JPH08222780A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPH08222780A JPH08222780A JP7050537A JP5053795A JPH08222780A JP H08222780 A JPH08222780 A JP H08222780A JP 7050537 A JP7050537 A JP 7050537A JP 5053795 A JP5053795 A JP 5053795A JP H08222780 A JPH08222780 A JP H08222780A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 幅方向の寸法の小型化が図れる磁気抵抗素子
を提供すること。 【構成】 Ｎ，Ｓ磁極を間隔λで着磁した着磁体５０に
接近して配置される。基板１１の表面に、４つの磁気抵
抗パターンＡ11〜Ａ22を間隔λ，λ／２，λで配置した
第１の磁気抵抗素子群Ａと、４つの磁気抵抗パターンＢ
11〜Ｂ22を間隔λ，３λ／２，λで配置した第２の磁気
抵抗素子群Ｂとを設ける。磁気抵抗素子群Ａ，Ｂは逆向
きで略互い違いで間隔λ／２で配置される。両磁気抵抗
素子群Ａ，Ｂの各磁気抵抗パターン同士をそれぞれ導電
パターン１７１，１７３，１７５と１９１，１９３，１
９５によって直列に接続して導電パターン１７３，１９
３を出力端子ＦＧＡ，ＦＧＢとする。磁気抵抗パターン
Ｂ11とＡ11間とＢ22とＡ22間を導電パターン２１１，２
１３によって接続してこれらを通電端子ＶCC，ＧＮＤと
する。２つの導電パターン２１１，２１３を、それぞれ
磁気抵抗パターンＢ11とＡ11間，Ｂ22とＡ22間に設け
る。
を提供すること。 【構成】 Ｎ，Ｓ磁極を間隔λで着磁した着磁体５０に
接近して配置される。基板１１の表面に、４つの磁気抵
抗パターンＡ11〜Ａ22を間隔λ，λ／２，λで配置した
第１の磁気抵抗素子群Ａと、４つの磁気抵抗パターンＢ
11〜Ｂ22を間隔λ，３λ／２，λで配置した第２の磁気
抵抗素子群Ｂとを設ける。磁気抵抗素子群Ａ，Ｂは逆向
きで略互い違いで間隔λ／２で配置される。両磁気抵抗
素子群Ａ，Ｂの各磁気抵抗パターン同士をそれぞれ導電
パターン１７１，１７３，１７５と１９１，１９３，１
９５によって直列に接続して導電パターン１７３，１９
３を出力端子ＦＧＡ，ＦＧＢとする。磁気抵抗パターン
Ｂ11とＡ11間とＢ22とＡ22間を導電パターン２１１，２
１３によって接続してこれらを通電端子ＶCC，ＧＮＤと
する。２つの導電パターン２１１，２１３を、それぞれ
磁気抵抗パターンＢ11とＡ11間，Ｂ22とＡ22間に設け
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば電子機器の回転
体の外周に繰り返し設けたＳ，Ｎ磁極の周期的変化を検
出するのに用いる磁気抵抗素子に関するものである。
体の外周に繰り返し設けたＳ，Ｎ磁極の周期的変化を検
出するのに用いる磁気抵抗素子に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、電子機器の回転体（例えばＣＤプレ
ーヤのターンテーブル等）の中には、その外周側面に磁
石のＳ，Ｎ極を等間隔で設けるとともに、該外周側面に
対向して磁気抵抗素子を配置したものがある。
ーヤのターンテーブル等）の中には、その外周側面に磁
石のＳ，Ｎ極を等間隔で設けるとともに、該外周側面に
対向して磁気抵抗素子を配置したものがある。
【０００３】この磁気抵抗素子は、前記回転体の回転に
応じてこの磁気抵抗素子に設けた複数の磁気抵抗パター
ンに入射する磁力線の方向が周期的に変化することによ
ってその抵抗値が変化することを利用してその出力電圧
を周期的に変化せしめ、これによって該回転体の回転状
態を検出するのに利用される。磁気抵抗パターンは、例
えばパーマロイ等の強磁性体材料によって形成されてい
る。
応じてこの磁気抵抗素子に設けた複数の磁気抵抗パター
ンに入射する磁力線の方向が周期的に変化することによ
ってその抵抗値が変化することを利用してその出力電圧
を周期的に変化せしめ、これによって該回転体の回転状
態を検出するのに利用される。磁気抵抗パターンは、例
えばパーマロイ等の強磁性体材料によって形成されてい
る。
【０００４】ここで図２はこの種の従来の磁気抵抗素子
８００を示す図であり、同図（ａ）は平面図であり、同
図（ｂ）は磁気抵抗素子８００の回転体８５０に対する
配置状態を示す概略側断面図、同図（ｃ）は磁気抵抗素
