JPS6047222A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6047222A JPS6047222A JP15548383A JP15548383A JPS6047222A JP S6047222 A JPS6047222 A JP S6047222A JP 15548383 A JP15548383 A JP 15548383A JP 15548383 A JP15548383 A JP 15548383A JP S6047222 A JPS6047222 A JP S6047222A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- conductive path
- bias
- magnetic head
- magnetic field
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果（以下ＭＲという）素子が用いら
れて成る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲ型磁気ヘッド
）に係わる。
れて成る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲ型磁気ヘッド
）に係わる。
背景技術とその問題点
第１図及び第２図は夫々ＭＲ型山気ヘッドの要部の拡大
平面パターン図と拡大断面図を示す。図示のＭＲ型磁気
ヘッドはそのＭＲ素子が磁気媒体との対接面より後退し
た位置に配置されたいわゆるリア型のＭＲ型磁気ヘッド
である。このリア型磁気ヘッドは、例えばＮｉ−Ｚｎ系
フェライト、或いはＭｎ−Ｚｎ系フェライトより成る研
性基板（１１上に、この基体（１）が上述したＭｎ−Ｚ
ｎ系フェライトのように導電性を有する場合においては
、これの土に５ｉＯｚ ＋ ５ｉａＮ＋等より成る絶縁
層（２１を介して、例えば帯状導電層より成り、後述す
るＭＲ素子に対してバイアス磁界ｔ、供給するための通
電によって磁界を発生するバイアス磁界発生用の導電路
（３）が被着される。また、この導電路（３）上には、
同様の絶縁層（４）を介して、例えばＮ ｉ −Ｆ ｅ
系合金、Ｎｉ −Ｃ。
平面パターン図と拡大断面図を示す。図示のＭＲ型磁気
ヘッドはそのＭＲ素子が磁気媒体との対接面より後退し
た位置に配置されたいわゆるリア型のＭＲ型磁気ヘッド
である。このリア型磁気ヘッドは、例えばＮｉ−Ｚｎ系
フェライト、或いはＭｎ−Ｚｎ系フェライトより成る研
性基板（１１上に、この基体（１）が上述したＭｎ−Ｚ
ｎ系フェライトのように導電性を有する場合においては
、これの土に５ｉＯｚ ＋ ５ｉａＮ＋等より成る絶縁
層（２１を介して、例えば帯状導電層より成り、後述す
るＭＲ素子に対してバイアス磁界ｔ、供給するための通
電によって磁界を発生するバイアス磁界発生用の導電路
（３）が被着される。また、この導電路（３）上には、
同様の絶縁層（４）を介して、例えばＮ ｉ −Ｆ ｅ
系合金、Ｎｉ −Ｃ。
系合金薄膜等より成るＭＲ素子（５）が被着される。
更にこのＭＲ素子（５）上には同様の絶縁層（６）が被
着され、この絶縁層（６）を介して、ＭＲ素子（５）及
び導電路（３）を横切る方向に延長して磁気回路を構成
する対の磁気コアとなる磁性層（７）及び（８）が、例
えばＮ ｉ −Ｆ ｅ系合金層によって形成される。こ
の場合、一方の磁性層（７）の前方端は、基板（１）上
に、所要の厚さを有する非磁性のギャップスペーサ層（
９）を介して延在し、この母性層（刀と基板（１１との
間にギャツブスペーサ層（９）の厚さによってそのギャ
ップ長が規制される磁気ギャップｇが形成され、この磁
気ギャップＩが、磁気媒体との対接面（ＩＯ）に臨むよ
うに構成される。他方の磁性層（８）の後端は、基板（
１；に例えば直接的に接触するようにして両者が勝気的
に密に結合するように７よされる。また、磁性層（７）
の後方端部と、磁性層（８）の前方端部とは所要の間隔
Ｗを保持して対向するようになされ、両者間に磁気回路
の不連続部（１１１が構成するようになされる。この場
合、この不連続部（（１１内に磁気的にＭＲ素子（５）
が配置され、この素子（５）によって磁気的に不連続部
が連結するようにする。これがため磁性層（７）の後方
