JPS6113414A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6113414A JPS6113414A JP13489084A JP13489084A JPS6113414A JP S6113414 A JPS6113414 A JP S6113414A JP 13489084 A JP13489084 A JP 13489084A JP 13489084 A JP13489084 A JP 13489084A JP S6113414 A JPS6113414 A JP S6113414A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetic head
- thin film
- thin
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- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜磁気ヘッド特に、例えば記録用の薄膜磁気
ヘッドと再生用薄膜磁気ヘッドとが一体化された複合型
薄膜磁気ヘッド、或いは記録トラックの高密度化に伴な
って例えば１つおきのトラックに関する磁気ヘッドを組
として例えば２組の磁気ヘッド部を交互に互い違いに配
置した配置関係に一体化したいわゆるスタツガー・構成
による薄膜磁気ヘッドに係わる。
ヘッドと再生用薄膜磁気ヘッドとが一体化された複合型
薄膜磁気ヘッド、或いは記録トラックの高密度化に伴な
って例えば１つおきのトラックに関する磁気ヘッドを組
として例えば２組の磁気ヘッド部を交互に互い違いに配
置した配置関係に一体化したいわゆるスタツガー・構成
による薄膜磁気ヘッドに係わる。
背景技術とその問題点
薄膜磁気ヘッド、例えば磁気抵抗効果（以下ＭＲという
）薄膜磁気ヘッドは、低周波用の再生特性に優れている
ことから低周波を扱う磁気記録における再生用ヘッドと
して脚光を浴びているがこの場合記録用の磁気ヘッドと
してインダクテイプ型、すなわち電磁誘導型の磁気ヘッ
ドを設けざるを得ない。したがって、この場合、記録用
の電磁誘導型の薄膜ヘッドと再生用のＭＲ薄膜磁気ヘッ
ドとが組合わされて一体化された複合型磁気ヘッドが必
要となる。
）薄膜磁気ヘッドは、低周波用の再生特性に優れている
ことから低周波を扱う磁気記録における再生用ヘッドと
して脚光を浴びているがこの場合記録用の磁気ヘッドと
してインダクテイプ型、すなわち電磁誘導型の磁気ヘッ
ドを設けざるを得ない。したがって、この場合、記録用
の電磁誘導型の薄膜ヘッドと再生用のＭＲ薄膜磁気ヘッ
ドとが組合わされて一体化された複合型磁気ヘッドが必
要となる。
このような第１の磁気ヘッド、例えば電磁誘導型の記録
用薄膜磁気ヘッドと、第２の磁気ヘッド例えば再生用Ｍ
Ｒ型薄膜ヘッドとの合体による複合型薄膜ヘッドは、例
えば第１図に示すよ５に記録用の電磁誘導型薄膜ヘッド
部（ＩＲ）と、再生用ＭＲ型薄膜ヘッド部（ＩＰ）とが
その各磁気ギャップ部を共通の磁気媒体との対接面（２
）に臨むように接合合体される。これらヘッド部（ＩＲ
）及び（ＩＰ）は、夫々磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）
上に夫々薄膜磁気コアが形成され、これら薄膜磁気コア
と磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）との間に各磁気媒体と
の対接面（２）Ｋ臨んで磁気ギャップＧＲ及びＧＰを形
成するように被着されて成る。尚再生用磁気ヘッド部（
ＩＰ）においてはＭＲ薄膜素子が、その薄膜磁気コアに
よる磁気回路に設けられた他の磁気ギャップ中に配置さ
れて成る。
用薄膜磁気ヘッドと、第２の磁気ヘッド例えば再生用Ｍ
Ｒ型薄膜ヘッドとの合体による複合型薄膜ヘッドは、例
えば第１図に示すよ５に記録用の電磁誘導型薄膜ヘッド
部（ＩＲ）と、再生用ＭＲ型薄膜ヘッド部（ＩＰ）とが
その各磁気ギャップ部を共通の磁気媒体との対接面（２
）に臨むように接合合体される。これらヘッド部（ＩＲ
）及び（ＩＰ）は、夫々磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）
上に夫々薄膜磁気コアが形成され、これら薄膜磁気コア
と磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）との間に各磁気媒体と
の対接面（２）Ｋ臨んで磁気ギャップＧＲ及びＧＰを形
成するように被着されて成る。尚再生用磁気ヘッド部（
ＩＰ）においてはＭＲ薄膜素子が、その薄膜磁気コアに
よる磁気回路に設けられた他の磁気ギャップ中に配置さ