子８００の回路構成図である。
８００を示す図であり、同図（ａ）は平面図であり、同
図（ｂ）は磁気抵抗素子８００の回転体８５０に対する
配置状態を示す概略側断面図、同図（ｃ）は磁気抵抗素
子８００の回路構成図である。
【０００５】同図に示すようにこの磁気抵抗素子８００
は、ガラス又はシリコン製の基板８０１上に、細長い直
線状であって略コ字状に屈曲する４つの磁気抵抗パター
ンＡ1，Ａ2，Ｂ2，Ｂ1を並列に形成し、磁気抵抗パター
ンＡ1とＡ2間、Ａ2とＢ2間、Ｂ2とＢ1間をそれぞれ導電
パターン８１１，８１３，８１５によって直列に接続
し、また両端の磁気抵抗パターンＡ1とＢ1間を導電パタ
ーン８１７によって接続して構成されている。
は、ガラス又はシリコン製の基板８０１上に、細長い直
線状であって略コ字状に屈曲する４つの磁気抵抗パター
ンＡ1，Ａ2，Ｂ2，Ｂ1を並列に形成し、磁気抵抗パター
ンＡ1とＡ2間、Ａ2とＢ2間、Ｂ2とＢ1間をそれぞれ導電
パターン８１１，８１３，８１５によって直列に接続
し、また両端の磁気抵抗パターンＡ1とＢ1間を導電パタ
ーン８１７によって接続して構成されている。
【０００６】ここで導電パターン８１７は４つの磁気抵
抗パターンＡ1〜Ｂ2を囲むように形成されている。
抗パターンＡ1〜Ｂ2を囲むように形成されている。
【０００７】またこれら磁気抵抗パターンＡ1〜Ｂ2は、
いずれもパーマロイ等の強磁性体材料を真空蒸着等の技
術によって形成することによって構成されている。一方
導電パターン８１１〜８１７も磁気抵抗パターンＡ1〜
Ｂ2と同一の材料で形成されており、但しその幅を磁気
抵抗パターンＡ1〜Ｂ2の幅よりもかなり大きくすること
によって、その抵抗値を小さくしている。
いずれもパーマロイ等の強磁性体材料を真空蒸着等の技
術によって形成することによって構成されている。一方
導電パターン８１１〜８１７も磁気抵抗パターンＡ1〜
Ｂ2と同一の材料で形成されており、但しその幅を磁気
抵抗パターンＡ1〜Ｂ2の幅よりもかなり大きくすること
によって、その抵抗値を小さくしている。
【０００８】そして各磁気抵抗パターンＡ1〜Ｂ2の間隔
は、同図（ｂ）に示すように、円形の回転体８５０の外
周側面に設けた隣り合うＮ，Ｓ磁極の間隔をλとしたと
きに、それぞれλ／２となるように構成されている。
は、同図（ｂ）に示すように、円形の回転体８５０の外
周側面に設けた隣り合うＮ，Ｓ磁極の間隔をλとしたと
きに、それぞれλ／２となるように構成されている。
【０００９】そして同図（ａ）に示す導電パターン８１
７（通電端子）を電源電圧ＶCCに接続し、導電パターン
８１３（通電端子）をアースし、導電パターン８１１，
８１５をそれぞれ出力端子ＦＧＡ，ＦＧＢとして取り出
すこととすれば、同図（ｃ）に示すようなブリッジ回路
となる。
７（通電端子）を電源電圧ＶCCに接続し、導電パターン
８１３（通電端子）をアースし、導電パターン８１１，
８１５をそれぞれ出力端子ＦＧＡ，ＦＧＢとして取り出
すこととすれば、同図（ｃ）に示すようなブリッジ回路
となる。
【００１０】そして同図（ｂ）に示すようにこの磁気抵
抗素子８００を回転体８５０の外周側面に接近して配置
する。
抗素子８００を回転体８５０の外周側面に接近して配置
する。
【００１１】同図（ｂ）に示す状態の時は、磁気抵抗パ
ターンＡ1には左から右に向かってこれを直交するよう
に磁力線が入射し（磁界の方向Ｈ１）、磁気抵抗パター
ンＡ2には基板８０１の裏面から表面側に向けて磁力線
が入射し（磁界の方向Ｈ２）、磁気抵抗パターンＢ2に
は右から左に向かってこれを直交するように磁力線が入
射し（磁界の方向Ｈ３）、磁気抵抗パターンＢ1には基
板８０１の表面から裏面側に向けて磁力線が入射する
（磁界の方向Ｈ４）。
ターンＡ1には左から右に向かってこれを直交するよう
に磁力線が入射し（磁界の方向Ｈ１）、磁気抵抗パター
ンＡ2には基板８０１の裏面から表面側に向けて磁力線
が入射し（磁界の方向Ｈ２）、磁気抵抗パターンＢ2に
は右から左に向かってこれを直交するように磁力線が入
射し（磁界の方向Ｈ３）、磁気抵抗パターンＢ1には基
板８０１の表面から裏面側に向けて磁力線が入射する
（磁界の方向Ｈ４）。
【００１２】ところで磁気抵抗パターンＡ1〜Ｂ2はその
直線方向に直交し且つ基板８０１の面に平行な磁力線が
入射したとき（入射の方向は左右を問わない）、その抵
抗値が最も小さくなり、逆にその直線方向に平行に入射
する磁力線や、基板８０１の面に垂直に入射する磁力線
の場合は、その抵抗値はほとんど変わらないという性質