端部と、磁性層（８）の前方端部とは、夫々ＭＲ素子（
５）上に夫々絶縁層（６）を介して跨るようになされ、
絶縁Ｎ（６）の厚さが薄くされることによって、各端部
とＭ、Ｒ素子（５）とが磁気的に結合するようにする。
着され、この絶縁層（６）を介して、ＭＲ素子（５）及
び導電路（３）を横切る方向に延長して磁気回路を構成
する対の磁気コアとなる磁性層（７）及び（８）が、例
えばＮ ｉ −Ｆ ｅ系合金層によって形成される。こ
の場合、一方の磁性層（７）の前方端は、基板（１）上
に、所要の厚さを有する非磁性のギャップスペーサ層（
９）を介して延在し、この母性層（刀と基板（１１との
間にギャツブスペーサ層（９）の厚さによってそのギャ
ップ長が規制される磁気ギャップｇが形成され、この磁
気ギャップＩが、磁気媒体との対接面（ＩＯ）に臨むよ
うに構成される。他方の磁性層（８）の後端は、基板（
１；に例えば直接的に接触するようにして両者が勝気的
に密に結合するように７よされる。また、磁性層（７）
の後方端部と、磁性層（８）の前方端部とは所要の間隔
Ｗを保持して対向するようになされ、両者間に磁気回路
の不連続部（１１１が構成するようになされる。この場
合、この不連続部（（１１内に磁気的にＭＲ素子（５）
が配置され、この素子（５）によって磁気的に不連続部
が連結するようにする。これがため磁性層（７）の後方
端部と、磁性層（８）の前方端部とは、夫々ＭＲ素子（
５）上に夫々絶縁層（６）を介して跨るようになされ、
絶縁Ｎ（６）の厚さが薄くされることによって、各端部
とＭ、Ｒ素子（５）とが磁気的に結合するようにする。
このようにして基板（１）−磁気ギャップｇ−磁性層（
７１−Ｍｌ’（素子（５）−磁性層（８）一基板（１１
の閉磁路が構成される。
７１−Ｍｌ’（素子（５）−磁性層（８）一基板（１１
の閉磁路が構成される。
このようにして、基板（１）上に磁気ギャップｇと、Ｍ
Ｒ素子（５）とが磁路中に設けられた磁気回路が構成さ
れた磁気ヘッド素子りが形成される。
Ｒ素子（５）とが磁路中に設けられた磁気回路が構成さ
れた磁気ヘッド素子りが形成される。
尚、実際上は、この基板（１１上に形成された磁気ヘッ
ド素子りを覆って非磁性の絶縁性保膜層（１２＋が設け
られ、これの上に接着剤層０：３）によって保護基板Ｑ
４１が接合されてＭｌｌ型の磁気ヘッドが構成される。
ド素子りを覆って非磁性の絶縁性保膜層（１２＋が設け
られ、これの上に接着剤層０：３）によって保護基板Ｑ
４１が接合されてＭｌｌ型の磁気ヘッドが構成される。
このような構成によるＭＲ型磁気ヘッドは、その対接面
（１０１に対接する磁気媒体からの信号磁界が磁気ギャ
ップｇより、磁気回路中のＭＲ素子（５）中を通ずるこ
とによってその抵抗変化によって媒体上の記録が検出さ
れ゛る。この場合、ＭＲ素子（５）には、その抵抗変化
を検出するために、すなわち出力をとり出すための検出
電流を通ずる。一方、この場合に、ＭＲ素子において高
い感度と直線性が得られるようにＭＲ素子に所要のバイ
アス出湯を与えるために、導電路（３）に所要のバイア
ス電流を通ずる。すなわちとの種のＭＲ型８気ヘッドに
おいては、その磁気ヘッド素子に関して、電源としてＭ
Ｒ検出電流源と、バイアス電流源の２つな必要とし、Ｍ
Ｒ素子（５）の両端とバイアス導電路（３）の両端から
夫々端子（１５ａ）及び（１５ｂ） 、（］、６ａ）及
び（１６ｂ）の導出が行われる。
（１０１に対接する磁気媒体からの信号磁界が磁気ギャ
ップｇより、磁気回路中のＭＲ素子（５）中を通ずるこ
とによってその抵抗変化によって媒体上の記録が検出さ
れ゛る。この場合、ＭＲ素子（５）には、その抵抗変化
を検出するために、すなわち出力をとり出すための検出
電流を通ずる。一方、この場合に、ＭＲ素子において高
い感度と直線性が得られるようにＭＲ素子に所要のバイ
アス出湯を与えるために、導電路（３）に所要のバイア
ス電流を通ずる。すなわちとの種のＭＲ型８気ヘッドに
おいては、その磁気ヘッド素子に関して、電源としてＭ
Ｒ検出電流源と、バイアス電流源の２つな必要とし、Ｍ
Ｒ素子（５）の両端とバイアス導電路（３）の両端から
夫々端子（１５ａ）及び（１５ｂ） 、（］、６ａ）及
び（１６ｂ）の導出が行われる。
そして、例えば多チヤンネル型のＭＲ型＄気ヘッドにお