れて成る。
また、各薄膜磁気ヘッドを覆うように各磁性基板（２Ｒ
）及び（２Ｐ）上に保護基板（３Ｒ）及び（３Ｐ）が接
合されて成り、これら各磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）
が互いに背中合わせに接合されて両ヘッド部（ＩＲ）及
び（ＩＰ）が合体された構成をとる。この場合各ヘッド
に関する端子導出は、磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）の
、保護基板（３Ｒ）及び（３Ｐ）より外部に突出した後
方側より各トラック（チャンネル）に関する端子導電層
（４）が延在形成されて、これに例えば外部リード（５
）が接続されて端子導出がなされる。
）及び（２Ｐ）上に保護基板（３Ｒ）及び（３Ｐ）が接
合されて成り、これら各磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）
が互いに背中合わせに接合されて両ヘッド部（ＩＲ）及
び（ＩＰ）が合体された構成をとる。この場合各ヘッド
に関する端子導出は、磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）の
、保護基板（３Ｒ）及び（３Ｐ）より外部に突出した後
方側より各トラック（チャンネル）に関する端子導電層
（４）が延在形成されて、これに例えば外部リード（５
）が接続されて端子導出がなされる。
しかしながら、この場合、各磁性基板（２Ｒ）及び（２
Ｐ）は、その各ヘッド部（ＩＲ）及び（ＩＰ）の組立て
取り扱いにおける機械的強度を保有する必要があること
から、その厚さは０．７〜１■程度に選ばれるものであ
るため、各ヘッド部（ＩＲ）及び（ＩＰ）のざるを得な
い。
Ｐ）は、その各ヘッド部（ＩＲ）及び（ＩＰ）の組立て
取り扱いにおける機械的強度を保有する必要があること
から、その厚さは０．７〜１■程度に選ばれるものであ
るため、各ヘッド部（ＩＲ）及び（ＩＰ）のざるを得な
い。
このような欠点を回避するために、例えば第２図に示す
ように記録用ヘッド部（ＩＲ）と再生用ヘッド部（ＩＰ
）とを磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）を外側にして保護
基板（３Ｒ）及び（３Ｐ）を内側にして接合し両基板（
３Ｒ）及び（３Ｐ）を肉薄とすることによってギャップ
ＧＲ及びＧＰ間の間隔を狭める構造も考えられる。
ように記録用ヘッド部（ＩＲ）と再生用ヘッド部（ＩＰ
）とを磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）を外側にして保護
基板（３Ｒ）及び（３Ｐ）を内側にして接合し両基板（
３Ｒ）及び（３Ｐ）を肉薄とすることによってギャップ
ＧＲ及びＧＰ間の間隔を狭める構造も考えられる。
しかしながらこの場合、磁性基板（２Ｒ）及び（２Ｐ）
間の狭隘な部分での各端子に対する外部リードの尊王は
極めて難しいという欠点が生じる。
間の狭隘な部分での各端子に対する外部リードの尊王は
極めて難しいという欠点が生じる。
発明の目的
本発明は上述した記録用及び再生用磁気ヘッドの複合型
磁気ヘッドにおけるように、或いはスタツガー構造によ
る磁気ヘッドにおけるよう忙、第１及び第２の磁気ヘッ
ド部が一体化されて成る薄膜磁気ヘッドにおいて、第１
及び第２の磁気ヘッド部の磁気ギャップを充分小なる間
隔をもって配置することができるようになすと共に各磁
気ヘッドよりの端子導出例えば端子部に対するリードの
接続等・を容易に行うことができる薄膜磁気ヘッドを提
供するものである。
磁気ヘッドにおけるように、或いはスタツガー構造によ
る磁気ヘッドにおけるよう忙、第１及び第２の磁気ヘッ
ド部が一体化されて成る薄膜磁気ヘッドにおいて、第１
及び第２の磁気ヘッド部の磁気ギャップを充分小なる間
隔をもって配置することができるようになすと共に各磁
気ヘッドよりの端子導出例えば端子部に対するリードの
接続等・を容易に行うことができる薄膜磁気ヘッドを提
供するものである。
発明の概要
本発明においては、第１及び第２の磁性基板上に夫々第
１及び第２の薄膜磁気コアが形成されて第１及び第２の
薄膜磁気ヘッド部が構成され、これら第１１及び第２の
薄膜磁気ヘッド部は、第１及び第２の磁性基板を有する
側とは反対側で接合合体され、第１及び第２の磁性基板
の対応する一側縁に磁気媒体との対接面が形成され、こ
の磁気媒体との対接面に臨んで、第１及び第２の薄膜磁
気コアと、第１及び第２の磁性基板との間に夫々磁気ギ
ャップが形成され、第１及び第２の磁性基板の磁気媒体
との対接面となる側縁以外の少くとも各一側縁が互いに