を有する。
直線方向に直交し且つ基板８０１の面に平行な磁力線が
入射したとき（入射の方向は左右を問わない）、その抵
抗値が最も小さくなり、逆にその直線方向に平行に入射
する磁力線や、基板８０１の面に垂直に入射する磁力線
の場合は、その抵抗値はほとんど変わらないという性質
を有する。
【００１３】従って、同図（ｂ）に示す状態の時は、磁
気抵抗パターンＡ1とＢ2の抵抗値は小さくて、磁気抵抗
パターンＡ2とＢ1の抵抗値は変わらない。このため同図
（ｃ）に示す回路において、抵抗Ｒ（Ａ1）とＲ（Ｂ2）
が同一抵抗値で小さく、一方抵抗Ｒ（Ａ2）とＲ（Ｂ1）
は同一抵抗値で変わらない。従ってこのときの出力端子
ＦＧＡの出力電圧は中点電位に対して最も大きく、出力
端子ＦＧＢの出力電圧は中点電位に対して最も小さくな
る。
気抵抗パターンＡ1とＢ2の抵抗値は小さくて、磁気抵抗
パターンＡ2とＢ1の抵抗値は変わらない。このため同図
（ｃ）に示す回路において、抵抗Ｒ（Ａ1）とＲ（Ｂ2）
が同一抵抗値で小さく、一方抵抗Ｒ（Ａ2）とＲ（Ｂ1）
は同一抵抗値で変わらない。従ってこのときの出力端子
ＦＧＡの出力電圧は中点電位に対して最も大きく、出力
端子ＦＧＢの出力電圧は中点電位に対して最も小さくな
る。
【００１４】そして同図（ｂ）に示す回転体８５０を矢
印Ｃ方向に回転すれば、各磁気抵抗パターンＡ1〜Ｂ2に
はこれに入射する磁界の方向がＨ１→Ｈ２→Ｈ３→Ｈ４
と変化していくので、各磁気抵抗パターンＡ1〜Ｂ2の抵
抗値も略サインカーブ状に変化し、その出力端子ＦＧＡ
とＦＧＢの出力電圧も略サインカーブ状になる。両出力
端子ＦＧＡ，ＦＧＢの出力電圧は中点電位に対してその
出力状態が逆なので、図３に実線と破線で示すように位
相が１８０度ずれる。
印Ｃ方向に回転すれば、各磁気抵抗パターンＡ1〜Ｂ2に
はこれに入射する磁界の方向がＨ１→Ｈ２→Ｈ３→Ｈ４
と変化していくので、各磁気抵抗パターンＡ1〜Ｂ2の抵
抗値も略サインカーブ状に変化し、その出力端子ＦＧＡ
とＦＧＢの出力電圧も略サインカーブ状になる。両出力
端子ＦＧＡ，ＦＧＢの出力電圧は中点電位に対してその
出力状態が逆なので、図３に実線と破線で示すように位
相が１８０度ずれる。
【００１５】そして両出力端子ＦＧＡとＦＧＢの出力を
図４に示すように、差動増幅すれば、大きな出力変化が
得られる。
図４に示すように、差動増幅すれば、大きな出力変化が
得られる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記磁気抵抗
素子８００の場合、図２（ｂ）に示す回転体８５０を矢
印Ｃ方向に回転した場合と、逆の矢印Ｄ方向に回転した
場合とで、たとえ回転体８５０に対して各磁気抵抗パタ
ーンＡ1〜Ｂ2の位置が同一位置にきたとしても、各磁気
抵抗パターンＡ1〜Ｂ2の抵抗値が多少異なってしまい、
その出力電圧も多少相違してしまうという欠点があっ
た。
素子８００の場合、図２（ｂ）に示す回転体８５０を矢
印Ｃ方向に回転した場合と、逆の矢印Ｄ方向に回転した
場合とで、たとえ回転体８５０に対して各磁気抵抗パタ
ーンＡ1〜Ｂ2の位置が同一位置にきたとしても、各磁気
抵抗パターンＡ1〜Ｂ2の抵抗値が多少異なってしまい、
その出力電圧も多少相違してしまうという欠点があっ
た。
【００１７】これは各磁気抵抗パターンＡ1〜Ｂ2が図５
に示すようなヒステリシスを持つ特性があり、このため
磁界の強さを高くしていく場合と低くしていく場合にお
いて、その磁気抵抗値が異なってしまうためである。
に示すようなヒステリシスを持つ特性があり、このため
磁界の強さを高くしていく場合と低くしていく場合にお
いて、その磁気抵抗値が異なってしまうためである。
【００１８】ここで図６はこの欠点を解消する磁気抵抗
素子９００を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）は磁気抵抗素子９００の回転体８５０に対する配
置状態を示す概略側断面図、同図（ｃ）は磁気抵抗素子
９００の回路構成図である。
素子９００を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）は磁気抵抗素子９００の回転体８５０に対する配
置状態を示す概略側断面図、同図（ｃ）は磁気抵抗素子
９００の回路構成図である。
【００１９】この磁気抵抗素子９００において前記図２
に示す磁気抵抗素子８００と相違する点は、磁気抵抗パ
ターンを８つとし、２つずつの磁気抵抗パターンで前記
ヒステリシスによる抵抗値変化をキャンセルするように
構成した点である。
