。−θ１）となり、ＭＲ効来が相殺され、磁気
電気変換素子全体としては感度が著しく低下することに
なる。
と、接点２．３と偏倚電極４により電流ベクトルＪけ接
点及び偏倚電極の辺にほぼ直角に向く。自発磁化ベクト
ルＭｏば素片１の長手方向とほぼ平行をなす方向に向き
、外部磁界Ｌ ｘ ｔが零のときは該ＪとＭｏはθ０な
る角度で交わる。外部磁界Ｈａ ｘ ｌが第１図矢印に
示すごとき向に与えられると磁化ベクトルはそれに応じ
てＭｏＯ向から度は左半分で（θ。＋θＩ ）、右半分
では（θ。−θ１）となり、ＭＲ効来が相殺され、磁気
電気変換素子全体としては感度が著しく低下することに
なる。
本発明の目的は、ＭＲ効果を利用し安定でかつ高感度の
磁気電気変換素子を提供することにある。
磁気電気変換素子を提供することにある。
かかる目的を奏す本発明磁気電気変換素子の特徴とする
ところは、還流磁区構造のＭＲ効果素片を使用し、偏倚
電極を自発磁化方向の異なる領域に跨って設けかつ素片
の長手方向に対する傾斜方向を自発磁化方向の異なる領
域で逆にした点にある。具体的には、自発磁化方向の異
なる領域に跨って設けた偏倚電極の傾斜方向を、各領域
における偏倚電極によって偏倚された電流の流通方向と
外部磁界によって偏倚された自発磁化方向との交差角を
共に大きく或いは小さくするようにした点に本発明の特
徴がある。
ところは、還流磁区構造のＭＲ効果素片を使用し、偏倚
電極を自発磁化方向の異なる領域に跨って設けかつ素片
の長手方向に対する傾斜方向を自発磁化方向の異なる領
域で逆にした点にある。具体的には、自発磁化方向の異
なる領域に跨って設けた偏倚電極の傾斜方向を、各領域
における偏倚電極によって偏倚された電流の流通方向と
外部磁界によって偏倚された自発磁化方向との交差角を
共に大きく或いは小さくするようにした点に本発明の特
徴がある。
以下、本発明を実施例として示した図面により詳細に説
明する。
明する。
第２図は本発明の磁気電気変換素子の一実施例を示すも
ので、２１は自発磁化方向（自軸矢印）が還流（図で時
計方向）をなすいわゆる還流磁区構造を有するＭＲ効果
素片、２２及び２３けＭＲ効果素片２１の両端に設けら
れ電流源（図示せずンに接続される接点、２４はＭＲ効
果素片２１上へ自発磁化方向の異なる領域に跨るように
設けた偏倚電極で、自発磁化方向の異なる領域でその素
片の長手方向に対する傾斜方向が逆となるように形成さ
れている。即ち、図で自発磁化方向が上部から下部に向
う素片２１の右側の領域に設けられる偏倚電極部分２４
ａの傾斜方向は右下り、自発磁化方向が下部から上部に
向う素片２１の左側の領域に設けられる偏倚電極部分２
４ｂの傾斜方向は左下り、となるように形成される。偏
倚電極を複数個設ける場合には、自発磁化方向の同じ領
域に設ける偏倚電極部分全回じ角度で同じ方向へ傾斜、
即ち略平行に配置する。接点２２及び２３の偏倚電極２
４に対向する部分端部は、対向する偏倚電極部分と同じ
方向に同じ角度傾斜させである。偏倚電極２４及び接点
２２．２３をこのように形成することにより、電流ベク
トルＪは接点２２から素片２１、偏倚電極２４を経て接
点２３へ流れる電流の素片２１内の流通方向によって決
ることから、魚粕矢印で示すよう妬自発磁化方向の異な
る領域で素片の長手方向に対する傾斜方向を逆にするこ
とができる。この状態で、外部磁界Ｈ，，，ｅ図の矢印
で示す方向に与えれば、磁化ベクトルＭ。
ので、２１は自発磁化方向（自軸矢印）が還流（図で時
計方向）をなすいわゆる還流磁区構造を有するＭＲ効果
素片、２２及び２３けＭＲ効果素片２１の両端に設けら
れ電流源（図示せずンに接続される接点、２４はＭＲ効
果素片２１上へ自発磁化方向の異なる領域に跨るように
設けた偏倚電極で、自発磁化方向の異なる領域でその素
片の長手方向に対する傾斜方向が逆となるように形成さ
れている。即ち、図で自発磁化方向が上部から下部に向
う素片２１の右側の領域に設けられる偏倚電極部分２４
ａの傾斜方向は右下り、自発磁化方向が下部から上部に
向う素片２１の左側の領域に設けられる偏倚電極部分２
４ｂの傾斜方向は左下り、となるように形成される。偏
倚電極を複数個設ける場合には、自発磁化方向の同じ領
域に設ける偏倚電極部分全回じ角度で同じ方向へ傾斜、
即ち略平行に配置する。接点２２及び２３の偏倚電極２
４に対向する部分端部は、対向する偏倚電極部分と同じ
方向に同じ角度傾斜させである。偏倚電極２４及び接点