他の第２及び第１の磁性基板の対応する側縁より突出さ
れ、これら第１及び第２の磁性基板の各突出側縁に第１
及び第２の薄膜磁気ヘッド部の各端子が夫々導出された
構成とする。
１及び第２の薄膜磁気コアが形成されて第１及び第２の
薄膜磁気ヘッド部が構成され、これら第１１及び第２の
薄膜磁気ヘッド部は、第１及び第２の磁性基板を有する
側とは反対側で接合合体され、第１及び第２の磁性基板
の対応する一側縁に磁気媒体との対接面が形成され、こ
の磁気媒体との対接面に臨んで、第１及び第２の薄膜磁
気コアと、第１及び第２の磁性基板との間に夫々磁気ギ
ャップが形成され、第１及び第２の磁性基板の磁気媒体
との対接面となる側縁以外の少くとも各一側縁が互いに
他の第２及び第１の磁性基板の対応する側縁より突出さ
れ、これら第１及び第２の磁性基板の各突出側縁に第１
及び第２の薄膜磁気ヘッド部の各端子が夫々導出された
構成とする。
実施例
第３図以下を参照して本発明による薄膜磁気ヘッドの一
例を説明する。
例を説明する。
第３図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の拡大平面
図、第４図はその拡大平面図、第５図は第４図のＡ−Ａ
線上の拡大断面図、第６図及び第７図はその第１の磁気
ヘッド部の拡大断面図及び拡大平面図、第、８図及び第
９図はその第２の磁気ヘッド部の拡大断面図及び拡大平
面図を示すものでこの例では記録用電磁銹導型薄膜ヘッ
ド部と、再生用ＭＲ型薄膜ヘッド部による複合型薄膜磁
気へゝラドの例で、図において（ＩＯＲ）は第１の磁気
ヘッド部、即ちこの例では記録用電磁誘導型薄膜ヘッド
部を示し、（ＩＯＰ）は第２の磁気ヘッド部、即ちこの
例では再生用ＭＲ型薄膜ヘッド部を示す。
図、第４図はその拡大平面図、第５図は第４図のＡ−Ａ
線上の拡大断面図、第６図及び第７図はその第１の磁気
ヘッド部の拡大断面図及び拡大平面図、第、８図及び第
９図はその第２の磁気ヘッド部の拡大断面図及び拡大平
面図を示すものでこの例では記録用電磁銹導型薄膜ヘッ
ド部と、再生用ＭＲ型薄膜ヘッド部による複合型薄膜磁
気へゝラドの例で、図において（ＩＯＲ）は第１の磁気
ヘッド部、即ちこの例では記録用電磁誘導型薄膜ヘッド
部を示し、（ＩＯＰ）は第２の磁気ヘッド部、即ちこの
例では再生用ＭＲ型薄膜ヘッド部を示す。
第１の磁気ヘッド部（１０Ｒ）及び第２の磁気ヘッド部
（ＩＯＰ）は、第３図及び第４図に示すように夫々磁性
基板ａ１＋及び同上に設けられ、これらが接合合体され
て複合型の薄膜磁気ヘッドが構成される。
（ＩＯＰ）は、第３図及び第４図に示すように夫々磁性
基板ａ１＋及び同上に設けられ、これらが接合合体され
て複合型の薄膜磁気ヘッドが構成される。
先ず第１の磁気ヘッド部即ち記録用電磁誘導型薄膜ヘッ
ド部（ＩＯＲ）を第６図及び第７図を参照して説明する
。
ド部（ＩＯＲ）を第６図及び第７図を参照して説明する
。
第６図及び第７図は、その記録ヘッド部（ＩＯＲ）の拡
大断面図及び平面パターン図を示す。この記録ヘッド部
（ＩＯＲ）は、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−
Ｎｉ系フェライト等より成る磁性基板のように少くとも
１０面（ｌｌａ）が磁性層より成る磁性基板ａｌｌが設
けられこれの上に多数の電磁誘導型の薄膜磁気ヘッド素
子ｈｒが並置配列されて成る。
大断面図及び平面パターン図を示す。この記録ヘッド部
（ＩＯＲ）は、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−
Ｎｉ系フェライト等より成る磁性基板のように少くとも
１０面（ｌｌａ）が磁性層より成る磁性基板ａｌｌが設
けられこれの上に多数の電磁誘導型の薄膜磁気ヘッド素
子ｈｒが並置配列されて成る。
この場合、基板αＤには、その一平面（ｌｌａ） Ｋ臨
んで、基板Ｑｌｌの長手方向に沿って溝（１２１が形成
され、これに非磁性材（１３１，例えばガラスが充填さ
れる。
んで、基板Ｑｌｌの長手方向に沿って溝（１２１が形成
され、これに非磁性材（１３１，例えばガラスが充填さ
れる。
また基板（ｉｌｌの面（ｌｌａ）上には、基板（Ｉｌｌ
が導電性を有する場合にはこれの上にＳ ｉＯｚ等の非
磁性絶縁層Ｑ４１が被着され、これの上に導体手段Ｑ５
１か被着配置される。この導体手段ａ９は、例えば全チ
ャンネル（トラック）に対して共通のバイアス線輪とな
る帯状薄膜導電体叫と、各チャンネルに対応して設けら
れる信号線輪となる帯状薄膜導電体Ｑ７１とよりなる。
が導電性を有する場合にはこれの上にＳ ｉＯｚ等の非
磁性絶縁層Ｑ４１が被着され、これの上に導体手段Ｑ５
１か被着配置される。この導体手段ａ９は、例えば全チ