いては、上述した構成による磁気ヘッド素子りが各チャ
ンネルに対応して共通の基板（ＩＩに平行配列されるが
、この場合において各チャンネルに関して、個々独立バ
イアス電流を設けることは、端子導出数と電の数が膨大
となることがら、例えば全チャンネルに関して共通にバ
イアスｆ）電路を設げ共通のバイアス型温を用いる。と
ころがこの場合各磁気ヘッド素子に関して、個々の特性
のばらつきに基いて個々にバイアスの調整ができないと
いう欠点が生じる。
いては、上述した構成による磁気ヘッド素子りが各チャ
ンネルに対応して共通の基板（ＩＩに平行配列されるが
、この場合において各チャンネルに関して、個々独立バ
イアス電流を設けることは、端子導出数と電の数が膨大
となることがら、例えば全チャンネルに関して共通にバ
イアスｆ）電路を設げ共通のバイアス型温を用いる。と
ころがこの場合各磁気ヘッド素子に関して、個々の特性
のばらつきに基いて個々にバイアスの調整ができないと
いう欠点が生じる。
発明の目的
本発明は単数、若しくは複数の磁気ヘッド素子を有して
成るＭＲ型出気ヘッドにおいて、各素子に関してその電
源を１つとして構成の簡単を１まかるようにし、しかも
各素子に関してバイアス磁場の調製を行うことができる
ようにする。
成るＭＲ型出気ヘッドにおいて、各素子に関してその電
源を１つとして構成の簡単を１まかるようにし、しかも
各素子に関してバイアス磁場の調製を行うことができる
ようにする。
発明の概要
本発明においては、磁気媒体との対接面にＷｒ要の磁気
ギャップを有する磁気回路と、この磁気回路に設けられ
た磁気ギャップとは別の不連続部に磁気的に結合されて
配された磁気抵抗効果素子と、との磁気抵抗効果素子と
直列に接続され、且つとの磁気抵抗効果素子にバイアス
磁場を与えるように配された導電路ξを設ける。
ギャップを有する磁気回路と、この磁気回路に設けられ
た磁気ギャップとは別の不連続部に磁気的に結合されて
配された磁気抵抗効果素子と、との磁気抵抗効果素子と
直列に接続され、且つとの磁気抵抗効果素子にバイアス
磁場を与えるように配された導電路ξを設ける。
実施例
第３図及び第４図を参照して本発明によるＭＲ型磁気′
＼ツドの一例を説明する。第３図はその要部の拡大平面
パターン図、第４図はその拡大断面図を示す。第３図に
おいては例えば多チャンネル磁気ヘッドにおける２つの
磁気ヘッド素子のみを示したものである。第３図及び第
４図において第１図及び第２図と対応する部分には同一
符号を付して１復説明は、これを省略するが本発明は、
この構成において特にその各磁気ヘッド素子りにおいて
、そのＭＲ素子（５）と直列に、このＭＲ素子（５）に
バイアス磁界を与えるための導電路（３）とを直列に接
続する。すなわち、導電路（３）の一端（３ｂ）と、こ
れの上に絶縁層（４）を介して接続されるＭＲ素子（５
）の一端（５ａ）とを、図示しないが絶縁層（４）に穿
設したコンタクト用窓を通じて電気的に接続し、導電路
（３）の他端（３ａ）と、ＭＲ素子（５）の他端（５ｂ
）とより夫々電源端子ｔａ及びｔ４）を導出し、これら
端子ｔａ及びｔｂ間に検出兼バイアス電流源を接続する
。
＼ツドの一例を説明する。第３図はその要部の拡大平面
パターン図、第４図はその拡大断面図を示す。第３図に
おいては例えば多チャンネル磁気ヘッドにおける２つの
磁気ヘッド素子のみを示したものである。第３図及び第
４図において第１図及び第２図と対応する部分には同一
符号を付して１復説明は、これを省略するが本発明は、
この構成において特にその各磁気ヘッド素子りにおいて
、そのＭＲ素子（５）と直列に、このＭＲ素子（５）に
バイアス磁界を与えるための導電路（３）とを直列に接
続する。すなわち、導電路（３）の一端（３ｂ）と、こ
れの上に絶縁層（４）を介して接続されるＭＲ素子（５
）の一端（５ａ）とを、図示しないが絶縁層（４）に穿
設したコンタクト用窓を通じて電気的に接続し、導電路
（３）の他端（３ａ）と、ＭＲ素子（５）の他端（５ｂ
）とより夫々電源端子ｔａ及びｔ４）を導出し、これら
端子ｔａ及びｔｂ間に検出兼バイアス電流源を接続する
。
今、ＭＲ素子（５）の感度についてみるに、このＭＲ素
子（５）に与えるバイアス磁界、すなわち、バイアス磁
界発生用のバイアス電流ｉＢと感度の関係は、第５図に