に示す磁気抵抗素子８００と相違する点は、磁気抵抗パ
ターンを８つとし、２つずつの磁気抵抗パターンで前記
ヒステリシスによる抵抗値変化をキャンセルするように
構成した点である。
【００２０】即ち、２つの磁気抵抗パターンＡ11とＡ12
間，Ａ21とＡ22間，Ｂ22とＢ21間，Ｂ12とＢ11間をそれ
ぞれ距離λだけ離して形成し、同時に磁気抵抗パターン
Ａ11とＡ21とＢ22とＢ12間（又はＡ12とＡ22とＢ21とＢ
11間）をそれぞれ（１＋１／２）・λだけ離して形成し
ている。
間，Ａ21とＡ22間，Ｂ22とＢ21間，Ｂ12とＢ11間をそれ
ぞれ距離λだけ離して形成し、同時に磁気抵抗パターン
Ａ11とＡ21とＢ22とＢ12間（又はＡ12とＡ22とＢ21とＢ
11間）をそれぞれ（１＋１／２）・λだけ離して形成し
ている。
【００２１】このように構成すれば同図（ｂ）に示すよ
うに、それぞれ２つ１組の磁気抵抗パターンＡ11と
Ａ12，Ａ21とＡ22，Ｂ11とＢ12，Ｂ21とＢ22に入射する
磁界の方向はそれぞれ１８０°逆方向となり、回転体８
５０を矢印Ｃ方向又はＤ方向の何れの方向に回転して
も、各２つ１組の磁気抵抗パターンの抵抗値は磁界の入
射する方向に依存しない値となり、従ってヒステリシス
特性は発生しない。
うに、それぞれ２つ１組の磁気抵抗パターンＡ11と
Ａ12，Ａ21とＡ22，Ｂ11とＢ12，Ｂ21とＢ22に入射する
磁界の方向はそれぞれ１８０°逆方向となり、回転体８
５０を矢印Ｃ方向又はＤ方向の何れの方向に回転して
も、各２つ１組の磁気抵抗パターンの抵抗値は磁界の入
射する方向に依存しない値となり、従ってヒステリシス
特性は発生しない。
【００２２】しかしながらこの磁気抵抗素子９００にお
いては、磁気抵抗パターンＡ11〜Ｂ22が８つあるため、
該磁気抵抗素子９００の幅方向の寸法が大きくなってし
まい小型化が図れない。
いては、磁気抵抗パターンＡ11〜Ｂ22が８つあるため、
該磁気抵抗素子９００の幅方向の寸法が大きくなってし
まい小型化が図れない。
【００２３】また回転体８５０は通常円形で所定の曲率
を持っているが、磁気抵抗パターンＡ11〜Ｂ22間の幅が
大きくなると、その中央と両端部において回転体８５０
からの距離の相違が大きくなってしまうので、各磁気抵
抗パターンＡ11〜Ｂ22の抵抗値の変化が均一でなくなっ
てしまう。つまり磁気抵抗素子９００の幅寸法はこの点
からも小さい方が良い。
を持っているが、磁気抵抗パターンＡ11〜Ｂ22間の幅が
大きくなると、その中央と両端部において回転体８５０
からの距離の相違が大きくなってしまうので、各磁気抵
抗パターンＡ11〜Ｂ22の抵抗値の変化が均一でなくなっ
てしまう。つまり磁気抵抗素子９００の幅寸法はこの点
からも小さい方が良い。
【００２４】この寸法を小さくするためには、図７に示
す磁気抵抗素子９５０のように、前記磁気抵抗パターン
Ａ11，Ａ12，Ａ21，Ａ22の組（第１の磁気抵抗素子群
Ａ）と、磁気抵抗パターンＢ11，Ｂ12，Ｂ21，Ｂ22の組
（第２の磁気抵抗素子群Ｂ）を対向するように配置すれ
ば良い。このとき２つの磁気抵抗パターンＡ11とＡ
12間，Ａ21とＡ22間，Ｂ11とＢ12間，Ｂ21とＢ22間はい
ずれも距離λだけ離し、同時に各磁気抵抗パターンＢ11
とＡ11とＢ12とＡ12とＡ21とＢ21とＡ22とＢ22間はそれ
ぞれ（１／２）・λだけ離して形成している。
す磁気抵抗素子９５０のように、前記磁気抵抗パターン
Ａ11，Ａ12，Ａ21，Ａ22の組（第１の磁気抵抗素子群
Ａ）と、磁気抵抗パターンＢ11，Ｂ12，Ｂ21，Ｂ22の組
（第２の磁気抵抗素子群Ｂ）を対向するように配置すれ
ば良い。このとき２つの磁気抵抗パターンＡ11とＡ
12間，Ａ21とＡ22間，Ｂ11とＢ12間，Ｂ21とＢ22間はい
ずれも距離λだけ離し、同時に各磁気抵抗パターンＢ11
とＡ11とＢ12とＡ12とＡ21とＢ21とＡ22とＢ22間はそれ
ぞれ（１／２）・λだけ離して形成している。
【００２５】そして機器の小型化に伴い、また同一面積
の基板からより多くの素子を取り出すため、磁気抵抗素
子のさらなる小型化が望まれているが、上記磁気抵抗素
子９５０ではさらなる小型化は達成できない。
の基板からより多くの素子を取り出すため、磁気抵抗素
子のさらなる小型化が望まれているが、上記磁気抵抗素
子９５０ではさらなる小型化は達成できない。
【００２６】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
ありその目的は、幅方向の寸法のさらなる小型化が図れ
