JPS5979418A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS5979418A JPS5979418A JP57190181A JP19018182A JPS5979418A JP S5979418 A JPS5979418 A JP S5979418A JP 57190181 A JP57190181 A JP 57190181A JP 19018182 A JP19018182 A JP 19018182A JP S5979418 A JPS5979418 A JP S5979418A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係る。
背景技術とその問題点
磁気抵抗効果（以下ＭＲという）型再生磁気ヘッドにお
いて、その皿素子が磁気媒体との対接面よシ後退位置に
配置されたリア型磁気ヘッドが提案されている。このリ
ア型磁気ヘッドは、例えば第１図にその要部の拡大路線
的平面図を示し、第２図にそのＡ−Ａｉ上の拡大断面図
を示すように、例えばＮｉ −Ｚｎ系フェライトよシな
る磁性基体（１）上に、ＭＲ累子に対してバイアス磁界
を与えるためのバイアス磁界発生の電流通路となる帯状
導電膜よシなる・々イアス導体（２）が被着され、これ
の上に絶縁層（３）を介して例えばＮｉ −Ｆｅ系合金
、或いはＮｉ ” Ｃｏ系合金薄膜等よシなるＭＲ素子
（４）が被着形成され、更にこれの上に絶縁層（５）を
介してＮｉ −Ｆｅ系合金等の磁性層よりなる対の磁気
コア（６）及び（７）が、素子（４）上を横切る方向に
、且つ素子（４）上において所要の間隔すなわち不連続
部Ｇｉ介して形成される。一方の磁気コア（６）の外端
部は、非磁性の絶縁層（３）及び（５）の少なく表もい
ずれか一方を介して磁性基体（１）と対向し、このコア
（６）と磁性基体（］）との間に磁気ギャップｇが形成
されるようになされる。他方の磁気コア（７）の外端は
、絶縁層（３）及び（５）に穿設された窓を通じて磁性
基体（１）に連接されるようになされる。そして、これ
らバイアス導体（２）、皿素子（４）、磁気コア（６）
及び（７）′ｆ：覆って非磁性絶縁性保護層（８）が被
覆され、これの上に接着剤層（９）によって保護基体α
１が接着される。そして、両基体（１）及び００の磁気
コア（６）の外端側が切削研磨されて磁気媒体との対接
面（１１）が形成される。このようにしてイ１へ気ギャ
ップｇが対接面θ◇に臨みこの磁気ギャップｇ及び皿素
子（４）を含む閉磁路が形成されて磁気ヘッド素子りが
構成される。この素子りは、例えば共通の基体（１）及
びα１間に複数個並置形成され、多チヤンネル型磁気ヘ
ッドが構成される。
いて、その皿素子が磁気媒体との対接面よシ後退位置に
配置されたリア型磁気ヘッドが提案されている。このリ
ア型磁気ヘッドは、例えば第１図にその要部の拡大路線
的平面図を示し、第２図にそのＡ−Ａｉ上の拡大断面図
を示すように、例えばＮｉ −Ｚｎ系フェライトよシな
る磁性基体（１）上に、ＭＲ累子に対してバイアス磁界
を与えるためのバイアス磁界発生の電流通路となる帯状
導電膜よシなる・々イアス導体（２）が被着され、これ
の上に絶縁層（３）を介して例えばＮｉ −Ｆｅ系合金
、或いはＮｉ ” Ｃｏ系合金薄膜等よシなるＭＲ素子
（４）が被着形成され、更にこれの上に絶縁層（５）を
介してＮｉ −Ｆｅ系合金等の磁性層よりなる対の磁気
コア（６）及び（７）が、素子（４）上を横切る方向に
、且つ素子（４）上において所要の間隔すなわち不連続
部Ｇｉ介して形成される。一方の磁気コア（６）の外端
部は、非磁性の絶縁層（３）及び（５）の少なく表もい
ずれか一方を介して磁性基体（１）と対向し、このコア
（６）と磁性基体（］）との間に磁気ギャップｇが形成
されるようになされる。他方の磁気コア（７）の外端は
、絶縁層（３）及び（５）に穿設された窓を通じて磁性
基体（１）に連接されるようになされる。そして、これ
らバイアス導体（２）、皿素子（４）、磁気コア（６）
及び（７）′ｆ：覆って非磁性絶縁性保護層（８）が被
覆され、これの上に接着剤層（９）によって保護基体α
１が接着される。そして、両基体（１）及び００の磁気
コア（６）の外端側が切削研磨されて磁気媒体との対接
面（１１）が形成される。このようにしてイ１へ気ギャ
ップｇが対接面θ◇に臨みこの磁気ギャップｇ及び皿素
子（４）を含む閉磁路が形成されて磁気ヘッド素子りが
構成される。この素子りは、例えば共通の基体（１）及
びα１間に複数個並置形成され、多チヤンネル型磁気ヘ
ッドが構成される。
各磁気ヘッド素子の閉磁路は磁性基体（１）−磁気ギャ
ップピー磁気コア（６）−風素子（４）−磁気コア（７
