JP5348080B2 - 磁気センサおよびその製造方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 124
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 131
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 64
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 63
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co].[Pt] Chemical compound [Cr].[Co].[Pt] DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 145
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 108
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 27
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N cobalt iron Chemical compound [Fe].[Co].[Co] FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- BDVUYXNQWZQBBN-UHFFFAOYSA-N [Co].[Zr].[Nb] Chemical compound [Co].[Zr].[Nb] BDVUYXNQWZQBBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N manganese platinum Chemical compound [Mn].[Pt] IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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Description
本発明は、ピンド層とフリー層とを含んでなる磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサおよびその製造方法に関し、特に磁気センサの表面に垂直な方向の磁場を測定する高感度の磁気センサおよびその製造方法に関するものである。
従来から、磁気センサに使用される素子として、磁気抵抗効果素子が用いられている。これには、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素子）、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）、および磁気トンネル効果素子（ＴＭＲ素子）がある。ＡＭＲ素子は、ＭＲ膜からなり、外部磁界により、この膜の磁化が回転することにより、ＭＲ膜の抵抗値が変化するので、この出力により外部磁界の向きを検出することができる。
一方、ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子は、磁界の変化をより感度よく検出することができることで知られている。これらの磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが所定の向きにピン（固定）されたピンド層と、磁化の向きが外部磁界に応じて変化するフリー層とを備えており、ピンド層の磁化の向きと、フリー層の磁化の向きの相対関係に応じた抵抗値を出力として示す。
このような素子を、直交する２方向（ここでは、以下「直交する２方向」を「Ｘ軸方向、Ｙ軸方向」とする。）の磁界の変化をそれぞれ検出するように、それぞれ１個ずつ直交するように配置する。その際、それぞれを数個ずつの素子群としてブリッジ接続するのが一般的である。そして、それぞれの素子の出力（抵抗値の変化）を得ることにより、外部磁界の向きを検出することができる。
その結果、図１１に示すように、一方向への一様な磁界中で、その磁界方向を含む面内で磁気センサを回転させたとき、Ｘ軸センサ出力とＹ軸センサ出力が９０°位相のずれた形の正弦波出力となる、いわゆる二次元（二軸）磁気センサとなる。
一方、ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子は、磁界の変化をより感度よく検出することができることで知られている。これらの磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが所定の向きにピン（固定）されたピンド層と、磁化の向きが外部磁界に応じて変化するフリー層とを備えており、ピンド層の磁化の向きと、フリー層の磁化の向きの相対関係に応じた抵抗値を出力として示す。
このような素子を、直交する２方向（ここでは、以下「直交する２方向」を「Ｘ軸方向、Ｙ軸方向」とする。）の磁界の変化をそれぞれ検出するように、それぞれ１個ずつ直交するように配置する。その際、それぞれを数個ずつの素子群としてブリッジ接続するのが一般的である。そして、それぞれの素子の出力（抵抗値の変化）を得ることにより、外部磁界の向きを検出することができる。
その結果、図１１に示すように、一方向への一様な磁界中で、その磁界方向を含む面内で磁気センサを回転させたとき、Ｘ軸センサ出力とＹ軸センサ出力が９０°位相のずれた形の正弦波出力となる、いわゆる二次元（二軸）磁気センサとなる。
通常、二次元での方位を求めるには、Ｘ軸方向の出力を検出するＸセンサと、Ｙ軸方向の出力を検出するＹセンサを一対にして、図１１に示すように、２方向の磁界に対して感応する二次元磁気センサを形成して、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の出力をそれぞれ測定し、ｓｉｎθとｃｏｓθから方位を検出する。これにより、二次元平面において、どの方位を指しているかを求めることができる。
一方、二次元平面ではなく、空間での方位、すなわち、三次元的に方位が求められる必要のある場合がある。例えば、医療用途において、体内における治療対象部位の位置を特定するために、体内に内視鏡やカテーテルなどを挿入した際に、これら医療機器の先端の位置や、姿勢を検出する必要がある。このような用途では、磁気の方位を三次元的（Ｘ方向、Ｙ方向だけでなくＺ方向）に精度良く求める必要がある。従来、このような三次元的に方位を求めることが可能な三次元磁気センサを同一基板上に作製することができないため、薄型の三次元磁気センサが得られていなかった。したがって、携帯電話などの小型の機器には、三次元磁気センサを搭載することができなかった。
一方、二次元平面ではなく、空間での方位、すなわち、三次元的に方位が求められる必要のある場合がある。例えば、医療用途において、体内における治療対象部位の位置を特定するために、体内に内視鏡やカテーテルなどを挿入した際に、これら医療機器の先端の位置や、姿勢を検出する必要がある。このような用途では、磁気の方位を三次元的（Ｘ方向、Ｙ方向だけでなくＺ方向）に精度良く求める必要がある。従来、このような三次元的に方位を求めることが可能な三次元磁気センサを同一基板上に作製することができないため、薄型の三次元磁気センサが得られていなかった。したがって、携帯電話などの小型の機器には、三次元磁気センサを搭載することができなかった。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の磁気センサは、表面に二酸化ケイ素層が形成された基板と、前記基板上に形成された楔型溝と、前記楔型溝および前記二酸化ケイ素層表面の一部に形成された下地膜と、前記二酸化ケイ素層、前記下地膜の表面上に形成された磁気抵抗効果素子と、を備え、前記楔型溝に形成された下地膜は、前記基板表面に形成された前記二酸化ケイ素層の表面にまで延在し、前記磁気抵抗効果素子は、前記二酸化ケイ素層の表面と前記下地膜の表面とに形成され、それぞれの感度方向が直交する２方向を形成する第１および第２の磁気抵抗効果素子と、前記楔型溝の斜面に形成された前記下地膜上に形成され、感度方向が前記第１の磁気抵抗効果素子と交差する第３の磁気抵抗効果素子とからなることを特徴とする。