る磁気抵抗素子を提供することにある。
ありその目的は、幅方向の寸法のさらなる小型化が図れ
る磁気抵抗素子を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明は、Ｎ，Ｓ磁極を間隔λで交互に着磁した着磁
体の該Ｎ，Ｓ磁極に対向する位置に配置され、該着磁体
が相対的に移動することによって生ずる周期的磁界の変
化を検出する磁気抵抗素子において、前記磁気抵抗素子
は、基板の表面に、細長い直線状であって略コ字状に屈
曲する４つの磁気抵抗パターンをそれぞれ間隔λ，（１
／２）λ，λで平行に配置した第１の磁気抵抗素子群
と、細長い直線状であって略コ字状に屈曲する４つの磁
気抵抗パターンをそれぞれ間隔λ，（１＋１／２）λ，
λで平行に配置した第２の磁気抵抗素子群とを設け、前
記両磁気抵抗素子群は逆向きで略互い違いに配置される
と共に各磁気抵抗パターン間の間隔がいずれも（１／
２）λとなるように平行に配置され、第１の磁気抵抗素
子群を構成する４つの磁気抵抗パターンを導電パターン
によって直列に接続して中央の２つの磁気抵抗パターン
間を接続する導電パターンを一方の出力端子とし、第２
の磁気抵抗素子群を構成する４つの磁気抵抗パターンを
導電パターンによって直列に接続して中央の２つの磁気
抵抗パターン間を接続する導電パターンを他方の出力端
子とし、２組の磁気抵抗素子群のそれぞれ両端の残りの
磁気抵抗パターンの１端部間同士をそれぞれ導電パター
ンによって接続して該接続した両導電パターンを通電端
子としてブリッジ回路を構成し、さらに前記通電端子と
なる２つの導電パターンの内の少なくとも一方を、第２
の磁気抵抗素子群の端部の磁気抵抗パターンと第１の磁
気抵抗素子群の端部の磁気抵抗パターンの間に設けて構
成した。
め本発明は、Ｎ，Ｓ磁極を間隔λで交互に着磁した着磁
体の該Ｎ，Ｓ磁極に対向する位置に配置され、該着磁体
が相対的に移動することによって生ずる周期的磁界の変
化を検出する磁気抵抗素子において、前記磁気抵抗素子
は、基板の表面に、細長い直線状であって略コ字状に屈
曲する４つの磁気抵抗パターンをそれぞれ間隔λ，（１
／２）λ，λで平行に配置した第１の磁気抵抗素子群
と、細長い直線状であって略コ字状に屈曲する４つの磁
気抵抗パターンをそれぞれ間隔λ，（１＋１／２）λ，
λで平行に配置した第２の磁気抵抗素子群とを設け、前
記両磁気抵抗素子群は逆向きで略互い違いに配置される
と共に各磁気抵抗パターン間の間隔がいずれも（１／
２）λとなるように平行に配置され、第１の磁気抵抗素
子群を構成する４つの磁気抵抗パターンを導電パターン
によって直列に接続して中央の２つの磁気抵抗パターン
間を接続する導電パターンを一方の出力端子とし、第２
の磁気抵抗素子群を構成する４つの磁気抵抗パターンを
導電パターンによって直列に接続して中央の２つの磁気
抵抗パターン間を接続する導電パターンを他方の出力端
子とし、２組の磁気抵抗素子群のそれぞれ両端の残りの
磁気抵抗パターンの１端部間同士をそれぞれ導電パター
ンによって接続して該接続した両導電パターンを通電端
子としてブリッジ回路を構成し、さらに前記通電端子と
なる２つの導電パターンの内の少なくとも一方を、第２
の磁気抵抗素子群の端部の磁気抵抗パターンと第１の磁
気抵抗素子群の端部の磁気抵抗パターンの間に設けて構
成した。
【００２８】
【作用】通電端子となる導電パターンを、第２の磁気抵
抗素子群の端部の磁気抵抗パターンと第１の磁気抵抗素
子群の端部の磁気抵抗パターンの間に設けたので、該通
電端子となる導電パターンの幅分だけ磁気抵抗素子を設
ける基板の幅方向の寸法を小さくできる。
抗素子群の端部の磁気抵抗パターンと第１の磁気抵抗素
子群の端部の磁気抵抗パターンの間に設けたので、該通
電端子となる導電パターンの幅分だけ磁気抵抗素子を設
ける基板の幅方向の寸法を小さくできる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は本発明の１実施例にかかる磁気抵抗
素子１０を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）は磁気抵抗素子１０の回転体５０に対する配置状
態を示す概略側断面図、同図（ｃ）は磁気抵抗素子１０
の回路構成図である。
に説明する。図１は本発明の１実施例にかかる磁気抵抗
素子１０を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）は磁気抵抗素子１０の回転体５０に対する配置状