）−磁性基体（１）によって形成される。すなわち、磁
気コア（６）及び（７）間の不連続部Ｇに凧素子（４）
が絶縁層（５）を介して配置されてなる。
ップピー磁気コア（６）−風素子（４）−磁気コア（７
）−磁性基体（１）によって形成される。すなわち、磁
気コア（６）及び（７）間の不連続部Ｇに凧素子（４）
が絶縁層（５）を介して配置されてなる。
このような構成において、バイアス導体（２）にバイア
ス磁界発生用の電流ＩＢを通じてＭＲ素子（４）に所要
のバイアス磁界音導え、ＭＲ素子（４）に電流Ｉ−ｉ流
すことによって、その各磁気ギャップｇに対接ないしは
対向する磁気記録媒体よりのこれに記録された記録磁化
による信号磁界が各風素子（４）に与えられ、これによ
る抵抗変化に基ずく電気的信号すなわち再生出力信号が
各ＭＲ素子（４）の両端に得られる。
ス磁界発生用の電流ＩＢを通じてＭＲ素子（４）に所要
のバイアス磁界音導え、ＭＲ素子（４）に電流Ｉ−ｉ流
すことによって、その各磁気ギャップｇに対接ないしは
対向する磁気記録媒体よりのこれに記録された記録磁化
による信号磁界が各風素子（４）に与えられ、これによ
る抵抗変化に基ずく電気的信号すなわち再生出力信号が
各ＭＲ素子（４）の両端に得られる。
ところが、この種磁気ヘッドにおいては、これに人体例
えば手が磁気ヘッドの端子に或いは磁気媒体との対接面
αルに臨む磁気コア（６）に触れた場合等において、人
体に蓄積されていた静電気の放電、或いは誘導電位によ
って皿素子（４）及びバイアス導体（２）間、磁気コア
（６） （７）及びＭＲ素子（４）間、更にはバイアス
導体（２）及び磁気コア（６） （７）間の各絶縁膜（
３）或いは（５）を破壊し、各間に絶縁破壊を生じさせ
た９、薄膜のＭＲ素子等の各部に断ａ−’ｒ生じさせて
不良品ないしは故障を来す。
えば手が磁気ヘッドの端子に或いは磁気媒体との対接面
αルに臨む磁気コア（６）に触れた場合等において、人
体に蓄積されていた静電気の放電、或いは誘導電位によ
って皿素子（４）及びバイアス導体（２）間、磁気コア
（６） （７）及びＭＲ素子（４）間、更にはバイアス
導体（２）及び磁気コア（６） （７）間の各絶縁膜（
３）或いは（５）を破壊し、各間に絶縁破壊を生じさせ
た９、薄膜のＭＲ素子等の各部に断ａ−’ｒ生じさせて
不良品ないしは故障を来す。
発明の目的
本発明はこのような欠点を解消した磁気抵抗効果型磁気
ヘッド全提供するものである。
ヘッド全提供するものである。
発明の概要
本発明においては、第１図及び第２図で説明したような
皿型磁気ヘッドのように閉磁路全形成する磁気コアの、
磁気ギャップ以外に形成された不連続部に凧素子が配さ
れ、この凧素子に対するバイアス磁界を得るに供するバ
イアス導体が配されたＭＲ型磁気ヘッドにおいて、その
磁気コア、ＭＲ累子及びバイアス導体を実質的に電気的
に連結する。
皿型磁気ヘッドのように閉磁路全形成する磁気コアの、
磁気ギャップ以外に形成された不連続部に凧素子が配さ
れ、この凧素子に対するバイアス磁界を得るに供するバ
イアス導体が配されたＭＲ型磁気ヘッドにおいて、その
磁気コア、ＭＲ累子及びバイアス導体を実質的に電気的
に連結する。
実施例
第３図及び第４図に、本発明を多チャンネ′ル型ＭＲ磁
気ヘッドに適用する場合の一例を示す。第３図はその要
部の拡大路線的平面図で、第４図はそのＢ−Ｂ、ｉＪｌ
上の拡大断面図で、第３図及び第４図において第１図及
び第２図と対応する部分には同一符号を付してその重複
説明を省略する。本発明においては、例えば閉磁路の磁
気ギヤツブｇ以外におけるその不連続部Ｇ、すなわち両
磁気コア（６）及び（７）間の間隙に非磁性の導電層よ
シなる電気的連結体（２）を両コア（６）及び（７）間
に差し渡ってこれらコア（６）及び（７）と接触させて
被着する。そしてこの連結体０→、したがって磁気コア
（６）及び（７）と、ＭＲ累子（４）と、バイアス導体
（２）とを実質的に電気的に連結する。例えば導体（２
）の一端を例えば接地電位とし、各凧素子（４）の一端
を接地電位とし、更に連結体０ａ１シたがってこの連結
体（ロ）によって相互に電気的に連結された磁気コア（
６）及び（７）を接地電位として実質的にこれらが電気
的に連結されるようにする。
気ヘッドに適用する場合の一例を示す。第３図はその要
部の拡大路線的平面図で、第４図はそのＢ−Ｂ、ｉＪｌ
上の拡大断面図で、第３図及び第４図において第１図及
び第２図と対応する部分には同一符号を付してその重複
説明を省略する。本発明においては、例えば閉磁路の磁
気ギヤツブｇ以外におけるその不連続部Ｇ、すなわち両
磁気コア（６）及び（７）間の間隙に非磁性の導電層よ
シなる電気的連結体（２）を両コア（６）及び（７）間