本発明の磁気センサにおいて、前記楔型溝は、長手方向が略正方形の基板の一辺に平行で、この一辺の近傍、かつこの一辺の中央部近傍に形成されていることが好ましい。
本発明の磁気センサにおいて、前記下地膜は、チタンまたはクロム、もしくはコバルト−白金−クロム合金からなることが好ましい。
本発明の磁気センサの製造方法は、基板上に二酸化ケイ素層を形成する工程と、楔型溝を形成する部分のみが開口するように前記二酸化ケイ素層にレジスト膜を形成する工程と、前記基板を水酸化カリウム溶液でエッチングし、前記基板上に楔型溝を形成する工程と、前記二酸化ケイ素層および前記楔型溝にスパッタリング法により下地膜を形成する工程と、前記下地膜の表面にレジスト膜を形成し、イオンミリングにより前記楔型溝および前記二酸化ケイ素層の表面の一部に下地膜を形成する工程と、前記二酸化ケイ素層、前記下地膜の表面上に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
からなり、前記楔型溝に形成された下地膜は、前記基板表面に形成された前記二酸化ケイ素層の表面にまで延在し、前記磁気抵抗効果素子は、前記二酸化ケイ素層の表面と前記下地膜の表面とに形成され、それぞれの感度方向が直交する２方向を形成する第１および第２の磁気抵抗効果素子と、前記楔型溝の斜面に形成された前記下地膜上に形成され、感度方向が前記第１の磁気抵抗効果素子と交差する第３の磁気抵抗効果素子とからなることを特徴とする。
からなり、前記楔型溝に形成された下地膜は、前記基板表面に形成された前記二酸化ケイ素層の表面にまで延在し、前記磁気抵抗効果素子は、前記二酸化ケイ素層の表面と前記下地膜の表面とに形成され、それぞれの感度方向が直交する２方向を形成する第１および第２の磁気抵抗効果素子と、前記楔型溝の斜面に形成された前記下地膜上に形成され、感度方向が前記第１の磁気抵抗効果素子と交差する第３の磁気抵抗効果素子とからなることを特徴とする。
本発明の磁気センサの製造方法は、基板上に二酸化ケイ素層を形成する工程と、楔型溝を形成する部分のみが開口するように前記二酸化ケイ素層に開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をリフローさせて前記開口部をテーパ状に形成する工程と、イオンミリングにより前記レジスト膜で保護されていない前記二酸化ケイ素層および前記基板を削り、前記開口部のテーパ形状をトレースして楔型溝を形成する工程と、前記二酸化ケイ素層および前記楔型溝にスパッタリング法により下地膜を形成する工程と、前記下地膜の表面にレジスト膜を形成し、イオンミリングにより前記楔型溝および前記二酸化ケイ素層の表面の一部に下地膜を形成する工程と、前記二酸化ケイ素層、前記下地膜の表面上に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
からなり、前記楔型溝に形成された下地膜は、前記基板表面に形成された前記二酸化ケイ素層の表面にまで延在し、前記磁気抵抗効果素子は、前記二酸化ケイ素層の表面と前記下地膜の表面とに形成され、それぞれの感度方向が直交する２方向を形成する第１および第２の磁気抵抗効果素子と、前記楔型溝の斜面に形成された前記下地膜上に形成され、感度方向が前記第１の磁気抵抗効果素子と交差する第３の磁気抵抗効果素子とからなることを特徴とする。
からなり、前記楔型溝に形成された下地膜は、前記基板表面に形成された前記二酸化ケイ素層の表面にまで延在し、前記磁気抵抗効果素子は、前記二酸化ケイ素層の表面と前記下地膜の表面とに形成され、それぞれの感度方向が直交する２方向を形成する第１および第２の磁気抵抗効果素子と、前記楔型溝の斜面に形成された前記下地膜上に形成され、感度方向が前記第１の磁気抵抗効果素子と交差する第３の磁気抵抗効果素子とからなることを特徴とする。
本発明の磁気センサは、同一の３個以上の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子が配設される単一基板とを有し、前記磁気抵抗効果素子を構成する磁気抵抗効果膜の磁化の向きとが、互いに三次元方向に交差するように形成されたものであるから、別個のセンサが単一基板ではなく別に組み付けられた磁気センサの場合に生じる角度ずれや、センサの大型化を防止することができる。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３次元方向、すなわち３個の各素子の感度が持つ方向の地磁気レベルの正確な磁界測定をすることができる。
以下、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明の磁気センサの一実施形態を示す概略構成図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は断面図である。また、図２は、本発明の磁気センサで用いられる磁気抵抗効果素子を示す概略構成図で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は正面図である。
この実施形態の磁気センサは、例えば、ＳｉＯ２／Ｓｉ、ガラスまたは石英からなる略正方形状の基板１と、Ｘ軸方向の磁界を検出するＸ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸方向の磁界を検出するＹ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸方向の磁界を検出するＺ軸磁気抵抗効果素子４と、バイアス磁界用のコイル（図示略）と、複数の電極パッド（図示略）とから概略構成されている。
Ｘ軸磁気抵抗効果素子２とＹ軸磁気抵抗効果素子３は基板１の同一表面１ａ上に形成されており、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２のピンド層の磁化の向きは、基板１の表面１ａと平行な一方向となっており、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３のピンド層の磁化の向きは、基板１の表面１ａと平行な一方向となっている。さらに、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２のピンド層の磁化の向きと、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３のピンド層の磁化の向きとが直交している。
また、この実施形態の磁気センサには、楔型溝５が、基板１の一辺に平行で、この一辺の近傍、かつこの一辺の中央部近傍に形成されている。
このように、楔型溝５の斜面５ａ上に、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４が配されていることにより、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３次元方向の地磁気レベルの磁界測定が可能となる。
図１は、本発明の磁気センサの一実施形態を示す概略構成図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は断面図である。また、図２は、本発明の磁気センサで用いられる磁気抵抗効果素子を示す概略構成図で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は正面図である。