示すように成るバイアス電流値ｉＢｏまでほぼ直線性を
有する特性を示す。またこの、ＭＲ素子（５）に通ずる
検出用の電流ｉＭＲと出力の関係は、第６図に示すよう
にほぼ直線的特性が得られるものの成る電流ｊ ＭＲｚ
ｎ ａ ｘにおいてジュール熱によりＳ／Ｎの低下を来
す。本発明による磁気ヘッドにおける出力感度は、第５
図及び第６図の各曲線の積の関係となる。したがって、
本発明による磁気ヘッドしおいては、そのＭＲ素子（５
１と導電路（３１に共通に通ずる電流ｉは、第７図にお
ける発熱によってＳ／Ｎ低下を生じる電流値ｉＭＲｍａ
ｘより小さく、且つ高い出力の得られる電流値、すなわ
ち出力特性の最大値を示す電流値ｉＭＲＯの近傍に設定
される。尚、この場合、第７図における出力の最大値を
ｉＭＲｏ近傍で使用できるようにするためには、第５図
及び第６図における各電流値ｉＢ。
子（５）に与えるバイアス磁界、すなわち、バイアス磁
界発生用のバイアス電流ｉＢと感度の関係は、第５図に
示すように成るバイアス電流値ｉＢｏまでほぼ直線性を
有する特性を示す。またこの、ＭＲ素子（５）に通ずる
検出用の電流ｉＭＲと出力の関係は、第６図に示すよう
にほぼ直線的特性が得られるものの成る電流ｊ ＭＲｚ
ｎ ａ ｘにおいてジュール熱によりＳ／Ｎの低下を来
す。本発明による磁気ヘッドにおける出力感度は、第５
図及び第６図の各曲線の積の関係となる。したがって、
本発明による磁気ヘッドしおいては、そのＭＲ素子（５
１と導電路（３１に共通に通ずる電流ｉは、第７図にお
ける発熱によってＳ／Ｎ低下を生じる電流値ｉＭＲｍａ
ｘより小さく、且つ高い出力の得られる電流値、すなわ
ち出力特性の最大値を示す電流値ｉＭＲＯの近傍に設定
される。尚、この場合、第７図における出力の最大値を
ｉＭＲｏ近傍で使用できるようにするためには、第５図
及び第６図における各電流値ｉＢ。
及び’ＭＲｍａｘがｉｎｏぐ、’ ＭＲｍ ａ ｘの関
係となるように、導電路（３）に通ずる電流ｉＢによる
ＭＲ素子（５）に与えられる磁場の強さ、すなわち例え
ば両者の硲気的結合等の選定がなされる。
係となるように、導電路（３）に通ずる電流ｉＢによる
ＭＲ素子（５）に与えられる磁場の強さ、すなわち例え
ば両者の硲気的結合等の選定がなされる。
尚、図示の例では導電路（３）が１ターン構造とした場
合であるが、これを多層ないしは渦巻状ノくターンとし
て実質的に２タ一ン以上の構造となるようにすることも
できる。
合であるが、これを多層ないしは渦巻状ノくターンとし
て実質的に２タ一ン以上の構造となるようにすることも
できる。
発明の効果
上述したように本発明によれば、ＭＲ素子とＭＲ素子に
与えるバイアス磁界を発生させる導電路とを直列に接続
してＭＲ素子への検出用の電流源と／（イアヌ住界を得
るためのバイアス電流源とを共通にしたので電源の数、
端子数が減少し、構成が簡潔化され特に多チャンネルＭ
Ｒ型磁気ヘッドに適用してその利益は太きい。
与えるバイアス磁界を発生させる導電路とを直列に接続
してＭＲ素子への検出用の電流源と／（イアヌ住界を得
るためのバイアス電流源とを共通にしたので電源の数、
端子数が減少し、構成が簡潔化され特に多チャンネルＭ
Ｒ型磁気ヘッドに適用してその利益は太きい。
第１図は従来の会気抵抗効果型磁気ヘッドの拡大平面パ
ターン図、第２図はその拡大断面図、第３図は本発明に
よる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一例の要部の拡大平面
パターン図、第４図はその拡大断面図、第５図ないし第
７図は本発明の説明に供する出力特性曲縁図である。 （１）は基板、（３１はバイアス磁場発生用導筒、路、
（５）は磁気抵抗効果素子、（７）及び（８）は磁性層
、ｇは磁気ギャップ、（＋１１は不連続部、（ｌＯ）は
…気媒体との対接面である。 １１Ｃ 第１図 イ 第２図 第４図
ターン図、第２図はその拡大断面図、第３図は本発明に
よる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一例の要部の拡大平面
パターン図、第４図はその拡大断面図、第５図ないし第
７図は本発明の説明に供する出力特性曲縁図である。 （１）は基板、（３１はバイアス磁場発生用導筒、路、
（５）は磁気抵抗効果素子、（７）及び（８）は磁性層