態を示す概略側断面図、同図（ｃ）は磁気抵抗素子１０
の回路構成図である。
【００３０】同図に示すようにこの磁気抵抗素子１０
は、ガラスやシリコン等からなる基板１１の表面に、第
１の磁気抵抗素子群Ａ（Ａ11，Ａ12，Ａ21，Ａ22）と、
第２の磁気抵抗素子群Ｂ（Ｂ11，Ｂ12，Ｂ21，Ｂ22）を
設けて構成されている。
は、ガラスやシリコン等からなる基板１１の表面に、第
１の磁気抵抗素子群Ａ（Ａ11，Ａ12，Ａ21，Ａ22）と、
第２の磁気抵抗素子群Ｂ（Ｂ11，Ｂ12，Ｂ21，Ｂ22）を
設けて構成されている。
【００３１】ここで第１の磁気抵抗素子群Ａは、細長い
直線状であって略コ字状に屈曲する４つの磁気抵抗パタ
ーンＡ11，Ａ12，Ａ21，Ａ22をそれぞれ間隔λ，（１／
２）λ，λで平行に配置して構成されている。
直線状であって略コ字状に屈曲する４つの磁気抵抗パタ
ーンＡ11，Ａ12，Ａ21，Ａ22をそれぞれ間隔λ，（１／
２）λ，λで平行に配置して構成されている。
【００３２】また第２の磁気抵抗素子群Ｂは、細長い直
線状であって略コ字状に屈曲する４つの磁気抵抗パター
ンＢ11，Ｂ12，Ｂ21，Ｂ22をそれぞれ間隔λ，（１＋１
／２）λ，λで平行に配置して構成されている。
線状であって略コ字状に屈曲する４つの磁気抵抗パター
ンＢ11，Ｂ12，Ｂ21，Ｂ22をそれぞれ間隔λ，（１＋１
／２）λ，λで平行に配置して構成されている。
【００３３】そして両磁気抵抗素子群Ａ，Ｂは逆向きで
略互い違いに配置されると共に各磁気抵抗パターン
Ｂ11，Ａ11，Ｂ12，Ａ12，Ａ21，Ｂ21，Ａ22，Ｂ22間の
間隔がいずれも（１／２）λとなるように平行に配置さ
れている。
略互い違いに配置されると共に各磁気抵抗パターン
Ｂ11，Ａ11，Ｂ12，Ａ12，Ａ21，Ｂ21，Ａ22，Ｂ22間の
間隔がいずれも（１／２）λとなるように平行に配置さ
れている。
【００３４】そして第１の磁気抵抗素子群Ａを構成する
４つの磁気抵抗パターンＡ11〜Ａ22の内の互いに隣り合
う磁気抵抗パターンの１端部同士を導電パターン１７
１，１７３，１７５によってそれぞれ直列に接続するこ
とによって中央の２つの磁気抵抗パターンＡ12，Ａ21間
を接続する導電パターン１７３を一方の出力端子ＦＧＡ
とする。
４つの磁気抵抗パターンＡ11〜Ａ22の内の互いに隣り合
う磁気抵抗パターンの１端部同士を導電パターン１７
１，１７３，１７５によってそれぞれ直列に接続するこ
とによって中央の２つの磁気抵抗パターンＡ12，Ａ21間
を接続する導電パターン１７３を一方の出力端子ＦＧＡ
とする。
【００３５】一方第２の磁気抵抗素子群Ｂを構成する４
つの磁気抵抗パターンＢ11〜Ｂ22の内の互いに隣り合う
磁気抵抗パターンの１端部同士を導電パターン１９１，
１９３，１９５によってそれぞれ直列に接続することに
よって中央の２つの磁気抵抗パターンＢ12，Ｂ21間を接
続する導電パターン１９３を他方の出力端子ＦＧＢとす
る。
つの磁気抵抗パターンＢ11〜Ｂ22の内の互いに隣り合う
磁気抵抗パターンの１端部同士を導電パターン１９１，
１９３，１９５によってそれぞれ直列に接続することに
よって中央の２つの磁気抵抗パターンＢ12，Ｂ21間を接
続する導電パターン１９３を他方の出力端子ＦＧＢとす
る。
【００３６】そして２組の磁気抵抗素子群Ａ，Ｂのそれ
ぞれ両端の磁気抵抗パターンＡ11とＢ11，Ａ22とＢ22の
１端部間同士をそれぞれ導電パターン２１１，２１３に
よって接続して該接続した両導電パターン２１１，２１
３をそれぞれ通電端子として一方を電源電圧ＶCCの端子
とし、他方をアースＧＮＤの端子としての機能を持たせ
同図（ｃ）に示すブリッジ回路を構成する。
ぞれ両端の磁気抵抗パターンＡ11とＢ11，Ａ22とＢ22の
１端部間同士をそれぞれ導電パターン２１１，２１３に
よって接続して該接続した両導電パターン２１１，２１
３をそれぞれ通電端子として一方を電源電圧ＶCCの端子
とし、他方をアースＧＮＤの端子としての機能を持たせ
同図（ｃ）に示すブリッジ回路を構成する。
【００３７】そして本発明においては、前記図７に示す
磁気抵抗素子９５０と相違し、前記通電端子となる２つ
の導電パターン２１１，２１３を、それぞれ電源電圧Ｖ
CCの端子、アースＧＮＤの端子として、第２の磁気抵抗
素子群Ｂの両端の磁気抵抗パターンＢ11，Ｂ22と第１の
磁気抵抗素子群Ａの両端の磁気抵抗パターンＡ11，Ａ22
の間に設けることとした。
磁気抵抗素子９５０と相違し、前記通電端子となる２つ
の導電パターン２１１，２１３を、それぞれ電源電圧Ｖ