この実施形態の磁気センサは、例えば、ＳｉＯ２／Ｓｉ、ガラスまたは石英からなる略正方形状の基板１と、Ｘ軸方向の磁界を検出するＸ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸方向の磁界を検出するＹ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸方向の磁界を検出するＺ軸磁気抵抗効果素子４と、バイアス磁界用のコイル（図示略）と、複数の電極パッド（図示略）とから概略構成されている。
Ｘ軸磁気抵抗効果素子２とＹ軸磁気抵抗効果素子３は基板１の同一表面１ａ上に形成されており、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２のピンド層の磁化の向きは、基板１の表面１ａと平行な一方向となっており、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３のピンド層の磁化の向きは、基板１の表面１ａと平行な一方向となっている。さらに、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２のピンド層の磁化の向きと、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３のピンド層の磁化の向きとが直交している。
また、この実施形態の磁気センサには、楔型溝５が、基板１の一辺に平行で、この一辺の近傍、かつこの一辺の中央部近傍に形成されている。
このように、楔型溝５の斜面５ａ上に、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４が配されていることにより、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３次元方向の地磁気レベルの磁界測定が可能となる。
Ｘ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４は、図２に示すように、互いに隣り合って平行に配置された複数の帯状部２ａ、３ａ、４ａが、バイアス磁石２ｂ、３ｂ、４ｂを介して接続されている。
Ｘ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４は、これらの磁気抵抗効果素子が巨大磁気抵抗素子（ＧＭＲ素子）の場合、膜厚２．４ｎｍのタンタル（Ｔａ）、膜厚２４．０ｎｍの白金−マンガン（Ｐｔ−Ｍｎ）、膜厚２．２ｎｍのコバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）、膜厚２．４ｎｍの銅（Ｃｕ）、膜厚１．２ｎｍのコバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）、膜厚３．３ｎｍのニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）、膜厚８．０ｎｍのコバルト−ジルコニウム−ニオブ（Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ）などの金属薄膜がこの順に積層された積層体で形成されている。
Ｘ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４は、これらの磁気抵抗効果素子が巨大磁気抵抗素子（ＧＭＲ素子）の場合、膜厚２．４ｎｍのタンタル（Ｔａ）、膜厚２４．０ｎｍの白金−マンガン（Ｐｔ−Ｍｎ）、膜厚２．２ｎｍのコバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）、膜厚２．４ｎｍの銅（Ｃｕ）、膜厚１．２ｎｍのコバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）、膜厚３．３ｎｍのニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）、膜厚８．０ｎｍのコバルト−ジルコニウム−ニオブ（Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ）などの金属薄膜がこの順に積層された積層体で形成されている。
以下、この実施形態の磁気センサの製造方法について説明する。
図３および図４は、この実施形態の磁気センサの製造方法の第１の例を示す断面模式図である。
この磁気センサの製造方法では、まず、図３（ａ）に示すように、厚さ数ｍｍ程度のシリコン基板１１を、９００〜１１００℃で熱酸化し、表面に厚さ５００ｎｍ程度の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層１２を形成する。
図３および図４は、この実施形態の磁気センサの製造方法の第１の例を示す断面模式図である。
この磁気センサの製造方法では、まず、図３（ａ）に示すように、厚さ数ｍｍ程度のシリコン基板１１を、９００〜１１００℃で熱酸化し、表面に厚さ５００ｎｍ程度の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層１２を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、二酸化ケイ素層１２の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、楔型溝を形成する部分のみが開口するように、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、楔型溝を形成するための開口部を有する第１のレジスト膜１３を形成する。第１のレジスト膜１３の厚さは、０．８〜１μｍ程度が好ましい。
第１のレジスト膜１３として用いられるフォトレジストは、光や紫外線照射により感度よく架橋反応を起こして硬化し、未露光部が溶媒に可溶化（ネガ型）する樹脂であり、高解像度の任意形状を形成することができる樹脂である。また、現像液としては、専用の剥離液、アセトンなどの有機溶剤、アルカリ水溶液などが用いられる。なお、ネガレジストの代わりに、ポジレジストを用いてもよい。
第１のレジスト膜１３として用いられるフォトレジストは、光や紫外線照射により感度よく架橋反応を起こして硬化し、未露光部が溶媒に可溶化（ネガ型）する樹脂であり、高解像度の任意形状を形成することができる樹脂である。また、現像液としては、専用の剥離液、アセトンなどの有機溶剤、アルカリ水溶液などが用いられる。なお、ネガレジストの代わりに、ポジレジストを用いてもよい。
次に、シリコン基板１１、二酸化ケイ素層１２、第１のレジスト膜１３からなる積層体を、バッファドフッ酸に浸漬し、図３（ｃ）に示すように、第１のレジスト膜１３で保護されていない部分の二酸化ケイ素層１２を除去する。
次に、図３（ｄ）に示すように、第１のレジスト膜１３を除去する。レジスト膜１３を除去するには、Ｎ−メチル−２−ピロリドンで、第１のレジスト膜１３と二酸化ケイ素層１２の界面を洗浄する。このとき、シリコン基板１１、二酸化ケイ素層１２、第１のレジスト膜１３からなる積層体を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中に浸漬し、８５℃で、超音波洗浄すれば、第１のレジスト膜１３の除去を効率的に行なうことができる。
次に、図３（ｅ）に示すように、シリコン基板１１、二酸化ケイ素層１２からなる積層体を、水酸化カリウムの５０％水溶液に浸漬し、９０℃でエッチングする。これにより、シリコン基板１１の二酸化ケイ素層１２が形成されていない部分が、（１１１）面が出るようにエッチングされ、楔型溝１４が形成される。
次に、図４（ａ）に示すように、二酸化ケイ素層１２の表面上および楔型溝１４内に、スパッタリング法によって、下地膜１５を形成する。
下地膜１５としては、チタン（Ｔｉ）またはクロム（Ｃｒ）３００μｍ／コバルト（Ｃｏ）−白金（Ｐｔ）−Ｃｒ１０００μｍを用いることができる。
下地膜１５としては、チタン（Ｔｉ）またはクロム（Ｃｒ）３００μｍ／コバルト（Ｃｏ）−白金（Ｐｔ）−Ｃｒ１０００μｍを用いることができる。
次に、下地膜１５の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、任意の下地膜１５のパターンを有する第２のレジスト膜１６を形成する。