ャンネル（トラック）に対して共通のバイアス線輪とな
る帯状薄膜導電体叫と、各チャンネルに対応して設けら
れる信号線輪となる帯状薄膜導電体Ｑ７１とよりなる。
これら導電体Ｑ６１及びａηは、少な（ともその一部が
溝Ｑ３に沿って設けられる。そしてこの溝Ｑ３と、これ
の上の導体手段（１５１を横切って各チャンネルに対応
して夫々パーマロイ等薄膜磁気コアａ＆が夫々被着され
る。この場合、導体手段ａ９上にはＳ ｉＯｚ等の絶縁
層ａ９が被着されて薄膜磁性層ａ＆との電気的絶縁がな
される。各磁性層Ｑ８１の一端は、例えば絶縁層α９に
よる非磁性ギャップスペーサ−（イ）を介して磁性基板
（Ｉｌｌとの間に作動磁気ギャップＧＲを形成し、他端
は、例えば絶縁層α９及び（１４１に穿設した窓Ｃ２Ｄ
を通じて基板ａ１１の面（ｌｌａ）Ｋ１ｉａ気的に密に
結合・させる。このよう圧して、共通の基板（ＩＩＩと
各磁性層０秒とＫよって夫々閉磁路が形成されて各チャ
ンネルの磁気ヘッド素子ｈｒが構成されるものである。
溝Ｑ３に沿って設けられる。そしてこの溝Ｑ３と、これ
の上の導体手段（１５１を横切って各チャンネルに対応
して夫々パーマロイ等薄膜磁気コアａ＆が夫々被着され
る。この場合、導体手段ａ９上にはＳ ｉＯｚ等の絶縁
層ａ９が被着されて薄膜磁性層ａ＆との電気的絶縁がな
される。各磁性層Ｑ８１の一端は、例えば絶縁層α９に
よる非磁性ギャップスペーサ−（イ）を介して磁性基板
（Ｉｌｌとの間に作動磁気ギャップＧＲを形成し、他端
は、例えば絶縁層α９及び（１４１に穿設した窓Ｃ２Ｄ
を通じて基板ａ１１の面（ｌｌａ）Ｋ１ｉａ気的に密に
結合・させる。このよう圧して、共通の基板（ＩＩＩと
各磁性層０秒とＫよって夫々閉磁路が形成されて各チャ
ンネルの磁気ヘッド素子ｈｒが構成されるものである。
また、再生ヘッド部（ＩＯＰ）は、その各チャンネルの
ヘッド素子ｈｐが磁気抵抗効果（以下ＭＲという）型構
成をとって、第８図にその拡大断面図を、第９図にその
拡大平面パターンを示すように、前述した記録ヘッド部
（１０Ｒ）の各ヘッド素子ｈｒＫ ’対応して共通の
磁性基板（４１１上に配列されて成る。
ヘッド素子ｈｐが磁気抵抗効果（以下ＭＲという）型構
成をとって、第８図にその拡大断面図を、第９図にその
拡大平面パターンを示すように、前述した記録ヘッド部
（１０Ｒ）の各ヘッド素子ｈｒＫ ’対応して共通の
磁性基板（４１１上に配列されて成る。
基板（４υは、例えば磁性フェライトのＮｉ−Ｚｎ系７
エライト、Ｍｎ −Ｚｎ系フェライト等の磁性体より成
るか少くとも１主面（４１ａ）が磁性層によって構成さ
れる。そして、この基板０υが導電性を有する場合には
、これの上に５ｉ０２等の絶縁層（４３を介することに
よって、後述するＭＲ素子に対するバイアス磁界を与え
るバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜よ
り成るバイアス導体（４３１上Ｋ、絶縁層０４）を介し
て例えば、Ｎｉ−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金
等のＭＲ効果を有する磁性薄膜より成るＭＲ薄膜素子（
４つが配される。そして、このＭＲ薄膜素子（４５１上
に薄い絶縁層（９））を介して各一端が跨り、バイアス
導体（４３及びＭＲ薄膜素子（ｌ１９を横切る方向に延
長して夫々、例えばＭｏパーマロイより成り、夫々磁気
回路の一部となる対の薄膜磁気コア（旬及び（４８）が
被着される。一方、磁気コアＣＤの前方端と基板０ｖと
の間には、所要の厚さを有する例えば絶縁層囮より成る
非磁性ギャップスペーサ層（５１１が介在されて前方の
磁気ギャップＧＰが形成される。また、磁気ギャップＧ
Ｐを構成する磁気コア（４７）の後方端と、他方の磁気
コア（４８１の前方端とは、夫々ＭＲ素子（４５１上に
絶縁層（４６）を介して跨るように形成されるも、両端
間には所要の幅をもって離間する不連続部＠が形成され
る。両薄膜磁気コア（４で及び０８の後方端及び前方端
は、ＭＲ薄膜素子（４９の両側に夫々絶縁層（４６）の
介在によって電気的には絶縁されるも、磁気的には結合
するよう罠なされ、両薄膜磁気コア（４η及び（４＆の
不連続邪説）がＭＲ薄膜素子（４５Ｋよって磁気的に連
結されて、基板（４Ｉ）−磁気ギャップＧＰ−薄膜磁気
コア（４７１−ＭＲ素子（４！９−薄膜磁気コア（４８
一基板０υによる磁気回路が形成されたＭＲ型ヘッド素
子ｈｐが夫々形成される。
エライト、Ｍｎ −Ｚｎ系フェライト等の磁性体より成
るか少くとも１主面（４１ａ）が磁性層によって構成さ
れる。そして、この基板０υが導電性を有する場合には
、これの上に５ｉ０２等の絶縁層（４３を介することに
