JP3549076B2 - 磁気抵抗素子装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗素子(MR素子)を用いた磁気抵抗素子装置の構造に関し、更に詳しくいえば、磁気抵抗素子の基板面内の磁界分布や温度分布が不均一であっても、この影響を受けることのない磁気抵抗素子装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の磁気抵抗素子装置としては、図5〜図7に示すような構造のものが知られている。このような図5〜図7に示す構造の磁気抵抗素子装置は、例えば特開平6ー42905号公報に詳細に開示されており、その構成および動作原理は次のようになっている。
【0003】
図5において、磁気抵抗素子装置1は、シリコン結晶基板上に強磁性体薄膜のストライプをジグザグ状パターンに形成した一対の第1・第2の磁気抵抗素子3−1、3−2を左右対称に配置するように構成されている。このストライプパターンは、その左右対称中心線がN・S2極の磁極を外周部に180度に分割配置している回転体9の中心を通るように設けられており、かつ左右のストライプパターン同士は直列に接続されている。
第1・第2の各磁気抵抗素子3−1、3−2は、複数の直線パターン4と、直線パターン4の間を接続する折れ曲がり部5とで構成され、各直線パターン4は、前記中心線に対する角度がθ(θ=45°)で、一定の間隔をおいて平行に配置されている。従って第1の磁気抵抗素子3−1の各直線パターン4と、第2の磁気抵抗素子3−2の各直線パターン4とは、互いに直交するように配置されていることとなる。ジグザグ状ストライプパターンの両端と中間に電極が接続されており、そのうちの電極6−1はGNDに接続し、電極6−3は電圧Vcの電源に接続し、中間電極6−2は出力端子側に接続している。
このような構成の磁気抵抗素子装置を例えば角度検出器として用いる場合には、NS磁極の回転体9の回転角度に応じた出力信号を出力端子6−2から取りだすことが出来る。
【0004】
また、図6において、第1の磁気抵抗素子3−1の各直線パターン4は、図示の中心線に対して90度傾けて配置され、第2の磁気抵抗素子3−2の直線パターン4は、中心線方向に配列されている。電極6−1はGNDに接続され、電極6−3は電源に接続される。そこで、電源6−2を出力端子側の電極として使用すれば、図5と同じようにこの出力端子から、回転体9の回転角度に応じた出力信号が取り出せることとなる。
ところで図5および図6における磁気抵抗素子3−1の各直線パターンはすべて同じ長さであるため、出力信号における正・負反転領域のリニアリティ角が狭く、例えば最高で40度程度であった。
【0005】
図7に示された従来公知の磁気抵抗素子装置1はこのような欠点を解消するもので、図のように基板上に形成された第1・第2の磁気抵抗素子パターン3−1、3−2の直線パターン4、4は共に、中心線方向に45度傾けて配置され、電極6−2は出力端子電極であり、この出力端子から回転体9の回転角度に応じた出力信号が取り出されるものである。そしてこの場合、図7の磁気抵抗素子装置1が図5の磁気抵抗素子装置1と異なっているのは、それぞれの第1・第2の磁気抵抗素子パターン3−1、3−2が、それぞれ、折れ曲がり部5を介して、短い直線パターンから長い直線パターンへ、さらに長い直線パターンから短い直線パターンへ連続的に繋がるように配置されている点である。このようにジグザグ状のパターンを構成する直線パターンを、長さの異なるパターンで構成し、長い直線パターンと短い直線パターンとを所定の配列としているので、回転体の広い回転角度に対して直線性の優れた出力特性となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これら図5〜図7に見られる従来の磁気抵抗素子装置に共通して見られる欠点は、いずれも中心線から見て左右の両パターンが基板平面内に距離をおいて配置されているため、基板平面内の磁界分布や温度分布が不均一である場合には、左のパターンと右のパターンとの間に磁界変化に対応した差が生じてしまい磁界の正確な測定ができなくなるという点である。従って、本発明が解決しようとする課題は、基板平面内の磁界分布や温度分布がたとえ不均一であったとしても、磁界の正確な測定ができるような構成の磁気抵抗素子装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明によれば、シリコン結晶基板上に櫛歯状のジグザグ状に形成される磁気抵抗素子と該磁気抵抗素子の両端と中間に接続される電極とから成る磁気抵抗素子装置において、該中間電極からみて一方の電極側と他方の電極側との各櫛歯状のジグザグ状磁気抵抗素子の櫛歯同士を互いに近接配置させるようにしている。その場合、折れ曲がり部のような近接配置に寄与しない部分は導電性導体に置き換えてこの部分からは出力信号が発生しないようにしている。