次に、図４（ｂ）に示すように、第２のレジスト膜１６で保護されていない部分の下地膜１５を、イオンミリングにより除去し、下地膜１５を任意形状に形成する。
次に、図４（ｂ）に示すように、第２のレジスト膜１６で保護されていない部分の下地膜１５を、イオンミリングにより除去し、下地膜１５を任意形状に形成する。
次に、図４（ｃ）に示すように、第２のレジスト膜１６を除去する。第２のレジスト膜１６を除去するには、第１のレジスト膜１３を除去するのと同様な方法が用いられる。
次に、ＧＭＲ素子をなすＧＭＲ多層膜１７を、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などによって、二酸化ケイ素層１２および下地膜１５の表面上に形成する。
ＧＭＲ多層膜１７は、シリコン基板１１上に、順に積層されたフリー層と、膜厚が２．４ｎｍの銅（Ｃｕ）からなる導電性のスペーサ層と、ピンド層と、膜厚が２．４ｎｍのタンタル（Ｔａ）からなるキャッピング層とからなっている。
ＧＭＲ多層膜１７は、シリコン基板１１上に、順に積層されたフリー層と、膜厚が２．４ｎｍの銅（Ｃｕ）からなる導電性のスペーサ層と、ピンド層と、膜厚が２．４ｎｍのタンタル（Ｔａ）からなるキャッピング層とからなっている。
フリー層は、外部磁界の向きに応じて磁化の向きが変化する層であり、シリコン基板１１の直上に形成された膜厚が８．０ｎｍのコバルト−ジルコニウム−ニオブ（Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ）アモルファス磁性層と、この上に形成された膜厚が３．３ｎｍのニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）磁性層と、さらに、この上に形成された膜厚が１．２ｎｍのコバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）層とからなっている。
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス磁性層とＮｉ−Ｆｅ磁性層は、軟質強磁性体薄膜層を構成している。Ｃｏ−Ｆｅ層は、ＭＲ比を高めるものである。
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス磁性層とＮｉ−Ｆｅ磁性層は、軟質強磁性体薄膜層を構成している。Ｃｏ−Ｆｅ層は、ＭＲ比を高めるものである。
ピンド層は、膜厚が２．２ｎｍのコバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）磁性層と、白金を４５〜５５ｍｏｌ％含む白金−マンガン（Ｐｔ−Ｍｎ）合金から形成した膜厚が２４．０ｎｍの白金−マンガン（Ｐｔ−Ｍｎ）反強磁性層とが積層されたものである。
Ｃｏ−Ｆｅ磁性層は、着磁（磁化）されたＰｔ−Ｍｎ反強磁性層に交換結合的に裏打ちされることにより磁化（磁化ベクトル）の向きがピン（固着）されるピンド層を構成している。
Ｃｏ−Ｆｅ磁性層は、着磁（磁化）されたＰｔ−Ｍｎ反強磁性層に交換結合的に裏打ちされることにより磁化（磁化ベクトル）の向きがピン（固着）されるピンド層を構成している。
次に、ＧＭＲ多層膜１７の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、任意のＧＭＲ多層膜１７のパターンを有する第３のレジスト膜（図示略）を形成する。
次に、第３のレジスト膜で保護されていない部分のＧＭＲ多層膜１７を、イオンミリングにより除去し、ＧＭＲ多層膜１７を任意形状に形成する。
次に、図４（ｄ）に示すように、第３のレジスト膜を除去する。第３のレジスト膜を除去するには、第１のレジスト膜１３を除去するのと同様な方法が用いられる。
得られた積層体を、永久磁石上に載置して熱処理し、ピンド層の磁化の向きを固定し、磁気センサを得る。
次に、第３のレジスト膜で保護されていない部分のＧＭＲ多層膜１７を、イオンミリングにより除去し、ＧＭＲ多層膜１７を任意形状に形成する。
次に、図４（ｄ）に示すように、第３のレジスト膜を除去する。第３のレジスト膜を除去するには、第１のレジスト膜１３を除去するのと同様な方法が用いられる。
得られた積層体を、永久磁石上に載置して熱処理し、ピンド層の磁化の向きを固定し、磁気センサを得る。
図５は、この実施形態の磁気センサの製造方法の第２の例を示す断面模式図である。
この磁気センサの製造方法では、前記第１の例において、図３（ｂ）〜（ｅ）に示した工程を以下のようにする。
図５（ａ）に示すように、二酸化ケイ素層１２の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、テーパ状の溝を形成する部分のみが開口するように、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、テーパ状の開口部を有する第１のレジスト膜１３を形成する。第１のレジスト膜１３の厚さは、０．８〜１μｍ程度が好ましい。次いで、イオンミリングにより、第１のレジスト膜１３の開口部の端部に斜面を一旦、形成する。次いで、第１のレジスト膜１３の開口部のレジストを加熱し、リフローさせて、開口部端部をテーパ状に形成する。
この磁気センサの製造方法では、前記第１の例において、図３（ｂ）〜（ｅ）に示した工程を以下のようにする。
図５（ａ）に示すように、二酸化ケイ素層１２の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、テーパ状の溝を形成する部分のみが開口するように、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、テーパ状の開口部を有する第１のレジスト膜１３を形成する。第１のレジスト膜１３の厚さは、０．８〜１μｍ程度が好ましい。次いで、イオンミリングにより、第１のレジスト膜１３の開口部の端部に斜面を一旦、形成する。次いで、第１のレジスト膜１３の開口部のレジストを加熱し、リフローさせて、開口部端部をテーパ状に形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、イオンミリングにより、第１のレジスト膜１３で保護されていない部分のシリコン基板１１および二酸化ケイ素層１２を削る。このとき、第１のレジスト膜１３の開口部のテーパ形状をトレースすれば、図５（ｂ）に示すような、向い合う斜面と、この斜面に挟まれた底面とからなる断面台形状の溝１４が形成される。
次いで、図５（ｃ）に示すように、第１のレジスト膜１３を除去する。
次いで、図５（ｃ）に示すように、第１のレジスト膜１３を除去する。
図６および図７は、この実施形態の磁気センサの製造方法の第３の例を示す断面模式図である。
この磁気センサの製造方法では、まず、図６（ａ）に示すように、厚さ数ｍｍ程度のシリコン基板１１を、９００〜１１００℃で熱酸化し、表面に厚さ５００ｎｍ程度の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層１２を形成する。
この磁気センサの製造方法では、まず、図６（ａ）に示すように、厚さ数ｍｍ程度のシリコン基板１１を、９００〜１１００℃で熱酸化し、表面に厚さ５００ｎｍ程度の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層１２を形成する。
次に、図６（ｂ）に示すように、二酸化ケイ素層１２の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、楔型溝を形成する部分のみが開口するように、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、楔型溝を形成するための開口部を有する第１のレジスト膜１３を形成する。第１のレジスト膜１３の厚さは、０．８〜１μｍ程度が好ましい。