２２．２３をこのように形成することにより、電流ベク
トルＪは接点２２から素片２１、偏倚電極２４を経て接
点２３へ流れる電流の素片２１内の流通方向によって決
ることから、魚粕矢印で示すよう妬自発磁化方向の異な
る領域で素片の長手方向に対する傾斜方向を逆にするこ
とができる。この状態で、外部磁界Ｈ，，，ｅ図の矢印
で示す方向に与えれば、磁化ベクトルＭ。
は偏倚されてＭ、の方向に向き、素片のすべての部分で
偏倚された磁化ベクトルＭ、と電流ベクトルＪのなす角
度は大きくなる。外部磁界Ｈ，，を図の矢印で示す方向
と逆方向とすれば、Ｍ、とＪのなす角度はすべての部分
で小さくなる。
偏倚された磁化ベクトルＭ、と電流ベクトルＪのなす角
度は大きくなる。外部磁界Ｈ，，を図の矢印で示す方向
と逆方向とすれば、Ｍ、とＪのなす角度はすべての部分
で小さくなる。
かかるごとく、自発磁化の方向に応じて電流の偏倚方向
を互いに逆となすことにより還流磁区構造を有するＭＲ
効果素片を利用した磁気電気変換素子磁気−電気変換感
度を高くすることができる。
を互いに逆となすことにより還流磁区構造を有するＭＲ
効果素片を利用した磁気電気変換素子磁気−電気変換感
度を高くすることができる。
かかる磁気電気変換素子の出力電圧最大値ｖ、、□は次
式で与えられる。
式で与えられる。
ΔＶ□８＝ΔＲＸＩ・・・・・・・・・（２）ここで、
ΔＲは（１）式と同じ、■は接点２から３に流れる全電
流である。
ΔＲは（１）式と同じ、■は接点２から３に流れる全電
流である。
第（２）式から明らかなどと＜ 、Ｖｍ＠Ｋを大きくす
るためにはΔＲと■を増せば良い。ところが、電流工は
該素片の温度上昇等の面から上限が定まる。
るためにはΔＲと■を増せば良い。ところが、電流工は
該素片の温度上昇等の面から上限が定まる。
そこで該素片の有効長さを大きくして出力Ｖゆ、！ヲ大
きくすれば良い。
きくすれば良い。
第３図（ａ） 、 Ｃｂ）は本発明磁気電気変換素子の
異なる実施例を示すもので、ＭＲ効果素片の長手方向の
寸法を大きくした場合にも安定でかつ高感度を呈する素
子構造に関する。素子の出力電圧の最大値Ｖゆ、！を大
きくするための望ましい手段として、素片の有効長即ち
長手方向の寸法を大きくする点があることは前述した通
りである。素片の長手方向の寸法を大きくすれば、第３
図（ｅ）に示すように複数の還流磁区構造に分れるとと
がある。第３図（ａ）、（ｂ）は、このような場合に適
した構造で、（ａ）け素片３１の長手方向に沿って存在
する自発磁化方向の異なる領域３１ａ、３１ｂの境界に
沿って溝３２を形成し、これによって単一の還流磁区構
造を強制的に保持するものであり、（ｂ）は素片３１を
長手方向に複数の素片部分３１１，３１２に分け、両部
分の境界に切欠３３，３４を形成すると共に両部分の長
手方向に沿って存在する自発磁化方向の異なる領域３１
１ａと３１１ｂ及び３１２ａと３１２ｂの境界に沿って
溝３５及び３６を形成し、これによって還流磁区構造が
複数個に分れても本発明の効果が発揮できるように、そ
れぞれ独立の還流磁区構造に分けるものである。第３図
の自軸矢印は自発磁化方向を示す。
異なる実施例を示すもので、ＭＲ効果素片の長手方向の
寸法を大きくした場合にも安定でかつ高感度を呈する素
子構造に関する。素子の出力電圧の最大値Ｖゆ、！を大
きくするための望ましい手段として、素片の有効長即ち
長手方向の寸法を大きくする点があることは前述した通
りである。素片の長手方向の寸法を大きくすれば、第３
図（ｅ）に示すように複数の還流磁区構造に分れるとと
がある。第３図（ａ）、（ｂ）は、このような場合に適
した構造で、（ａ）け素片３１の長手方向に沿って存在
する自発磁化方向の異なる領域３１ａ、３１ｂの境界に
沿って溝３２を形成し、これによって単一の還流磁区構
造を強制的に保持するものであり、（ｂ）は素片３１を
長手方向に複数の素片部分３１１，３１２に分け、両部
分の境界に切欠３３，３４を形成すると共に両部分の長
手方向に沿って存在する自発磁化方向の異なる領域３１
１ａと３１１ｂ及び３１２ａと３１２ｂの境界に沿って
溝３５及び３６を形成し、これによって還流磁区構造が
複数個に分れても本発明の効果が発揮できるように、そ
れぞれ独立の還流磁区構造に分けるものである。第３図
の自軸矢印は自発磁化方向を示す。
また、第３図（ａ）、（ｂ）に示す磁気電気変換素子を
複数個組合せてブリッジ回路として、例えば温度変化の