CCの端子、アースＧＮＤの端子として、第２の磁気抵抗
素子群Ｂの両端の磁気抵抗パターンＢ11，Ｂ22と第１の
磁気抵抗素子群Ａの両端の磁気抵抗パターンＡ11，Ａ22
の間に設けることとした。
【００３８】このように構成すれば、図７に示す磁気抵
抗素子９５０に比べて略２つの導電パターン２１１，２
１３の幅分だけ磁気抵抗素子１０の基板１１の幅方向の
寸法を小さくできる。
抗素子９５０に比べて略２つの導電パターン２１１，２
１３の幅分だけ磁気抵抗素子１０の基板１１の幅方向の
寸法を小さくできる。
【００３９】なおこの磁気抵抗素子１０において、２つ
ずつの磁気抵抗パターンＡ11とＡ12間，Ａ21とＡ22間，
Ｂ11とＢ12間，Ｂ21とＢ22間をそれぞれ距離λだけ離し
て設けたのは、上記磁気抵抗素子９００，９５０と同様
に、ヒステリシスによる影響をキャンセルするためであ
り、また２組の磁気抵抗素子群Ａ，Ｂを逆向きに対向し
て互い違いに配置したのは小型化のためであることは言
うまでもない。
ずつの磁気抵抗パターンＡ11とＡ12間，Ａ21とＡ22間，
Ｂ11とＢ12間，Ｂ21とＢ22間をそれぞれ距離λだけ離し
て設けたのは、上記磁気抵抗素子９００，９５０と同様
に、ヒステリシスによる影響をキャンセルするためであ
り、また２組の磁気抵抗素子群Ａ，Ｂを逆向きに対向し
て互い違いに配置したのは小型化のためであることは言
うまでもない。
【００４０】なおこの実施例にかかる磁気抵抗素子１０
の具体的寸法は、例えば基板１１の外形寸法が２．７mm
×３．３mm、基板１１の厚みが０．７mm、磁気抵抗パタ
ーンの厚みが０．０５μｍ、各磁気抵抗パターンの幅が
１０μｍ、各導電パターンの幅が２００μｍである。な
お回転体５０は円板状以外の着磁体であってもよい。
の具体的寸法は、例えば基板１１の外形寸法が２．７mm
×３．３mm、基板１１の厚みが０．７mm、磁気抵抗パタ
ーンの厚みが０．０５μｍ、各磁気抵抗パターンの幅が
１０μｍ、各導電パターンの幅が２００μｍである。な
お回転体５０は円板状以外の着磁体であってもよい。
【００４１】なお本発明は、通電端子となる２つの導電
パターン２１１，２１３の内のいずれか一方のみを、第
２の磁気抵抗素子群Ｂの端部の磁気抵抗パターンＢ11又
はＢ22と第１の磁気抵抗素子群Ａの端部の磁気抵抗パタ
ーンＡ11又はＡ22の間に設けてもよい。
パターン２１１，２１３の内のいずれか一方のみを、第
２の磁気抵抗素子群Ｂの端部の磁気抵抗パターンＢ11又
はＢ22と第１の磁気抵抗素子群Ａの端部の磁気抵抗パタ
ーンＡ11又はＡ22の間に設けてもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、磁気抵抗パターンのヒステリシスによる出力波形の
歪を防止した構造の磁気抵抗素子であるにもかかわら
ず、その回路パターンを複雑にすることなく容易にその
小型化が図れるという優れた効果を奏する。
ば、磁気抵抗パターンのヒステリシスによる出力波形の
歪を防止した構造の磁気抵抗素子であるにもかかわら
ず、その回路パターンを複雑にすることなく容易にその
小型化が図れるという優れた効果を奏する。
【図１】本発明の１実施例にかかる磁気抵抗素子１０を
示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は磁気
抵抗素子１０の回転体５０に対する配置状態を示す概略
側断面図、同図（ｃ）は磁気抵抗素子１０の回路構成図
である。
示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は磁気
抵抗素子１０の回転体５０に対する配置状態を示す概略
側断面図、同図（ｃ）は磁気抵抗素子１０の回路構成図
である。
【図２】従来の磁気抵抗素子８００を示す図であり、同
図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は磁気抵抗素子８００の
回転体８５０に対する配置状態を示す概略側断面図、同
図（ｃ）は磁気抵抗素子８００の回路構成図である。
図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は磁気抵抗素子８００の
回転体８５０に対する配置状態を示す概略側断面図、同
図（ｃ）は磁気抵抗素子８００の回路構成図である。
【図３】磁気抵抗素子８００の出力波形を示す図であ
る。
る。
【図４】出力端子ＦＧＡとＦＧＢの出力の差動増幅回路
を示す図である。
を示す図である。
【図５】各磁気抵抗パターンＡ1〜Ｂ2の磁気抵抗効果の
ヒステリシスを示す図である。