第１のレジスト膜１３として用いられるフォトレジストは、光や紫外線照射により感度よく架橋反応を起こして硬化し、未露光部が溶媒に可溶化（ネガ型）する樹脂であり、高解像度の任意形状を形成することができる樹脂である。また、現像液としては、専用の剥離液、アセトンなどの有機溶剤、アルカリ水溶液などが用いられる。なお、ネガレジストの代わりに、ポジレジストを用いてもよい。
第１のレジスト膜１３として用いられるフォトレジストは、光や紫外線照射により感度よく架橋反応を起こして硬化し、未露光部が溶媒に可溶化（ネガ型）する樹脂であり、高解像度の任意形状を形成することができる樹脂である。また、現像液としては、専用の剥離液、アセトンなどの有機溶剤、アルカリ水溶液などが用いられる。なお、ネガレジストの代わりに、ポジレジストを用いてもよい。
次に、シリコン基板１１、二酸化ケイ素層１２、第１のレジスト膜１３からなる積層体を、バッファドフッ酸に浸漬し、図６（ｃ）に示すように、第１のレジスト膜１３で保護されていない部分の二酸化ケイ素層１２を除去する。
次に、図６（ｄ）に示すように、第１のレジスト膜１３を除去する。レジスト膜１３を除去するには、Ｎ−メチル−２−ピロリドンで、第１のレジスト膜１３と二酸化ケイ素層１２の界面を洗浄する。このとき、シリコン基板１１、二酸化ケイ素層１２、第１のレジスト膜１３からなる積層体を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中に浸漬し、８５℃で、超音波洗浄すれば、第１のレジスト膜１３の除去を効率的に行なうことができる。
次に、図６（ｅ）に示すように、シリコン基板１１、二酸化ケイ素層１２からなる積層体を、水酸化カリウムの５０％水溶液に浸漬し、９０℃でエッチングする。これにより、シリコン基板１１の二酸化ケイ素層１２が形成されていない部分が、（１１１）面が出るようにエッチングされ、楔型溝１４が形成される。
次に、図６（ｆ）に示すように、二酸化ケイ素層１２の表面上および楔型溝１４内に、スパッタリング法によって、下地膜１５を形成する。
下地膜１５としては、チタン（Ｔｉ）またはクロム（Ｃｒ）３００μｍ／コバルト（Ｃｏ）−白金（Ｐｔ）−Ｃｒ１０００μｍを用いることができる。
下地膜１５としては、チタン（Ｔｉ）またはクロム（Ｃｒ）３００μｍ／コバルト（Ｃｏ）−白金（Ｐｔ）−Ｃｒ１０００μｍを用いることができる。
次に、下地膜１５の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、任意の下地膜１５のパターンを有する第２のレジスト膜（図示略）を形成する。
次に、図７（ａ）に示すように、第２のレジスト膜で保護されていない部分の下地膜１５を、イオンミリングにより除去し、下地膜１５を任意形状に形成する。これにより、楔型溝１４内の一方の斜面と、二酸化ケイ素層１２の表面の一部にのみ、下地膜１５が存在するようにする。
次に、図７（ａ）に示すように、第２のレジスト膜で保護されていない部分の下地膜１５を、イオンミリングにより除去し、下地膜１５を任意形状に形成する。これにより、楔型溝１４内の一方の斜面と、二酸化ケイ素層１２の表面の一部にのみ、下地膜１５が存在するようにする。
次に、ＧＭＲ素子をなす第１のＧＭＲ多層膜１８を、斜めスパッタリング法などによって、二酸化ケイ素層１２および下地膜１５の表面全面に形成する。
次に、第１のＧＭＲ多層膜１８の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、任意の第１のＧＭＲ多層膜１８のパターンを有する第３のレジスト膜（図示略）を形成する。
次に、第３のレジスト膜で保護されていない部分の第１のＧＭＲ多層膜１８を、イオンミリングにより除去し、第１のＧＭＲ多層膜１８を任意形状に形成する。これにより、図７（ｂ）に示すように、楔型溝１４内に形成された下地膜１５の表面上にのみ、第１のＧＭＲ多層膜１８が存在するようにする。
次に、第１のＧＭＲ多層膜１８の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、任意の第１のＧＭＲ多層膜１８のパターンを有する第３のレジスト膜（図示略）を形成する。
次に、第３のレジスト膜で保護されていない部分の第１のＧＭＲ多層膜１８を、イオンミリングにより除去し、第１のＧＭＲ多層膜１８を任意形状に形成する。これにより、図７（ｂ）に示すように、楔型溝１４内に形成された下地膜１５の表面上にのみ、第１のＧＭＲ多層膜１８が存在するようにする。
次に、図７（ｃ）に示すように、二酸化ケイ素層１２、下地膜１５および第１のＧＭＲ多層膜１８の表面全面に、スパッタリング法により、厚さ３００ｎｍ程度の酸化ケイ素（ＳｉＯ）層１９を形成する。
次に、図７（ｄ）に示すように、イオンミリングなどにより、酸化ケイ素層１９を貫通して、内層の下地膜１５が露出するように、円形状のコンタクトホール２０を形成する。
次に、図７（ｄ）に示すように、イオンミリングなどにより、酸化ケイ素層１９を貫通して、内層の下地膜１５が露出するように、円形状のコンタクトホール２０を形成する。
次に、再び、酸化ケイ素層１９の表面全面にスパッタリング法によって、下地膜１５を形成する。このとき、コンタクトホール２０内にも、下地膜１５を形成し、酸化ケイ素層１９の下層の下地膜１５と接合するようにする。
次に、この下地膜１５の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、任意の下地膜１５のパターンを有する第４のレジスト膜（図示略）を形成する。
次に、図７（ｅ）に示すように、第４のレジスト膜で保護されていない部分の下地膜１５を、イオンミリングにより除去し、下地膜１５を任意形状に形成する。
次に、この下地膜１５の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、任意の下地膜１５のパターンを有する第４のレジスト膜（図示略）を形成する。
次に、図７（ｅ）に示すように、第４のレジスト膜で保護されていない部分の下地膜１５を、イオンミリングにより除去し、下地膜１５を任意形状に形成する。
次に、第２のＧＭＲ多層膜２１を、スパッタリング法などによって、下地膜１５および酸化ケイ素層１９の表面全面に形成する。
次に、第２のＧＭＲ多層膜２１の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、任意の第２のＧＭＲ多層膜２１のパターンを有する第５のレジスト膜（図示略）を形成する。
次に、第５のレジスト膜で保護されていない部分の第２のＧＭＲ多層膜２１を、イオンミリングにより除去し、第２のＧＭＲ多層膜２１を任意形状に形成する。
次に、第５のレジスト膜を除去し、図７（ｆ）に示すような磁気センサを得る。
次に、第２のＧＭＲ多層膜２１の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、任意の第２のＧＭＲ多層膜２１のパターンを有する第５のレジスト膜（図示略）を形成する。
次に、第５のレジスト膜で保護されていない部分の第２のＧＭＲ多層膜２１を、イオンミリングにより除去し、第２のＧＭＲ多層膜２１を任意形状に形成する。
次に、第５のレジスト膜を除去し、図７（ｆ）に示すような磁気センサを得る。
なお、上記の磁気センサの製造方法では、磁気抵抗効果素子を形成する金属積層体をＧＭＲ多層膜としたが、本発明の磁気センサの製造方法にあっては、ＡＭＲ膜であってもよい。
ＡＭＲ膜を形成する場合、上記下地膜を、膜厚が３０ｎｍのクロム（Ｃｒ）層と、膜厚が９０ｎｍのコバルト−クロム−白金（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ）層と、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層からなるものとする。