、ｇは磁気ギャップ、（＋１１は不連続部、（ｌＯ）は
…気媒体との対接面である。 １１Ｃ 第１図 イ 第２図 第４図
Claims (1)
- 磁気媒体との対接面に所要の磁気ギャップを有する磁気
回路と、該磁気回路に設けられた上記磁気ギャップとは
別の不連続部に磁気的に結合されて配された磁気抵抗効
果素子と該磁気抵抗効果素子に直列に接続され、且つ該
磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を与えるように配され
た導電路とを有して成る磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15548383A JPS6047222A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15548383A JPS6047222A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047222A true JPS6047222A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15607027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15548383A Pending JPS6047222A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047222A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0725388A2 (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-07 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect type magnetic head operable at optimum biasing point |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| US5875078A (en) * | 1993-02-26 | 1999-02-23 | Sony Corporation | Magnetoresistance thin film magnetic head having reduced terminal count; and bias characteristics measuring method |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP15548383A patent/JPS6047222A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875078A (en) * | 1993-02-26 | 1999-02-23 | Sony Corporation | Magnetoresistance thin film magnetic head having reduced terminal count; and bias characteristics measuring method |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| EP0725388A2 (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-07 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect type magnetic head operable at optimum biasing point |
| EP0725388A3 (en) * | 1995-01-31 | 1996-12-27 | Sony Corp | Magnetoresistance effect head, operational with optimal bias point |
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