に差し渡ってこれらコア（６）及び（７）と接触させて
被着する。そしてこの連結体０→、したがって磁気コア
（６）及び（７）と、ＭＲ累子（４）と、バイアス導体
（２）とを実質的に電気的に連結する。例えば導体（２
）の一端を例えば接地電位とし、各凧素子（４）の一端
を接地電位とし、更に連結体０ａ１シたがってこの連結
体（ロ）によって相互に電気的に連結された磁気コア（
６）及び（７）を接地電位として実質的にこれらが電気
的に連結されるようにする。
尚、上述した例においては、磁性基体（１）が絶縁性で
ある場合を説明したが、これが導電性を有する場合には
、基体（１）上に絶縁層を被覆してこれの上にバイアス
導体（２）全形成する。また、上述し、た例においては
多チヤンネル型磁気ヘッドに適用した場合であるが、単
チヤンネル型磁気ヘッド等に本発明を適用することもで
きる。
ある場合を説明したが、これが導電性を有する場合には
、基体（１）上に絶縁層を被覆してこれの上にバイアス
導体（２）全形成する。また、上述し、た例においては
多チヤンネル型磁気ヘッドに適用した場合であるが、単
チヤンネル型磁気ヘッド等に本発明を適用することもで
きる。
発明の効果
上述した構成とすることによって磁気ヘッドに人体等が
触れた場合において、その静電気が磁気コア（６） （
７）、ＭＲ累子（４）、バイアス導体（２）の各間に介
在された絶縁層全破壊して放電した９、これら絶縁層を
介してこれら間に例えば人体の静電気による誘導電位が
掛か９、絶縁破壊を生じさせるような事故を回避でき、
信頼性の高いＭＲ磁気ヘッドを得ることができる。
触れた場合において、その静電気が磁気コア（６） （
７）、ＭＲ累子（４）、バイアス導体（２）の各間に介
在された絶縁層全破壊して放電した９、これら絶縁層を
介してこれら間に例えば人体の静電気による誘導電位が
掛か９、絶縁破壊を生じさせるような事故を回避でき、
信頼性の高いＭＲ磁気ヘッドを得ることができる。
第１図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの要部の路線
的拡大平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線上の拡大断面
図、第３図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
一例の要部の路線的拡大平面図、第４図は第３図のＢ−
Ｂ線上の拡大断面図である。 （１）は磁性基体、（２）はバイアス導体、（４）は磁
気抵抗効果素子、（３）及び（５）は絶縁層、（６）及
び（７）は磁気コアである。 代理人 伊藤 林２、丁 手続補正書 １．事件の表示 昭和５７年特許願第１９０１８１ 号２・発明の名称
磁気抵抗効果型磁気ヘッド３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代 理 人 東京都新°宿区西新宿１丁目８番１号
（新宿ビル）置東京（０３）３４３−５８２１ （代表
）６、補正により増加する発明の数 （１）明細書中、第６頁２行Ｆする。］の後に「また、
各ＭＲ素子（４）上の絶縁層（５）はきわめて薄い為、
連結体ｆ１２１とＭＲ素子（４）との不連続部Ｇでの短
絡を防止すべく ＭＲ素子（４）上の連結体Ｑ２を除去
してもよい。」を加入する。 （２）図面中、第１図、第２図及び第３図を夫々別紙添
付図面の通り補正する。 以 上
的拡大平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線上の拡大断面
図、第３図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
一例の要部の路線的拡大平面図、第４図は第３図のＢ−
Ｂ線上の拡大断面図である。 （１）は磁性基体、（２）はバイアス導体、（４）は磁
気抵抗効果素子、（３）及び（５）は絶縁層、（６）及
び（７）は磁気コアである。 代理人 伊藤 林２、丁 手続補正書 １．事件の表示 昭和５７年特許願第１９０１８１ 号２・発明の名称
磁気抵抗効果型磁気ヘッド３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代 理 人 東京都新°宿区西新宿１丁目８番１号
（新宿ビル）置東京（０３）３４３−５８２１ （代表
）６、補正により増加する発明の数 （１）明細書中、第６頁２行Ｆする。］の後に「また、
各ＭＲ素子（４）上の絶縁層（５）はきわめて薄い為、
連結体ｆ１２１とＭＲ素子（４）との不連続部Ｇでの短
絡を防止すべく ＭＲ素子（４）上の連結体Ｑ２を除去
してもよい。」を加入する。 （２）図面中、第１図、第２図及び第３図を夫々別紙添