また、ＡＭＲ多層膜を、膜厚が２０ｎｍのニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）層と、膜厚が１０ｎｍのタンタル（Ｔａ）層と、膜厚が３０．０ｎｍのコバルト−ジルコニウム−ニオブ（Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、モル比が、Ｃｏ：Ｚｒ：Ｎｂ＝７９ｍｏｌ：９ｍｏｌ：１２ｍｏｌ）層と、膜厚が１．５ｎｍのチタン（Ｔｉ）層とからなるものとする。
ＡＭＲ膜を形成する場合、上記下地膜を、膜厚が３０ｎｍのクロム（Ｃｒ）層と、膜厚が９０ｎｍのコバルト−クロム−白金（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ）層と、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層からなるものとする。
また、ＡＭＲ多層膜を、膜厚が２０ｎｍのニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）層と、膜厚が１０ｎｍのタンタル（Ｔａ）層と、膜厚が３０．０ｎｍのコバルト−ジルコニウム−ニオブ（Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、モル比が、Ｃｏ：Ｚｒ：Ｎｂ＝７９ｍｏｌ：９ｍｏｌ：１２ｍｏｌ）層と、膜厚が１．５ｎｍのチタン（Ｔｉ）層とからなるものとする。
図８は、本発明の磁気センサの製造方法のさらにもう１つの例を示す断面模式図である。
上述の磁気センサの製造方法において、磁気抵抗効果素子をＧＭＲ素子で形成したが、この磁気センサの製造方法では、ＴＭＲ素子で形成する。
以下にＴＭＲ素子の形成方法を示す。
まず、図８（ａ）に示すように、シリコンなどからなる基板４１の表面上に、下部電極を構成するＴｉからなる膜を、膜厚３０ｎｍ程度にスパッタリングにより形成し、次いで固定磁化層の反磁化層の反強磁性膜（ピンド層）を構成するためのＰｔ−Ｍｎからなる膜およびＮｉ−Ｆｅからなる膜を、それぞれ膜厚が３０ｎｍおよび５ｎｍとなるようにスパッタリングにより形成する。ここでは、これらのＴａ膜、Ｐｔ−Ｍｎ膜、Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる磁性層を下磁性層４２とする。
上述の磁気センサの製造方法において、磁気抵抗効果素子をＧＭＲ素子で形成したが、この磁気センサの製造方法では、ＴＭＲ素子で形成する。
以下にＴＭＲ素子の形成方法を示す。
まず、図８（ａ）に示すように、シリコンなどからなる基板４１の表面上に、下部電極を構成するＴｉからなる膜を、膜厚３０ｎｍ程度にスパッタリングにより形成し、次いで固定磁化層の反磁化層の反強磁性膜（ピンド層）を構成するためのＰｔ−Ｍｎからなる膜およびＮｉ−Ｆｅからなる膜を、それぞれ膜厚が３０ｎｍおよび５ｎｍとなるようにスパッタリングにより形成する。ここでは、これらのＴａ膜、Ｐｔ−Ｍｎ膜、Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる磁性層を下磁性層４２とする。
次に、下磁性層４２の表面上に、アルミニウムを１ｎｍ積層し、プラズマ酸化させて、絶縁層４３となるＡｌ２Ｏ３からなる膜を形成する。
次に、フリー層の強磁性膜を構成するＮｉ−Ｆｅからなる膜を、例えば、スパッタリングにより膜厚が８０ｎｍとなるように形成し、その上にキャッピング層を構成するＴｉからなる膜を膜厚が３０ｎｍとなるように形成する。ここでは、これらのＮｉ−Ｆｅ膜、Ｔｉ膜からなる磁性層を上磁性層４４とする。
次に、フリー層の強磁性膜を構成するＮｉ−Ｆｅからなる膜を、例えば、スパッタリングにより膜厚が８０ｎｍとなるように形成し、その上にキャッピング層を構成するＴｉからなる膜を膜厚が３０ｎｍとなるように形成する。ここでは、これらのＮｉ−Ｆｅ膜、Ｔｉ膜からなる磁性層を上磁性層４４とする。
次に、図８（ｂ）に示すように、上磁性層４４を、イオンミリングなどにより分離する。
次に、図８（ｃ）に示すように、下磁性層４２を、イオンミリングなどにより分離する。
次に、図８（ｃ）に示すように、下磁性層４２を、イオンミリングなどにより分離する。
次に、図８（ｄ）に示すように、層間絶縁層４５を構成するＳｉＯ２からなる膜を膜厚が基板４１上で３００ｎｍとなるようにスパッタリングによって形成する。
次に、図８（ｅ）に示すように、層間絶縁層４５に、イオンミリングなどによりコンタクトホール４６を形成する。
次に、図８（ｅ）に示すように、層間絶縁層４５に、イオンミリングなどによりコンタクトホール４６を形成する。
次に、図８（ｆ）に示すように、層間絶縁層４５の表面全面およびコンタクトホール４６内にアルミニウム膜を、その膜厚が３００ｎｍとなるようにスパッタリングにより形成し、これを配線形状に加工して、上部電極４７を形成し、ＴＭＲ素子を備えた磁気センサを得る。
このように、本発明の磁気センサの製造方法によれば、ピンド層の磁化の向きが互いに３次元方向に交差するように、複数の磁気抵抗効果素子が微小な単一基板に配された磁気センサを高精度に、容易に製造することができる。また、この製造方法によれば、このような同一の磁気センサを一度に大量に製造することができるので、製造コストを低減することができる。
図３および図４に示した製造方法の第１の例によって製造された、図１に示したような第１の実施形態の磁気センサに対し、磁化の向きを確認するために、１Ｏｅ（エルステッド）の磁場を磁気センサの回りに回転させ、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４で検出される磁場の強さの変化を測定した。ここで用いた磁気センサに備えられたＸ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４はＧＭＲ素子である。
Ｘ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４それぞれの結果を図９に示す。図９（ａ）は、ＸＹ平面内において測定した測定結果を、図９（ｂ）はＹＺ平面内において測定した測定結果を、図９（ｃ）はＸＺ平面内において測定した測定結果をそれぞれ示す。
Ｘ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４それぞれの結果を図９に示す。図９（ａ）は、ＸＹ平面内において測定した測定結果を、図９（ｂ）はＹＺ平面内において測定した測定結果を、図９（ｃ）はＸＺ平面内において測定した測定結果をそれぞれ示す。
図９（ａ）の結果から、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２では、ＸＹ平面内において磁場の変化が余弦波状に測定される。Ｙ軸磁気抵抗効果素子３では、ＸＹ平面内において磁場の変化が正弦波状に測定される。Ｚ軸磁気抵抗効果素子４では、ＸＹ平面内において余弦波状に測定されるものの、測定強度が低いことが確認された。
また、図９（ｂ）の結果から、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２では、ＹＺ平面内において磁場の変化が測定されない。Ｙ軸磁気抵抗効果素子３では、ＹＺ平面内において磁場の変化が余弦波状に測定される。Ｚ軸磁気抵抗効果素子４では、ＹＺ平面内において正弦波状に測定されるものの、測定強度が低いことが確認された。
また、図９（ｃ）の結果から、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２では、ＸＺ平面内において磁場の変化が余弦波状に測定される。Ｙ軸磁気抵抗効果素子３では、ＸＺ平面内において磁場の変化が測定されない。Ｚ軸磁気抵抗効果素子４では、ＸＺ平面内において余弦波状に測定されるものの、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２より５５°位相が遅れて測定されることが確認された。
以上より、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きがＸ軸と平行になっており、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きがＹ軸と平行になっており、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きはＸ軸と５５°の角度で交差していることが分かる。