【0008】
また、シリコン結晶基板上には、V字状の溝を複数本形成し、その溝の各傾斜面に該溝と平行に上記の磁気抵抗素子を配置するようにしている。そして、このシリコン結晶基板は具体的には、(100)結晶面を有する単結晶基板であり、溝は(111)結晶面よりなる2つの傾斜面で形成された溝としている。
【0009】
このような磁気抵抗素子装置であるので、たとえ基板平面内に磁界分布や温度分布が不均一に存在していても、その出力用中間電極からみて一方の電極側と他方の電極側との各ジグザグ状磁気抵抗素子の櫛歯同士を互いに近接配置させるようにしているので、どちらもほぼ同じ影響を受けるためその差はゼロとなり、結果的に出力に磁界分布差や温度分布差に起因する影響が現れず、磁界の正確な測定ができることとなる。
【0010】
さらに、シリコン結晶基板上にV字状溝を複数個形成し、その各傾斜面に上記の磁性ストライプを配置するようにしているので、従来装置と比べて表面積が大きくなりパターンの高密度化が図られるため、よりいっそう装置の小型化ができるようになる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図1〜図4に従って説明する。
図1は基板上に磁性膜を形成した磁気抵抗素子装置の断面図であり、図2はその平面図を示している。
図1において、2は、(100)結晶面を有するシリコン単結晶基板であり、この基板の上面には、エッチングによりV字状の溝4が形成されている。
このV字状溝4(4−1、4−2)は2つの(111)結晶面よりなる傾斜面(7−1、7−2)、(7−3、7−4)を有し、傾斜面7(7−1、7−2、7−3、7−4)は、シリコン単結晶基板2の面とα=54.7度の角をなしている。2は、シリコン単結晶センサ基板2の上面及び傾斜面7(7−1、7−2、7−3、7−4)に形成された絶縁膜である。3は、V字状溝4の傾斜面の絶縁膜8上に形成された磁性体薄膜ストライプであり、各磁性体薄膜ストライプ3−1、3−2、3−3、3−4、3−5、3−6、3−7、3−8は、それぞれV字状溝4(4−1、4−2)の傾斜面(7−1、7−2)、(7−3、7−4)の絶縁膜8上に配置されている。その際、磁性体薄膜ストライプは、V字状溝4(4−1、4−2)に平行に2本ずつ(3−1、3−2)、(3−3、3−4)、(3−5、3−6)(3−7、3−8)パターニングされる。磁性ストライプ3は、その長手方向が磁気容易軸となっている。
【0012】
図2において、メッシュ部分5(5−1、5−2)は、導電性導体であり、ハッチング部分6(6−1、6−2、6−3)は電極である。
傾斜面7−1上にパターニングされた2本の磁性ストライプ3−1、3−2は、その先端が導電性導体5−1により接続されている。磁性ストライプ3−1の基端部は電極6−1に接続されている。そして磁性ストライプ3−2は、導電性導体5−2を介して磁性ストライプ3−5に接続されている。
磁性ストライプ3−5、3−6は、傾斜面7−1と同じ傾きをもつ傾斜面7−3上にパターニングされており、磁性ストライプ3−1、3−2と同じパターンで、電極6−2に接続されている。
そして、磁性ストライプ3−1、3−2と磁性ストライプ3−5、3−6とは櫛歯状のパターンを形成している。
傾斜面7−2上にパターニングされた2本の磁性ストライプ3−3、3−4は、その先端が導電性導体5−4により接続されている。
磁性ストライプ3−3の基端部は、導電性導体5−3を介して電極6−1に接続されている。
磁性ストライプ3−4は、導電性導体5−3を介して磁性ストライプ3−7に接続されている。
磁性ストライプ3−7、3−8は、傾斜面7−2と同じ傾きをもつ傾斜面7−4上にパターニングされており、磁性ストライプ3−3、3−4と同じパターンで電極6−3に接続されている。
そして、磁性ストライプ3−3、3−4と磁性ストライプ3−7、3−8とは、櫛歯状のパターンを形成し、この櫛歯状のパターンは、磁性ストライプ3−1、3−2、3−5、3−6が形成する櫛歯状のパターンと互いにかみ合うように近接配置されている。電極6−1はGNDに接続され、電極6−3は、電源V字状cに接続される。
【0013】
次にこのように構成された磁気抵抗素子装置の動作を図3、図4に従って説明する。
いま、仮に測定する磁界を、磁界の強さHが一定でその方向は磁界のふれ面内を中心軸を中心にして±θで変化するものとする。
このとき、磁気抵抗素子装置は、図3に示すようにシリコン単結晶基板2の垂直軸が、上記中心軸と一致するように配置される。
また、感度を良くするためには、磁性ストライプ3を上記磁界のふれ面に対して45度の角をなすように配置することが望ましい。
また、電極6−1は接地され、電極6−2、6−3は電源に接続される。
【0014】
図4は、磁界のふれ面がV字状溝に直角である場合の磁性ストライプ3−2、3−3への磁界の作用の様子を示したものである。