影響を除去した磁気電気変換装置を得ることができる。
複数個組合せてブリッジ回路として、例えば温度変化の
影響を除去した磁気電気変換装置を得ることができる。
この場合には、各磁気電気変換素子の自発磁化ベクトル
の方向を所望の方向にそろえる必要があるが、それは第
３図（ａ）、（ｂ）に示す磁気電気変換素子の溝３２，
３５．３６及び切欠３５゜３６を素片３１の中心軸より
わずかにずらせて形成することにより達成することがで
きる。
の方向を所望の方向にそろえる必要があるが、それは第
３図（ａ）、（ｂ）に示す磁気電気変換素子の溝３２，
３５．３６及び切欠３５゜３６を素片３１の中心軸より
わずかにずらせて形成することにより達成することがで
きる。
第４図は差動４作をさせるように構成した本発明磁気電
気変換素子の他の実施例を示すものである。図において
、３１は第３図中）と同じ構造のＭＲ効果素片で、溝３
５．３６及び切欠３３，３４によりそれぞれ還流磁区構
造を有する２個の素片部分３１１，３１２から構成され
ている。４１゜４２．４３−は素片３１の両端及び中央
部に設けた接点、４４．４５は各素片部分３１１，３１
２に設けた偏倚電極で、一方の素片部分３１１における
偏倚電極４４及び接点４１．４３の偏倚電極４４に対向
する部分の傾斜方向は、他方の素片部分３１２における
偏倚電極４５及び接点４２゜４３の偏倚電極４５に対向
する部分の傾斜方向に対し図示するように逆となるよっ
て構成されている。この構成によって、接点４１．４３
間の磁気抵抗が増加するときは、接点４２．４３間の磁
気抵抗が減少するごとく動作する。従って、かかる構成
の磁気電気変換素子によれば、磁区構造の回油性が高ま
り、ＭＲ，効果の外部磁界に対する履歴を小さくできる
効果がある。
気変換素子の他の実施例を示すものである。図において
、３１は第３図中）と同じ構造のＭＲ効果素片で、溝３
５．３６及び切欠３３，３４によりそれぞれ還流磁区構
造を有する２個の素片部分３１１，３１２から構成され
ている。４１゜４２．４３−は素片３１の両端及び中央
部に設けた接点、４４．４５は各素片部分３１１，３１
２に設けた偏倚電極で、一方の素片部分３１１における
偏倚電極４４及び接点４１．４３の偏倚電極４４に対向
する部分の傾斜方向は、他方の素片部分３１２における
偏倚電極４５及び接点４２゜４３の偏倚電極４５に対向
する部分の傾斜方向に対し図示するように逆となるよっ
て構成されている。この構成によって、接点４１．４３
間の磁気抵抗が増加するときは、接点４２．４３間の磁
気抵抗が減少するごとく動作する。従って、かかる構成
の磁気電気変換素子によれば、磁区構造の回油性が高ま
り、ＭＲ，効果の外部磁界に対する履歴を小さくできる
効果がある。
以上の説明は還流磁区構造を有するＭＲ効果素片を一体
の強磁性体によって形成する場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではない。第５図は還流
磁区構造を有するＭＲ効果素片ｔ−２個の部材から構成
する場合の一実施例を示すものである。図において、５
１は第３図（ａ）に示すＭＲ効果素片と同じ形状で溝５
２が長軸方向の一方端に開放し、これに−よって一対の
脚部分５１１ａ、５１１ｂが形成された長Ｕ字形部材５
１１と、長Ｕ字形部材へ１１の一対の脚部分端相互を磁
気的に接続する接続部材５１２とから構成された全体と
して還流磁区構造を有すＭＲ効果素片、５１３は接続部
材５１２と長Ｕ字形部材５１１の一対の脚部分とを電気
的に絶縁する絶縁部材である。５３及び５４は長Ｕ字形
部材５１１の一対の脚部分５１１ａ、５１１ｂの端部付
近に設けた接点、５５は長Ｕ字形状部材５１１の長軸方
向の他方端に設けた接点、５６及び５７は長Ｕ字形状部
材５１１の接点５３．５５間及び接点５４．５５間に設
けた偏倚電極で、これら偏倚電極及び偏倚電極に対向す
る接点の端部は他の実施例と同様に長軸方向に対して傾
斜している。この実施例によれば、脚部分をそれぞれ電
気的に独立して使用できるので、ＭＲ効果素片の有効長
を大きくするに等しい効果を有する。例えば、ＭＲ効果
素片の長さと幅を同一として第２図の実施例と第５図の
実・流側とを比較すると、第５図の接点５３．５４間の
磁気抵抗は第２図の接点２２゜２３間の磁気抵抗の４倍
となり、磁気電気変換素子としての出力が４倍にできる
。
の強磁性体によって形成する場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではない。第５図は還流