また、図９（ｂ）の結果から、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２では、ＹＺ平面内において磁場の変化が測定されない。Ｙ軸磁気抵抗効果素子３では、ＹＺ平面内において磁場の変化が余弦波状に測定される。Ｚ軸磁気抵抗効果素子４では、ＹＺ平面内において正弦波状に測定されるものの、測定強度が低いことが確認された。
また、図９（ｃ）の結果から、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２では、ＸＺ平面内において磁場の変化が余弦波状に測定される。Ｙ軸磁気抵抗効果素子３では、ＸＺ平面内において磁場の変化が測定されない。Ｚ軸磁気抵抗効果素子４では、ＸＺ平面内において余弦波状に測定されるものの、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２より５５°位相が遅れて測定されることが確認された。
以上より、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きがＸ軸と平行になっており、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きがＹ軸と平行になっており、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きはＸ軸と５５°の角度で交差していることが分かる。
また、図５に示した製造方法の第２の例によって製造された、図１に示したような第１の実施形態の磁気センサに対し、磁化の向きを確認するために、１Ｏｅ（エルステッド）の磁場を磁気センサの回りに回転させ、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４で検出される磁場の強さの変化を測定した。
Ｘ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４それぞれの結果を図１０に示す。図１０（ａ）はＸＹ平面内において測定した測定結果を、図１０（ｂ）はＹＺ平面内において測定した測定結果を、図１０（ｃ）はＸＺ平面内において測定した測定結果をそれぞれ示す。
Ｘ軸磁気抵抗効果素子２、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４それぞれの結果を図１０に示す。図１０（ａ）はＸＹ平面内において測定した測定結果を、図１０（ｂ）はＹＺ平面内において測定した測定結果を、図１０（ｃ）はＸＺ平面内において測定した測定結果をそれぞれ示す。
図１０（ａ）の結果から、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２では、ＸＹ平面内において磁場の変化が余弦波状に測定される。Ｙ軸磁気抵抗効果素子３では、ＸＹ平面内において磁場の変化が正弦波状に測定される。Ｚ軸磁気抵抗効果素子４では、ＸＹ平面内において余弦波状に測定されるものの、測定強度が低いことが確認された。
また、図１０（ｂ）の結果から、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２では、ＹＺ平面内において磁場の変化が測定されない。Ｙ軸磁気抵抗効果素子３では、ＹＺ平面内において磁場の変化が余弦波状に測定される。Ｚ軸磁気抵抗効果素子４では、ＹＺ平面内において正弦波状に測定されるものの、測定強度が低いことが確認された。
また、図１０（ｃ）の結果から、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２では、ＸＺ平面内において磁場の変化が余弦波状に測定される。Ｙ軸磁気抵抗効果素子３では、ＸＺ平面内において磁場の変化が測定されない。Ｚ軸磁気抵抗効果素子４では、ＸＺ平面内において余弦波状に測定されるものの、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２より１５°位相が遅れて測定されることが確認された。
以上より、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きがＸ軸と平行になっており、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きがＹ軸と平行になっており、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きはＸ軸と１５°の角度で交差していることが分かる。
また、図１０（ｂ）の結果から、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２では、ＹＺ平面内において磁場の変化が測定されない。Ｙ軸磁気抵抗効果素子３では、ＹＺ平面内において磁場の変化が余弦波状に測定される。Ｚ軸磁気抵抗効果素子４では、ＹＺ平面内において正弦波状に測定されるものの、測定強度が低いことが確認された。
また、図１０（ｃ）の結果から、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２では、ＸＺ平面内において磁場の変化が余弦波状に測定される。Ｙ軸磁気抵抗効果素子３では、ＸＺ平面内において磁場の変化が測定されない。Ｚ軸磁気抵抗効果素子４では、ＸＺ平面内において余弦波状に測定されるものの、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２より１５°位相が遅れて測定されることが確認された。
以上より、Ｘ軸磁気抵抗効果素子２の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きがＸ軸と平行になっており、Ｙ軸磁気抵抗効果素子３の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きがＹ軸と平行になっており、Ｚ軸磁気抵抗効果素子４の感度方向、すなわちピンド層の磁化の向きはＸ軸と１５°の角度で交差していることが分かる。
このように、本発明の磁気センサによれば、Ｘ軸磁気抵抗効果素子、Ｙ軸磁気抵抗効果素子、Ｚ軸磁気抵抗効果素子のそれぞれにおいて、磁場の変化を測定する感度方向が異なるから、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３次元方向の地磁気レベルの磁界測定が可能となる。
１・・・基板、２・・・Ｘ軸磁気抵抗効果素子、３・・・Ｙ軸磁気抵抗効果素子、４・・・Ｚ軸磁気抵抗効果素子、５・・・楔型溝、５ａ・・・斜面。
Claims (5)
- 表面に二酸化ケイ素層が形成された基板と、
前記基板上に形成された楔型溝と、
前記楔型溝および前記二酸化ケイ素層表面の一部に形成された下地膜と、
前記二酸化ケイ素層、前記下地膜の表面上に形成された磁気抵抗効果素子と、
を備え、
前記楔型溝に形成された下地膜は、前記基板表面に形成された前記二酸化ケイ素層の表面にまで延在し、
前記磁気抵抗効果素子は、前記二酸化ケイ素層の表面と前記下地膜の表面とに形成され、
それぞれの感度方向が直交する２方向を形成する第１および第２の磁気抵抗効果素子と、
前記楔型溝の斜面に形成された前記下地膜上に形成され、感度方向が前記第１の磁気抵抗効果素子と交差する第３の磁気抵抗効果素子とからなることを特徴とする磁気センサ。 - 前記楔型溝は、長手方向が略正方形の基板の一辺に平行で、この一辺の近傍、かつこの一辺の中央部近傍に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
- 前記下地膜は、チタンまたはクロム、もしくはコバルト−白金−クロム合金からなることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気センサ。