よって、後述するＭＲ素子に対するバイアス磁界を与え
るバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜よ
り成るバイアス導体（４３１上Ｋ、絶縁層０４）を介し
て例えば、Ｎｉ−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金
等のＭＲ効果を有する磁性薄膜より成るＭＲ薄膜素子（
４つが配される。そして、このＭＲ薄膜素子（４５１上
に薄い絶縁層（９））を介して各一端が跨り、バイアス
導体（４３及びＭＲ薄膜素子（ｌ１９を横切る方向に延
長して夫々、例えばＭｏパーマロイより成り、夫々磁気
回路の一部となる対の薄膜磁気コア（旬及び（４８）が
被着される。一方、磁気コアＣＤの前方端と基板０ｖと
の間には、所要の厚さを有する例えば絶縁層囮より成る
非磁性ギャップスペーサ層（５１１が介在されて前方の
磁気ギャップＧＰが形成される。また、磁気ギャップＧ
Ｐを構成する磁気コア（４７）の後方端と、他方の磁気
コア（４８１の前方端とは、夫々ＭＲ素子（４５１上に
絶縁層（４６）を介して跨るように形成されるも、両端
間には所要の幅をもって離間する不連続部＠が形成され
る。両薄膜磁気コア（４で及び０８の後方端及び前方端
は、ＭＲ薄膜素子（４９の両側に夫々絶縁層（４６）の
介在によって電気的には絶縁されるも、磁気的には結合
するよう罠なされ、両薄膜磁気コア（４η及び（４＆の
不連続邪説）がＭＲ薄膜素子（４５Ｋよって磁気的に連
結されて、基板（４Ｉ）−磁気ギャップＧＰ−薄膜磁気
コア（４７１−ＭＲ素子（４！９−薄膜磁気コア（４８
一基板０υによる磁気回路が形成されたＭＲ型ヘッド素
子ｈｐが夫々形成される。
また、各基板（１１）及び（４Ｉ）上に形成した第１及
び第２の磁気ヘッド部（１０Ｒ）及び（ＩＯＰ）上には
、これらを覆って８２０２等の絶縁性保護材層（６０Ｒ
）及び（６０Ｆ）を被着する。これら保護材層（６０Ｒ
）及び（６０Ｐ）の各表面は平坦に且つできるだけ薄い
厚さに形成する。
び第２の磁気ヘッド部（１０Ｒ）及び（ＩＯＰ）上には
、これらを覆って８２０２等の絶縁性保護材層（６０Ｒ
）及び（６０Ｆ）を被着する。これら保護材層（６０Ｒ
）及び（６０Ｐ）の各表面は平坦に且つできるだけ薄い
厚さに形成する。
そして、これら第１及び第２の薄膜磁気ヘッド部（１０
Ｒ）及び（ＩＯＰ）を、互いにその保護材層（６０Ｒ）
及び（６０Ｐ）の平坦な表面を突き合せて接合する。
Ｒ）及び（ＩＯＰ）を、互いにその保護材層（６０Ｒ）
及び（６０Ｐ）の平坦な表面を突き合せて接合する。
このようにして接合合体された第１及び第２の磁気ヘッ
ド部（１０Ｒ）及び（ＩＯＰ）は、これらの前方面が、
両ヘッド部（１０Ｒ）及び（ＩＯＰ）の接合合体前、或
いは接合合体後において研磨されて、共通の磁気媒体と
の対接面σＯが形成される。
ド部（１０Ｒ）及び（ＩＯＰ）は、これらの前方面が、
両ヘッド部（１０Ｒ）及び（ＩＯＰ）の接合合体前、或
いは接合合体後において研磨されて、共通の磁気媒体と
の対接面σＯが形成される。
このよう忙して構成された複合型磁気ヘッドは、その磁
気媒体との対接面σＱに臨む第１及び第２の薄膜磁気ヘ
ッド部（ＩＯＲ）及び（ｌ０Ｐ）の各ギャップＧＲ及び
ＧＰ間の間隔は、両者間に何ら基板が介在されていない
ことから、これらギャップＧＲ及びＧＰは充分に近接し
て、例えば１０〜２０１１ｍの間隔をもって配置させる
ことができる。
気媒体との対接面σＱに臨む第１及び第２の薄膜磁気ヘ
ッド部（ＩＯＲ）及び（ｌ０Ｐ）の各ギャップＧＲ及び
ＧＰ間の間隔は、両者間に何ら基板が介在されていない
ことから、これらギャップＧＲ及びＧＰは充分に近接し
て、例えば１０〜２０１１ｍの間隔をもって配置させる
ことができる。
そして、また本発明においては、特に、第１及び第２の
薄膜磁気ヘッド（１０Ｒ）及び（ＩＯＰ）の接合合体状
態において各基板ａ］Ｊ及び（４１）の磁気媒体との対
接面σα側の縁部以外の、例えばこの対接面σＱの左及
び右側縁部（１１Ｌ）及び（４１Ｒ）が、互いに他の基
板０υ及びａＤの各右及び左側縁部（４１Ｌ）及び（１
１Ｒ）より夫々側方に突出するようになし、これら各突
出側縁部（ＩＩＬ）及び（ＩＩＲ）に、夫々第１及び第
２の薄膜磁気ヘッド部（１０Ｒ）及び（ＩＯＰ）の各端
子を導出する。すなわち、例えば、第１の磁気ヘッド夫
々外部回路に接続される端子として、基板（Ｉｌｌの側
縁部（１１Ｌ）に延在させる。また、第２の磁気へび（
４５ｂ）が夫々外部回路に接続される端子として基板（
４υの側縁部（４１Ｒ）に延在させる。
薄膜磁気ヘッド（１０Ｒ）及び（ＩＯＰ）の接合合体状
態において各基板ａ］Ｊ及び（４１）の磁気媒体との対