ヒステリシスを示す図である。
【図６】磁気抵抗素子９００を示す図であり、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は磁気抵抗素子９００の回
転体８５０に対する配置状態を示す概略側断面図、同図
（ｃ）は磁気抵抗素子９００の回路構成図である。
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は磁気抵抗素子９００の回
転体８５０に対する配置状態を示す概略側断面図、同図
（ｃ）は磁気抵抗素子９００の回路構成図である。
【図７】磁気抵抗素子９５０を示す図であり、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は磁気抵抗素子９５０の回
転体８５０に対する配置状態を示す概略側断面図、同図
（ｃ）は磁気抵抗素子９５０の回路構成図である。
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は磁気抵抗素子９５０の回
転体８５０に対する配置状態を示す概略側断面図、同図
（ｃ）は磁気抵抗素子９５０の回路構成図である。
１０ 磁気抵抗素子 １１ 基板 Ａ 第１の磁気抵抗素子群 Ａ11，Ａ12，Ａ21，Ａ22 磁気抵抗パターン Ｂ 第２の磁気抵抗素子群 Ｂ11，Ｂ12，Ｂ21，Ｂ22 磁気抵抗パターン １７１，１７３，１７５ 導電パターン ＦＧＡ，ＦＧＢ 出力端子 １９１，１９３，１９５ 導電パターン ２１１，２１３ 導電パターン（通電端子） ５０ 回転体（着磁体）
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｎ，Ｓ磁極を間隔λで交互に着磁した着
磁体の該Ｎ，Ｓ磁極に対向する位置に配置され、該着磁
体が相対的に移動することによって生ずる周期的磁界の
変化を検出する磁気抵抗素子において、 前記磁気抵抗素子は、基板の表面に、細長い直線状であ
って略コ字状に屈曲する４つの磁気抵抗パターンをそれ
ぞれ間隔λ，（１／２）λ，λで平行に配置した第１の
磁気抵抗素子群と、細長い直線状であって略コ字状に屈
曲する４つの磁気抵抗パターンをそれぞれ間隔λ，（１
＋１／２）λ，λで平行に配置した第２の磁気抵抗素子
群とを設け、 前記両磁気抵抗素子群は逆向きで略互い違いに配置され
ると共に各磁気抵抗パターン間の間隔がいずれも（１／
２）λとなるように平行に配置され、 第１の磁気抵抗素子群を構成する４つの磁気抵抗パター
ンを導電パターンによって直列に接続して中央の２つの
磁気抵抗パターン間を接続する導電パターンを一方の出
力端子とし、 第２の磁気抵抗素子群を構成する４つの磁気抵抗パター
ンを導電パターンによって直列に接続して中央の２つの
磁気抵抗パターン間を接続する導電パターンを他方の出
力端子とし、 ２組の磁気抵抗素子群のそれぞれ両端の残りの磁気抵抗
パターンの１端部間同士をそれぞれ導電パターンによっ
て接続して該接続した両導電パターンを通電端子として
ブリッジ回路を構成し、 さらに前記通電端子となる２つの導電パターンの内の少
なくとも一方を、第２の磁気抵抗素子群の端部の磁気抵
抗パターンと第１の磁気抵抗素子群の端部の磁気抵抗パ
ターンの間に設けたことを特徴とする磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7050537A JPH08222780A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7050537A JPH08222780A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222780A true JPH08222780A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12861765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7050537A Pending JPH08222780A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222780A (ja) |
-
1995
- 1995-02-14 JP JP7050537A patent/JPH08222780A/ja active Pending
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