磁区構造を有するＭＲ効果素片ｔ−２個の部材から構成
する場合の一実施例を示すものである。図において、５
１は第３図（ａ）に示すＭＲ効果素片と同じ形状で溝５
２が長軸方向の一方端に開放し、これに−よって一対の
脚部分５１１ａ、５１１ｂが形成された長Ｕ字形部材５
１１と、長Ｕ字形部材へ１１の一対の脚部分端相互を磁
気的に接続する接続部材５１２とから構成された全体と
して還流磁区構造を有すＭＲ効果素片、５１３は接続部
材５１２と長Ｕ字形部材５１１の一対の脚部分とを電気
的に絶縁する絶縁部材である。５３及び５４は長Ｕ字形
部材５１１の一対の脚部分５１１ａ、５１１ｂの端部付
近に設けた接点、５５は長Ｕ字形状部材５１１の長軸方
向の他方端に設けた接点、５６及び５７は長Ｕ字形状部
材５１１の接点５３．５５間及び接点５４．５５間に設
けた偏倚電極で、これら偏倚電極及び偏倚電極に対向す
る接点の端部は他の実施例と同様に長軸方向に対して傾
斜している。この実施例によれば、脚部分をそれぞれ電
気的に独立して使用できるので、ＭＲ効果素片の有効長
を大きくするに等しい効果を有する。例えば、ＭＲ効果
素片の長さと幅を同一として第２図の実施例と第５図の
実・流側とを比較すると、第５図の接点５３．５４間の
磁気抵抗は第２図の接点２２゜２３間の磁気抵抗の４倍
となり、磁気電気変換素子としての出力が４倍にできる
。
以上は本発明を代表的な実施例を例に採って説明したが
、本発明はこれに限定されることなく種々の変形が可能
である。例えば、第２図、第３図（ａ）、Φ）及び第４
図の実施例における偏倚電極は自発磁化方向の異なる領
域に跨って形成されているが、これを自発磁化方向の異
なる領域の境界付近で分離した構造とすること、簿３図
（ａ）で溝３２を長軸方向に沿って複数個に分割するこ
と、第３図（ｂ）で素片部分を３個以上形成すること、
等の変形が可能である。
、本発明はこれに限定されることなく種々の変形が可能
である。例えば、第２図、第３図（ａ）、Φ）及び第４
図の実施例における偏倚電極は自発磁化方向の異なる領
域に跨って形成されているが、これを自発磁化方向の異
なる領域の境界付近で分離した構造とすること、簿３図
（ａ）で溝３２を長軸方向に沿って複数個に分割するこ
と、第３図（ｂ）で素片部分を３個以上形成すること、
等の変形が可能である。
第１図は従来の磁気電気変換素子を示す概略図、第２図
は本発明磁気電気変換素子の一実施例を示す概略図、第
３図は本発明の異なる実施例を説明するための概略図、
第４図は本発明の更に異なる実施例を示す概略図、第５
図は本発明の他の実施例を示す斜視図である。・ ２１・・・ＭＲ効果素片、２２．２３・・・接点、２４
・・・１２図 ’ｆ５３ 図 （Ｃ）
は本発明磁気電気変換素子の一実施例を示す概略図、第
３図は本発明の異なる実施例を説明するための概略図、
第４図は本発明の更に異なる実施例を示す概略図、第５
図は本発明の他の実施例を示す斜視図である。・ ２１・・・ＭＲ効果素片、２２．２３・・・接点、２４
・・・１２図 ’ｆ５３ 図 （Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、長手方向に沿って自発磁化方向が逆となる領域を有
する還流磁区構造の磁気抵抗効果素片と、発磁化方向の
異なる両領域上へ該素片の長手方向に対し一定の傾斜角
を有して設けられ、これによって接点間に流れる電流の
方向を偏倚させる偏倚電極とを具備すると共に、偏倚電
極の傾斜方向を自発磁化方向の異なる領域で逆にしたこ
とを特徴とする磁気電気変換素子。 ２、特許請求の範囲第１項において、偏倚電極は、磁気
抵抗効果素片の各領域において偏倚電極によって偏倚さ
れた電流の流通方向と外部磁界によって偏倚された自発
磁化方向との交差角を共に大きく或いは小さくするよう
に該素片の長手方向に対して傾斜させたことを特徴とす
る磁気電気変換素子。 ３、特許請求の範囲第１項或いは第２項において、磁気
抵抗効果素片の長手方向に沿って存在する自発磁化方向
の異なる領域の境界に沿う少なくとも１個の溝を形成し
たことを特徴とする磁気電気変換素子。 ４、特許請求の範囲第１０項から第３項において、偏倚
電極を自発磁化方向の異なる領域の境界付近で分離した
ことを特徴とする磁気電気変換素子。 ５、特許請求の範囲第３項において、１個の溝が磁気抵
抗効果素片の長手方向の一方端に開放し、これによって