接面σα側の縁部以外の、例えばこの対接面σＱの左及
び右側縁部（１１Ｌ）及び（４１Ｒ）が、互いに他の基
板０υ及びａＤの各右及び左側縁部（４１Ｌ）及び（１
１Ｒ）より夫々側方に突出するようになし、これら各突
出側縁部（ＩＩＬ）及び（ＩＩＲ）に、夫々第１及び第
２の薄膜磁気ヘッド部（１０Ｒ）及び（ＩＯＰ）の各端
子を導出する。すなわち、例えば、第１の磁気ヘッド夫
々外部回路に接続される端子として、基板（Ｉｌｌの側
縁部（１１Ｌ）に延在させる。また、第２の磁気へび（
４５ｂ）が夫々外部回路に接続される端子として基板（
４υの側縁部（４１Ｒ）に延在させる。
尚上述した例においては、各磁性基板（Ｉｌｌ及びＣＤ
の端子導出の突出側縁を磁気媒体との対接面σＱを挟ん
で左右両側に配置した場合であるが、成る場合は一方の
基板に対しては左または右からその導１、出を行い、他
方の磁気ヘッドに関しては磁気媒体との対接面σ１とは
反対側の後方縁部を他の基板より突出させ、ここから端
子導出を行うようにすることもできる。いずれの場合に
おいても、基板（Ｉｌｌ及びケ１）の各端子部の導出が
なされた側縁部が互いに４ｐの基板（４υ及び（Ｉｌｌ
と対向することがなく突出するようになす。
の端子導出の突出側縁を磁気媒体との対接面σＱを挟ん
で左右両側に配置した場合であるが、成る場合は一方の
基板に対しては左または右からその導１、出を行い、他
方の磁気ヘッドに関しては磁気媒体との対接面σ１とは
反対側の後方縁部を他の基板より突出させ、ここから端
子導出を行うようにすることもできる。いずれの場合に
おいても、基板（Ｉｌｌ及びケ１）の各端子部の導出が
なされた側縁部が互いに４ｐの基板（４υ及び（Ｉｌｌ
と対向することがなく突出するようになす。
尚、上述した例においては、各導体（ｌＨ７１，（４３
）を単層の１ターン構造とした場合であるが、多ターン
の単層構造とするとか、絶縁層を介して多層に積層して
多ターン構造とすることもできるなど種々の構造をとり
得る。例えば、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド（ＩＯＰ）におい
て、第１０図に示すようＫそのバイアス導体（４３を渦
巻状のパターンとすることもできる。
）を単層の１ターン構造とした場合であるが、多ターン
の単層構造とするとか、絶縁層を介して多層に積層して
多ターン構造とすることもできるなど種々の構造をとり
得る。例えば、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド（ＩＯＰ）におい
て、第１０図に示すようＫそのバイアス導体（４３を渦
巻状のパターンとすることもできる。
また、上述した例においては、第１の磁気ヘッド部（Ｉ
ＯＲ）が記録用電磁誘導型薄膜ヘッド部であり、第２の
磁気ヘッド部（ＩＯＰ）が再生用ＭＲ型薄膜磁気ヘッド
である場合について説明したが他の組合わせ忙よる磁気
ヘッド部、例えば夫々記録及び再生用の薄膜磁気ヘッド
部が夫々電磁誘導型構成をとるものの組合わせとするこ
ともできるし、また記録及び再生用の複合型磁気ヘッド
に限らず例えばスタツガー構造による薄膜磁気ヘッド等
に本発明を適用することもできる。
ＯＲ）が記録用電磁誘導型薄膜ヘッド部であり、第２の
磁気ヘッド部（ＩＯＰ）が再生用ＭＲ型薄膜磁気ヘッド
である場合について説明したが他の組合わせ忙よる磁気
ヘッド部、例えば夫々記録及び再生用の薄膜磁気ヘッド
部が夫々電磁誘導型構成をとるものの組合わせとするこ
ともできるし、また記録及び再生用の複合型磁気ヘッド
に限らず例えばスタツガー構造による薄膜磁気ヘッド等
に本発明を適用することもできる。
発明の効果
上述したように本発明においては、第１の磁気ヘッド部
と第２の磁気ヘッド部を接合合体した薄膜磁気ヘッドに
おいて、各磁気ヘッド部の各チャンネルの磁気ヘッド素
子からの端子導出を夫々各磁気ヘッド部を構成する磁性
基板の突出側縁に導出させるようにして互いに他の磁気
ヘッド部の磁性基板と対向することがないようにしたの
でこれら端子＊に対する外部リードの接続を容易に行う
ことができる。
と第２の磁気ヘッド部を接合合体した薄膜磁気ヘッドに
おいて、各磁気ヘッド部の各チャンネルの磁気ヘッド素
子からの端子導出を夫々各磁気ヘッド部を構成する磁性
基板の突出側縁に導出させるようにして互いに他の磁気
ヘッド部の磁性基板と対向することがないようにしたの
でこれら端子＊に対する外部リードの接続を容易に行う
ことができる。
また、各磁気ヘッド部間の磁気ギャップ間に磁性基板、
または保護基板が配置されないような構成としたことＫ
よってその各磁気ギャップ間の間隔を充分狭はめること
ができる等実用に供してその利益は大である。