- 基板上に二酸化ケイ素層を形成する工程と、
楔型溝を形成する部分のみが開口するように前記二酸化ケイ素層にレジスト膜を形成する工程と、
前記基板を水酸化カリウム溶液でエッチングし、前記基板上に楔型溝を形成する工程と、
前記二酸化ケイ素層および前記楔型溝にスパッタリング法により下地膜を形成する工程と、
前記下地膜の表面にレジスト膜を形成し、イオンミリングにより前記楔型溝および前記二酸化ケイ素層の表面の一部に下地膜を形成する工程と、
前記二酸化ケイ素層、前記下地膜の表面上に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
からなり、
前記楔型溝に形成された下地膜は、前記基板表面に形成された前記二酸化ケイ素層の表面にまで延在し、
前記磁気抵抗効果素子は、前記二酸化ケイ素層の表面と前記下地膜の表面とに形成され、
それぞれの感度方向が直交する２方向を形成する第１および第２の磁気抵抗効果素子と、
前記楔型溝の斜面に形成された前記下地膜上に形成され、感度方向が前記第１の磁気抵抗効果素子と交差する第３の磁気抵抗効果素子とからなることを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 基板上に二酸化ケイ素層を形成する工程と、
楔型溝を形成する部分のみが開口するように前記二酸化ケイ素層に開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をリフローさせて前記開口部をテーパ状に形成する工程と、
イオンミリングにより前記レジスト膜で保護されていない前記二酸化ケイ素層および前記基板を削り、前記開口部のテーパ形状をトレースして楔型溝を形成する工程と、
前記二酸化ケイ素層および前記楔型溝にスパッタリング法により下地膜を形成する工程と、
前記下地膜の表面にレジスト膜を形成し、イオンミリングにより前記楔型溝および前記二酸化ケイ素層の表面の一部に下地膜を形成する工程と、
前記二酸化ケイ素層、前記下地膜の表面上に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
からなり、
前記楔型溝に形成された下地膜は、前記基板表面に形成された前記二酸化ケイ素層の表面にまで延在し、
前記磁気抵抗効果素子は、前記二酸化ケイ素層の表面と前記下地膜の表面とに形成され、
それぞれの感度方向が直交する２方向を形成する第１および第２の磁気抵抗効果素子と、
前記楔型溝の斜面に形成された前記下地膜上に形成され、感度方向が前記第１の磁気抵抗効果素子と交差する第３の磁気抵抗効果素子とからなることを特徴とする磁気センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010143212A JP5348080B2 (ja) | 2002-03-27 | 2010-06-23 | 磁気センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002089328 | 2002-03-27 | ||
| JP2002089328 | 2002-03-27 | ||
| JP2010143212A JP5348080B2 (ja) | 2002-03-27 | 2010-06-23 | 磁気センサおよびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007113218A Division JP4896800B2 (ja) | 2002-03-27 | 2007-04-23 | 磁気センサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010256366A JP2010256366A (ja) | 2010-11-11 |
| JP5348080B2 true JP5348080B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=43317401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010143212A Expired - Fee Related JP5348080B2 (ja) | 2002-03-27 | 2010-06-23 | 磁気センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5348080B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104793153A (zh) * | 2014-01-21 | 2015-07-22 | 上海矽睿科技有限公司 | 磁传感装置的制备方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102426344B (zh) * | 2011-08-30 | 2013-08-21 | 江苏多维科技有限公司 | 三轴磁场传感器 |
| US9995600B2 (en) | 2015-09-01 | 2018-06-12 | General Electric Company | Multi-axis magneto-resistance sensor package |
| JP6791183B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2020-11-25 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに位置検出装置 |
| JP7063307B2 (ja) * | 2019-06-05 | 2022-05-09 | Tdk株式会社 | 磁気センサおよび磁気センサシステム |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2579995B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1997-02-12 | 株式会社東芝 | 磁気センサー |
| JP3549076B2 (ja) * | 1996-02-13 | 2004-08-04 | 矢崎総業株式会社 | 磁気抵抗素子装置 |
| JP2001273612A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Yamaha Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法ならびにこの磁気抵抗効果型磁気ヘッドを備えた磁気記録再生装置 |
| JP4085859B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2008-05-14 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサおよびその製造方法 |
-
2010
- 2010-06-23 JP JP2010143212A patent/JP5348080B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104793153A (zh) * | 2014-01-21 | 2015-07-22 | 上海矽睿科技有限公司 | 磁传感装置的制备方法 |
| CN104793153B (zh) * | 2014-01-21 | 2018-02-02 | 上海矽睿科技有限公司 | 磁传感装置的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010256366A (ja) | 2010-11-11 |
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|
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