該素片が一対の脚部分を有す長Ｕ字形状を表し、一対の
脚部分にはそれぞれ接点が設けられると共に脚部分相互
間は接続部材により電気的絶縁を保ちながら磁気的に接
続されていることを特徴とする磁気電気変換素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101183A JPS584992A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 磁気電気変換素子 |
| US06/390,882 US4503394A (en) | 1981-07-01 | 1982-06-22 | Magnetoresistive sensor having a closed domain structure and electrode biasing |
| NL8202634A NL8202634A (nl) | 1981-07-01 | 1982-06-29 | Magneto-elektrisch omzettingselement. |
| GB08218795A GB2109992B (en) | 1981-07-01 | 1982-06-29 | Magnetoelectric conversion element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101183A JPS584992A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 磁気電気変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584992A true JPS584992A (ja) | 1983-01-12 |
| JPH0157511B2 JPH0157511B2 (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=14293870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56101183A Granted JPS584992A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 磁気電気変換素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4503394A (ja) |
| JP (1) | JPS584992A (ja) |
| GB (1) | GB2109992B (ja) |
| NL (1) | NL8202634A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6170478A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Fujitsu Ltd | 磁気検出器 |
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-
1981
- 1981-07-01 JP JP56101183A patent/JPS584992A/ja active Granted
-
1982
- 1982-06-22 US US06/390,882 patent/US4503394A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-06-29 NL NL8202634A patent/NL8202634A/nl not_active Application Discontinuation
- 1982-06-29 GB GB08218795A patent/GB2109992B/en not_active Expired
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| GB2109992A (en) | 1983-06-08 |
| GB2109992B (en) | 1985-07-10 |
| US4503394A (en) | 1985-03-05 |
| JPH0157511B2 (ja) | 1989-12-06 |
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