または保護基板が配置されないような構成としたことＫ
よってその各磁気ギャップ間の間隔を充分狭はめること
ができる等実用に供してその利益は大である。
第１図及び第２図は従来の複合型薄膜磁気ヘッドの各例
の路線的斜視図、第３図、第４図及び第５図は本発明に
よる薄膜磁気ヘッドの一例の拡大正面図、拡大平面図及
び第３図のＡ−Ａ線上の拡大断面図、第６図及び第７図
はその第１の磁気ヘッド部の拡大断面図及び拡大平面図
、第８図及び第９図はその第２の磁気ヘッド部の一例の
拡大断面図及び拡大平面図、第１０図は他の例の第２の
磁気ヘッド部のパターン図である。 （ＩＯＲ）及び（ＩＯＰ）は夫々第１の磁気ヘッド部及
び第２の磁気ヘッド部、（１１１及び（４０は第１及び
第２の磁性基板、ＧＲ及びＧＰは第１及び第２の磁気ギ
ャップである。 第３図 １Ｒ
の路線的斜視図、第３図、第４図及び第５図は本発明に
よる薄膜磁気ヘッドの一例の拡大正面図、拡大平面図及
び第３図のＡ−Ａ線上の拡大断面図、第６図及び第７図
はその第１の磁気ヘッド部の拡大断面図及び拡大平面図
、第８図及び第９図はその第２の磁気ヘッド部の一例の
拡大断面図及び拡大平面図、第１０図は他の例の第２の
磁気ヘッド部のパターン図である。 （ＩＯＲ）及び（ＩＯＰ）は夫々第１の磁気ヘッド部及
び第２の磁気ヘッド部、（１１１及び（４０は第１及び
第２の磁性基板、ＧＲ及びＧＰは第１及び第２の磁気ギ
ャップである。 第３図 １Ｒ
Claims (1)
- 第１及び第２の磁性基板上に夫々第１及び第２の薄膜磁
気コアが形成されて第１及び第２の薄膜磁気ヘッド部が
構成され、該第１及び第２の薄膜磁気ヘッド部は、上記
第１及び第２の磁性基板を有する側とは反対側で接合合
体され、上記第１及び第２の磁性基板の対応する一側縁
に磁気媒体との対接面が形成され、該磁気媒体との対接
面に臨んで、上記第１及び第２の薄膜磁気コアと上記第
１及び第２の磁性基板との間に磁気ギャップが形成され
、上記第１及び第２の磁性基板の上記磁気媒体との対接
面となる側縁以外の少くとも各一側縁が互いに他の第２
及び第１の磁性基板の対応する側縁より突出され、該第
１及び第２の磁性基板の各突出側縁に上記第１及び第２
の薄膜磁気ヘッド部の端子が導出された薄膜磁気ヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13489084A JPS6113414A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13489084A JPS6113414A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113414A true JPS6113414A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=15138903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13489084A Pending JPS6113414A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113414A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002013187A3 (en) * | 2000-08-03 | 2003-02-06 | Storage Technology Corp | Tape head modules having adjacent substrates each provided with write and/or read elements |
| US8873370B2 (en) | 2005-04-26 | 2014-10-28 | Accedian Networks Inc. | Power over ethernet management devices and connection between ethernet devices |
| US9088492B2 (en) | 2012-07-05 | 2015-07-21 | Accedian Networks Inc. | Method for devices in a network to participate in an end-to-end measurement of latency |
| US10979332B2 (en) | 2014-09-25 | 2021-04-13 | Accedian Networks Inc. | System and method to measure available bandwidth in ethernet transmission system using train of ethernet frames |