磁界Hが基板の垂直軸からθだけ振れたとき、基板の垂直軸と+45°となす方向の磁界成分Hxは、
Hx=Hcos(45°−θ)
である。
また、基板の垂直軸と−45°をなす方向の磁界成分はHyは、
Hy=Hsin(45°−θ)
である。
一方、磁性ストライプ3−3は、シリコン単結晶基板2の面とα=54.7度の角をなす傾斜面7−2上に設けられているため、磁性ストライプ3−3の幅方向は基板の垂直軸と(90−54.7)=35.3度の角をなす。このため、磁性ストライプ3−3の幅方向にはほぼHxの強さの磁界が作用するとになる。
【0015】
以上のことは、磁性ストライプ3−2についても同様であって、磁性ストライプ3−2の幅方向には、ほぼHyの強さの磁界が作用することになる。
したがって、磁界Hのふれ角θが増加して、磁性ストライプ3−3に作用する磁界成分Hxが増加するとき、磁性ストライプ3−2に作用する磁界成分Hyは減少することになる。このため、磁界成分Hxが作用する磁性ストライプ3−3、3−4、3−7、3−8の出力を電極6−3から取り出し、一方、磁界成分Hyが作用する磁性ストライプ3−1、3−2、3−5、3−6の出力を電極6−2から取り出して、これらの出力を比較すれば、磁界の変化に応じた出力を得ることができる。
【0016】
また、磁性ストライプ(3−1、3−2)と磁性ストライプ(3−3、3−4)及び磁性ストライプ(3−5、3−6)と磁性ストライプ(3−7、3−8)は、それぞれ、V字状溝4−1、4−2内に、しかも櫛歯状に近接して配置されているために、磁界分布や温度分布が不均一であっても、出力にはその影響はほとんど現れてこない。
【0017】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、出力用中間電極からみて一方の電極側と他方の電極側との各磁性ストライプ同士を櫛状に近接配置しているので、どちらもほぼ同じ影響を受けるためその差はゼロとなり、結果的に出力に影響が現れず、従って磁界の正確な測定ができることとなる。
【0018】
また、エッチングによりシリコン単結晶基板上に形成されたV字状字状溝の傾斜面に磁性ストライプを配置するようにしているので、磁性ストライプのパターンを高密度化することができて、センサの小型化を実現することができる。
その際、このV字状字状溝の傾斜面に、磁性ストライプを上記櫛状に近接配置するようにすれば、磁界分布や温度分布が不均一であってもその影響を小さく抑える効果も同時に得ることができる。
【0019】
上記の実施例では、シリコン結晶基板上に櫛歯状のジグザグ状に形成される磁気抵抗素子パターンのうち、出力信号に寄与する直線パターン部を磁気抵抗素子で構成し、折れ曲がり部などの近接配置に寄与しない部分は導電性導体に置き換えているが、製造工程の簡素化を図るのであれば、用途によってはこのような導電性導体塗布工程を省略して、櫛歯状のジグザグ磁気抵抗素子パターンをすべて磁気抵抗素子で構成するようにしても構わない。
また、シリコン結晶基板に形成される溝はV字状の溝が望ましいが、他にノコギリ歯状など表面を凹凸にして表面積を大きくできるものであるなら、別に溝の形状は問わない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例である磁気抵抗素子装置の正面断面図。
【図2】本発明の1実施例である磁気抵抗素子装置の平面図。
【図3】本発明の1実施例である磁気抵抗素子装置と測定磁界との位置関係を示す図。
【図4】本発明の磁気抵抗素子装置の磁性ストライプへの測定磁界の作用を示す図。
【図5】従来の磁気抵抗素子装置図。
【図6】従来の他の磁気抵抗素子装置図。
【図7】従来のさらに他の磁気抵抗素子装置図。
【符号の説明】
1. 磁気抵抗素子装置
2. シリコン単結晶基板
3. 磁性ストライプ
4. V字状溝
5. 導電性導体(折れ曲がり部)
6. 電極
6−1. 端部電極
6−2. 中間電極(出力用)
6−3. 端部電極
7. 傾斜面
8. 絶縁膜
9. 回転体
Claims (2)
- シリコン結晶基板上にV字状の溝を複数形成し、該V字状溝の各傾斜面に互いに平行に複数本ずつ磁性ストライプで櫛歯状のパターンをジグザグ状に形成して成る磁気抵抗素子と該磁気抵抗素子の両端と中間に接続される電極とから成る磁気抵抗素子装置において、該中間電極からみて一方の電極側と他方の電極側との各櫛歯状のパターンが互いにかみ合うように近接配置させ、かつ2本の前記ストライプの先端同士を導電性導体で接続したことを特徴とする磁気抵抗素子装置。
- 請求項1記載の磁気抵抗素子装置において、前記シリコン結晶基板は(100)結晶面を有する単結晶基板であり、前記溝は(111)結晶面よりなる2つの傾斜面で形成されたV字状の溝であることを特徴とする磁気抵抗素子装置。
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