JPH0473316B2 - - Google Patents

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JPH0473316B2
JPH0473316B2 JP57079991A JP7999182A JPH0473316B2 JP H0473316 B2 JPH0473316 B2 JP H0473316B2 JP 57079991 A JP57079991 A JP 57079991A JP 7999182 A JP7999182 A JP 7999182A JP H0473316 B2 JPH0473316 B2 JP H0473316B2
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JP
Japan
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magnetic field
field detection
magnetoresistive
pattern
resistance change
Prior art date
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JP57079991A
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Inventor
Satoshi Takahashi
Katsuyoshi Tamura
Hiromi Kanai
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

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  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、周期的信号磁界の強弱、ピーク近傍
の変化を磁気抵抗効果素子（以下MR素子と略称
する）の電気抵抗変化を介して検出する磁場検出
素子に関する。
従来の磁場検出素子に用いるMR素子の問題点
を図を用いて説明する。
第１図ａは従来のMR素子の斜視図、ｂはその
静特性図、ｃはその等価回路図を示したものであ
る。１はMR素子、２は磁石の磁界分布、３，４
は磁石の磁化方向を示す。信号磁界HxとMR素
子の抵抗変化との間には、図ｂの５に示す様な関
係がある。
飽和磁界Ｈ（この値は、MR素子の形状及び磁
気特性によつて決まる）以下で磁界が変化する場
合、初期抵抗からＨを加えた時の抵抗変化の傾き
で信号の出力が決まるが、磁石ピツチＰが微小な
ためMR素子のストライプの幅も微小となり、そ
のため反磁界が大きくなつて低磁場での抵抗変化
が小さくなるという欠点があつた。
また、検出部が１本のため磁石ピツチのバラツ
キ及び出力のバラツキにより図ｃの出力電圧
Voutは大きく変動し正確な位置検出が出来ない。
本発明の目的は、MR素子が低磁場にて電気抵
抗変化が大きくなり、それを電圧信号に変換した
場合にそのバラツキを小さくすることが可能な磁
場検出素子を提供することにある。
低磁場においては、MR素子の反磁界の影響が
大となり実際にMR素子に加わる磁界が小さくな
る。そこで本発明は、効率よくMR素子に磁界が
加わるようにするために両脇または片脇にMR素
子と同一の材料を配置し磁束が検出部に集まる様
にし、それを複数のヘアピンループ状に形成し磁
場の不均一によるMR素子の電圧出力のバラツキ
を小さくするようにしたものである。
第２図は本発明の磁界検出部の方式の１例であ
り、ａは斜視図、ｂは等価回路図である。MR素
子１０の６個の磁界検出部の中央及び両脇に有限
長のギヤツプを介して高透磁率の材料１１の配線
もしくはパターンを形成している。その抵抗変化
は図ｃの６のようになり従来の５より低磁場にて
抵抗変化が大きいので図ｂの様な回路に実装した
場合の電圧信号Voutの振幅が大きくなる。また
この場合、電圧信号は６個の磁界検出部の平均化
されたものが電気的出力となり、１個の場合より
も大幅にバラツキがなくなる。また磁石製造時の
磁化のバラツキも補正でき、ある程度のバラツキ
の磁石も使用出来るので歩留が向上する。
このように、本発明によると、出力信号大でバ
ラツキの少ない高精度の磁場検出素子を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の磁場検出素子の概略図、第２図
は本発明による磁場検出素子の一実施例を示すも
のでａは斜視図、ｂは等価回路図、ｃは特性図で
ある。 １，１０……MR素子、２……磁石の磁界分
布、３，４……磁化方向、５……従来の抵抗変化
特性、６……本発明によるMR素子の抵抗変化特
性。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 基板上に６個の磁気抵抗効果素子が並置して
    形成され、前記６個の磁気抵抗効果素子は電気的
    に直列接続されている磁場検出素子において、
    各々の磁気抵抗効果素子の両脇には有限のギヤツ
    プを介して磁気抵抗効果素子と同一材料からなる
    パターンが形成され、前記６個の磁気抵抗効果素
    子のうち、最外側の磁気抵抗効果素子よりも外側
    に形成された前記パターンは前記最外側の磁気抵
    抗効果素子より内側に形成された前記パターンよ
    りもパターン幅が広いことを特徴とする磁場検出
    素子。
JP57079991A 1982-05-14 1982-05-14 磁場検出素子 Granted JPS58197892A (ja)

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WO2009084434A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Alps Electric Co., Ltd. 磁気センサ及び磁気センサモジュール
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JPS5637822A (en) * 1979-09-03 1981-04-11 Nec Corp Magnetic-field detector

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