| US10999171B2 (en) | 2018-08-13 | 2021-05-04 | Accedian Networks Inc. | Method for devices in a network to participate in an end-to-end measurement of latency |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP13489084A patent/JPS6113414A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002013187A3 (en) * | 2000-08-03 | 2003-02-06 | Storage Technology Corp | Tape head modules having adjacent substrates each provided with write and/or read elements |
| US6570738B1 (en) | 2000-08-03 | 2003-05-27 | Storage Technology Corporation | Tape head modules having adjacent substrates each provided with write and/or read elements |
| US8873370B2 (en) | 2005-04-26 | 2014-10-28 | Accedian Networks Inc. | Power over ethernet management devices and connection between ethernet devices |
| US9413555B2 (en) | 2005-04-26 | 2016-08-09 | Accedian Networks Inc. | Power over ethernet management devices and connection between ethernet devices |
| US10514739B2 (en) | 2005-04-26 | 2019-12-24 | Accedian Networks Inc. | Power over ethernet management devices and connection between ethernet devices |
| US9088492B2 (en) | 2012-07-05 | 2015-07-21 | Accedian Networks Inc. | Method for devices in a network to participate in an end-to-end measurement of latency |
| US9762469B2 (en) | 2012-07-05 | 2017-09-12 | Accedian Networks Inc. | Method for devices in a network to participate in an end-to-end measurement of latency |
| US10091081B2 (en) | 2012-07-05 | 2018-10-02 | Accedian Networks Inc. | Method for devices in a network to participate in an end-to-end measurement of latency |
| US10979332B2 (en) | 2014-09-25 | 2021-04-13 | Accedian Networks Inc. | System and method to measure available bandwidth in ethernet transmission system using train of ethernet frames |
| US10999171B2 (en) | 2018-08-13 | 2021-05-04 | Accedian Networks Inc. | Method for devices in a network to participate in an end-to-end measurement of latency |
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