付図面の通り補正する。 以 上
Claims (1)
- 閉磁路を形成する磁気コアの磁気ギャップ以外に形成さ
れた不連続部に磁気抵抗効果素子を配し、さらに該磁気
抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス導体が
配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記
磁気コア、上記磁気抵抗効果素子及び上記バイアス導体
が電気的に連結された磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190181A JPS5979418A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| CA000439693A CA1209260A (en) | 1982-10-29 | 1983-10-25 | Magnetic transducer head using magnetroresistance effect |
| KR1019830005068A KR920001146B1 (ko) | 1982-10-29 | 1983-10-26 | 자기저항효과형 자기헤드 |
| US06/546,060 US4673998A (en) | 1982-10-29 | 1983-10-27 | Magnetic transducer head having series connected magnetroresistance effect sensing element with head output connected between the sensing elements |
| DE8383306602T DE3382532D1 (de) | 1982-10-29 | 1983-10-28 | Magnetwandlerkoepfe, die einen magnetwiderstand-effekt verwenden. |
| EP83306602A EP0107982B1 (en) | 1982-10-29 | 1983-10-28 | Magnetic transducer heads utilising magnetoresistance effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190181A JPS5979418A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979418A true JPS5979418A (ja) | 1984-05-08 |
| JPH0376535B2 JPH0376535B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=16253790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57190181A Granted JPS5979418A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979418A (ja) |
| KR (1) | KR920001146B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332715A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Nec Kansai Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57190181A patent/JPS5979418A/ja active Granted
-
1983
- 1983-10-26 KR KR1019830005068A patent/KR920001146B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332715A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Nec Kansai Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920001146B1 (ko) | 1992-02-06 |
| KR840006862A (ko) | 1984-12-03 |
| JPH0376535B2 (ja) | 1991-12-05 |
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